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DIODO / UNION PN

El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente

entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el
sentido contrario.

En la Figura 1 se muestran el símbolo y la curva característica tensión-intensidad

del funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A
a K.

Figura 1: Símbolo y curva característica tensión-corriente del diodo ideal.

El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta

resistencia nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia
infinita en el sentido opuesto. La punta de la flecha del símbolo circuital,
representada en la figura 1, indica el sentido permitido de la corriente.

 presenta resistencia nula.

 presenta resistencia infinita.


 2

Mediante el siguiente ejemplo se pretende mostrar el funcionamiento ideal de un

diodo en circuito sencillo.

Figura 2: Ejemplo de funcionamiento del diodo ideal.

Según está colocada la fuente, la corriente debe circular en sentido horario.

En el circuito de la izquierda, el diodo permite dicha circulación, ya que la

corriente entra por el ánodo, y éste se comporta como un interruptor cerrado.
Debido a esto, se produce una caída de tensión de 10V en la resistencia, y se
obtiene una corriente de 5mA.

En el circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente, comportándose

como un interruptor abierto, y la caída de tensión en la resistencia es nula: los
10V se aplican al diodo.

DIODO DE UNIÓN PN

Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unión de dos materiales

semiconductores de características opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de
tipo P. A esta estructura se le añaden dos terminales metálicos para la conexión
con el resto del circuito. En la Figura 3: se presenta el esquema de los dos tipos
de diodos que se fabrican actualmente, el diodo vertical y el plano.
 3

Figura 3: Esquemas de diodos de unión PN

El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales conlleva algunas
desviaciones de comportamiento con respecto al diodo ideal.

En este apartado se presenta en primer lugar el proceso de formación de los

diodos de semiconductores para pasar después a exponer el comportamiento
eléctrico y las desviaciones con respecto al comportamiento ideal.

Formación de la unión PN

Supongamos que se dispone de un mono cristal de silicio puro, dividido en dos

zonas con una frontera nítida, definida por un plano. Una zona se dopa con
impurezas de tipo P y la otra de tipo N (Figura 4). La zona P tiene un exceso de
huecos, y se obtiene introduciendo átomos del grupo III en la red cristalina (por
ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de
átomos del grupo V (fósforo). En ambos casos se tienen también portadores de
signo contrario, aunque en una concentración varios órdenes de magnitud
inferior (portadores minoritarios).

Figura 4: Impurificación del silicio para la obtención de diodos PN

En cada zona la carga total es neutra: por cada electrón hay un ion positivo, y
por cada hueco un Ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga
neta, ni campos eléctricos internos. En el momento mismo de crear dos zonas de
diferente concentración de portadores, entra en juego el mecanismo de la
difusión. Como se recordará, este fenómeno tiende a llevar partículas de donde
hay más a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos
cercanos a la unión de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria,
es decir:

 Electrones de la zona N pasan a la zona P.

 Huecos de la zona P pasan a la zona N.

 4

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrémonos en

la región de la zona P cercana a la unión:

1. El electrón que pasa la unión se recombina con un hueco. Aparece una

carga negativa, ya que antes de que llegara el electrón la carga total era nula.

2. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga

positiva en la zona P, con lo que también aparece una carga negativa.

El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la

zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unión se va creando una zona de
carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P (Figura 5).

Figura 5: Formación de la unión PN

En el ejemplo del capítulo 5, los gases difunden completamente hasta llenar las
dos estancias de la caja y formar una mezcla uniforme. Sin embargo, a diferencia
de lo que ocurre con los gases de aquel ejemplo, en este caso están difundiendo
partículas cargadas. La distribución de cargas formada en la región de la unión
provoca un campo eléctrico desde la zona N a la zona P. Este campo eléctrico se
opone al movimiento de portadores según la difusión, y va creciendo conforme
pasan más cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusión y la del
campo eléctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores. En ese momento
está ya formado el diodo de unión PN, y como resultado del proceso se ha
obtenido:

 Zona P, semiconductora, con una resistencia RP.

 Zona N, semiconductora, con una resistencia .

 Zona de agotamiento (deplección): No es conductora, puesto que no posee

portadores de carga libres. En ella actúa un campo eléctrico, o bien entre los
extremos actúa una barrera de potencial.

Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantáneamente en el

momento en el que se ponen en contacto las zonas N y P, y no necesita de
ningún aporte de energía, excepto el de la agitación térmica.
 5

Polarización directa

El bloque PN descrito en el apartado anterior (Figura 6) en principio no permite el

establecimiento de una corriente eléctrica entre sus terminales puesto que la
zona de deplección no es conductora.

Figura 6: Diodo PN durante la aplicación de una tensión inferior a la de barrera

Sin embargo, si se aplica una tensión positiva en el ánodo, se generará un

campo eléctrico que "empujará" los huecos hacia la unión, provocando un
estrechamiento de la zona de deplección (Figura 7). Sin embargo, mientras ésta
exista no será posible la conducción.

Figura 7: Diodo PN bajo la acción de una tensión mayor que la de barrera

Si la tensión aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de deplección y

el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo
siguiente (Figura 7):

1. Electrones y huecos se dirigen a la unión.

2. En la unión se recombinan.
 6

En resumen, polarizar un diodo PN en directa es aplicar tensión positiva a la zona

P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de
cargas móviles la zona de deplección.

La tensión aplicada se emplea en:

 Vencer la barrera de potencial.

 Mover los portadores de carga.

Polarización inversa

Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensión positiva a la zona

N y negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios próximos a la unión.
Estos portadores son atraídos hacia los contactos aumentando la anchura de la
zona de deplección. Esto hace que la corriente debido a los portadores
mayoritarios sea nula (Figura 8).

Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en

inversa lo está en directa para los minoritarios, que son atraídos hacia la unión.
El movimiento de estos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy
inferior que la obtenida en polarización directa para los mismos niveles de
tensión.

Figura 8: Diodo PN polarizado en inversa

Al aumentar la tensión inversa, llega un momento en que se produce la ruptura

de la zona de deplección, al igual que sucede en un material aislante: el campo
eléctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces
covalentes entre los átomos de silicio, originando un proceso de rotura por
 7

avalancha. (Nota: Sin embargo, ello no conlleva necesariamente la destrucción

del diodo, mientras la potencia consumida por el diodo se mantenga en niveles
admisibles).

Característica tensión-corriente

La Figura 9 muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo

real.

Figura 9: Característica V-I de un diodo de unión PN.

En la gráfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de

funcionamiento explicadas en el apartado anterior:

 Región de conducción en polarización directa (PD).

o Región de corte en polarización inversa (PI).

o Región de conducción en polarización inversa.

Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequeña, hasta que no
se alcanza la tensión de barrera (VON). El paso de conducción a corte no es
instantáneo: a partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de
la corriente disminuye progresivamente, hasta quedar limitada sólo por las
resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad que circula por la unión
aumenta rápidamente. En el caso de los diodos de silicio, VON se sitúa en torno a
0,7 V.

Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho

menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensión que en directa,
hasta llegar a la ruptura, en la que de nuevo aumenta.
 8

Diferencias entre el diodo de unión PN y el diodo ideal

Las principales diferencias entre el comportamiento real y ideal son:

1. La resistencia del diodo en polarización directa no es nula.

2. La tensión para la que comienza la conducción es VON.

3. En polarización inversa aparece una pequeña corriente.

4. A partir de una tensión en inversa el dispositivo entra en coducción por

avalancha.

En la Figura 10 vemos representadas más claramente estas diferencias entre los

comportamientos del diodo de unión PN e ideal.

Figura 10: Diferencias entre el comportamiento del diodo de unión PN y del diodo
ideal

Principales características comerciales

A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe cuidar que
presente unas características apropiadas para dicha aplicación. Para ello, se debe
examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee.
Las características comerciales más importantes de los diodos que aparecen en
cualquier hoja de especificaciones son:

1. Corriente máxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la

corriente continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este
sufra ningún daño, puesto que una alta corriente puede provocar un
calentamiento por efecto Joule excesivo. Los fabricantes suelen distinguir tres
límites:

o Corriente máxima continua (IFM)

o Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que

se especifica también el tiempo que dura el pico
 9

o Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la

que se especifica la frecuencia máxima del pico

1. Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage, BV;

Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensión a la que se produce el fenómeno de
ruptura por avalancha.

2. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse

Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una
operación en inversa segura.

3. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se

exprese para diferentes valores de la tensión inversa

4. Caída de tensión en PD, VF (Forward Voltage): Pese a que se ha

señalado anteriormente los 0.7V como valor típico, en muchas ocasiones los
fabricantes aportan datos detallados de esta caída de tensión, mediante la
gráfica I-V del dispositivo.

Además, es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca

del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la
nominal. En el Anejo A.1 de este documento se incluyen unas hojas de datos de
diodos a modo de ejemplo.

MODELOS DEL DIODO DE UNION PN

A continuación se van a explicar los diferentes tipos de modelos propuestos para

el funcionamiento de un diodo de unión PN.

