Semi conductores

1. Semiconductores ALUMNO: CARLOS E. ZAPATA EUSCATE CURSO: FISICA

ELECTRONCA ING. DE SISTEMAS Aislantes  Conductores 1.
SEMICONDUCTORES Todos los cuerpos o elementos químicos existentes en la
naturaleza poseen características diferentes, agrupadas todas en la denominada
“Tabla de Elementos Químicos”. Desde el punto de vista eléctrico, todos los
cuerpos simples o compuestos formados por estos elementos se pueden dividir en
tres amplias categorías:
2. 2. MATERIALES AISLANTES O DIELÉCTRICOS A diferencia de los cuerpos
metálicos buenos conductores de la corriente eléctrica, existen otros como el aire,
la porcelana, el cristal, la mica, la ebonita, las resinas sintéticas, los plásticos,
etc., que ofrecen una alta resistencia a su paso. Esos materiales se conocen como
aislantes o dieléctricos. Los cuerpos aislantes ofrecen una alta resistencia al paso
de la corriente eléctrica. En la foto izquierda. se pueden observar diferentes
materiales aislantes de plástico utilizados comúnmente en las cajas de. conexión y
en otros elementos propios de las instalaciones eléctricas domésticas de baja
tensión, así. como el PVC (PolyVinyl Chloride – Policloruro de Vinilo) empleado
como revestimiento en los cables. conductores. En la foto de la derecha aparece,
señalado con una flecha roja, un aislante de vidrio. utilizado en las torres externas
de distribución eléctrica de alta tensión.
3. 3. Al contrario de lo que ocurre con los átomos de los metales, que ceden sus
electrones con facilidad y conducen bien la corriente eléctrica, los de los
elementos aislantes poseen entre cinco y siete electrones fuertemente ligados a
su última órbita, lo que les impide cederlos. Esa característica los convierte en
malos conductores de la electricidad, o no la conducen en absoluto. En los
materiales aislantes, la banda de conducción se encuentra prácticamente vacía de
portadores de cargas eléctricas o electrones, mientras que la banda de valencia
está completamente llena de estos. Como ya conocemos, en medio de esas dos
bandas se encuentra la “banda prohibida”, cuya misión es impedir que los
electrones de valencia, situados en la última órbita del átomo, se exciten y salten
a la banda de conducción. La energía propia de los electrones de valencia equivale
a unos 0,03 eV (electronvolt) aproximadamente, cifra muy por debajo de los 6 a 10
eV de energía de salto de banda (Eg) que requerirían poseer los electrones para
atravesar el ancho de la banda prohibida en los materiales aislantes.
4. 4. MATERIALES SEMICONDUCTORES Los primeros semiconductores utilizados
para fines técnicos fueron pequeños detectores diodos empleados a principios del
siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se conocían como “de galena”. Ese
nombre lo tomó el radiorreceptor de la pequeña piedra de galena o sulfuro de
plomo (PbS) que hacía la función de diodo y que tenían instalado para sintonizar las
emisoras de radio. La sintonización se obtenía moviendo una aguja que tenía
dispuesta sobre la superficie de la piedra. Aunque con la galena era posible
seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad auditiva, en realidad
nadie conocía que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas. En
 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubrió que si a ciertos
cristales se le añadía una pequeña cantidad de impurezas su conductividad
eléctrica variaba cuando el material se exponía a una fuente de luz. Ese
descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas fotoeléctricas o solares.
Posteriormente, en 1947 William Shockley, investigador también de los
Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden, desarrollaron el primer
dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron “transistor” y que
se convertiría en la base del desarrollo de la electrónica moderna. Los
"semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por
ejemplo, constituyen elementos que poseen características intermedias entre los
cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la
otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos
permiten la circulación de la corriente eléctrica en un sentido, pero no en el
sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna,
detectar señales de radio, amplificar señales de corriente eléctrica, funcionar
como interruptores o compuertas utilizadas en electrónica digital, etc.
