LABORATORIO 8: POLARIZACIÓN DEL

TRANSISTOR BIPOLAR
JULIO ENRIQUE BORRERO AYALA.
Valle del Cauca, FCECEP
Cali, Colômbia. Abril 20 de 2020

 ABSTRACT 2. MATERIALES.
 Simulator Proteus
In this laboratory, the characteristics of a
 Calculadora
polarization circuit with the bipolar transistor will
 Cuaderno
be identified and a BJT polarization circuit will be
 Computador
designed through a simulation program, using
transistor 2N3904, measured with two different  Internet
betas for 2 circuit figures  Guía

3. OBJETIVOS

 RESUMEN  Identificar las características de un circuito de

polarización con el transistor bipolar
En este laboratorio se identificarán las
características de un circuito de polarización con  Diseñar un circuito de polarización del BJT
el transistor bipolar y se diseñará un circuito de
polarización del BJT a través de un programa 4. MARCO TEÓRICO.
de simulación, usando transistor 2N3904,
medido con dos betas diferentes para 2 Tipos de transistores BJT y sus símbolos
figuras de circuitos
El BJT es de naturaleza bipolar, pues la corriente
producida es debido al aporte de los portadores
 PALABRAS CLAVES negativos (e-, electrones) y positivos (h+, hoyos).
Consiste en dos junturas p-n y posee tres
Transistor, resistencia, polaridad, voltímetro,
terminales los que son llamados Emisor (E), Base
fuentes, amperímetros en DC
(B) y Colector (C). El BJT puede ser tipo npn o
pnp, su estructura y símbolo se muestra en la Fig.
1, la flecha indica la dirección normal de la
1. INTRODUCCIÓN corriente y define la polaridad de la tensión base-
El desarrollo del presente laboratorio tiene por emisor. No es un dispositivo simétrico, pues
objeto recordar los conceptos teóricos manejados intercambiando el emisor por el colector se
en clase, así como el reconocer y aplicar la obtienen resultados distintos.
función que tienen su polarización.
El transistor es un elemento electrónico que tiene
tres terminales, es la base para construir los
circuitos integrados. Se buscará identificar cómo
cambia el voltaje y la corriente colocando transitor
con diferente beta

Figura 1: Símbolos del transistor. (a) npn. (b) pnp
Funcionamiento del transistor BJT
En una configuración normal, la unión base-
emisor se polariza en directa y la unión base-
colector en inversa. Debido a la agitación térmica
los portadores de carga del emisor pueden
atravesar la barrera de potencial emisor-base y
llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los
portadores que llegaron son impulsados por el
campo eléctrico que existe entre la base y el
colector.
Un transistor npn puede ser considerado como
dos diodos con la región del ánodo compartida.
En una operación típica, la unión base-emisor
está polarizada en directa y la unión base-colector
está polarizada en inversa. En un transistor npn,
por ejemplo, cuando una tensión positiva es
aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio
entre los portadores generados térmicamente y el
campo eléctrico repelente de la región agotada se
desbalancea, permitiendo a los electrones
excitados térmicamente inyectarse en la región de
la base. Estos electrones "vagan" a través de la
base, desde la región de alta concentración
cercana al emisor hasta la región de baja
concentración cercana al colector. Estos
electrones en la base son llamados portadores
minoritarios debido a que la base está dopada con
material P, los cuales generan "huecos" como
portadores mayoritarios en la base.
La región de la base en un transistor debe ser
constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a través de esta en
mucho menos tiempo que la vida útil del portador
minoritario del semiconductor, para minimizar el
porcentaje de portadores que se recombinan
antes de alcanzar la unión base-colector. El
espesor de la base debe ser menor al ancho de
difusión de los electrones.
La ganancia  de un transistor bipolar
El transistor bipolar es un amplificador de
corriente, esto quiere decir que si le introducimos
una cantidad de corriente por una de sus patillas
(base), el entregará por otra (emisor), una
cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama
amplificación.
Este factor de amplificación se llama ß (beta) y es
un dato propio de cada transistor. Entonces:
*IC (corriente que pasa por la patilla colector) es
igual a ß (factor de amplificación) por Ib (corriente
que pasa por la patilla base).
*IC= ß x IB
*IE (corriente que pasa por la patilla emisor) es
igual a (ß+1) x IB, pero se redondea al mismo valor
que IC, sólo que la corriente en un caso entra al
transistor (PNP) y en el otro caso de sale él (NPN),
o viceversa.
Transistor 2N3904 NPN
Es un transistor de conmutación rápida, corta
apague y baja tensión de saturación, adecuado
para la conmutación y amplificación.
El transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor utilizado para entregar una señal
de salida en respuesta a una señal de entrada.
Actualmente se encuentra prácticamente en todos
los aparatos electrónicos de uso diario tales como
radios, televisores, reproductores de audio y
video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas
fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares,
aunque casi siempre dentro de los llamados
circuitos integrados.