Modelos para señales continuas

Bajo el término señales continuas se engloban en este apartado tanto las señales
constantes en el tiempo como aquellas que varían con una frecuencia muy baja.

Modelo DC del diodo real

El comportamiento del diodo real se corresponde con el indicado por la siguiente

expresión:

en donde:
 10

 n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y

2. Depende de las dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la
magnitud de la corriente directa y del valor de IS.

 VT, es el potencial térmico del diodo y es función de la constante de

Boltzmann (K), la carga del electrón (q) y la temperatura absoluta del diodo
T(K). La siguiente expresión permite el cálculo de VT:

Con y .

El potencial térmico a temperatura ambiente, T=25ºC, es VT=25.71mV.

 R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la

tensión que se está aplicando en la unión PN, siendo I la intensidad que circula
por el componente y V la tensión entre terminales externos.

 IS, es la corriente inversa de saturación del diodo. Depende de la

estructura, del material, del dopado y fuertemente de la temperatura.

La representación gráfica de este modelo se muestra en la Figura 11:

Figura 11: Representación gráfica del modelo del diodo real.

Como puede apreciarse, este modelo no da cuenta de la tensión de ruptura en

inversa.

El modelo puede completarse mediante la adición de nuevos parámetros que

incluyan efectos no contemplados en la teoría básica. Por ejemplo, algunos
modelos empleados en los programas simulación por ordenador constan de hasta
quince parámetros. Sin embargo, a la hora de realizar cálculos sobre el papel
resulta poco práctico. Por ello es habitual realizar simplificaciones del modelo
para obtener soluciones de modo más simple.

Modelo ideal del diodo de unión PN

 11

El modelo ideal del diodo de unión PN se obtiene asumiendo las siguientes

simplificaciones:

 Se toma el factor de idealidad como la unidad, n=1.

 Se supone que la resistencia interna del diodo es muy pequeña y que, por
lo tanto, la caída de tensión en las zonas P y N es muy pequeña, frente a la caída
de tensión en la unión PN.

Para V<0, el término exponencial es muy pequeño, despreciable frente a la

unidad. Entonces la intensidad tiende al valor IS, que como ya se había indicado
anteriormente, es la corriente inversa del diodo. Para V>0, la exponencial crece
rápidamente por encima de la unidad.

Modelo lineal por tramos

Al igual que el modelo real, el modelo ideal sigue siendo poco práctico, dado su
carácter no lineal. El modelo lineal por tramos se obtiene como una aproximación
del modelo ideal del diodo de unión PN, considerando las siguientes
simplificaciones:

 En inversa, la corriente a través de la unión es nula.

 En directa, la caída de tensión en la unión PN (VON) es constante e

independiente de la intensidad que circule por el diodo.

Para calcular el valor de VON se considera un diodo de unión PN de silicio con

una I S= 85 fA a una temperatura ambiente de T=25 ºC. El potencial térmico a
esa temperatura es VT=25.7 mV. Tomando como variable independiente la
intensidad I, la ecuación ideal del diodo queda:

A partir de esta expresión, se puede calcular la caída de tensión en el diodo para

las magnitudes de corriente habituales en los circuitos electrónicos. Por ejemplo,
para un intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones 0.6 V
<VDIODO< 0.77 V. Como se puede apreciar, mientras que la corriente ha
variado 3 órdenes de magnitud, la tensión apenas ha experimentado un cambio
 12

de 200 mV, por lo que es posible aproximar la caída de tensión en la unión PN a

un valor constante de 0.7 V.

Con estas simplificaciones se consigue evitar las expresiones exponenciales que

complican los cálculos en la resolución del circuito. Sin embargo, se divide el
modelo en dos tramos lineales denominados inversa y directa (o corte y
conducción), cada uno de los cuales obedece a ecuaciones diferentes: el diodo
queda convertido en un componente bi-estado.

El modelo lineal por tramos queda sintetizado en la siguiente tabla:

Estado Modelo Condición

Conducción
Corte

La Figura 12 muestra la curva característica V-I del modelo lineal

Figura 12: Modelo lineal por tramos del diodo.

En la Figura 12, quedan reflejados los dos posibles estados del diodo el diodo:

 Conducción o Polarización Directa "On", donde la tensión es VON para

cualquier valor de la corriente.
 13

 Corte o Polarización Inversa "Off", donde la corriente es nula para cualquier

valor de tensión menor que VON.

El uso de este modelo sólo está justificado en aquellas ocasiones en las que no
se requiere una gran exactitud en los cálculos.

DIODOS ZENER

Algunos diodos se diseñan para aprovechar la tensión inversa de ruptura, con

una curva característica brusca o afilada. Esto se consigue básicamente a través
del control de los dopados. Con ello se logran tensiones de ruptura de 2V a 200V,
y potencias máximas desde 0.5W a 50W.

La característica de un diodo zener se muestra en la Figura 17. Teóricamente no

se diferencia mucho del diodo ideal, aunque la filosofía de empleo es distinta: el
diodo zener se utiliza para trabajar en la zona de ruptura, ya que mantiene
constante la tensión entre sus terminales (tensión zener, VZ). Una aplicación
muy usual es la estabilización de tensiones.

Figura 17: Característica V-I de un diodo Zener.

Los parámetros comerciales del diodo zener son los mismos que los de un diodo
normal, junto con los siguientes:

 VZ: Tensión de zener

 IZM: Corriente máxima en inversa.

NOTA: Hay que tener en cuenta que el fabricante nos da los valores de VZ y IZM
en valor absoluto. Al resolver un problema, no hay que olvidar que los valores
son negativos con el criterio de signos establecido por el símbolo del componente
(Figura 17).
 14

El zener es un dispositivo de tres estados operativos:

 Conducción en polarización directa: Como en un diodo normal

 Corte en polarización inversa: Como en un diodo normal

 Conducción en polarización inversa: Mantiene constante la V=VZ, con una

corriente entre 0 y IZM.

El modelo lineal por tramos para el diodo zener es el siguiente:

Estado Modelo Condición

Conducción P.D. V=VON I>0
Corte I=0 VZ<V<VON
Conducción P.I. V=VZ I<0

EJEMPLO DE APLICACIÓN DEL DIODO: RECTIFICACIÓN

La energía eléctrica generada en las centrales de potencia es de tipo alterna

sinusoidal. Esta energía se transmite hasta los centros de consumo mediante las
redes de distribución. Sin embargo, en muchas ocasiones, se requiere una
tensión de alimentación continua. Un rectificador es, básicamente, un dispositivo
que transforma la tensión alterna en continua.

Figura 18: Esquema general de la rectificación.

El rectificador es un aparato muy empleado en la vida diaria. Una gran parte de

los electrodomésticos utilizados en el hogar llevan incorporado un dispositivo de
este tipo. En general, estos aparatos necesitan menos tensión de alimentación
que la suministrada por la red, por ello llevan incorporado en primer lugar un
transformador de tensión. El transformador reduce la tensión de la red (220V
eficaces es una tensión generalmente demasiado alta para pequeños
electrodomésticos) a la tensión deseada. Una vez reducida la tensión, el
rectificador convierte la tensión alterna en continua.

En este apartado se van a presentar los esquemas rectificadores más

comúnmente empleados, partiendo para ello de un circuito básico, e
introduciendo en él los componentes necesarios para mejorar su
comportamiento.

Notaciones
 15

Las notaciones empleadas en este apartado se detallan en la Figura 19.

Figura 19: Notaciones.

 vi: tensión de entrada, vi=VM·sen(wt).

 VO: tensión de salida.

 RL: resistencia asociada al aparato o "carga" que se conecta al rectificador.

En el caso más general, según la notación de la figura, la tensión vi sería la

tensión de la red , la VO sería la tensión deseada en continua y la RL simbolizaría
al aparato musical, video,… que por ser un elemento pasivo, puede reducirse a
una simple resistencia de carga mediante su circuito equivalente Thevenin.

Un rectificador funciona en vacío cuando no se le conecta ningún aparato, es

decir, cuando la RL no está unida al circuito. En caso de que sí esté conectada se
dice que funciona en carga.

Esquema básico. Rizado de la onda de salida

El esquema de la Figura 20 es el más sencillo de los rectificadores: el diodo. A

continuación se estudia este circuito, para después discutir la validez del mismo.

Figura 20: Esquema de un sencillo rectificador.

 16

Cuando el valor de la tensión de entrada es superior a la de conducción del diodo

se crea una corriente, y se cumple que: VO = vi -VON.

Si se desprecia VON frente a vi, cuando la tensión de entrada sea mayor que
cero, VO = vi (normalmente siempre se realizará esta simplificación). Si la
tensión de entrada es negativa, vi<0, el diodo D esta en corte, con lo que no
existirá ninguna corriente. Por lo tanto, la caída de potencial en RL será nula.
Todo esto se puede apreciar en las gráficas de la Figura 21.

