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2. Simular el par diferencial teniendo en cuenta los parámetros Los transistores Q1 y Q2 son idénticos, y sus emisores están
establecidos. unidos a una resistencia R en serie a -Vcc, dicha resistencia se
reemplazará con una fuente de corriente con carga activa.
3. Teniendo en cuenta la simulación anterior, desarrollar el
amplificador par diferencial con fuente de corriente con carga
activa.
III. DISEÑO
Transistor BJT: tomamos como referencia el transistor Fig. 1. Configuración par diferencial asimétrica.
2N2222A el cual tiene los siguientes parámetros:
Análisis teórico para hallar valores, si Ie ~
¿ Ic:
V BE =0.7 V , V T =25 mV .
Datos: Q(6V,3mA),
Se debe tener en cuenta que beta cambia dependiendo de la
AV =10.
polarización, por lo que se establece un valor aproximado. V T =25 mV .
V BE =0.7 V .
Documento entregado el de de 2020. Este laboratorio fue monitoreado por
el Ing. Arnold Wiesner I C . RC
Autor: Luis Gustavo Eslava Carreño estudiante de la Universidad Santo AV =10=
Tomas Tunja, ingeniería electrónica (celular: +57 3108184881, e-mail: 2VT
luis.eslava@usamtoto.edu.co)
UNIVERSIDAD SANTO TOMÁS 2
FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
ELECTRONICA II
R E=667 Ω
Fig. 4. Función de Vout y Vin en función del tiempo (Vout color azul y Vin
color amarillo)
I REF =6 mA
V CC −2 V BE ~
R= ¿ 767 Ω
I REF
UNIVERSIDAD SANTO TOMÁS 3
FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
ELECTRONICA II
VIII. REFERENCIAS
MALIK, Norbert R. Circuitos electrónicos. Editorial Prentice
Hall, SA, Madrid, 1996.
Fig. 10. Función de Vout y Vin en función del tiempo (Vout color azul y Vin
color amarillo)
VI. ANALISIS
Al comparar los datos teóricos y prácticos podemos ver que
son bastante próximos, podemos observar que Q2 se encuentra
en base común con respecto a Vin
VII. CONCLUSIONES