BREVIAR DIODĂ

1. Simbolul diodei:

iA
D
A K

u AK

2. Polarizarea diodei:
- dioda nepolarizată: u AK  0, i A  0;
- dioda polarizată direct (dioda conduce): u AK  0, i A  0;
- dioda polarizată invers (dioda e blocată): u AK  0, i A  0;

3. Caracteristica statică a diodei reprezintă graficul dependenţei i A  i A (u AK )

Graficul cuprinde:
iA  zona 1: u AK  0, i A  0 (dioda
este polarizată direct);
 originea O(0,0):
u AK  0, i A  0 (dioda este
nepolarizată);
1  zona 2: u AK  0, i A  0 (dioda
este polarizată invers la
tensiuni u AK  U BR );
 zona 3: u AK  U str  const.
U BR 0 (dioda este polarizată invers
 Is u AK la tensiuni u AK  U BR )
Obs: În zona 3 diodele obişnuite se
2 distrug prin străpungere prin
fenomenul de multiplicare în
avalanşă a purtătorilor de sarcină
electrică la tensiunea de
străpungere notată UBR, în timp ce
3 diodele Zener (numite şi diode
stabilizatoare de tensiune)
funcţionează în mod normal .

4. Ecuaţia generală a diodei este:

L3 - 1
   qu  
i A  MI S exp AK   1 , (1)
  mkT  
care este valabilă pentru toate cele 3 zone 1, 2 şi 3, unde:
 M - coeficient de multiplicare în avalanşă a purtătorilor de sarcină
electrică
Obs: Expresia matematica empirica (adică dedusă experimental) a lui M este
1
M 
, unde n   4,7 . În practică, M se alege astfel: dacă
n
u  u AK  0,7 U BR
1   AK 
 U BR 
se va lua M  1 (ceea ce înseamnă că dioda nu e în pericol de a se distruge prin
străpungere – e cazul zonelor 1 şi 2, iar dacă u AK  U BR , se va lua M   (ceea
ce înseamnă că dioda se va distruge prin străpungere).
 Is – curentul invers de saturaţie al diodei, de ordinul nA pentru diodele
din siliciu şi de ordinul μA pentru diodele din germaniu;
 q  1,6  10 C este sarcina electronului ;
19

 m  1,2 - coeficient ce depinde de tehnologia de fabricaţie a diodei;

 k  1,33  10 J K - constanta lui Boltzman;
23

 T  K   t  C   273C - temperatura mediului în care funcţionează dioda ,

măsurată în Kelvin.
kT
Notând prin VT  T  300 K
 26mV potenţialul termic al diodei, ecuaţia
q
generală a diodei se mai poate scrie:
 u  
i A  MI S exp AK   1
  mVT  

5. Ecuaţia generală a diodei particularizată pentru zonele 1, 2 si 3

Ecuaţia generală se particularizează pentru zonele 1, 2 şi 3 astfel:
 pentru zona 1: Avem u AK  0 si M  1 (aici nu există străpungere
u
, atunci exp( mV )  1 , deci ecuaţia (1) în
AK
secundară ). Dacă u AK  VT
T

zona 1 devine o exponenţială, aşa cum arată şi graficul caracteristicii

statice de mai sus:
 u   u 
i A  MI S exp AK   1  I S exp AK  (2)
  mVT    mVT 
 pentru zona 2: Avem u AK  0, M  1 (aici nu există străpungere), deci
u 
exp AK   1 , astfel încât ecuaţia (1) devine:
 mVT 
 u  
i A  MI S exp AK   1   I S  const. (3)
  mVT  
aşa cum arată graficul caracteristicii statice pentru această zonă.