Como se puede apreciar, la tensión de salida VO se parece muy poco a lo que se

entiende por tensión continua, es decir, un valor constante en el tiempo. Sin
embargo, esta onda no es tan mala como parece. Aunque no es constante,
siempre es mayor que cero. Además, su valor medio es diferente de cero. Con
los esquemas más complejos, se intenta que esta onda de salida se parezca lo
más posible a una línea horizontal, pero siempre tendremos una desviación de la
ideal, que se cuantifica por el rizado de la onda de salida:

En este caso, el rizado es del 100%. El problema con el que nos encontramos es
que cuando el diodo está en corte no se alimenta a la carga. Para disminuir el
rizado, es preciso suministrar energía a la carga durante los semiciclos en los que
la fuente no actúa.
 17

Figura 21: Tensiones en el circuito de la Figura 20.

El condensador en los rectificadores

Como se recordará, el condensador es un componente que almacena energía.

Cuando se somete a una diferencia de potencial, esta obliga a las cargas a
situarse entre sus placas. En el momento en el que cesa el potencial, las cargas
pueden retornar a un circuito y comportarse como un generador de tensión.

En la Figura 22 se presenta el esquema eléctrico que aplica este principio a la

rectificación. Lo que se pretende es que sea el condensador el que alimente a la
carga cuando no pueda hacerlo la fuente de alimentación.

Figura 22: Esquema de rectificador con condensador.

Funcionamiento en vacío:

Se estudiará en primer lugar el esquema en vacío, es decir, sin carga aplicada.

Figura 23: Funcionamiento en vacío.

Sea vI = VM·sen(wt), y la caída de tensión en el diodo en conducción

despreciable. En el instante inicial el condensador se encuentra descargado. En
un punto entre , vi es mayor que cero, por lo tanto, el diodo D está
polarizado en directa. Por él circula una corriente que carga al condensador.
 18

Se considera que el condensador se carga instantáneamente (VC = vi). La carga

del condensador es posible porque hay un camino en el circuito que se lo
permite.

En el instante , la tensión de entrada es máxima, vi = VM, así como la

tensión del condensador. Cuando la tensión de entrada empieza a decrecer el
condensador, cargado con una diferencia de potencial VC = VM, intenta seguir el
ritmo que le marque la fuente de tensión, disminuyendo VC. Evidentemente,
para que el valor de VC disminuya, es necesario que el condensador pierda parte
de su carga ( ). Para ello, la corriente de descarga ha de seguir un
camino contrario al de la corriente que lo cargó, ya que el circuito se encuentra
funcionando en vacío, sin ninguna carga RL conectada. La corriente no puede
circular dado que el diodo está en inversa para ese sentido de circulación, con lo
que C no puede descargarse y mantiene fija la tensión VM. La siguiente figura
refleja la carga y descarga del condensador:

Figura 24: Funcionamiento del condensador.

Se puede deducir fácilmente, aplicando la ley de las mallas que cuando el diodo
está en corte , o sea, VD siempre es menor o igual que
cero, el diodo nunca conducirá y el condensador nunca se descargará.
 19

Figura 25: Tensiones en el circuito de la Figura 22.

Por lo tanto el condensador mantiene la diferencia de potencial entre sus

terminales. La Figura 25 resume todo lo visto en este subapartado.

La onda de salida es perfecta para nuestros propósitos, ya que salvo entre 0 y

es totalmente horizontal; pero vamos a ver qué pasa cuando el dispositivo
funciona en carga.

Funcionamiento en carga:

Según se ha definido previamente, el funcionamiento en carga es el que se

obtiene al conectar una carga RL al dispositivo objeto de estudio.

Figura 26: Dispositivo en carga.

 20

Dado un valor de vi entre 0<wt<p/2. Al ser un valor positivo, el diodo está en

conducción. Hay dos caminos posibles para la intensidad que salga del
generador. Por un lado, hay una corriente que carga el condensador, y por otro,
una corriente que circule por RL. Si suponemos que estamos en bajas
frecuencias, el valor de la intensidad que absorbe el condensador es despreciable
frente a la que circula por RL, y se puede determinar el valor de la corriente que
atraviesa la carga como:

Cuando wt>p/2 como en el caso anterior el diodo entra en corte al intentar

descargarse el condensador por él. Sin embargo, ahora el condensador tiene un
camino para descargarse a través de RL. Mientras el diodo esté en corte, la parte
derecha del circuito se comporta independientemente con respecto al generador.

Figura 27: Descarga de C a través de RL.

El condensador va perdiendo su carga al poder cerrarse una corriente a través de

RL. De este modo, se cumple el objetivo de este diseño: C alimenta a la carga.

Volviendo al circuito original. D estará en corte mientras VB sea menor que VA.
Por lo tanto hay un punto en el que D vuelve a conducir (VB=VA), repitiéndose a
partir de aquí toda la secuencia. Dicho funcionamiento se muestra en la Figura
28.
 21

Figura 28: Tensiones en el circuito de la Figura 26.

Tal como se aprecia en la figura Figura 28, el rizado obtenido es menor que el del
esquema anterior. Su valor depende de la rapidez con que se descargue C a
través de la resistencia. Como se recordará, cuanto mayor sea el valor de C,
mayor será el tiempo que necesita para descargarse, y menor el rizado. Como
contrapartida, si C es muy grande es posible que no tenga tiempo suficiente para
cargarse durante el tiempo de conducción de D.

Selección de los componentes

Una vez finalizado el análisis del esquema eléctrico de la Figura 22, se aborda
seguidamente la tarea de la selección de los componentes adecuados para una
aplicación concreta.

Diodo

A la vista de las gráficas de la Figura 28, se pueden calcular las características

comerciales exigibles al diodo del esquema.

 Corriente máxima en polarización directa, IFmax: Mientras esté en

conducción y, despreciando su caída de tensión (V(ON)):
 22

También se desprecia la corriente que absorbe C para cargarse.

 Tensión máxima en inversa, PIV: Cuando esté en corte, VD=vi-VC. VC es

siempre mayor que cero, tal y como se aprecia en la figura, y su valor máximo
es VM. En este aspecto es más exigente el funcionamiento en vacío que en
carga, ya que cuando llega a ser -VM, VC sigue siendo VM, y se tiene VD=vi-
VC=-VM-VM=-2VM.

Los parámetros comerciales del diodo serán, por lo tanto:

PIV=2VM

Condensador

El valor de la capacidad del condensador se ha de calcular teniendo en cuenta el

rizado máximo exigido al aparato. Para la frecuencia de la red eléctrica
doméstica, es posible emplear la siguiente expresión:

en la que:

 I0: cociente entre la tensión máxima, VM, y la resistencia de carga, RL.

 tc: tiempo de descarga del condensador.

 VRIZADO: Diferencia entre la tensión máxima y mínima admisible.

La deducción de esta fórmula ha sido discutida ya en el capítulo segundo de

estos apuntes.

Rectificador de onda completa

el esquema anterior produce una onda de salida bastante aceptable, cuando el

condensador es lo suficientemente grande como para alimentar la carga durante
un semiciclo aproximadamente. Sin embargo, se desaprovecha medio ciclo de la
red, con lo que la potencia transmitida a la carga se limita. En el siguiente
circuito, el puente de diodos consigue que durante el semiciclo negativo también
alimente la red a la carga.
 23

Figura 29: Rectificador de onda completa.

Dado un valor positivo de la tensión de entrada, vi=V>0. El punto A está

sometido al mayor potencial del circuito, V, mientras que D se encuentra a
potencial nulo, el menor en ese instante. Por lo tanto, los puntos B y C se
encontrarán a un potencial intermedio entre 0 y V voltios. Un circuito que está
alimentado entre 0 y 10V, por ejemplo, no tiene sentido que haya un punto del
mismo que tenga un potencial mayor que 10V con respecto a la referencia, ya
que la tensión sólo puede disminuir entre los nodos de los componentes del
circuito (esto es válido sólo para el régimen permanente).

Suponiendo que hay una corriente intentando circular. Como VA es mayor que
VC el diodo D2 esta en condiciones de conducir, mientras que D1 está en corte.
La corriente circular de a C. D4 está en corte, puesto que VDC=VD-VC<0, por
lo tanto la intensidad atraviesa RL de arriba a abajo. El retorno de corriente será
por D3, puesto que VB<VA y VB>VD.

Así pues, D1 y D4 no conducen en el semiciclo positivo de vi. El esquema

equivalente sería:

Figura 30: Rectificador de onda completa durante los semiciclos positivos.

Mediante un razonamiento análogo se consigue determinar el esquema

equivalente mostrado en la Figura 31.
 24

Figura 31: Rectificador de onda completa durante los semiciclos negativos.

Figura 32: Tensiones en el rectificador de onda completa.

En ambos casos, la corriente que circula por RL circula en el mismo sentido,

luego la caída de tensión en RL siempre es del mismo signo:

Si ahora se filtrase esta señal mediante un condensador, mejoraría su rizado. El

condensador necesario es de menor capacidad que en el esquema anterior,
puesto que debe alimentar durante menos tiempo a la carga.
 25

Ejercicios

1 Si se aplican 18 V al siguiente circuito, ¿qué tensión medirá el voltímetro si D1

es de silicio?

