MINISTERUL EDUCAŢIEI, CULTURII ȘI CERCETĂRII

AL REPUBLICII MOLDOVA
UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI
FACULTATEA ELECTRONICĂ ȘI TELECOMUNICAȚII
Departamentul Telecomunicaţii

Admis la susţinere
Şef Departament TLC, conf.univ.dr. N.BEJAN
______________________________

„____”____________________2019

ANALIZA ŞI MODELAREA TRANZISTOARELOR

BIPOLARE ŞI CIRCUITELOR ELECTRONICE
ÎN BAZA LOR

Proiect de an la disciplina
DISPOZITIVE ELECTRONICE

Elaborat de studentul grupei TST-171 Crețu Daniel

Proiectul a fost susţinut _____ ________________

Nota _____________

Chişinău - 2018
 1. Tehnologia de fabricare a tranzistoarelor bipolare

Realizarea unui tranzistor bipolar necesita un numar mai mare de etape fata de
cazul unei diode intrucat se cer realizate trei zone : de emitor, de baza si de
colector, dar mai ales din necesitatea de a obtine parametrii electrici ceruti la
nivelul microstructurii. 
Dintre cerintele impuse unui tranzistor de calitate amintim :

- rezistenta de colector sa fie cat mai mica posibil; se cere deci a fi realizata o
zona de colector puternic dopata si o cale de acces la colector de rezistenta
cat mai mica;

- capabilitatea in tensiune a jonctiunii colector-baza sa fie suficient de mare;

se cere deci realizarea unei zone de baza cu dopaj slab, de grosime suficient
de mare;

- rezistenta de baza sa fie cat mai mica pentru a nu limita raspunsul in

frecventa

- diversii tranzistori de pe acelasi substrat se cer izolati unul fata de altul;

separarea lor se face prin zone de oxid de siliciu localizat (LOCOS);

- emitorul trebuie sa fie foarte puternic dopat;

- gradul de dopare al bazei intrinseci sa fie perfect controlat; impreuna cu

dopajul emitorului, acesta determina castigul tranzistorului.

Procedeul de fabricatie ce se prezinta in continuare tine cont de toate aceste

cerinte; stfel se explica prezenta in structura a unui colector ingropat foarte puternic
dopat, a unei zone de baza realizata prin epitaxie si mai slab dopata de cat baza
intrinseca .
Principalele etape de fabricare sunt urmatoarele :

- curatarea substratului;

- realizarea stratului N+ reprezentand colectorul ingropat ; aceasta presupune

: oxidarea, fotolitografia, implantarea de dopant N, recoacerea dupa
implantare, gravarea oxidului;

- realizarea prin crestere epitaxiala a zonei de baza cu dopaj slab;

- realizarea LOCOS-urilor (se foloseste un strat de nitrura ca bariera de

difuzie);

- realizarea bazei intrinseci prin implantare ionica (oxidare, fotolitografie,

implantare de Bor, gravarea oxidului, recoacere dupa implantare);

- realizarea putului de acces la colector si a emitorului, prin implantare

ionica;

- oxidarea de izolare;

- realizarea deschiderilor pentru contacte, prin fotolitografie;

- depunerea de Aluminiu,

- fotolitografia Aluminiului.

In aceasta enumerare nu au fost detaliate toate etapele. Enumerarea lor

exclustiva, chiar pentru acest procedeu considerat ca invechit, ar cere enuntarea a
aprope 200 de etape elementare. Procedeele tehnologice mai recente ating usor
intre 400 si 500 de etape elementare. 
Se explica astfel de ce durata de fabricatie a unui circuit integrat actual este de 2 ..3
luni, in functie de gradul de complexitate.

Procedeu de fabricare a tranzistorilor bipolari cu grad mare de integrare :

Procedeul prezentat anterior nu permite realizarea de structuri submicronice.

Evolutia tehnologiilor ce folosesc autoalinierea pentru realizarea emiterului si a
bazei extrinseci prin folosirea straturilor de siliciu policristalin, a permis atingerea
dimensiunii de emitor de 
0,5 microni. Figura de mai jos prezinta schematic sectiunea printr-o structura de
acest fel. 
 Figura 2 : Structura bipolara integrata dublu-poli (polisiliciu n si polisiliciu p ) 

Stratul de siliciu policristalin dopat p+ serveste ca sursa de dopant pentru

baza extrinseca. Acest strat, foto-gravat si apoi oxidat, face posibila realizarea de
distantori care vor permite autoalinierea emitorului. Acesta din urma e realizat prin
difuzie cu dopant provenind 
din stratul de siliciu policristalin dopat n+. In aceste conditii suprafata emitorului
poate fi redusa la o fractiune de 2 mm.
 
Tranzistoarele bipolare cu siliciu de mică şi medie putere se fabrică în varianta
planară (dublu difuzate) şi planar-epiaxial. Rezistivitatea electrică a materialului
semiconductor este ρ=102 ÷103 Ω m pentru tranzistoarele planare şi ρ=0,5 ÷5 Ω m
pentru tranzistoarele planar-epitaxiale. Tranzistoarele planar-epitaxiale au
performanţe mai bune decât cele planare cum ar fi tensiunea de saturaţie UCEsat cu
valori mai mici, respectiv
UCEsat ≈0,3 V faţă de UCEsat ≈1 V la cele planare.
Grosimea plachetelor este de în jur de 0,3 mm pentru tranzistoarele difuzate şi
de 0,2 mm (120÷160 µm) pentru tranzistoarele planar-epitaxiale.
Principalele etape ale tehnologiei unui tranzistor planar dublu difuzat sunt
prezentate în figura 8.2. În prima fază se realizează joncţiunea bază - colector
(difuzia bazei), iar apoi joncţiunea emitor-bază (difuzia emitorului) în interiorul
difuziei de bază. Contactul de colector se realizează pe partea inferioară a cipului
(substrat).
Tranzistor dublu difuzat de tip npn:
- curăţirea substratului - placheta de Si (wafer) monocristalin dopat n;
- oxidarea termică a unui strat de oxid cu grosimea ≈2µm;
- fotolitografie 1 (masca1) - deschiderea ferestrei pentru difuzia bazei, uscare,
expunere, corodare şi iniţial oxidare cu SiO2; -predifuzia atomilor de bor;
difuzia atomilor de bor în atmosferă oxidantă;
- fotolitografie 2 (masca2)- deschiderea ferestrei pentru difuzia emitorului;
difuzia emitorului prin impurificare cu fosfor schimbându-se tipul dopării (din p
în n+) ;
- reoxidare şi fotolitografie 3 (masca3)- deschiderea ferestrelor pentru contactele
ohmice;
- metalizare neselectivă (Al pur (1µm) pe faţa superioară ;
- metalizarea zonei de colector, a părţii inferioare cu Au-Sb sau Au-Ni şi
corodarea (gravarea) stratului metalic (cu excepţia zonelor de contact);

