Sunteți pe pagina 1din 10

Gabriela Apreotesei, Iulia Brînduşa Ciobanu

Lucrarea 4
Efectul fotovoltaic
Determinarea eficienţei unei celule solare

Descrierea fenomenului fizic


Efectul fotovoltaic constă în generarea perechilor electron-gol sub acţiunea undelor electromagnetice şi
apariţia unei tensiuni electromotoare în interiorul unui semiconductor iluminat.
Interacţiunea dintre un solid şi undele electromagnetice determină, printre alte fenomene, absorbţia radiaţiei incidente,
care la nivel microscopic constă în absorbţia fotonilor (acele particule care transportă energia undelor electromagnetice). În
cazul semiconductorilor, absorbţia unui foton poate conduce la tranziţia unui electron din banda de valenţă (BV) în banda de
conducţie (BC). În consecinţă, numărul purtătorilor de sarcină electrică cvasiliberi creşte, ceea ce determină creşterea
conductivităţii electrice, fenomen numit fotoconductibilitate (sau efect fotoelectric intern). În acest caz, purtătorii de
sarcină electrică cvasiliberi sunt electronii din BC şi golurile din BV (fig.1, fig.2, fig.3). Generarea perechilor electron-gol
sub acţiunea undelor electromagnetice este o condiţie necesară pentru producerea efectului fotovoltaic, dar nu şi
suficientă [1], [2], [8].
Noii purtători de sarcină electrică trebuie să se redistribuie, determinând apariţia unei diferenţe de potenţial între
suprafaţa iluminată şi cea neiluminată. Redistribuirea poate fi determinată de:
1) generarea neuniformă a purtătorilor de sarcină electrică într-un semiconductor omogen (efectul Dember);
2) un câmp electric local intern din semiconductor, care poate fi realizat prin doparea (impurificarea) diferită a
semiconductorului (joncţiunea p-n);
3) un gradient al timpului de viaţă al purtătorilor de sarcină electrică;
4) prezenţa unui câmp magnetic (efectul fotoelectromagnetic) etc. [1], [2].
Într-un semiconductor intrinsec (semiconductor pur) BC este nepopulată la 0K şi este separată printr-o bandă interzisă
(BI), de lărgime energetică ∆W (notată şi Wg ), de BV complet ocupată. Diferenţa dintre valoarea maximă a energiei din

banda de valenţă ( WV ) şi valoarea minimă a energiei din banda de conducţie ( WC ) determină valoarea intervalului de

energie interzis, ∆W , numită şi energie de activare (fig.1) [8].


E ext
W (-) (+)

e electron liber
e B.C.
e
e
Wc

Wg = ∆ W B.I.

e Wv
e
gol e B.V.
e

Fig.1. Semiconductor intrinsec

Fizică tehnică pentru învățământul superior, Editura PIM


Gabriela Apreotesei, Iulia Brînduşa Ciobanu

Într-un semiconductor extrinsec (semiconductor cu impurităţi), nivelurile energetice ale impurităţilor se găsesc în zona
interzisă a semiconductorului dopat, mai aproape de marginea inferioară a zonei de conducţie pentru atomii donori (fig.2) şi
în vecinătatea marginii superioare a zonei de valenţă pentru atomii acceptori (fig.3). Deoarece diferenţa de energie dintre
nivelurile impurităţilor şi marginea zonei de valenţă sau de conducţie este mică ( ≈ 0.01 eV ) chiar la temperatura camerei,
energia termică este suficientă pentru generarea de purtători de sarcină electrică cvasiliberi (aproape liberi). Acest lucru
explică creşterea conductivităţii electrice determinată de impurităţi [1], [2], [3], [8].
W

e
e B.C.
e electron liber
e
e
Wc

e N.D.(V)
B.I.
Wg = ∆ W

Wv

gol B.V.

Fig.2. Semiconductor de tip n (n>p)


ND = nivel energetic al atomului de impuritate donor (grupa a V-a)

e
B.C.
e electron liber
e
e
Wc

Wg = ∆ W B.I.
e electron legat N.A.(III)

gol rezultat în urma Wv


tranziţiei
B.V.