2 Si el diodo D del circuito del problema 3 puede soportar una corriente máxima
de 500 mA, ¿cuál es el mínimo valor de la resistencia R con el que se puede
utilizar el circuito si se aplican 20 V?

3 Si la resistencia R de la figura es de 100 y se aplican 10 V al circuito, ¿cuánto

valdrá la potencia disipada en el diodo D?

4 Si el diodo D de la figura del problema 5 tiene un pico inverso de voltaje (PIV)

de 100 V, ¿cuánto es la tensión máxima que se puede aplicar al circuito?, ¿y si se
conecta una resistencia en paralelo con el diodo R2=2.7 kW?

5 ¿Cuál será la potencia disipada el en diodo D de la figura si se aplican 60 V al

circuito?, ¿y si se conecta una resistencia de 2.7 kW en paralelo con el diodo?

6 Calcular la corriente que atraviesa el diodo en el circuito de la figura,

empleando el modelo lineal por tramos.
 26

7 En el problema de la figura anterior, calcular la corriente que circula por el

diodo mediante el método gráfico, tomando como característica V-I del diodo la
curva que se presenta a continuación.

8 El generador del el circuito de la figura puede aportar una tensión comprendida

entre -20 y +20 V. Se pide determinar las expresiones que permitan calcular
VOUT en función de VIN dentro del rango indicado.

9 Calcular el punto de operación del diodo (corriente y tensión en el mismo) para

ECC=10V, R1= R2= R3=1k.

 Aplicando el modelo lineal por tramos del diodo.

 Mediante un método gráfico.

10 En el circuito de la figura adjunta se pide:

 Potencia suministrada por la fuente.

 Potencia disipada por cada una de las resistencias.

 Potencia disipada por el diodo.

 27

11 En el circuito de la figura representar las ondas de tensión y corriente de

salida (vo(t), io(t)) del circuito de la figura, siendo e(t) la tensión de red
doméstica europea.

12 Si el generador de señal "e" de la figura produce una onda senoidal de 10 V

entre pico y pico, y la resistencia R tiene un valor de 500 ohmios, ¿qué
características debemos exigir a un diodo de silicio para utilizarlo como se indica
en la figura?

13 Se quiere fabricar un circuito como el de la figura adjunta. ¿Qué

características deberíamos exigir al diodo? (e = 10 sen t)

14 Calcular la tensión y la corriente en la resistencia RL (VM = 10 V; RL = 2,2 k).

 28

15 Deducir la expresión de la resistencia dinámica de un diodo partiendo del

modelo exponencial del mismo. Si VT = 25 mV para T = 25 ºC, comparar el
resultado obtenido con la aproximación de Shockley.

16 Calcular la resistencia estática del diodo, cuya curva característica se incluye

a continuación, en los puntos A, B, C y D de la curva. (Nota: Las escalas de los
ejes x positivo y negativo son diferentes)

17 Calcular la resistencia dinámica del diodo del problema anterior en los cuatro
puntos indicados. Comparar el método gráfico de cálculo con la aproximación de
Shockley.

18 Hallar la resistencia estática y dinámica en el punto A de la figura.

19 Sea el circuito de la figura con VZC=10 V e IZM=0,05 A. ¿Entre qué valores

puede variar RL manteniéndose alimentada a 10 V?

20 Para una tensión de entrada de 28 V (DC), calcular la corriente en TP1 para el

circuito de la figura. R1=1 K, RL=1 K, Vz=9.6 V.
 29

21 ¿Cuánta potencia será disipada por un diodo Zener de 9 V cuando le atraviesa

una corriente de 100 mA en polarización directa?

¿Y si a ese mismo diodo le atraviesa la misma corriente en inversa?

22 En el siguiente circuito:

 Determinar la máxima corriente que se puede aplicar a la carga antes de

que el Zener deje de regular la tensión.

 Si RL es 1 k, hallar la corriente y la potencia disipada en el Zener, la

corriente en la carga y V0.

 Idem si RL toma el valor 10 k.

23 Mediante la recta de carga hallar el punto de operación del zener del

problema 20 para R2=400, si se cambia el zener por otro que tenga IZM=0.1A.

24 En el circuito de la figura,

 Determinar la máxima corriente que se puede aplicar a la carga Rc antes

de que el Zener falle.

 Si Rc fuera 2 k, hallar la corriente del Zener y la corriente en la carga.

 Hallar la potencia que disipa el Zener en los casos en que Rc tome como
valor 2 k.
 30

25 Para el circuito de la figura:

 Representar gráficamente la tensión de salida vo si en la entrada se aplica

una señal alterna vi = V sen t. (Para el diodo despreciar la caída de tensión en
directa).

 Si V = 200 voltios, R1 = R2 = 1 k , determinar las características

comerciales del diodo apropiado para esta aplicación.

 Si nos interesara disminuir el rizado de la onda vo: ¿Qué esquema

adicional podría añadírsele a este?.

26 Dado el circuito siguiente:

 Hallar la tensión de salida del dispositivo, funcionando en vacío (sin carga

en la salida). Despreciar la caída de tensión en el diodo.

 ¿Qué misión tiene la resistencia R?. ¿Se podría quitar?.

 Calcular las características comerciales del diodo D.

 Discutir la posibilidad de sustituir la rama AB por un diodo Zener. ¿Qué

comportamiento tendrá entonces el dispositivo?. ¿Qué características debería
tener este diodo para que no se deteriore?.

DATOS: e = 500 sen t ; E = 100 V ; R = 1 K

27 En el dispositivo de la figura:
 31

¿Cuál es la situación más desfavorable para el diodo, el funcionamiento en vacío

o con una carga resistiva colocada entre A y B?. (El valor de E es menor que
eMAX).

28 El circuito de la figura adjunta está preparado para rectificar ondas

sinusoidales de 220 V de valor eficaz ( V de valor de pico). Debido a un
error de manipulación, se conecta el dispositivo en carga a una tensión continua
de 500 V. A los pocos segundos de dicha conexión se impregna el ambiente de
un olor a plástico quemado, y el dispositivo deja de funcionar (no se reciben
señales en la carga). ¿Sabrías decir qué componente/s se ha/n quemado y por
qué?.

Datos adicionales: Potencia disipable máxima en las resistencias = 100 W.

29 Dado el circuito de la figura:

 Dibujar aproximadamente las formas de onda de las tensiones V0 y V0'

para dos ciclos completos de la onda de entrada Vi.

 Características comerciales del diodo D2.

 ¿Podría ser C un condensador electrolítico?. Justificar la respuesta.

DATOS: e = 200 sen(100t) V. R = 1 k

VZ = 50 V.

RL = 1 k

Despreciar las caídas de tensión en los diodos en conducción.

Considerar que la velocidad de descarga de C sobre RL es pequeña comparada

con la frecuencia de la red.
 32

30 Diseñar un puente rectificador de onda completa que entregue 10V en tensión

continua con un rizado menor de 0.1 V de pico a pico a una carga que requiere
10 mA. Elegir una adecuada tensión de entrada al circuito.

31 Se quiere proteger un circuito conectado a la salida Vout del circuito de la

figura frente a posibles sobretensiones producidas por una señal de entrada Vin
excesivamente fuerte.

Si se desea que Vout sea menor que 5V, cual debe ser la tensión a la que se
conecta el diodo.

32 Diseñar con un diodo Zener una fuente de tensión regulada de 12V para
corrientes entre 0 y 100mA. La tensión de entrada puede variar entre +20V y
+25V. La corriente mínima que debe atravesar el Zener debe de ser de 10mA en
las condiciones más desfavorables de trabajo.

¿Cual es la potencia disipada por el zener?

 33

Fuentes de alimentación

Introducción

En muchas ocasiones queremos conseguir rizados pequeños para evitar ruidos en

la alimentación y pensamos "le ponemos un condensador muy grande y ya esta".
En esta sección verás que esto no es una solución muy recomendable y te
propondré otras soluciones que considero mejores.

También aprenderás algunas cosas muy básicas sobre estabilizadores de tensión,

como usar los mas sencillos, como minimizar las pérdidas debidas a disipación de
calor, en definitiva, como aprovechar al máximo los recursos de los que
dispones.

Componentes de una fuente de alimentación:

La función de una fuente de alimentación es convertir la tensión alterna en una

tensión continua y lo mas estable posible, para ello se usan los siguientes
componentes: 1.- Transformador de entrada; 2.- Rectificador a diodos; 3.- Filtro
para el rizado; 4.- Regulador (o estabilizador) lineal. Este último no es siempre
imprescindible.

1.- Transformador de entrada:

El trasformador de entrada reduce la tensión de red (generalmente 220V) a otra

tensión mas adecuada para ser tratada. Solo es capaz de trabajar con corrientes
alternas. Esto quiere decir que la tensión de entrada será alterna y la de salida
también.