Tranzistor npn planar epitaxial:

Caracteristicile geometrice pentru tranzistorul epitaxial tip npn, structură
tipică pentru tranzistoare cu geometrie minimă sunt următoarele:
- grosimea stratului epitaxial: g=17 µm, rezistivitatea ρ=5 Ωcm;
- difuzia de bază : 45 µm x 60 µm;
- difuzia de emitor: 20 µm x 25 µm;
- garda bază - zid de izolare: 25 µm;
- dimensiunile totale ale tranzistorului (fig. 9.7) sunt (140 µm x 95 µm).
Dimensiunile dispozitivelor realizate pe straturi epitaxiale de grosimi mai
mici
sunt şi ele mult mai reduse. Garda bază - zid de izolare este dictată de difuzia
laterală a regiunii de izolare la care se adaugă grosimea regiunilor golite (bază-
colector şi colector - zid de izolare).

Tranzistorul pnp lateral

Câştigul în curent este mai mic decât la tranzistoarele npn din următoarele
motive:
- purtătorii minoritari sunt injectaţi din bază nu numai lateral, ci şi în jos,
astfel că unii dintre ei sunt colectaţi de substratul care acţionează drept
colector pentru tranzistorul pnp vertical;
- emitorul nu este la fel de puternic dopat ca cel al tranzistoarelor npn, aşa
încât eficienţa de injecţie este mai scăzută;
- grosimea mai mare a bazei conduce la o eficienţă de injecţie mai scăzută
a emitorului şi la un factor de transport redus;
- doparea mai slabă a regiunii bazei determină scăderea câştigului în
curent la nivele mari de injecţie (curenţi mari).
Tranzistorul pnp de substrat:
Această structură constă din:
- emitor de formă dreptunghiulară difuzat în stratul epitaxial;
- baza este formată de stratul epitaxial de tip n; în partea de mijloc se
difuzează o regiune n+ pentru contactul ohmic al bazei (B);
- colectorul este format din substratul de tip p.
Tranzistorul pnp de substrat se caracterizează prin următoarele:
- amplificare în curent mică şi o frecvenţă de tăiere scăzută;
- colectorul fiind legat la substrat reduce posibilităţile de utilizare a acestui
tip de tranzistor; tranzistorul pnp de substrat se poate folosi numai în
acele circuite în care colectorul este conectat la potenţialul cel mai scăzut
(negativ) al circuitului.
Tranzistoarele bipolare de putere: se caracterizează prin joncţiuni cu
suprafeţe mari pentru a permite conducţia curenţilor de colector pentru care au fost
destinate (zeci de A) şi o încapsulare care să permită evacuarea energiei disipate.
Dezvoltarea actuală a acestui domeniu se face în două direcţii: tranzistoare de
putere de frecvenţe mari şi tranzistoare de putere de tensiuni ridicate. Pentru
tranzistoarele de înaltă tensiune este necesar ca joncţiunea bază - colector să aibă
tensiunea inversă suficient de mare (o capabilitate mare în tensiune). Acest lucru se
asigură prin existenţa unei baze groase şi printr-o dopare slabă a zonei de colector
(colectorul activ). În acest caz, datorită bazei groase frecvenţa de lucru este redusă,
iar rezistenţa serie de colector are valoare mare datorită impurificării slabe a zonei
de colector. În scopul reduceri rezistenţei dintre colectorul activ şi contactul
metalic (terminal) la tranzistoarele de putere se folosesc unul sau mai multe straturi
epitaxiale cu grad de dopare crescător de la zona de colector activ înspre substrat.

2. Circuitul echivalent natural  - hibrid (Giacoletto)

Este cel mai utilizat circuit echivalent de semnal mic, valabil in toate conexiunile in
care poate functiona tranzistorul bipolar. Acest circuit are avantajul ca elementele
sale au semnificatii fizice clare, nu depind de frecventa si pot fi determinate usor
experimental.

Fig. 1. Modelul de semnal mic natural - hibrid al tranzistorului bipolar

Parametrii principali ai circuitului - hibrid sunt:

1. Transconductanta (panta):

La temperatura normala de functionare (t=250)se utilizeaza frecvent relatia:

daca curentul de colector se exprima în

mA.
2. Rezistenta de intrare:

3. Rezistenta de iesire:

în care UA este tensiunea Early.

4. Rezistenta de reactie (colector-baza):
2.1 Consideratii teoretice

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic realizat din trei zone

semiconductoare, pnp sau npn, dispuse in doua variante, ca in Fig 1. Cele trei zone
se numesc emitor (E) , baza (B), colector (C) si sunt legate la trei terminale ce
poarta denumirile respective. Baza este mult mai ingusta si mai slab dopata decat
emitorul si colectorul. Tranzistorul se numeste bipolar deoarece conductia este
asigurata de doua tipuri de purtatori de sarcina cu sarcina de semn diferit: electroni
si goluri.

Fig 1. Structura fizica si simbolurile tranzistoarelor pnp si npn

            În simbolul tranzistorului sageata de pe emitor corespunde jonctiunii pn

emitor-baza, varful sagetii este orientat intotdeauna de la zona p la zona n. Ea arata
si sensul normal pozitiv al curentului principal prin tranzistor.  Pentru
orice tip de tranzistor se pot defini trei curenti si trei tensiuni, dar pentru descrierea
functionarii nu sunt necesare toate aceste marimi. Conform Fig. 1 intre tensiuni si
curenti exista relatiile:

                                                               (1)

                                                                          (2)

            Din aceste relatii rezulta ca numai doua tensiuni si doi curenti sunt
independente. Alegerea marimilor independente care descrie comportarea
tranzistorului se poate face in moduri diferite. Pentru aceasta se considera
tranzistorul ca un bloc cu doua borne de intrare si doua borne de iesire (cuadripol).
Deoarece tranzistorul are numai trei borne, una trebuie sa fie comuna atat intrarii
cat si iesirii. Borna comuna defineste conexiunea tranzistorului. Exista deci trei
conexiuni ale tranzistorului si anume: cu baza comuna (BC), cu emitor comun (EC)
si in colector comun (CC).
În figura 2 este prezentata conexiunea emitor comun (EC) a unui
tranzistor bipolar pnp, conexiune cel mai des folosita in circuitele electronice.
Pentru functionarea in regiunea activ normala, jonctiunea emitor-baza trebuie
polarizata direct iar jonctiunea colector-baza invers (Fig. 2). În cazul tranzistorului
de tip npn, cele doua surse EC si EB se conecteaza cu polaritati inverse fata de cele
din figura 2.