L3 - 2
  pentru zona 3: Avem u AK  0 si M   (apare străpungerea) şi
u 
exp AK   1 , deci ecuaţia devine:
 mVT 
 u  
i A  MI S exp AK   1   MI S   (4)
  mVT  

6. Modele liniarizate ale diodei

 Modelul 1: Modelul de diodă ideală, în care dioda e modelată printr-un

simplu comutator, închis când dioda D conduce şi deschis când dioda D e blocată.
iA
VD D conduce
iA iA  

u AK u AK D blocat ă VD u AK

a) Schemă electrică echivalentă b) caracteristica liniarizată

pentru Modelul liniarizat 1 corespunzătoare Modelului 1

 Modelul 2: Modelul este mai complicat decât Modelul 1, deoarece ţine

cont şi de tensiunea de prag VD a diodei, dată în catalog. Tensiunea de
prag este VD=0,6 - 0,7V pentru diode cu siliciu şi V D=0,1 - 0,2V pentru
diode cu germaniu.
VD iA
iA iA  
D conduce

u AK u AK
D blocat ă V D u AK

a) Schemă electrică echivalentă b) caracteristica liniarizată

pentru Modelul liniarizat 2 corespunzătoare Modelului 2
 Modelul 3: Modelul mai complicat decât Modelul 2, deoarece ţine cont şi
de rezistenţa dinamică (rezistenţa internă) rD, dată în catalog.
VD rD iA
iA iA  
D conduce

u AK
u AK
D blocat ă VD u AK

L3 - 3
 a) Schemă electrică echivalentă pentru b) caracteristica liniarizată
Modelul liniarizat 3 corespunzătoare Modelului
liniarizat 3

Obs: 1) Scriind teorema Kirchoff pe ochiul de circuit V D, rD, uAK al

modelului echivalent obţinem:
u AK  VD  rD  i A (5)
2) Este clar că cu cât dorim să ne apropiem mai mult de
caracteristica diodei reale modelele liniarizate se complică, conţinând din
ce în ce mai multe componente electrice (comutatoare, rezistenţe, surse de
tensiune, surse de curent etc).

 Modelul liniarizat al diodei Zener

Cel mai simplu, o diodă Zener se modelează printr-o sursă de c.c notată
Uz, eventual conectată în serie cu rezistenţa dinamică rz de valoare mică
dată în catalog:

K K

 U z  U str

U KA =- U str =const
 rz

A A

Schema electrică echivalentă a diodei

Simbolul diodei Zener
Zener

7. Puterea medie disipată pe dioda modelată cu Modelul 3:

Calculul puterii medii disipate pe diodă este necesar pentru diodele de putere
care au un consum mai mare de putere prin ele decât celelalte tipuri de diode:
def
1T 1T 1T
PD   p D  t dt   u AK i A  t dt   VD  rD i A i A dt 
T0 T0 T0
, (6)
1T 1T 2
 VD   i A dt  rD  i A  t  dt  VD  I A  rD  I Aef
2

T0 T0
în care:
1T
I A   i A (t )dt - valoarea medie a curentului prin diodă
T0
1T 2
I A,ef   i A (t ) dt - valoarea efectivă a curentului prin diodă
T0

Probleme rezolvate

L3 - 4
P1. Se consideră circuitul cu diodă din fig.P1.a). Calculaţi tensiunea u AK pe
diodă dacă:
a) dioda reală are IS=10nA, IA=0,965mA şi m=1,94;
b) dioda reală este înlocuită cu modelul său echivalent format din
tensiunea de prag VD=0,7V şi rezistenţa dinamică a diodei rD=1Ω.
Se consideră potenţialul termic VT=26mV.
iA R dioda modelat ă
iA R
20 K 
20 K 
VD 

E u AK 0.7V
 D E  u AK
20V  rD
20V
1

a) schema cu diodă reală b) schema echivalentă

Fig.P1

Rezolvare:
a) Privind schema din fig.P1.a), se constată că dioda D este polarizată direct,
deci funcţionează în zona 1 a caracteristicii statice, fiind caracterizată prin
ecuaţia:
u  I 0,965mA
I A  I S exp AK   u AK  mVT ln A  1,94  26mV  ln  0,7V
 mVT  IS 10nA
b) Pe schema echivalentă din fig.P1.b), obţinută prin înlocuirea diodei reale D
din fig.P1.a) cu modelul său echivalent, se aplică teorema Kirchhoff:
E  VD 20V  0,7V
E  VD   rD  R   I A  I A    0,965mA
rD  R 1  20 K
Aplicând din nou teorema Kirchoff pe aceeaşi schemă din fig.P1.b) obţinem:
E  RI A  U AK  U AK  E  RI A  20V  20 K  0,965mA  0,7V

P2. Se consideră schema din fig. P1.a) în care dioda D modelată are ecuaţia:
u AK  100  i A [V ] si E  10V , R  1K . Se cer:
a) curentul I A şi tensiunea u AK ;
b) puterea medie disipată pe diodă.