Consta de dos arroyamientos sobre un mismo núcleo de hierro, ambos

arroyamientos, primario y secundario, son completamente independientes y la
energía eléctrica se transmite del primario al secundario en forma de energía

magnética a través del núcleo. El esquema de un transformador simplificado es

el siguiente:
 34

La corriente que circula por el arrollamiento primario (el cual esta conectado a la
red) genera una circulación de corriente magnética por el núcleo del
transformador. Esta corriente magnética será más fuerte cuantas mas espiras
(vueltas) tenga el arroyamiento primario. Si acercas un imán a un transformador
en funcionamiento notarás que el imán vibra, esto es debido a que la corriente
magnética del núcleo es alterna, igual que la corriente por los arroyamientos del
transformador.

En el arroyamiento secundario ocurre el proceso inverso, la corriente magnética

que circula por el núcleo genera una tensión que será tanto mayor cuanto mayor
sea el número de espiras del secundario y cuanto mayor sea la corriente
magnética que circula por el núcleo (la cual depende del numero de espiras del
primario).

Por lo tanto, la tensión de salida depende de la tensión de entrada y del número

de espiras de primario y secundario. Como fórmula general se dice que:

V1 = V2 * (N1/N2)

Donde N1 y N2 son el número de espiras del primario y el del secundario

respectivamente.

Así por ejemplo podemos tener un transformador con una relación de

transformación de 220V a 12V, no podemos saber cuantas espiras tiene el
primario y cuantas el secundario pero si podemos conocer su relación de espiras:

N1/N2 = V1/V2

N1/N2 = 220/12 = 18,33

Este dato es útil si queremos saber que tensión nos dará este mismo
transformador si lo conectamos a 120V en lugar de 220V, la tensión V2 que dará
a 120V será:

120 = V2 * 18,33

V2 = 120/18,33 = 6,5 VPor el primario y el secundario pasan corrientes

distintas, la relación de corrientes también depende de la relación de espiras
pero al revés, de la siguiente forma:

I2 = I1 * (N1/N2)

Donde I1 e I2 son las corrientes de primario y secundario respectivamente. Esto

nos sirve para saber que corriente tiene que soportar el fusible que pongamos a
la entrada del transformador, por ejemplo, supongamos que el transformador
anterior es de 0.4 Amperios. Esta corriente es la corriente máxima del secundario
I2, pero nosotros queremos saber que corriente habrá en el primario (I1) para
poner allí el fusible. Entonces aplicamos la fórmula:

I2 = I1 * (N1/N2)
 35

0.4 = I1 * 18.33

I1 = 0.4 / 18.33 = 21,8 mA

Para asegurarnos de que el fusible no saltará cuando no debe se tomará un valor

mayor que este, por lo menos un 30% mayor.

anterior, nos equivocamos y conectamos a la red el lado que no es,

cualquiera mete la mano ahí... (Por si acaso no pruebes a hacerlo en la realidad
ya que el aislamiento del secundario de los transformadores no suelen estar
preparados para tensiones tan altas)

2.- Rectificador a diodos

El rectificador es el que se encarga de convertir la tensión alterna que sale del

transformador en tensión continua. Para ello se utilizan diodos. Un diodo conduce
cuando la tensión de su ánodo es mayor que la de su cátodo. Es como un
interruptor que se abre y se cierra según la tensión de sus terminales:

El rectificador se conecta después del transformador, por lo tanto le entra tensión

alterna y tendrá que sacar tensión continua, es decir, un polo positivo y otro
negativo:

La tensión Vi es alterna y senoidal, esto quiere decir que a veces es positiva y

otras negativa. En un osciloscopio veríamos esto:
 36

La tensión máxima a la que llega Vi se le llama tensión de pico y en la gráfica

figura como Vmax. la tensión de pico no es lo mismo que la tensión eficaz pero
estan relacionadas, Por ejemplo, si compramos un transformador de 6 voltios
son 6 voltios eficaces, estamos hablando de Vi. Pero la tensión de pico Vmax
vendrá dada por la ecuación:

Vmax = Vi * 1,4142

Vmax = 6 * 1,4142 = 8,48 V

2.1 Rectificador a un diodo

El rectificador más sencillo es el que utiliza solamente un diodo, su esquema es

este:

Cuando Vi sea positiva la tensión del ánodo será mayor que la del cátodo, por lo
que el diodo conducirá: en Vo veremos lo mismo que en Vi

Mientras que cuando Vi sea negativa la tensión del ánodo será menor que la del
cátodo y el diodo no podrá conducir, la tensión Vo será cero.

Según lo que acabamos de decir la tensión Vo tendrá esta forma:

 37

Como puedes comprobar la tensión que obtenemos con este rectificador no se

parece mucho a la de una batería, pero una cosa es cierta, hemos conseguido
rectificar la tensión de entrada ya que Vo es siempre positiva. Aunque
posteriormente podamos filtrar esta señal y conseguir mejor calidad este
esquema no se suele usar demasiado.

2.2 Rectificador en puente

El rectificador mas usado es el llamado rectificador en puente, su esquema es el

siguiente:

Cuando Vi es positiva los diodos D2 y D3 conducen, siendo la salida Vo igual que

la entrada Vi

Cuando Vi es negativa los diodos D1 y D4 conducen, de tal forma que se invierte

la tensión de entrada Vi haciendo que la salida vuelva a ser positiva.

El resultado es el siguiente:
 38

Vemos en la figura que todavía no hemos conseguido una tensión de salida

demasiado estable, por ello, será necesario filtrarla después.

Es tan común usar este tipo de rectificadores que se venden ya preparados los
cuatro diodos en un solo componente. Suele ser recomendable usar estos
puentes rectificadores, ocupan menos que poner los cuatro diodos y para
corrientes grandes vienen ya preparados para ser montados en un radiador. Este
es el aspecto de la mayoría de ellos:

Tienen cuatro terminales, dos para la entrada en alterna del transformador, uno
la salida positiva y otro la negativa o masa. Las marcas en el encapsulado suelen
ser:

~ Para las entradas en alterna

+ Para la salida positiva
– Para la salida negativa o masa.

2.3 Rectificador a dos diodos

La forma de la onda de salida es idéntica a la del rectificador en puente, sin

embargo este rectificador precisa de un transformador con toma media en el
secundario. Un transformador de este tipo tiene una conexión suplementaria en
la mitad del arrollamiento secundario:
 39

Normalmente se suele tomar como referencia o masa la toma intermedia, de

esta forma se obtienen dos señales senoidales en oposición de fase. dos señales
de este tipo tienen la siguiente forma:

El esquema del rectificador con dos diodos es el siguiente:

 40

Tal y como son las tensiones en A y en B nunca podrán conducir ambos diodos a
la vez. Cuando A sea positiva (B negativa) el ánodo de D1 estará a mayor
tensión que su cátodo, provocando que D1 conduzca. Cuando B sea positiva (A
negativa) el ánodo de D2 estará a mayor tensión que su cátodo, provocando que
D2 conduzca. Obteniéndose la misma forma de

Vo que con el
puente rectificador:

La ventaja de este montaje es que solo utiliza dos diodos y solo conduce uno
cada vez.

2.4 Caída de tensión en los diodos:

Cuando hablábamos de los diodos decíamos que eran como interruptores que se
abren y se cierran según la tensión de sus terminales. Esto no es del todo
correcto, cuando un diodo está cerrado tiene una caída de tensión de entre 0,7
voltios y 1 voltio, dependiendo de la corriente que este conduciendo esta caída
puede ser mayor.

Esto quiere decir que por cada diodo que este conduciendo en un momento
determinado se "pierde" un voltio aproximadamente.

En el rectificador de un diodo conduce solamente un diodo a la vez, por lo tanto

la tensión de pico Vmax de la salida será un voltio inferior a la de la Vmax de
entrada. Por ejemplo: supón que tienes un transformador de 6 V y quieres saber
la tensión de pico que te queda cuando le pones un rectificador de un diodo, la
tensión de salida de pico Vmax será la siguiente:

Vmax = 6 * 1.4142 – 1 = 7,5 V

En el rectificador en puente conducen siempre dos diodos a la vez, se dice que

conducen dos a dos, por lo tanto la tensión de pico de la salida Vmax será dos
voltios inferior a la Vmax de entrada. Por ejemplo: supón el mismo
transformador de 6 voltios y quieres saber la tensión de pico que te queda al
ponerle un rectificador en puente, la tensión de salida de pico Vmax será la
siguiente:

Vmax = 6 * 1.4142 – 2 = 6,5 V

 41

Quizás te extrañe que el rectificador en puente sea el más usado pese a que
"pierde" más voltios. Pero ten en cuenta que la forma de onda del rectificador
con un diodo y el rectificador en puente no son iguales y al final acaba rindiendo
mucho mejor el puente de diodos.

3. El filtro:

La tensión en la carga que se obtiene de un rectificador es en forma de pulsos.