Fig.3. Semiconductor de tip p (p>n)


NA = nivel energetic al atomului de impuritate acceptor (grupa a III-a)

Pentru majoritatea semiconductorilor, intervalul de energie interzis ∆W are valori cuprinse între 0.2 eV şi 2.3 eV
( 1 eV = 1.6 ⋅ 10 −19 J = unitate de măsură tolerată pentru energie). Vor produce tranziţia electronului din BV în BC numai
acei fotoni cu valori ale frecvenţelor
∆W
υ≥ (1)
h
În relaţia anterioară, h ≈ 6.626 ⋅ 10−34 J ⋅ s reprezintă constanta lui Planck. Ţinând cont de formula care exprimă legătura
între frecvenţa radiaţiei şi lungimea de undă

Fizică tehnică pentru învățământul superior, Editura PIM


Gabriela Apreotesei, Iulia Brînduşa Ciobanu
c
λ = c ⋅T = (2)
υ
m
unde c ≈ 3 ⋅ 108 = viteza undei electromagnetice în vid, T = perioada undei electromagnetice, se demonstrează că
s
intervalului energetic sus-menţionat îi corespunde intervalul de lungimi de undă λ ∈ [0.54 , 6.212] µm , 1 µm = 10 −6 m .
Prin urmare, fotonii din domeniul vizibil şi infraroşu sunt cei care determină tranziţia electronilor din BV în BC, sau
efectul fotoelectric intern [7], [8].
Dacă notăm cu n0 şi p0 concentraţia electronilor şi respectiv a golurilor în lipsa iluminării, la echilibru termic, sub
r
acţiunea unui câmp electric exterior E apare un curent electric de drift caracterizat prin densitatea superficială
v v v r r
j = jn + j p = n0 e − v n + p0 e + v p (3)
r r
în care v n = viteza de drift a sarcinilor electrice negative cvasilibere (a electronilor din BC), v p = viteza de drift a sarcinilor

electrice pozitive cvasilibere (a golurilor din BV), e − = −1.6 ⋅ 10 −19 C = sarcina electrică a electronului,

e + = e = 1.6 ⋅ 10 −19 C = sarcina electrică a golului (notată şi e ).


Ţinând cont de relaţiile de legătură între vitezele purtătorilor de sarcină electrică cvasiliberi şi mobilităţile
acestora µ n , µ p :
r r r r
vn = µn E , v p = µ p E (4)
se obţine
j = e (n0 µ n + p0 µ p ) E = σ 0 E (5)
unde σ 0 = conductivitatea electrică a semiconductorului în absenţa iluminării.

Din relaţia (5) rezultă


σ 0 = e (n0 µn + p0 µ p ) (6)

Dacă în urma iluminării concentraţia electronilor şi cea a golurilor se modifică cu ∆ n şi respectiv ∆ p , iar dacă

∆n = ∆p , variaţia relativă a conductivităţii electrice va fi

∆σ ∆n ⋅ µ n + ∆p ⋅ µ p (1 + b )⋅ ∆n
= = (7)
σ0 n0 µ n + p0 µ p n0b + p0
În relaţia (7) s-a folosit substituţia
b = µn µ p . (8)

Notăm cu α coeficientul de absorbţie definit ca raportul dintre cantitatea de energie absorbită de unitatea de volum
în unitatea de timp şi energia incidentă pe unitatea de suprafaţă în unitatea de timp. Se poate arăta că atunci când α ⋅ d  1

(unde d – grosimea stratului semiconductor), intensitatea radiaţiei este uniformă în probă şi deci ∆ n şi ∆ p nu variază în

interiorul semiconductorului. Dacă însă α ⋅ d  1 , intensitatea radiaţiei la distanţa z în probă variază conform relaţiei

I ( z ) = I 0 (1 − β ) ⋅ exp(− α z ) (9)

unde β este coeficientul de reflexie la suprafaţa iluminată. În consecinţă, va apărea un gradient de concentraţie care va
determina generarea unor curenţi de difuzie atât pentru goluri cât şi pentru electroni [2], [7], [8].
Considerând o variaţie liniară a concentraţiei în lungul axei Oz, densităţile superficiale ale curenţilor de difuzie sunt

Fizică tehnică pentru învățământul superior, Editura PIM


Gabriela Apreotesei, Iulia Brînduşa Ciobanu
∂n
jn = eDn (10)
∂z
∂p
j p = −eD p (11)
∂z
unde Dn , D p reprezintă coeficienţii de difuzie [8].