Fig 2. Tranzistor pnp in conexiunea emitor comun (EC)

            În conexiunea EC, circuitul care cuprinde emitorul si baza reprezinta

circuitul de intrare, iar circuitul care cuprinde emitorul si colectorul se numeste
circuitul de iesire. Curentul de baza, IB, si tensiunea emitor-baza, UEB, sunt marimile
de intrare, iar curentul de colector, IC, si tensiunea colector – emitor, UCE, sunt
marimile de iesire din cuadripol.

            Dependenta dintre curentii prin tranzistor si tensiunile aplicate in regim

static determina caracteristicile statice ale tranzistorului in conexiunea respectiva.

            Pentru conexiunea EC se definesc trei caracteristici statice si anume:

            1. Caracteristica de iesire:

                                                                (3)

            2. Caracteristica de transfer:

                                                                (4)

            3. Caracteristica de intrare:

                                                             (5)

            Caracteristica de iesire este descrisa de relatia:

              (6)
unde  reprezinta castigul (amplificarea) in curent in conexiunea EC, iar I CB0 este
curentul rezidual de colector.

            În Fig. 3 este reprezentata familia caracteristicilor statice de iesire a unui

tranzistor bipolar pnp in conexiunea EC intr-o diagrama cu patru cadrane. Se
observa ca exista trei regimuri de functionare:

            a) Regiunea activ normala in care jonctiunea emitor-baza este polarizata

direct iar jonctiunea colector-baza invers. Curbele pentru I B=const. nu sunt
orizontale in planul caracteristicilor de iesire, deoarece  creste cu crestere tensiunii
UCE si ca urmare IC creste cu UCE la IB=const.

            b) Regiunea de saturatie apare la tensiuni UBE=UCE, situatie in care ambele

jonctiuni ale tranzistorului sunt polarizate direct. Polarizarea directa a colectorului
conduce la o dependenta exponentiala a lui IC cu UCE.

            c) Regiunea de blocare este cuprinsa intre caracteristica I B=0 si abscisa.

Curentul care strabate tranzistorul este:

                                                        (7)

La tranzistoarele de siliciu curentul ICE0<10-6 A.

Fig. 3. Diagrama cu patru cadrane pentru caracteristicile statice in conexiunea

emitor comun ale unui tranzistor pnp.

            Pentru  < 0,1 V, si avand in vedere relatia (7) curentul de

colector este dat de relatia:

                       (8)
        O forma mai generala de descriere a dependentei marimilor de iesire in functie
de cele de intrare, se poate face considerand tranzistorul ca un cuadripol reprezentat
in Fig. 4, pentru un tranzistor npn.

Fig. 4. Modelarea tranzistorului cu un cuadripol.

            Parametrii hibrizi „hij” se definesc conform Fig. 4, pe baza

urmatoarelor relatii:

                                                      (9)

            Relatiile de definitie ale parametrilor hibrizi rezulta din relatiile (9), scrise
pentru anumite conditii particulare si anume la functionarea tranzistorului in gol
(I1=0) sau la functionarea tranzistorului cu iesirea in scurtcircuit (U2=0).
Daca se tine seama ca I1=IB, I2=IC, U1=UBE si U2=UCE, atunci parametri
hibrizi au urmatoarele relatii de definitie si semnificatii:

       h11 – impedanta de intrare cu iesirea in scurtcircuit si este egala cu

panta caracteristicilor din cadranul III (Fig. 3):

                                               (10)

             h12 – coeficientul de transfer invers cu intrarea in gol si este egal cu

panta caracteristicii din cadranul IV:

                                                  (11)

             h21 – factor de amplificare in curent cu iesirea in scurtcircuit si este egal

cu panta caracteristicii din cadranul II:

                                                   (11)
             h22 – admitanta de iesire cu intrarea in gol si este egala cu panta
caracteristicii din cadranul I:

                                                 (12)

            Din relatiile de definitie se observa ca parametrii h au semnificatii fizice

diferite. De aici, rezulta si denumirea de parametri hibrizi iar circuitul echivalent
reprezentat in Fig. 5 si poarta denumirea de circuitul echivalent al tranzistorului cu
parametrii hibrizi.

Fig. 5. Circuitul echivalent al tranzistorului cu parametrii hibrizi

            Circuitul echivalent al tranzistorului cu parametri hibrizi prezinta o

importanta deosebita inanaliza functionarii la semnal mic al circuitelor de
amplificare cu tranzistoare. Modelarea cu parametrii hibrizi se aplica tranzistorului
in orice conexiune, de aceea este foarte important sa se determine experimental
acesti parametrii. La frecvente mai mari de 100 Mhz determinarea experimentala a
parametrilor hibrizi devine dificila din cauza ca la aceste frecvente este greu sa se
realizeze  conditiile de mers in gol sau de scurtcircuit necesare masurarii acestor
parametri.