Especificaciones
 TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 40 V, TO-92
 Polaridad del transistor: NPN
 Voltaje V (br) ceo: 40 V
 Transición de frecuencia ft: 300 MHz
 Disipación de potencia Pd: 625 mW
 DC Corriente del colector: 200 mA
 Ganancia de corriente contínua hFE: 100
 Rango de temperatura de funcionamiento en
el empalme de -55 ° C a 150 ° C
 Colector emisor tensión de saturación es
inferior a 300 mV en Ic = 10 mA
 DC ganancia de corriente es mayor que 30
en Ic = 100 mA
 Encapsulado TO-92
 3 pines
 Sustituto: NTE123AP
Punto de operación (Q) de un transistor BJT.
5. PROCEDIMIENTO
Siguiendo las directrices del docente y la guía
entregada, se montaron los circuitos solicitados
en el simulador Proteus.
Una vez montado el circuito en el simulador se
puso a correr para tomar los datos y llenar las
tablas que serían de análisis
Se procede a hacer el análisis con las variantes y
con la teoría se crean las conclusiones.
Primero se diseñó un circuito de polarización con
realimentación en el emisor y otro con divisor de
voltaje que opere en el punto de trabajo ICQ=6mA
y VCEQ=6V
Segundo se montaron los circuitos diseñados y se
midieron los valores de polarización y se llenó la
tabla 11.

se busca que a través del colector circule una
cantidad de corriente IC, y a su vez se obtenga una
tensión entre el colector y el emisor VCE para esa
cantidad de corriente IC, a esto se le llama obtener
el punto de operación o punto Q del transistor.
Tercero, se cambió el transistor por otro de la
misma referencia que tuviera un beta diferente
Y por último se repite el paso segundo.

Curva de transferencia de un transistor

bipolar
Curva de transferencia de un transistor real para
una corriente de base dada se muestra en la
imagen a la izquierda.
Curvas de transferencia del transistor bipolar
para diferentes corrientes de base. Ver zonas de
saturación y de corte (imagen de la derecha)

En la imagen de la derecha las corrientes de

base (Ib) son ejemplos para poder entender que
a más corriente la curva es más alta.
 TABLA 12. Valores medidos y calculados, con su
% de error según  ypor polarización
por divisor de voltaje

Medido Calculado % de Error

Tabla 12
1 2 1 2 1 2
IB(µA) 32,50 27,30 34,00 30,00 4,41% 9,00%
IC(mA) 5,71 5,52 6,00 6,03 4,83% 8,46%
VC(V) 4,57 4,41 7,20 7,20 36,53% 38,75%
VE(V) 1,14 1,20 1,20 1,11 5,00% -8,11%
VCE(V) 6,29 6,00 6,00 6,48 -4,83% 7,41%
VB(V) 0,72 0,72 1,90 1,90 62,11% 62,11%
VBE(V) 0,72 0,72 0,70 0,70 -2,86% -2,86%

7. REGISTRO DE EVIDENCIAS

Imagen 1: Montaje con polarización de

autoalimentación y divisor de voltaje

6. TABLAS

TABLA 11. Valores medidos y calculados, con su

% de error según  ypor polarización
por Autoalimentación

Medido Calculado % de Error

Tabla 11
1 2 1 2 1 2
IB(µA) 30,30 30,00 34,00 30,00 10,88% 0,00%
IC(mA) 5,39 5,96 6,00 6,00 10,17% 0,67%
VC(V) 4,31 4,72 7,20 6,00 40,14% 21,33%
VE(V) 1,08 1,20 1,20 1,20 10,00% 0,00%
VCE(V) 6,60 6,03 6,00 6,00 -10,00% -0,50%
VB(V) 1,80 1,90 1,90 1,90 5,26% 0,00%
VBE(V) 0,72 0,72 0,70 0,70 -2,86% -2,86%
 Imagen 4 y 5: Cálculos
Imagen 2: Montaje con polarización de
autoalimentación

Imagen 3: Montaje con divisor de voltaje

8. CONCLUSIONES
Se concluye que los transistores operacionales
tienen diferentes formas de operar según se
ajuste la base del transistor, para así obtener los
valores deseados en colector
Con esta practica se da por bien entendido que la
parte teórica es demasiado importante, ya que sin
los conceptos visto en clase hubiese sido muy
difícil operar los circuitos teóricamente
La parte de la simulación fue muy importante para
comparar la parte práctica. Y así comprender
mejor el funcionamiento de los transistores en los
circuitos

9. PREGUNTAS Y RESPUESTAS.

1. ¿Cómo es la variación porcentual del punto Q

(ICQ Y VCQ) para la polarización al cambiar el
Beta?
R// Cuando se tiene el 1er circuito cambiando el
 ase puede concluir a partir del
% de error que para el  es mayor el
voltaje en comparación con el 
2. De acuerdo al laboratorio, qué circuito es el
menos inestable y cuál es el más estable.
Explique
R// El de divisor de voltaje es el más estable y el
autoalimentación es el más inestable porque
requiere un voltaje de base de 0, lo cual también
se puede concluir también en su % de error

3. Dibuje para cada polarización la recta de

carga y el punto de operación (Q) para cada
beta

R//
10. BIBLIOGRAFIA.

http://www.geekbotelectronics.com/producto/tran
sistor-2n3904-npn/

http://tutorialesdeelectronicabasica.blogspot.c
om/2018/06/polarizacion-de-transistores-
y.html

http://web.fi.uba.ar/~fbarreiro/Taller%20II%2020
18/Boylestad.pdf