Curentul total va fi suma dintre curentul de drift în absenţa iluminării (5) şi cel de difuzie

 ∂n ∂p 
j z = e(n µ n + pµ p )Ez + e Dn − Dp  (12)
 ∂z ∂z 
Ţinând cont de relaţiile

n = n0 + ∆n , p = p0 + ∆p , ∆n = ∆p (13)
rezultă
∂ (∆n)
j z = e(n µ n + pµ p )Ez + e(Dn − D p ) (14)
∂z
În consecinţă, în circuit deschis ( jz = 0) , între faţa iluminată şi cea neiluminată apare un câmp electric a cărui
intensitate este exprimată prin relaţia
∂(∆n)
(D − Dn )
∂z
p
Ez = (15)
n µn + pµ p

şi deci o diferenţă de potenţial U →V . Dacă Dn = D p (atunci când µn = µ p ) rezultă E z = 0, V = 0 [1], [2], [3],
Notatie

[8].
Într-o joncţiune p − n , ca urmare a difuziei electronilor liberi din domeniul n în domeniul p şi a difuziei golurilor în
r
sens invers (fig. 4), apare un câmp electric în stratul de baraj (cu intensitatea Eb ) şi corespunzător o diferenţă de potenţial

(fig.5). Acest câmp electric împiedică continuarea difuziei purtătorilor majoritari (a golurilor în semiconductorul de tip p şi a
electronilor cvasiliberi în semiconductorul de tip n) şi în acelaşi timp duce la apariţia unor curenţi de drift care se opun celor
de difuzie. În stare de echilibru, curenţii de difuzie vor fi egali cu cei de drift, astfel încât curentul rezultant va fi nul [1], [2],
[8].
p n

gol electron liber

Fig.4. Difuzia purtătorilor de sarcină electrică cvasiliberi majoritari [8]


p n

Eb

Fig.5. Formarea stratului de baraj în cazul joncţiunii p-n [8]

Fizică tehnică pentru învățământul superior, Editura PIM


Gabriela Apreotesei, Iulia Brînduşa Ciobanu

p n
E ext

Eb

mA

Fig. 6. Dioda semiconductoare polarizată invers [8]

p n
E ext

Eb

mA

Fig.7. Dioda semiconductoare polarizată direct [8]

I
(II) (I)
p n
Curent
direct

O U

(III) (IV)

Curent
invers

Fig. 8. Caracteristica volt-amperică a diodei semiconductoare


(joncţiunea p-n în absenţa iluminării)
şi simbolul unei diode semiconductoare (cadranul II) [8]

În figura 6 este reprezentat circuitul unei diode semiconductoare polarizată invers. Este vorba despre o joncţiune
p-n în absenţa iluminării, atunci când semiconductorul de tip p este conectat la borna negativă a sursei de tensiune exterioară,
iar semiconductorul de tip n este conectat la borna pozitivă a sursei de tensiune exterioară ( U  0 ). Se observă că în acest caz

Fizică tehnică pentru învățământul superior, Editura PIM


Gabriela Apreotesei, Iulia Brînduşa Ciobanu

r r
vectorii intensitate Eb şi Eext au acelaşi sens. Prin urmare, la tensiuni de alimentare nu foarte mari, intensitatea curentului

electric prin circuit este foarte mică, putând fi considerată neglijabilă (cadranele II şi III din fig.8) [7], [8].
Figura 7 prezintă circuitul unei diode semiconductoare polarizată direct în absenţa iluminării (semiconductorul
de tip p este conectat la borna pozitivă a tensiunii exterioare, iar semiconductorul de tip n este conectat la borna negativă a
tensiunii exterioare). Prin convenţie, la polarizarea directă a joncţiunii p-n se consideră U  0. Situaţia o regăsim în figura 8
în cadranul I [7], [8].
Dacă joncţiunea p − n este iluminată, se vor crea perechi electron-gol în exces. Dacă α ⋅ d  1 , fluxul de fotoni va
varia exponenţial cu adâncimea, conform relaţiei (9). Electronii în exces creaţi în regiunea p pot difuza prin joncţiune şi
coboară bariera de potenţial spre zona n. Golurile în exces create în zona n pot difuza şi ele prin joncţiune. Apare astfel o
sarcină pozitivă pe faţa p şi una negativă pe faţa n. Aceste densităţi de sarcină micşorează diferenţa de potenţial [1], [2], [8].
Ecuaţia de curent- tensiune este
 eV 
j = j0  e k B T − 1 + jL (16)
 
 
unde j0 = densitatea superficială a curentului invers la saturaţie în absenţa iluminării, V = U = tensiunea aplicată joncţiunii,