Dupa cum se observa din Fig 3 caracteristicile nu sunt liniare in tot domeniul
de lucru al tranzistorului, astfel ca pantele acestora si respectiv parametrii h ij  depind
de alegerea punctului de functionare pe aceste caracteristici. Doar panta
caracteristicii din cadranul II este constanta pe intreg domeniul, adica h 21 = β =
const . Parametrii hij determinati in montajul cu emitorul comun (EC), din Fig
2 sunt notati in cataloage cu indice e (h ije), cei determinati in montaj cu baza
comuna (BC) cu indicele b (hijb) si cei determinati in montajul cu colector comun
(CC) cu indicele c (hijc), pentru a scoate in evidenta modul cum au fost determinati.
 3. ANALIZA CIRCUITELOR ECHIVALENTE A TRANZISTORULUI
BIPOLAR        

Sistemele de parametri diferentiali Z, Y, H se numesc externe deoarece ele se

masoara la bornele cuadripolului si marimile acestor parametri depind de schema de
conectare a tranzistorului. La analiza functionarii circuitelor o întrebuintare
deosebita au obtinut-o parametrii fizici ai tranzistorului, legati de procesele fizice
care au loc în tranzistor  si care nu depind de schema de conectare. Utilizându-se
acesti parametrii, poate fi alcatuita schema echivalenta fizica a tranzistorului la
semnale mici. La trecerea de la o schema de conectare la alta marimile numerice ale
parametrilor fizici nu se modifica, 313c23d se modifica doar pozitia în schema
echivalenta.

Rezistenta diferentiala si capacitatea jonctiunii emitorului

      Rezistenta diferentiala a jonctiunii emitorului   se determina ca relatia

dintre tensiunea aplicata pe jonctiunea emitorului   si curentul emitorului  ,
când în circuitul colectorului este asigurat regim de scurtcircuit dupa curent
alternativ.

 .

        Daca substituim devierile curentilor si tensiunilor cu echivalent

diferential, se obtine

;   ;     .

unde:   este tensiunea între emitor si baza;   - curentul jonctiunii

emitorului;  - tensiunea între colector si baza.

        Curentul jonctiunii emitorului polarizate direct se determina conform

relatiei

,                         (1.39)

unde   este curentul de scurgere al jonctiunii emitorului.

         În asa mod, pentru rezistenta diferentiala a jonctiunii emitorului, putem
scrie:

        Pentru  ,   si rezistenta diferentiala a jonctiunii

emitorului este mica

 .                     (1.40)

        De exemplu, pentru   si  ,  . Din cauza

valorii mici a rezistentei  , capacitatea jonctiunii emitorului polarizata direct ( )
la frecventa joasa este suntata de rezistenta   si influenta ei asupra functionarii
tranzistorului este nesemnificativa. La frecventa joasa, în schema echivalenta fizica
marimea   poate fi neglijata.

     Rezistenta diferentiala si capacitatea jonctiunii colectorului

     Rezistenta diferentiala a jonctiunii colectorului   se determina ca relatia

între tensiunea aplicata pe jonctiunea emitorului   si curentul colectorului  ,
când în circuitul emitorului avem mers în gol dupa curent alternativ

 .

        Se efectueaza trecerea:

;   ;     .

                                    ,                               (1.41)

unde:   este tensiunea între colector si baza;  - curentul colectorului;  -

curentul jonctiunii emitorului.

        Curentul colectorului   circula prin jonctiunea colectorului polarizata

indirect si depinde slab de tensiunea aplicata la colectorul . Marimea   este
majora (de obicei  ). Rezistenta diferentiala a jonctiunii colectorului este
determinata, în general, de efectul de modulare a grosimii bazei si de curentul de
scurgere.

        Cu modificarea valorii tensiunii aplicate pe colectorul   frontiera

jonctiuni colectorului se deplaseaza. Jonctiunea de parca s-ar misca în întâmpinarea
golurilor la majorarea tensiunii   si se retrage la micsorarea ei (fig.1.7). În
rezultat, gradientul concentratiei golurilor din baza creste la micsorarea grosimii
bazei si descreste la marirea grosimii bazei. Respectiv se modifica viteza miscarii
de difuzie a purtatorilor minoritari din baza si  numarul de goluri ce recombina în
procesul miscarii de difuzie de la emitor spre colector. Aceasta, la rândul sau,
conduce la dependenta coeficientului de transfer de difuzie a golurilor  si, prin
urmare, la dependenta coeficientului de amplificare dupa curent   de tensiunea
aplicata pe jonctiunea colectorului. Drept rezultat al modificarii valorii   
(când  ), cu schimbarea tensiunii pe colector se modifica si valoarea
curentul colectorului  . Aceasta conditioneaza majorarea totala a rezistentei
diferentiale a colectorului  , ce poarta un caracter de difuzie

.      (1.42)

        Jonctiunea colectorului polarizata indirect poseda capacitatea   care

este determinata de raportul dintre modificarea valorii sarcinii spatiale în jonctiune
si valorii tensiunii colectorului când în circuitul emitorului este asigurat regim mers
în gol. De obicei capacitatea colectorului   este cu mult mai mica decât
capacitatea jonctiunii emitorului polarizata direct  . Însa capacitatea   sunteaza
o rezistenta mai mare ( ), de aceea cu majorarea frecventei aceasta capacitate are o
influenta considerabila asupra functionarii tranzistorului.

Rezistenta de volum a bazei

Materialul semiconductor din regiunea bazei si contactul ohmic al bazei

poseda o oarecare rezistenta  . Cum arata calculele, valoarea rezistentei bazei   
poate fi determinata conform relatiei

unde: q  este sarcina electronului;   - mobilitatea purtatorilor majoritari în

baza;  - concentratia donorilor în baza;  - grosimea bazei.
         Cu majorarea valorii grosimii bazei si concentratiei impuritatilor
rezistenta de volum a bazei se micsoreaza. Majorarea   mareste pierderile în
circuitul de intrare, ceea ce micsoreaza eficacitatea emitorului. Conform legilor
fizice, majorarea   trebuie sa micsoreze curentul emitorului pentru tensiune
constanta între emitor si baza, deoarece aceasta tensiune este distribuita între
jonctiunea emitorului si rezistenta  . Pentru majorarea eficacitatii emitorului si
micsorarea pierderilor de putere a semnalului de intrare, rezistenta bazei trebuie
redusa la minim.  Introducerea rezistentei   în circuitul bazei ia în considerare
reactia interna în tranzistor si influenta modulatiei grosimii bazei asupra curentului
emitorului. Însa aceste consideratii nu ne dau precizia necesara si necesita
introducerea rezistentei adaugatoare  , numita de difuzie, de aceea circuitul bazei
este caracterizat de rezistenta totala:

.                             (1.43)

Schema echivalenta pentru cuplaj baza comuna

      Utilizând parametrii analizati anterior, poate fi construita schema

echivalenta în T de conectare a tranzistorului cu baza comuna. Acest circuit
echivalent este prezentat în fig.1.19.În schema echivalenta jonctiunile emitorului si
colectorului sunt reprezentate prin rezistentele lor diferentiale   si  . Efectul de
transfer al curentului emitorului   în circuitul colectorului pe schema echivalenta
este indicat sub forma de generator de curent  , unde   prezinta coeficientul de
transfer al curentului emitorului. Polaritatea relativa a curentului generatorului   
în schema echivalenta este determinata de sensul pozitiv al curentului emitorului.