En un ciclo de salida completo, la tensión en la carga aumenta de cero a un valor
de pico, para caer después de nuevo a cero. Esta no es la clase de tensión
continua que precisan la mayor parte de circuitos electrónicos. Lo que se
necesita es una tensión constante, similar a la uqe produce una batería. Para
obtener este tipo de tensión rectificada en la carga es necesario emplear un
filtro.

El tipo más común de filtro es el del condensador a la entrada, en la mayoría de

los casos perfectamente válido. Sin embargo en algunos casos puede no ser
suficiente y tendremos que echar mano de algunos componentes adicionales.

3.1 Filtro con condensador a la entrada:

Este es el filtro mas común y seguro que lo conocerás, basta con añadir un
condensador en paralelo con la carga (RL), de esta forma:

Todo lo que digamos en este apartado será aplicable también en el caso de usar
el filtro en un rectificador en puente.

Cuando el diodo conduce el condensador se carga a la tensión de pico Vmax. Una

vez rebasado el pico positivo el condensador se abre. ¿Por que? debido a que el
condensador tiene una tensión Vmax entre sus extremos, como la tensión en el
secundario del transformador es un poco menor que Vmax el cátodo del diodo
esta a mas tensión que el ánodo. Con el diodo ahora abierto el condensador se
descarga a través de la carga. Durante este tiempo que el diodo no conduce el
condensador tiene que "mantener el tipo" y hacer que la tensión en la carga no
baje de Vmax. Esto es prácticamente imposible ya que al descargarse un
condensador se reduce la tensión en sus extremos.
 42

Cuando la tensión de la fuente alcanza de nuevo su pico el diodo conduce

brevemente recargando el condensador a la tensión de pico. En otras palabras, la
tensión del condensador es aproximadamente igual a la tensión de pico del
secundario del transformador (hay que tener en cuenta la caída en el diodo). La
tensión Vo quedará de la siguiente forma:

La tensión en la carga es ahora casi una tensión ideal. Solo nos queda un
pequeño rizado originado por la carga y descarga del condensador. Para reducir
este rizado podemos optar por construir un rectificador en puente: el
condensador se cargaría el doble de veces en el mismo intervalo teniendo así
menos tiempo para descargarse, en consecuencia el rizado es menor y la tensión
de salida es más cercana a Vmax.

Otra forma de reducir el rizado es poner un condensador mayor, pero siempre

tenemos que tener cuidado en no pasarnos ya que un condensador demasiado
grande origina problemas de conducción de corriente por el diodo y, por lo tanto,
en el secundario del transformador (la corriente que conduce el diodo es la
misma que conduce el transformador).

Efecto del condensador en la conducción del diodo:

Como venimos diciendo hasta ahora, el diodo solo conduce cuando el

condensador se carga. Cuando el condensador se carga aumenta la tensión en la
salida, y cuando se descarga disminuye, por ello podemos distinguir
perfectamente en el gráfico cuando el diodo conduce y cuando no. En la siguiente
figura se ha representado la corriente que circula por el diodo, que es la misma
que circula por el transformador:
 43

La corriente por el diodo es a pulsos, aquí mostrados como rectángulos para

simplificar. Los pulsos tienen que aportar suficiente carga al condensador para
que pueda mantener la corriente de salida constante durante la no conducción
del diodo. Esto quiere decir que el diodo tiene que conducir "de vez" todo lo que
no puede conducir durante el resto del ciclo. Es muy normal, entonces, que
tengamos una fuente de 1 Amperio y esos pulsos lleguen hasta 10 Amperios o
más. Esto no quiere decir que tengamos que poner un diodo de 10 amperios, Un
1N4001 aguanta 1 amperio de corriente media y pulsos de hasta 30 amperios.

Si ponemos un condensador mayor reducimos el rizado, pero al hacer esto

también reducimos el tiempo de conducción del diodo, Como la corriente media
que pasa por los diodos será la misma (e igual a la corriente de carga) los pulsos
de corriente se hacen mayores:

Y esto no solo afecta al diodo, al transformador también, ya que a medida que

los pulsos de corriente se hacen más estrechos (y mas altos a su vez) la
corriente eficaz aumenta. Si nos pasamos con el condensador podríamos
encontrarnos con que tenemos un transformador de 0,5 A y no podemos
suministrar mas de 0,2 A a la carga (por poner un ejemplo).

Valores recomendables para el condensador en un RECTIFICADOR EN PUENTE:

Si quieres ajustar el valor del condensador al menor posible esta fórmula te dará
el valor del condensador para que el rizado sea de un 10% de Vo (regla del
10%):

C = (5 * I) / (ƒ * Vmax)

donde:

C: Capacidad del condensador del filtro en faradios

I: corriente que suministrará la fuente

ƒ: frecuencia de la red

Vmax: tensión de pico de salida del puente (aproximadamente Vo)

 44

Si se quiere conseguir un rizado del 7% puedes multiplicar el resultado anterior

por 1,4, y si quieres un rizado menor resulta más recomendable que uses otro
tipo de filtro o pongas un estabilizador.

Ejemplo práctico:

Se desea diseñar una fuente de alimentación para un circuito que consume 150
mA a 12V. El rizado deberá ser inferior al 10%. Para ello se dispone de un
transformador de 10 V y 2,5 VA y de un rectificador en puente. Elegir el valor del
condensador:

1.- Calculamos la corriente que es capaz de suministrar el transformador para

determinar si será suficiente, esta corriente tendrá que ser superior a la corriente
que consume el circuito que vamos a alimentar

It = 2,5 / 10 = 250 mA

Parece que sirve, como calcularlo resulta bastante mas complicado nos fiaremos
de nuestra intuición. Ten en cuenta siempre que el transformador tiene que ser
de mas corriente de la que quieras obtener en la carga.

2.- Calculamos la Vmax de salida del puente rectificador teniendo en cuenta la

caída de tensión en los diodos (conducen dos a dos).

Vmax = 10 * 1,4142 – 2 = 12,14 V

Esta será aproximadamente la tensión de salida de la fuente.

3.- Calculamos el valor del condensador según la fórmula del 10%, la I es de 150
mA la ƒ es 50 Hz en Europa y la Vmax es 12,14 V:

C = (5 * 0,15) / (50 * 12,14) = 0,0012355 F

C = 1235,5 µF
 45

Tomaremos el valor mas aproximado por encima.

Curva característica del diodo

 Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización
directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del
diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de
potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente,
alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa
supera la tensión umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que
para pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones de
la intensidad de corriente.
 Corriente máxima (Imax ).
Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin
fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor
que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.
 46

 Corriente inversa de saturación (Is ).

Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo
por la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura,
admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en la
temperatura.

 Corriente superficial de fugas.

Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver
polarización inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al
diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial
de fugas.
 Tensión de ruptura (Vr ).
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el
efecto avalancha.

Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente

inversa de saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de la
tensión, en el diodo normal o de unión abrupta la ruptura se debe al efecto
avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:

 Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se

generan pares electrón-hueco que provocan la corriente inversa de
saturación; si la tensión inversa es elevada los electrones se aceleran
incrementando su energía cinética de forma que al chocar con electrones
de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducción. Estos
electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensión,
chocando con más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El
resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente
grande. Este fenómeno se produce para valores de la tensión superiores a
6 V.
 Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material,
menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E
puede expresarse como cociente de la tensión V entre la distancia d;
cuando el diodo esté muy dopado, y por tanto d sea pequeño, el campo
eléctrico será grande, del orden de 3·105 V/cm. En estas condiciones, el
propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia
incrementándose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V
o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como

los Zener, se puede producir por ambos efectos.

Rectificador de media onda

 47

El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte

negativa o positiva de una señal de corriente alterna de entrada (Vi)
convirtiéndola en corriente directa de salida (Vo).

Es el circuito más sencillo que puede construirse con un diodo.

Análisis del circuito (diodo ideal)

Los diodos ideales, permiten el paso de toda la corriente en una única dirección,
la correspondiente a la polarización directa, y no conducen cuando se polarizan
inversamente. Además su voltaje es > 0.

Polarización directa (Vi > 0)

En este caso, el diodo permite el paso de la corriente sin restricción, provocando

una caída de potencial que suele ser de 0,7 V. Este voltaje de 0,7 V se debe a
que usualmente se utilizan diodos de silicio. En el caso del germanio, que es el
segundo mas usado el voltaje es de 0,3 V

Vo = Vi - VD → Vo = Vi - 0,7 V

y la intensidad de la corriente puede fácilmente calcularse mediante la ley de

Ohm:

Polarización inversa (Vi < 0) [editar]

 48

En este caso, el diodo no conduce, quedando el circuito abierto. La tensión de

salida es nula, al igual que la intensidad de la corriente:

Vo = 0
I=0

Tensión rectificada

Como acabamos de ver, la curva de transferencia, que relaciona las tensiones de

entrada y salida, tiene dos tramos: para tensiones de entrada negativas la
tensión de salida es nula, mientras que para entradas positivas, la tensión se
reduce en 0.6V. El resultado es que en la carga se ha eliminado la parte negativa
de la señal de entrada.