k B = 1.38 ⋅10 −23 J / K = constanta lui Boltzmann, j L = densitatea superficială a curentului de generare, independent de V şi
direct proporţional cu intensitatea iluminării (determinat de perechile electron-gol generate de unda electromagnetică
incidentă) [1], [2].
Relaţia (16) este ilustrată în fig.9 şi fig.10, pentru iluminări diferite ale joncţiunii. Pentru j = 0 se obţine din relaţia
(16) tensiunea în circuit deschis Voc
k BT j
Voc =ln (1 − L ) (17)
e j0
Curentul de scurt-circuit se obţine impunând condiţia U = V = 0 în relaţia (16). Rezultă
j sc = j L (18)

În relaţiile anterioare apar valorile algebrice ale densităţilor de curent ( j L  0 ) [8]. D

I(mA)

(II) (I)

Φ1 = 0
U(V)
Φ2 = 0
(III) (IV)
Φ3> Φ2

Φ4>Φ3

Fig. 9 Caracteristici volt-amperice ale joncţiunii p-n pentru diverse fluxuri electromagnetice incidente

Fizică tehnică pentru învățământul superior, Editura PIM


Gabriela Apreotesei, Iulia Brînduşa Ciobanu

I(mA)

(II) (I)

0
1=

2=
Φ

Φ
O Um U CD

I0 U(V)
Im P m= I m. U m

I sc
IL
(III) (IV)

Fig. 10. Caracteristicile volt-amperice ale joncţiunii p-n la întuneric şi în prezenţa undelor electromagnetice
cu specificarea punctului de putere maximă, Pm (MPP = Maximum Power Point)

După cum se observă din fig. 9 şi fig. 10, densitatea curentului j sc = j L este o mărime algebrică negativă. Unele

dintre tratele de specialitate consideră în ecuaţiile curent-tensiune modulul mărimii jL , convenţie care conduce ca în relaţiile

(16) şi (17) să apară semnul (-) şi respectiv (+) în faţa mărimii jL ≡ jL , [9].

Dacă joncţiunea p-n este utilizată pentru transformarea energiei solare în energie electrică în cadranul IV al
caracteristicii din fig. 9 şi fig. 10, dispozitivul este numit celulă solară. În cazul în care joncţiunea p-n este utilizată în zona a
III-a caracteristicii din fig. 9 şi fig. 10 dispozitivul se numeşte fotodiodă (prezintă un curent de întuneric redus şi o tensiune
de străpungere mare) [1], [2], [8].

Aplicaţie practică
Dispozitiv experimental
Instalaţia experimentală se compune dintr-o incintă opacă în interiorul căreia se găseşte fotodioda ROL 21 şi un bec cu
incandescenţă. Distanţa dintre bec şi fotodiodă poate fi variată între 16 − 40 cm şi se poate citi pe o riglă ataşată incintei.

Modul de lucru
1. Se completează tabelul 1.

Fizică tehnică pentru învățământul superior, Editura PIM


Gabriela Apreotesei, Iulia Brînduşa Ciobanu

Dioda semiconductoare Dispozitivul optoelectronic

Φ em = 0 - la întuneric Φ em ≠ 0
Φ em1 Φ em 2  Φ em 1

Nr. d1 = 19 cm d 2 = 16 cm
U (V )
I (mA) I (mA) I (mA)
1 0
2 0.05
3 0.10
4 0.15
M M
15 0.70
16 0.75

Tabel 1

2. Se trasează caracteristicile volt-amperice corespunzătoare polarizării directe a joncţiunii ( U = V  0) atât la întuneric, cât şi
sub influenţa undelor electromagnetice, după modelul din fig. 9 şi fig. 10.
3. Se calculează factorul de umplere FF (fill factor), numit şi factor de formă, conform formulei empirice (fig.11) [4], [5],
[8]
aria A vOC − ln (vOC − 0.72 )
FF = ≈ (19)
aria B vOC + 1

în care v OC = reprezintă tensiunea de funcționare în circuit deschis (open circuit) normalizată, mărime adimensională,

exprimată prin relația


e
v OC = ⋅ VOC (20)
f kB T

f = factor de recombinare al celulei solare, care în cazul celulei de siliciu monocristalin din experiment este f = 1 ,

k B = 1.38 ⋅ 10 −23 J K = constanta lui Boltzmann, e ≈ 1.6 ⋅ 10−19 C = modulul sarcinii electronului, T = temperatura absolută,
VOC = U gol = U CD = tensiunea în circuit deschis- indice CD (open circuit- indice OC), numită şi tensiune de funcționare în

gol, la I = 0 . Se consideră: la d1 = 19 cm , t1 = 25o C şi la d 2 = 16cm , t2 = 27o C [8].