       Fig.1.19. Schema echivalenta a tranzistorului tip n-p-n cu generator de

curent   la conectare BC
          În cazul orientarii curentului emitorului   de la punctul   spre
punctul E (ceea ce corespunde curentului emitorului real în tranzistorul bipolar
tip n-p-n), directia pozitiva a curentului   trebuie orientata spre punctul  .
Pentru directia inversa a curentului emitorului (tranzistor tip p-n-p) polaritatea
generatorului   este inversa. Legea descrisa este determinata de procedeele fizice
care au loc în tranzistor. De aceea orientarea curentului emitorului conditioneaza
directia tuturor curentilor ramasi asa cum este aratat în fig.1.19, unde directiile
pozitive ale curentilor si tensiunilor corespund celor reale în tranzistorul bipolar
tip n-p-n. În schema echivalenta a tranzistorului tip p-n-p directiile curentilor vor fi
inverse (fig.1.20). Trebuie de remarcat  ca rezistenta interna a generatorului de
curent   pentru curentul de iesire   tinde spre infinit.

        În schema echivalenta, prezentata în fig.1.19, coeficientul de transfer

dupa curent   este socotit independent de efectul de modulare a grosimii bazei.
Prezenta rezistentei   în circuitul bazei evidentiaza legatura interna în tranzistorul
bipolar si influenta modularii bazei asupra curentului emitorului.

        Schema echivalenta fizica a tranzistorului bipolar, prezentata în fig.1.19,

contine un generator de curent   , un  numar minim de elemente si reflecta
procesele fizice ce au loc în tranzistorul bipolar real. Ea este utilizata pe larg în
calculul ingineresc.

        Uneori este mai comod de utilizat schema echivalenta în care în locul

generatorului de curent   functioneaza generatorul echivalent de tensiune   .
Aceasta schema este prezentata în fig.1.20, unde   este rezistenta ce reflecta
proprietatile de amplificare ale tranzistorului.

Fig.1.20. Schema echivalenta a tranzistorului tip p-n-p

        cu generator   (conectare BC)

         Echivalenta regiunilor din schema   - C pentru fig.1.19 si fig.1.20,
rezulta din egalitatea caderilor de tensiune create de curentul    pe rezistenta   
(fig.1.19) si tensiunea generatorului   (fig.1.20)

                              ; .                             (1.44)

Schema echivalenta pentru conectarea  emitorului comun

     Schemele  prezentate  în  fig.1.19  si fig.1.20  ramân  valabile

pentru conectarea tranzistorului cu EC, daca bornele de intrare de schimbat

cu locul asa, cum este aratat în fig. 1.21.

        În astfel de circuit curentul  generatorului   este comod de înlocuit

prin curentul bazei   si nu prin curentul emitorului  . Pentru aceasta este
analizata tensiunea   între punctele   - C,  care este determinata ca suma
caderilor de tensiune pe rezistenta   din cauza curentilor   si 

                    ,                 (1.45)

unde       

       .                      (1.46)

           Fig.1.21. Schema echivalenta a tranzistorului tip p-n-p

    cu generator   (conectare EC)

         Din cauza ca  ,  ,  unde   - coeficientul de transfer
al curentului bazei la conectarea tranzistorului dupa schema EC, tensiunea între
punctele   - C poate fi scrisa sub forma

                             

.      (1.47)

Introducem notatia

      .                                    (1.48)

Daca luam în considerare (1.48),  relatia (1.47) capata forma

,                          (1.49)

unde   este  impedanta în punctele   - C la înlocuirea generatorului de

curent   cu generatorul  .

        Cum se observa din relatiile (1.45) si (1.49), directia generatorului de

curent   trebuie sa coincida cu directia generatorului de curent  .
Impedanta   poseda componente activa si reactiva

        Luând în considerare relatiile (1.46) si (1.48) pentru schema echivalenta

a tranzistorului bipolar cuplat EC, unde între punctele   - C este conectat
generatorul de curent  , putem scrie

  ;                                    (1.50)

.                              (1.51)
 Fig.1.22. Schema
echivalenta a
tranzistorului tip n-p-n

cu generator de
curent   si generator
de

tensiune   (conectarea EC)

        Relatiile (1.49), (1.50), (1.51) permit de a trece de la schema prezentata

în fig.1.21 la schema tranzistorului cu generator de curent   (fig.1.22). În schema
din fig.1.22  directia curentului generatorului   este aceeasi ca si în schema cu
baza comuna, rezistenta   este de zece ori mai mica ca  , iar capacitatea   tot de
atâtea de ori este mai mare ca  . Însa constanta de timp a jonctiunii colectorului
ramâne aceeasi pentru ambele scheme de conectare.

        Uneori în schema echivalenta de conectare a tranzistorului cu emitor

comun în locul generatorului de curent   se foloseste generatorul de
tensiune  . În fig. 1.22 este aratata portiunea de schema între punctele   
- C.  Partea ramasa a schemei ramâne neschimbata. Rezistenta generatorului  , ce
determina proprietatile de amplificare ale tranzistorului, se determina din relatia

        Cum se observa din analiza schemelor formale de înlocuire a

tranzistorului (fig.1.14...fig.1.16) si schema echivalent fizica a tranzistorului tip n-
p-n conectat cu emitor comun (fig.1.22) directiile pozitive ale curentilor si
tensiunilor coincid cu directiile marimilor de intrare si iesire pentru schemele
formale.