  →     →  

Rectificador de onda completa

Un Rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una

señal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente directa de salida (Vo)
pulsante. A diferencia del rectificador de media onda, en este caso, la parte
negativa de la señal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la señal
se convertirá en negativa, según se necesite una señal positiva o negativa de
corriente continua.

Existen dos alternativas, bien empleando dos diodos o empleando cuatro (puente
de Graetz).
 49

Rectificador con dos diodos.

En el circuito de la figura, ambos diodos pueden encontrarse simultáneamente en

directa o en inversa, ya que las diferencias de potencial a las que están
sometidos son de signo contrario; por tanto uno se encontrará polarizado
inversamente y el otro directamente. La tensión de entrada (Vi) es, en este caso,
la mitad de la tensión del secundario del transformador.

Tensión de entrada positiva.

El diodo 1 se encuentra en directa (conduce), mientras que el 2 se encuentra en

inversa (no conduce). La tensión de salida es igual a la de entrada. El diodo 2 ha
 50

de soportar en inversa la tensión máxima del secundario.

Tensión de entrada negativa.

El diodo 2 se encuentra en directa (conduce), mientras que el diodo 1 se

encuentra en inversa (no conduce). La tensión de salida es igual a la de entrada
pero de signo contrario. El diodo 1 ha de soportar en inversa la tensión máxima
del secundario.
 51

Puente de Graetz o Puente Rectificador

En este caso se emplean cuatro diodos con la disposición de la figura. Al igual

que antes, sólo son posibles dos estados de conducción, o bien los diodos 1 y 3
están en directa y conducen (tensión positiva) o por el contrario son los diodos 2
y 4 los que se encuentran en directa y conducen (tensión negativa)..

A diferencia del caso anterior, ahora la tensión máxima de salida es la del

secundario del transformador (el doble de la del caso anterior), la misma que
han de soportar los diodos en inversa, al igual que en el rectificador con dos
diodos. Esta es la configuración usualmente empleada para la obtención de onda
continua

Tensión rectificada.

Como acabamos de ver, la curva de transferencia, que relaciona las tensiones de

entrada y salida, tiene dos tramos: para tensiones de entrada positivas las
tensiones de entrada y salida son iguales, mientras que para tensiones de
entrada negativas, ambas son iguales pero de signo contrario. El resultado es
que en la carga se ha eliminado la parte negativa de la señal de entrada
trasformándola en positiva. La tensión máxima en el circuito de salida es, para
igual tensión del secundario del trasformador:

Vo = Vi = Vs/2 en el rectificador con dos diodos.

Vo = Vi = Vs en el rectificador con puente de Graetz.

  →     →  

Diodo Zener
 52

Un diodo Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione

en las zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el
diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensión casi constantes con
independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensión de red, de
la resistencia de carga y temperatura. El Dr. Clarence Melvin Zener de Southern
Illinois University inventó el diodo Zener.

Símbolo esquemático

El diodo Zener se representa en los esquemas con el siguiente símbolo: en

cambio el diodo normal no presenta esa curva en las puntas :

Símbolo esquemático del diodo zener

 53

Curva del diodo Zener (Ej. Zener de 17V1)

Voltaje zener: el diodo está polarizado en forma inversa, obsérvese que la

corriente tiene un valor casi nulo mientras que el voltaje se incrementa
rápidamente, en este ejemplo fue con 17 voltios.

Resistencia Zener Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta

resistencia interna en sus zonas P y N; al circular una corriente a través de éste
se produce una pequeña caída de tensión de ruptura.

En otras palabras: si un diodo zener está funcionando en la zona zener, un

aumento en la corriente producirá un ligero aumento en la tensión. El incremento
es muy pequeño, generalmente de una décima de voltio.

Los diodos Zener mantienen la tensión entre sus terminales prácticamente

constante en un amplio rango de intensidad y temperatura, cuando están
polarizados inversamente, por ello, este tipo de diodos se emplean en circuitos
estabilizadores o reguladores de la tensión tal y como el mostrado en la figura.

Eligiendo la resistencia R y las características del diodo, se puede lograr que la

tensión en la carga (RL) permanezca prácticamente constante dentro del rango
de variación de la tensión de entrada VS.
 54

Para elegir la resistencia limitadora R adecuada hay que calcular primero cuál
puede ser su valor máximo y mínimo, después elegiremos una resistencia R que
se adecue a nuestros cálculos.

Donde:

1. Rmin es el valor mínimo de la resistencia limitadora.

2. Rmax es el valor máximo de la resistencia limitadora.
3. Vsmax es el valor máximo de la tensión de entrada.
4. Vsmin es el valor mínimo de la tensión de entrada.
5. Vz es la tensión Zener.
6. ILmin es la mínima intensidad que puede circular por la carga, en
ocasiones, si la carga es desconectable, ILmin suele tomar el valor 0.
7. ILmax es la máxima intensidad que soporta la carga.
8. Izmax es la máxima intensidad que soporta el diodo Zener.
9. Izmin es la mínima intensidad que necesita el diodo zener para mantenerse
dentro de su zona zener o conducción en inversa (1mA).
10.

La resistencia que elijamos, debe estar comprendida entre los dos resultados que
hemos obtenido.
 55

La resistencia de carga del circuito (RL) debe cumplir la siguiente formula:

Los diodos Zener generan ruido. Por esa característica, son usados en los
generadores de ruido y puentes de ruido.

Diodo Schottky

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del

físico alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que
proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa
e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy
bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo, aunque en
inglés se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensión de codo es la
diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como conductor
en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la región Zener, que es
cuando más bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa
para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- éste opere
de igual forma como lo haría regularmente.

Funcionamiento

A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la

polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la
frecuencia el tiempo de conmutación puede llegar a ser muy bajo, poniendo en
peligro el dispositivo.

El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor (barrera

Schottky), en lugar de la unión convencional semiconductor P - semiconductor N
utilizada por los diodos normales.
 56

Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador

mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con
impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones móviles)
desempeñarán un papel significativo en la operación del diodo y no se realizará
la recombinación aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los
diodos rectificadores normales, con lo que la operación del dispositivo será
mucho más rápida.

Características

La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas

frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.

A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión

umbral —valor de la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce— de
0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V
a 0,4 V empleándose, por ejemplo, como protección de descarga de células
solares con baterías de plomo ácido.

La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir

resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes
inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en
circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes
velocidades de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo
permite poco gasto de energía, otra utilización del diodo Schottky es en
variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al
variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades.

El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de logica TTL. Por

ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutación entre los
transistores sean mucho menores puesto que son más superficiales y de menor
tamaño por lo que se da una mejora en la relación velocidad/potencia. El tipo
ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL
presentan el doble de velocidad que las Schottly TTL con la misma potencia.

Diodo emisor de luz (LED)

LEDs.
 57

Diodo emisor de luz, también conocido como LED (acrónimo del inglés de
Light-Emitting Diode) es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz
incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unión PN
del mismo y circula por él una corriente eléctrica. Este fenómeno es una forma
de electroluminiscencia. El color (longitud de onda), depende del material
semiconductor empleado en la construcción del diodo y puede variar desde el
ultravioleta, pasando por el visible, hasta el infrarrojo. Los diodos emisores de
luz que emiten luz ultravioleta también reciben el nombre de UV LED
(UltraV'iolet Light-Emitting Diode) y los que emiten luz infrarroja suelen recibir
la denominación de IRED (Infra-Red Emitting Diode).

El funcionamiento físico consiste en que, en los materiales semiconductores, un

electrón al pasar de la banda de conducción a la de valencia, pierde energía; esta
energía perdida se puede manifestar en forma de un fotón desprendido, con una
amplitud, una dirección y una fase aleatoria. El que esa energía perdida cuando
pasa un electrón de la banda de conducción a la de valencia se manifieste como
un fotón desprendido o como otra forma de energía (calor por ejemplo) va a
depender principalmente del tipo de material semiconductor. Cuando un diodo
semiconductor se polariza directamente, los huecos de la zona p se mueven
hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos
desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si
los electrones y huecos están en la misma región, pueden recombinarse, es
decir, los electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un
nivel energético superior a otro inferior más estable. Este proceso emite con
frecuencia un fotón en semiconductores de banda prohibida directa o "direct
bandgap" con la energía correspondiente a su banda prohibida (véase
semiconductor). Esto no quiere decir que en los demás semiconductores
(semiconductores de banda prohibida indirecta o "indirect bandgap") no se
produzcan emisiones en forma de fotones; sin embargo, estas emisiones son
mucho más probables en los semiconductores de banda prohibida directa (como
el Nitruro de Galio) que en los semiconductores de banda prohibida indirecta
(como el Silicio). La emisión espontánea, por tanto, no se produce de forma
notable en todos los diodos y sólo es visible en diodos como los LEDs de luz
visible, que tienen una disposición constructiva especial con el propósito de evitar
que la radiación sea reabsorbida por el material circundante, y una energía de la
banda prohibida coincidente con la correspondiente al espectro visible. En otros
diodos, la energía se libera principalmente en forma de calor, radiación infrarroja
o radiación ultravioleta. En el caso de que el diodo libere la energía en forma de
radiación ultravioleta, se puede conseguir aprovechar esta radiación para
producir radiación visible, mediante sustancias fluorescentes o fosforescentes
que absorban la radiación ultravioleta emitida por el diodo y posteriormente
emitan luz visible.