Fizică tehnică pentru învățământul superior, Editura PIM


Gabriela Apreotesei, Iulia Brînduşa Ciobanu

Fig.11. Utilizarea caracteristicii curent-tensiune pentru calculul randamentului celulei solare [5], [8]

4. Se calculează puterea maximă a celululei solare, Pmax , din formula (fig.11)

Pmax
FF = (21)
VOC ⋅ I SC

în care I SC = intensitatea curentului electric de scurt-circuit (la U = 0) [4], [5].

5. Se determină randamentul de conversie energetică a celulei solare mărime numită şi eficiența celulei solare, conform
relaţiei [4]
Pmax
η= (22)
Pincidenta

Se ține cont de valorile: la d1 = 19 cm , Pincidenta 1 = 20 mW şi la d 2 = 16 cm , Pincidenta 2 = 37 mW .

7. Se interpretează rezultatele.

[6]

1. Definiţi efectul fotovoltaic.


2. Ce sunt fotonii?
3. Ce înţelegeţi prin fotoconductibilitate?
4. Ce sunt semiconductorii intrinseci? Dar semiconductorii extrinseci?
5. Care este formula frecvenţei fotonilor care produc tranziţia electronilor din BV în BC?
6. Care este domeniul corespunzător undelor electromagnetice ce produc efectul fotoelectric intern?

Fizică tehnică pentru învățământul superior, Editura PIM


Gabriela Apreotesei, Iulia Brînduşa Ciobanu

7. Care sunt purtătorii de sarcină electrică liberi ce participă la conducţia electrică?


8. Ce se înţelege prin circuit deschis?
9. Explicaţi apariţia câmpului electric de baraj în cazul unei joncţiuni p-n.
10. Ce înseamnă o diodă semiconductoare polarizată direct? Dar polarizată invers?
11. Care este simbolul unei diode semiconductoare?
12. Care este ecuaţia curent-tensiune pentru o joncţiune p-n iluminată? Explicaţi semnificaţia mărimilor.
13. Ce reprezintă tensiunea de circuit deschis?
14. Ce este curentul de scurt-circuit?
15. Ce este factorul de umplere?
16. Ce este o celulă solară?
17. Ce este o fotodiodă?
18. Care este formula eficienţei celulei solare?
19. Enumeraţi unităţile de măsură în SI ale următoarelor mărimi: sarcină electrică, energie, tensiune electrică, intensitate a
curentului electric, putere, randament.

Bibliografie
1. Gh. Zet, I.B. Ciobanu, Lucrări de laborator, www.phys.tuiasi.ro, Studenți, Facultatea de Automatică şi Calculatoare
2. I. B. Ciobanu, G. Apreotesei, Elemente de Fizică Tehnică. Aplicaţii, Editura PIM, Iaşi, 2014
3. E. Luca, Gh. Zet, C. Ciubotariu, A. Păduraru, Fizică generală, Editura Didactică şi Pedagogică, Bucureşti, 1981
4. M. A. Gren, Solar cell fill factors: General graph and empirical expressions, Solid-State Electronics, Vol. 24, No. 8, pp. 788 – 789,
1981, doi:10.1016/0038-1101(81)90062-9
5. http://pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-operation/fill-factor
6. http://www.bogotaboe.com/
7. G. Apreotesei, I. B. Ciobanu, Fenomene fizice cu aplicaţii în inginerie, Editura PIM, Iaşi, 2014
8. I. B. Ciobanu, G. Apreotesei, Modelarea fenomenelor fizice cu aplicaţii în inginerie, Editura PIM, Iaşi, 2015; G. Apreotesei, I. B.
Ciobanu, Fizică tehnică pentru învăţământul superior, Editura PIM, Iaşi, 2015
9. I. Bunget, L. Burlacu, D. Ciobotaru, A. Costescu, V. Florescu, I. Munteanu, M. Rusu, S. Spânulescu, Compendiu de fizică,
coordonator I. Bunget, Editura Ştiinţifică şi Enciclopedică, Buccureşti, 1988

10

Fizică tehnică pentru învățământul superior, Editura PIM