4. Metoda de ridicare a parametrilor tranzistorului bipolar

Pentru ridicarea CCT în regim dinamic a dispozitivelor electronice este
utilizat osciloscopul cu două canale care funcționează în regim X-Y. Conform
acestei metode, pe axa X a osciloscopului este aplicata tensiunea de pe dispozitivul
electronic, iar pe axa Y – tensiunea de un rezistor cuplat în serie cu dispozitivul
electronic analizat. Astfel, pe ecranul osciloscopului se obține CCT.
 Pentru ridicarea caracteristicilor sunt folosite scheme tipice care conțin un
transformator de ridicare utilizat pentru dezlegare galvanică - un generator de
semnale sinusoidale, aparatele de măsură digitale și un rezistor cuplat în serie cu
circuitul dispozitivului analizat. De regulă, în circuit se mai introduce un rezistor
care nu permite ca să crească curentul în salt.
Preventiv, osciloscopul este gradat pe axele X și Y cu ajutorul aparatelor
de măsură. În figura 6.1 este reprezentată schema tipică care permite ridicarea
caracteristicilor curent-tensiune ale dispozitivelor electronice (în cazul dat pentru
dioda redresoare). Subliniem că la ridicarea CCT tensiunea de la sursă se majorează
lent fără a depăși valorile maxim admisibile pentru curentul dispozitivelor analizate.

6.4.2. Îndrumări privind îndeplinirea compartimentului practic

Pentru a analiza CCT a unei diode redresoare cu ajutorul osciloscopului, se
montează schema prezentată în figura 6.1.
R1
T
y
VD
x
GSS IVD

R2

Figura 6.1. Schema ridicării CCT a diodei redresoare

Generatorul de semnal sinusoidal este ajustat la frecvența de 60 Hz pentru ca

CCT să rămână nemișcată pe ecranul osciloscopului. De pe rezistorul R2 este
selectată tensiunea proporțională curentului care circulă prin diodă (UR2=IVDR2).
Această tensiune se aplică la plachetele y. Pe plachetele x se aplică tensiunea de pe
diodă. Rezistorul R1 joacă rolul de protecție în procesul de tranziție (cuplare-
decuplare).
Pregătirea osciloscopului se reduce la cuplarea regimului de funcționare al
amplificatoarelor în poziția “II” “X-Y”, iar a sursei de sincronizare – în poziția “X-
Y”. Amplitudinea semnalului pe ecran este dirijată cu manivela “V/diviz” și
etalonul “X1” – “X10” în canalele X și Y.
Utilizând circuitul din figura 6.1, să se ridice CCT pentru câteva diode
redresoare, diode tunel și diode Zener propuse de profesor. Concomitent, să se
determine parametrii de bază ai dispozitivelor studiate (de exemplu, tensiunea de
activare, tensiunea de stabilizare, rezistența statică și dinamică, curentul de
scurgere, tensiunea de străpungere).

5. TRANZISTORUL BIPOLAR CU POARTĂ IZOLATĂ (IGBT).

Tranzistoarele bipolare şi MOSFET au, fiecare în parte, o serie de

performanţe foarte avantajoase pentru aplicaţ ii, dar şi unele dezavantaje care
limitează dimensiunea aplicaţiei. Astfel tranzistorul bipolar în raport are avantajele:
= capacitate mai mare în curent şi tensiune;
= cădere mică de tensiune in conducţie, VCEON.
Pe de altă parte dezavantajele mai importante sunt:
- timpi relativ mari de comutaţie;
- curent şi putere de comandă mare;
- prezenţa saturaţiei;
- pericolul de distrugere prin cea de a doua
străpungere. Tranzistorul MOSFET este
avantajos din motivele:
- timpi mici de comutaţie;
- comandă în tensiune;
- inexistenţa saturaţiei şi a celei de a doua străpungeri ;
- capacitate relativ mică în tensiune şi curent.
Îmbinarea avantajelor celor două tipuri de tiristoare s-a regăsit într-un nou
dispozitiv semiconductor de putere numit tranzistor bipolar cu poartă izolată –
IGBT.
5.1. STRUCTURĂ. POLARIZARE

O structură verticală printr-un IGBT cu canal n este prezentată în fig.1.91,

iar în fig.1.92 simbolizarea acestuia. Straturile unui tranzistor IGBT sunt:
- stratul colectorului de tip p+, înalt dopat, 1019/cm3;
- stratul de sărăcire de tip n-, slab dopat, 1014/cm3;
- corpul p, mediu dopat, 1017/cm3;
- stratul emitorului n2 , înalt dopat, 1019/cm3.
+

Suplimentar la unele tranzistoare se mai găseşte şi stratul tampon n1+, înalt

dopat 1019/cm3 .
Dacă tranzistorul nu are stratul tampon se numeşte IGBT simetric, în caz
contrar asimetric.

Fig.1.91 Structură. Fig.1.92 Simbolul IGBT-ului cu

canal n.
Emitorul tranzistorului se conectează la stratul n2+ prin intermediul metalizării 1, din
aluminiu. Metalizarea porţii G este separată de corpul p prin stratul de oxid de
siliciu, 2.Pentru analiza polarizării se consideră poarta izolat ă. Polarizarea directă
constă în aplicarea polarităţii plus pe colectorul C al tranzistorului. Este polarizată
invers doar joncţiunea J2, bariera de potenţial extinzându-se în toată grosimea
stratului n-, IGBT-ul putând susţine tensiuni de până la 1500 … 2500V. În cazul
polarizării inverse, minusul pe colector, există diferenţe între tranzistorul simetric şi
asimetric. Astfel pentru tranzistorul asimetric, fig.1.91, sunt polarizate invers
joncţiunile J1 şi J3. Fiind joncţ iuni de tip n+ p, respectiv n+p+, barierele de potenţial
sunt reduse, iar capacitatea în tensiune inversă de ordinul zecilor de volţi. În cazul
tranzistorului simetric, lipsind stratul n1+, jonc ţiunea J1 este formată din straturile n-
p+, bariera de potenţial fiind de acelaşi ordin de mărime ca la polarizarea directă. Aş
adar tranzistorul simetric poate funcţiona alimentat atât în c.c. cât şi în c.a., în timp
ce tranzistorul asimetric poate funcţiona alimentat numai alimentat cu tensiune
continuă şi polarizare directă. Se realizează foarte rar IGBT-uri cu canal de tip p,
structura fiind asemănătoare, tipul straturilor şi polarizarea inversate.