5. 5. Lugar que ocupan en la Tabla Periódica los trece elementos con. características
de semiconductores, identificados con su correspondiente. número atómico y
grupo al que pertenecen. Los que aparecen con fondo. gris corresponden a
“metales”, los de fondo verde a “metaloides” y los de. fondo azul a “no metales”.
Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Periódica
constituyen la materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar
diodos detectores y rectificadores de corriente, transistores, circuitos integrados y
microprocesadores. Los átomos de los elementos semiconductores pueden poseer
dos, tres, cuatro o cinco electrones en su última órbita, de acuerdo con el
elemento específico al que pertenecen. No obstante, los elementos más utilizados
por la industria electrónica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen
solamente cuatro electrones en su última órbita. En este caso, el equilibrio
eléctrico que proporciona la estructura molecular cristalina característica de esos
átomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los
átomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y
no permiten que la corriente eléctrica fluya a través de sus cuerpos cuando se les
aplica una diferencia de potencial o corriente eléctrica. En esas condiciones, al no
presentar
6. 6. TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES Incremento de la conductividad en
un elemento semiconductor La mayor o menor conductividad eléctrica que pueden
presentar los materiales semiconductores depende en gran medida de su
temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la temperatura
aumenta, la resistencia al paso de la corriente también aumenta, disminuyendo la
conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues
mientras su temperatura aumenta, la conductividad también aumenta. En resumen,
la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de
los siguientes métodos: - Elevación de su temperatura - Introducción de impurezas
(dopaje) dentro de su estructura cristalina - Incrementando la iluminación.
7. 7.  Extrínsecos Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra
en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo
dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los
electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la
cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de
conducción. Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento
semiconductor intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios
electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atracción que
ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la
banda de conducción y allí funcionan como “electrones de conducción”,
pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura
cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una
corriente eléctrica. Como se puede observar en la ilustración, en el caso de los
semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho más
estrecho en comparación con los materiales aislantes. La energía de salto de
banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de
conducción es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si), la
energía de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que
en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV. Intrínsecos SEMICONDUCTORES
"INTRÍNSECOS" Los materiales semiconductores, según su pureza, se clasifican de
la siguiente forma:
8. 8.  ni varía exponencialmente con la temperatura Obviamente, n = p = ni 
Conforme la temperatura aumenta, hay generación de pares electrón-hueco 
Cristales sin impurezas ni defectos en la red (idealmente, claro) Estructura
cristalina de un semiconductor intrínseco, compuesta solamente por átomos de
silicio (Si) que forman una celosía. Como se puede observar en la ilustración, los
átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de
valencia), se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y
crear así un cuerpo sólido semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio
se comportará igual que si fuera un cuerpo aislante.
9. 9. SEMICONDUCTORES "EXTRÍNSECOS" Cuando a la estructura molecular
cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteración, esos
elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su
cuerpo en una sola dirección. Para hacer posible, la estructura molecular del
semiconductor se dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio con
pequeñas cantidades de átomos de otros elementos o "impurezas". Generalmente
los átomos de las “impurezas” corresponden también a elementos
semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su última
órbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones también en
su última órbita [como el antimonio (Sb) o el arsénico (As)]. Una vez dopados, el
silicio o el germanio se convierten en semiconductores “extrínsecos” y serán
capaces de conducir la corriente eléctrica. En la actualidad el elemento más
utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria electrónica es el
cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. La
 materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la
arena, uno de los materiales más abundantes en la naturaleza. En su forma
industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco
grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un espejo.