Rezolvare:
a) Comparând ecuaţia dată pentru diodă u AK  100  i A [V ] cu relaţia (5), prin
identificare constatăm că VD  0 şi rD  100 , deci dioda D este modelată
printr-o simplă rezistenţă rD, iar schema electrică echivalentă a fig.P1.a) devine
cea din fig.P2.

L3 - 5
 R

1K
 rD U AK
E

10V

Fig.P2. Schemă electrică echivalentă.

Teorema Kirchhoff II aplicată pe fig.P2 este:

E 10V
E  ( R  rD )  i A  i A    9mA
R  rD 1K  100
Aplicând din nou teorema Kirchhoff pe aceeaşă fig.P2, obţinem:
U AK  rD  I A  100  9mA  0.9V
b) Puterea medie disipată pe diodă este:
def
1 1T 1
P  0T pd (t )dt   U AK  I A dt   U AK  I A  T  0.9V  9mA  8.1mW
T T0 T

P3. Se consideră o diodă polarizată invers având:

Cazul I: U AK  10V , U str  20V , n  4 ;
Cazul II: U AK  19.999...V , U str  20V , n  4
Se cere:
a) Coeficientul de multiplicare în avalanşă a purtătorilor de sarcină, M;
b) Poate fi această diodă o diodă Zener?

Rezolvare:
1 1
M n
 4
 1,067  
Cazul I: a) U    10V  , deci dioda funcţionează în
1   AK  1  
 U str    20V 
zona 2;
b) Dioda nu poate fi de tip Zener deoarece nu funcţionează în zona 3 a
străpungerii.
1 1
M n
 4

Cazul II: a) U    19.999...V  , deci dioda funcţionează în
1   AK 1 
 
 U str   20V 
zona 3 de străpungere deoarece U AK  19.999... 
V  U str  20V .
b) Această diodă poate fi de tip Zener deoarece funcţionează în regiunea
zona 3 a străpungerii.

P4. Se consieră o diodă ideală montată în circuitul din fig.P3.a) în care tensiunea
de alimentare u (t ) are forma dreptunghiulară din fig.P3.b).

L3 - 6
 model diodă
ideal ă
D u (t )
iA
10V
u AK iA
2
u t  R
10 
uR 4 6 8 t[s ] u AK
 10V
u R uR

b) forma de undă pentru c) schema electrică

a) schema electrică u (t ) echivalentă
Fig.P3

Se cere:
a) desenaţi unele sub altele formele de undă pentru u , u AK , u R , iR ;
b) calculaţi puterea medie disipată pe rezistenţa R.

Rezolvare:
 10tV , pt . t  [ 0, 2)
a) Conform fig.P3.b), avem: u (t )  
, perioada de
 10tV , pt . t  [ 2, 4)

repetiţie a lui u(t) fiind T=4.

 pentru t [0,2)  u (t )  10V  0  dioda este polarizată direct 
comutatorul modelat este închis, deci aplicând teorema Kirchhoff pe
fig.3.c rezultă :
u R 10V
u AK  0, u R  u  10V , i A    1A
R 10
 pentru t  [2,4)  u (t )  10V  0  dioda este polarizată invers 
comutatorul modelat este deschis, deci aplicând teorema Kirchhoff pe
fig.P3.c rezultă:
u AK  u  10V , i A  0, deci u R  R  i A  0.
Ţinând cont de această funcţionare a diodei pe intervale rezultă formele de undă
din fig.P4.

L3 - 7
 u (t )

10V

2 4 6 8 t[s ]
 10V

u AK

0V
2 4 6 8 t[s ]
 10V

uR

10V

2 4 6 8 t[s ]

iA  uR / R

1A

2 4 6 8 t[s ]

Fig.P4 Formele de undă u, u AK , u R , i A

b) Puterea medie disipată pe rezistenţa R este:

def
1T 1T 1 2 4 1 20W
PR   p R (t )dt   u R (t )  i A (t )dt  [ 10V  1Adt   0  0dt ]   10W  2   5W
T0 T0 4 0 2 4 4

L3 - 8