5.2. FUNCŢIONARE. CARACTERISTICA STATICĂ.

Stare de conducţie a unui IGBT se realizează dacă este polarizat ca în
fig.1.93. Producători de IGBT-uri furnizează mai multe tipuri de scheme
echivalente funcţionale, care permit descrierea conducţiei în tranzistor. O astfel de
schemă echivalentă simplificată este prezentată în fig.1.94, unde IGBT-ul este
înlocuit printr-un tranzistor MOSFET cu canal n şi un tranzistor bipolar pnp.
Rezistorul Rn-1 materializează rezistenţa stratului n-. Tranzistorul MOSFET
reprezintă partea de comandă a IGBT- ului care este similară cu cea a tranzistorului
MOSFET, în sensul c ă în corpul p se creează, prin câmp electric, canalul de tip n.
Prin acest canal electronii injectaţi din sursă, polarizată negativ, se regăsesc în dren,
iar prin stratul n- în baza tranzistorului pnp, comandând intrarea rapidă în conducţie
a acestuia. Blocarea tranzistorului pnp se face prin blocarea conducţiei MOSFET-
ului. În felul acesta se realizează comanda în tensiune, deci de putere mică, şi timpi
de comutaţie reduşi.
Se evită de asemenea fenomenul saturaţiei, comanda pe poartă IGBT-ului
fiind în câmp electric. Pe de altă parte prezenţa între colector şi emitor a
tranzistorului pnp asigură o cădere de tensiune VCEON comparabilă cu cea de la
tranzistoarele bipolare. Caracteristicile statice, ic=f(VCE), au forma din fig.1.95 şi se
analizează împreună cu caracteristica de transfer ic = f(VGE) din fig.1.96. În familia
de caracteristici statice se definesc zonele:

Fig.1.93 Schema de funcţionare. Fig.1.94 Schema echivalentă.

- dreapta VCESUS, care limitează tensiunea maxim admisă în sens direct, la valori
mai mari decât VCESUS apărând fenomenul primei străpungeri, cu aceleaşi
caracteristici ca la tranzistoarele bipolare;
- zona activă, cu aceleaşi proprietăţi ca la MOSFET;

b) zona ohmică;
c) pentru tranzistoarele simetrice tensiunea VBR, de prăbuşire în sens
invers. Caracteristica de transfer are exact aceleaşi proprietăţi ca la
tranzistorul MOSFET.

Fig.1.95 Caracteristica statică. Fig.1.96Caracteristica de transfer.

Stabilirea punctului de funcţionare se face tot ca la tranzistorul MOSFET, în

sensul îndeplinirii condiţiilor:
• să asigure la curent maxim, tensiune VCEON minimă, punctul de funcţionare
plasându-se pe curba de separaţie între zonele activă şi ohmică;
• punctul de funcţionare să se găsească în interiorul ariei de funcţionare sigură,
SOA, de formă asemănătoare cu cea de la MOSFET.
Tensiunea VCEON, care caracterizează IGBT-ul, are valori între 1,9 … 2,9V.
Calculul
regimului termic urmează aceeaşi metodologie de la tranzistorului MOSFET.

5.3. AUTOAMORSAREA.
Structura IGBT-ului este practic de tipul pnpn, identică cu a unui tiristor
obişnuit. Din acest motiv IGBT-ul este suspect de apariţia ia fenomenului de
autoamorsare, după modelul de la tiristorul obişnuit. În mod normal curentul de
colector se închide între stratul de colector p+ şi stratul de emitor n+ , traversând
corpul p. Acest curent este desenat cu linie continuă în fig.1.97. Pentru a se evita
efectele nedorite ce apar la MOSFET, metalizarea emitorului acoperă parţial corpul
tranzistorului. Astfel poate să apară aşa numitul curent lateral, iL, desenat cu linie
întreruptă, direct între colector şi emitor, fără traversarea stratului n2+. Se pune astfel
în evidenţă
Fig.1.97 Autoamorsarea. Fig 1.98. Schema echivalentă completă.

tranzistorul, T2 , de tip npn, format din straturile n-pn2+, care completează schema
echivalentă simplificată din fig.1.94, după schema din fig.1.98. Acest tranzistor are
între bază şi emitor rezistorul Rc, care corespunde rezistenţei corpului p. Închiderea
curentului lateral, iL, prin corp produce căderea de tensiune uL, cu polaritatea plus pe
bază, propor ţională cu acest curent. Când curentul de colector este relativ mare
curentul lateral i L capătă valori apreciabile. Tensiunea uL din baza tranzistorului T2
devine suficient de mare încât tranzistoarele T1 şi T2, a căror schemă este identică cu
a tiristorului obişnuit, intră în procesul de autoamorsare. Efectele autoamorsării
conduc la:
• intrarea în saturaţie a celor două tranzistoare T1 şi T2 însoţită de o creştere
accentuată a curentului de colector şi distrugerea IGBT-ului;
• imposibilitatea blocării conducţiei prin comandă pe poartă, aceasta fiind
dezactivată prin apariţia autoamorsării;
• blocarea conducţiei se mai poate realiza numai prin
anularea curentului de colector, ca la tiristorul obişnuit.
Evitarea acestui fenomen se realizează în două moduri.
Pentru structuri de tipul celei din fig.1.97 trebuie menţinut
curentul de colector
ic ≤ ICM (1.119)
unde ICM este curentul maxim de colector admis de IGBT
pentru care nu apare fenomenul autoamorsării.
- doua variantă constă în modificarea
constructivă prezentată în fig.1.99. Evitarea autoamorsării
constă în micşorarea tensiunii uL prin reducerea rezistenţei
corpului RC, în zona de Fig.1.99 Structura
pentru evitare
închidere a curentului lateral. În acest sens corpul se
realizează din două regiuni, p cu doparea de 1017/cm3 şi p+
cu dopare 1019/cm3.
Pericolul apariţiei acestui fenomen este sporit în procesul
de blocare, când ,ca urmare a curentului relativ mare şi a
tensiunii colector-
emitor în creştere, tensiunea uL scapă de sub control ,IGBT-ul rămânând în
conducţie, deşi comanda pe poartă este activată.