10. 10. A la izquierda se muestra la ilustración de una oblea (wafer) o cristal
semiconductor de. silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la fabricación de
transistores y circuitos. integrados. A la derecha aparece la cuarta parte de la
oblea conteniendo cientos de. minúsculos dados o “chips”, que se pueden obtener
de cada una. Esos chips son los. que después de pasar por un proceso tecnológico
apropiado se convertirán en. transistores o circuitos integrados. Una vez que los
chips se han convertido en. transistores o circuitos integrados serán desprendidos
de la oblea y colocados dentro. de una cápsula protectora con sus
correspondientes conectores externos. El segundo elemento también utilizado
como semiconductor, pero en menor proporción que el silicio, es el cristal de
germanio (Ge). Durante mucho tiempo se empleó también el selenio (S) para
fabricar diodos semiconductores en forma de placas rectangulares, que
combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para rectificar la
corriente alterna y convertirla en directa. Hoy en día, además del silicio y el
germanio, se emplean también combinaciones de otros elementos
semiconductores presentes en la Tabla Periódica. Placa individual de 2 x 2 cm de
área, correspondiente a un antiguo diodo de selenio.
11. 11. Lente (señalada con la flecha) detrás de la cual se encuentra instalado un
diodo láser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos de texto,
presentaciones multimedia o música grabada en un CD. En esta ilustración el. CD
se ha sustituido por un disco similar transparente de plástico común. En el caso
del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es decir,
como elementos intrínsecos, los electrones de su última órbita tienden a unirse
formando "enlaces covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los átomos
de cualquier elemento, independientemente de la cantidad de electrones que
contengan en su última órbita, tratan siempre de completarla con un máximo de
ocho, ya sea donándolos o aceptándolos, según el número de valencia que le
corresponda a cada átomo en específico. Con respecto a los elementos
semiconductores, que poseen sólo cuatro electrones en su última órbita, sus
átomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes, compartiendo entre sí
los cuatro electrones que cada uno posee, según la tendencia de completar ocho
en su órbita externa. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo sólido, los
átomos del elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina,
semejante a una celosía. En su estado puro, como ya se mencionó anteriormente,
esa estructura no conduce la electricidad, por lo que esos cuerpos
semiconductores se comportan como aislantes. Entre esas combinaciones se
encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsénico (As) utilizada para obtener
arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricación de diodos láser
empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio.
12. 12.  Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el
exterior La primera solución no es factible pues, aún aumentando mucho el valor
de la tensión aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La
solución elegida es la segunda. En este segundo caso se dice que el
semiconductor está "dopado". El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de
silicio por átomos de otros elementos. A estos últimos se les conoce con el nombre
de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al
semiconductor puro o intrínseco aparecen dos clases de semiconductores. -
Semiconductor tipo P - Semiconductor tipo N Sentido del movimiento de un
electrón y un hueco en el silicio Aplicar una tensión de valor superior
SEMICONDUCTOR DOPADO Si aplicamos una tensión al cristal de silicio, el
positivo de la pila intentará atraer los electrones y el negativo los huecos
favoreciendo así la aparición de una corriente a través del circuito Ahora bien, esta
corriente que aparece es de muy pequeño valor, pues son pocos los electrones que
podemos arrancar de los enlaces entre los átomos de silicio. Para aumentar el
valor de dicha corriente tenemos dos posibilidades:
13. 13. Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando se
añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados de los
átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como
material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son
conocidos como huecos. El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia
de huecos. En el caso del silicio, un átomo tetravalente (típicamente del grupo 14
de la tabla periódica) se le une un átomo con tres electrones de valencia, tales
como los del grupo 13 de la tabla periódica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red
cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá tres
enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrará en condición de
aceptar un electrón libre. Así los dopantes crean los "huecos". No obstante,
cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón del átomo situado en la
posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta
carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los
huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los
huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los
portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb),
que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P
que se produce de manera natural.
14. 14. Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado
añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se añade el material dopante aporta sus electrones más débilmente
vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es
también conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones. El
propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores
en el material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n
considérese el caso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia
atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los
átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia, tales
como los del grupo 15 de la tabla periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As) o
antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio,
entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado.
Este electrón extra da como resultado la formación de "electrones libres", el
número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos, en
ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los
portadores minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de
valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados átomos donadores.
Nótese que cada electrón libre en el semiconductor nunca está lejos de un ion
dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga
eléctrica neta final de cero.