5.4. CARACTERISTICI DINAMICE. CIRCUITE DE COMANDA PE

POARTĂ.
Intrare şi ieşire din conducţie a IGBT-ului, având în vedere structura de
comandă, este identică cu a MOSFET- ului, în sens că efectul capacităţilor parazite
poartă-emitor, CGE, şi poartă-colector, CGC, intervin în procesul de comutaţie în
acelaşi mod ca şi capacităţile CGD şi CGS. Diferenţele care apar constau în:
- timpi mai mari de intrare în conducţie, tON, şi ieşire din conducţie tOFF, valorile
fiind de ordinul sutelor de nanosecunde;
- la începutul ieşirii din conducţie,
înaintea începerii scăderii curentului
de colector, apare un vârf destul de
însemnat al acestui curent, cauzat de
începerea recombinării golurilor din
stratul de colector;
- la tranzistorul asimetric prezenţa
stratului tampon n1+, asigură o
recombinare directă a
golurilor din stratul de colector, Fig.1.100 Circuit de
reducând supracurentul şi micşorând
substanţial timpul de blocare toff comandă pe poartă.

- ca urmare a impedanţei mari de intrare a circuitului de poartă pot să apară

oscilaţii ale comenzii, motiv pentru care se introduc filtre pe semnalul de
comandă, iar conexiunile circuitului de comandă se realizează cu lungime cât
mai mică.
• prezenţa filtrului RC pentru preîntâmpinarea oscilaţiilor comenzii;
• polarizarea negativă la ieşirea din conducţie cu scopul de a reduce vârful de
curent de la începutul blocării.
Nivelul polarizării negative este de maxim 5V, nivel la care reducerea vârfului de
current este substanţială. Peste această valoare vârful de curent nu se mai micş
orează. Se menţionează că acest vârf de curent este suportat fără probleme de IGBT,
reducerea lui fiind, cel mai adesea, solicitată de sarcină.
Similitudinea comenzii IGBT-urilor şi MOSFET-urilor merge până la
identitate, în sensul că se realizează drivere de poartă integrate cu utilizare pentru
ambele tipuri de tranzistoare.
6. СХЕМЫ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ НА ГЕРМАНИЕВЫХ
ТРАНЗИСТОРАХ. 

На этой странице поговорим об УНЧ на германиевых транзисторах. 

Своеобразие германиевого звучания, как правило, сводится к двум
устойчивым постулатам:
1. Усилители на германиевых транзисторах отличаются музыкальностью, 
2. Звук похож на звук ламповика.
И если первый пункт у меня возражений не вызывает, то со вторым мнением
коллег позволю вежливо не согласиться - не похож, абсолютно разное
звучание. Электрофон сетевой транзисторный "Вега-101-стерео" с усилителем
на германиевых транзисторах, выпускаемый Бердским радиозаводов с начала
1972 по 1982 год, заложил в головы современников основы понимания того,
каким должен быть высококачественный стереофонический звук. 
Время шло, появлялись на свет и более продвинутые вертушки с магнитными
звукоснимателями, и значительно более мощные УНЧ на кремниевых
транзисторах с незаурядными характеристиками.
Однако душещипательные воспоминания о том, как звучали в конце 70-ых
простенькие Веги с их примитивной схемотехникой открыли историю
ожесточённой борьбы человечества с феноменом транзисторного звучания.
Ну да и ладно, пора переходить на новый уровень - нарисовать пару-тройку
принципиальных схем усилителей низкой частоты на германиевых
транзисторах, но для начала озадачусь вопросом: Что любит и что не любит
германий?
1. Германий любит простоту и не приемлет наворотов. Дифференциальный
каскад с источником тока в цепи эмиттера - уже является буржуазным
излишеством.
2. Германий не любит перегрева, легко может напустить дыма и отправиться к
праотцам электроники Амперу и Ому в ответ на потерю бдительности в
процессе настройки схемы.
Рис.1

Номинальная мощность усилителя при коэффициенте гармоник на частоте

1000Гц менее 0,1% - 1 Вт, максимальная - 1,5Вт, чувствительность по входу -
0,2 В.
Усилитель сохраняет работоспособность при понижении напряжения питания
до 9В.
Подбором номинала резистора R8 устанавливается значение напряжения на
эмиттерах выходных транзисторов, равное половине напряжения питания.
Подбором номинала резистора R2 устанавливается значение напряжения на
коллекторе транзистора V1, равное половине напряжения питания.

Рис.2

Схема, приведённая на Рис.2 - для эстетов, желающих порадовать свой

слуховой аппарат ни с чем не сравнимым звуком однотактного усилителя,
работающего в чистом режиме А.
Для настройки усилителя следует подбором номинала резистора R9
установить ток покоя выходного транзистора - 150мА. 

Рис.3

На рис.3 показана принципиальная схема универсального усилителя НЧ,

собранного на девяти транзисторах и развивающего выходную мощность до
10 Вт при сопротивлении нагрузки 4 Ом и входном напряжении около 10 мВ. 
При налаживании устройства подстроечным резистором R2 устанавливают
выходное напряжение в точке соединения транзисторов VT8 и VT9 равным
половине напряжения питания.

Рис.4

Схема более мощного усилителя приведена на Рис.4. Усилитель рассчитан на

подключение электрогитары и микрофона, но может быть использован также
совместно с проигрывателем, магнитофоном или радиоприёмником.
Основные технические данные, приведённые автором:
Номинальная выходная мощность - 30 Вт.
Максимальная выходная мощность - 40 Вт.
Сопротивление нагрузки 3,5-5 Ом.
Полоса рабочих частот 30-16000 Гц.
Коэффициент нелинейных искажений - не более 1,5%.
Чувствительность с выхода микрофона - 10 мВ.
Чувствительность с выхода электрогитары - 0,1 В.
Напряжение 15 В на коллекторе транзистора Т10 устанавливают резистором
R19.
Ток покоя всего усилителя не должен превышать 170 мА.

На Рис.5 приведена схема простого и мощного усилителя на германиевых

транзисторах DTG110B. При подключении к его входу любого УНЧ
мощностью 1,5-2 Вт устройство выдаёт на 8-ми омную нагрузку около 50 Вт
чистого германиевого звука.
Согласующий трансформатор Т1 выполнен на железе Ш24 (толщина пакета
20-25мм) и содержит 3 одинаковые обмотки по 120 витков, намотанных на
картонном каркасе проводом ПЭВ-1 или ПЭВ-2 диаметром 0,5-0,7мм.
Налаживание устройства заключается в подборе значений резисторов R2 R4
для достижения на выходе схемы нулевого потенциала и тока покоя
транзисторов - 120-150 мА.
При снижении напряжения питания на каждом плече до 30В транзисторы
DTG110B без каких-либо колебаний могут быть заменены на отечественные
П210А.