El dispositivo semiconductor está

comúnmente encapsulado en una
cubierta de plástico de mayor resistencia A (p) C ó K (n)
que las de vidrio que usualmente se
emplean en las lámparas
incandescentes. Aunque el plástico Representación simbólica del diodo LED
 58

puede estar coloreado, es sólo por razones estéticas, ya que ello no influye en el
color de la luz emitida. Usualmente un LED es una fuente de luz compuesta con
diferentes partes, razón por la cual el patrón de intensidad de la luz emitida
puede ser bastante complejo [1].

Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente
que atraviesa el LED; para ello, hay que tener en cuenta que el voltaje de
operación va desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que está
relacionado con el material de fabricación y el color de la luz que emite) y la
gama de intensidades que debe circular por él varía según su aplicación. Valores
típicos de corriente directa de polarización de un LED corriente están
comprendidos entre los 10 y los 40 mA. En general, los LEDs suelen tener mejor
eficiencia cuanto menor es la corriente que circula por ellos, con lo cual, en su
operación de forma optimizada, se suele buscar un compromiso entre la
intensidad luminosa que producen (mayor cuanto más grande es la intensidad
que circula por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto menor es la intensidad que
circula por ellos).

El primer LED que emitía en el espectro visible fue desarrollado por el ingeniero
de General Electric Nick Holonyak en 1962.

Tecnología LED/OLED

En corriente continua (CC), todos los diodos emiten una cierta cantidad de
radiación cuando los pares electrón-hueco se recombinan, es decir, cuando los
electrones caen desde la banda de conducción (de mayor energía) a la banda de
valencia (de menor energía). Indudablemente, la frecuencia de la radiación
emitida y, por ende, su color, dependerá de la altura de la banda prohibida
(diferencias de energía entre las bandas de conducción y valencia), es decir, de
los materiales empleados. Los diodos convencionales, de silicio o germanio,
emiten radiación infrarroja muy alejada del espectro visible. Sin embargo, con
materiales especiales pueden conseguirse longitudes de onda visibles. Los LED e
IRED, además tienen geometrías especiales para evitar que la radiación emitida
sea reabsorbida por el material circundante del propio diodo, lo que sucede en
los convencionales.
 59

Compuestos empleados en la construcción de LED.

Long. de
Compuesto Color
onda

Arseniuro de galio (GaAs) Infrarrojo 940nm

Arseniuro de galio y aluminio

Rojo e infrarrojo 890nm
(AlGaAs)

Rojo, naranja y
Arseniuro fosfuro de galio (GaAsP) 630nm
amarillo

Fosfuro de galio (GaP) Verde 555nm

Nitruro de galio (GaN) Verde 525nm

Seleniuro de zinc (ZnSe) Azul

Nitruro de galio e indio (InGaN) Azul 450nm

Carburo de silicio (SiC) Azul 480nm

Diamante (C) Ultravioleta

Silicio (Si) En desarrollo

Los primeros diodos construidos fueron los diodos infrarrojos y de color rojo,
permitiendo el desarrollo tecnológico posterior la construcción de diodos para
longitudes de onda cada vez menores. En particular, los diodos azules fueron
desarrollados a finales de los 90 por Shuji Nakamura, añadiéndose a los rojos y
verdes desarrollados con anterioridad, lo que permitió, por combinación de los
mismos, la obtención de luz blanca. El diodo de seleniuro de zinc puede emitir
también luz blanca si se mezcla la luz azul que emite con la roja y verde creada
por fotoluminiscencia. La más reciente innovación en el ámbito de la tecnología
LED son los diodos ultravioletas, que se han empleado con éxito en la producción
de luz blanca al emplearse para iluminar materiales fluorescentes.
 60

Tanto los diodos azules como los ultravioletas son caros respecto de los más
comunes (rojo, verde, amarillo e infrarrojo), siendo por ello menos empleados en
las aplicaciones comerciales.

Los LEDs comerciales típicos están diseñados para potencias del orden de los 30
a 60 mW. En torno a 1999 se introdujeron en el mercado diodos capaces de
trabajar con potencias de 1 W para uso continuo; estos diodos tienen matrices
semiconductoras de dimensiones mucho mayores para poder soportar tales
potencias e incorporan aletas metálicas para disipar el calor (ver convección)
generado por efecto Joule.

Hoy en día, se están desarrollando y empezando a comercializar LEDs con

prestaciones muy superiores a las de unos años atrás y con un futuro
prometedor en diversos campos, incluso en aplicaciones generales de
iluminación. Como ejemplo, se puede destacar que Nichia Corporation ha
desarrollado LEDs de luz blanca con una eficiencia luminosa de 150 lm/W,
utilizando para ello una corriente de polarización directa de 20 mA. Esta
eficiencia, comparada con otras fuentes de luz en términos de eficiencia sólo, es
aproximadamente 1,7 veces superior a la de la lámpara fluorescente con
prestaciones de color altas (90 lm/W) y aproximadamente 11,5 veces la de una
lámpara incandescente (13 lm/W). Su eficiencia es incluso más alta que la de la
lámpara de vapor de sodio de alta presión (132 lm/W), que está considerada
como una de las fuentes de luz más eficientes. [1]

El comienzo del siglo XXI ha visto aparecer los diodos OLED (LED orgánicos),
fabricados con materiales polímeros orgánicos semiconductores. Aunque la
eficiencia lograda con estos dispositivos está lejos de la de los diodos
inorgánicos, su fabricación promete ser considerablemente más barata que la de
aquellos, siendo además posible depositar gran cantidad de diodos sobre
cualquier superficie empleando técnicas de pintado para crear pantallas a color.

Una solución tecnológica que pretende aprovechar las ventajas de la eficiencia

alta de los LEDs típicos (hechos con materiales inorgánicos principalmente) y los
costes menores de los OLEDs (derivados del uso de materiales orgánicos) son los
Sistemas de Iluminación Híbridos (Orgánicos/Inorgánicos) basados en diodos
emisores de luz. Dos ejemplos de este tipo de solución tecnológica los está
intentado comercializar la empresa Cyberlux con los nombres de Hybrid White
Light (HWL) (Luz Blanca Híbrida) y Hybrid Multi-color Light (HML) (Luz Multicolor
Híbrida), cuyo resultado, puede producir sistemas de iluminación mucho más
eficientes y con un coste menor que los actuales.[2]

Aplicaciones
Antiguo display LED de una calculadora.
 61

Una pequeña linterna a pilas con LEDs.

Pantalla de LEDs en el Estadio de los Arkansas Razorbacks.

La pantalla en Freemont Street en Las Vegas es actualmente la más grande del

mundo.

Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en

mandos a distancia de televisores, habiéndose generalizado su uso en otros
electrodomésticos como equipos de aire acondicionado, equipos de música, etc. y
en general para aplicaciones de control remoto, así como en dispositivos
detectores, además de ser utilizados para transmitir datos entre dispositivos
electrónicos como en redes de computadoras y dispositivos como teléfonos
móviles, computadoras de mano, aunque esta tecnología de transmisión de datos
ha dado paso al bluetooth en los últimos años, quedando casi obsoleta.
 62

Los LEDs se emplean con profusión en todo tipo de indicadores de estado

(encendido/apagado) en dispositivos de señalización (de tránsito, de emergencia,
etc.) y en paneles informativos (el mayor del mundo, del NASDAQ, tiene 36,6
metros de altura y está en Times Square, Manhattan). También se emplean en el
alumbrado de pantallas de cristal líquido de teléfonos móviles, calculadoras,
agendas electrónicas, etc., así como en bicicletas y usos similares. Existen
además impresoras LED.

El uso de diodos LED en el ámbito de la iluminación (incluyendo la señalización

de tráfico) es moderado y es previsible que se incremente en el futuro, ya que
sus prestaciones son superiores a las de la lámpara incandescente y la lámpara
fluorescente, desde diversos puntos de vista. La iluminación con LEDs presenta
indudables ventajas: fiabilidad, mayor eficiencia energética, mayor resistencia a
las vibraciones, mejor visión ante diversas circunstancias de iluminación, menor
disipación de energía, menor riesgo para el medio ambiente, capacidad para
operar de forma intermitente de modo continuo, respuesta rápida, etc.
Asimismo, con LEDs se pueden producir luces de diferentes colores con un
rendimiento luminoso elevado, a diferencia de muchas de las lámparas utilizadas
hasta ahora, que tienen filtros para lograr un efecto similar (lo que supone una
reducción de su eficiencia energética). Todo ello pone de manifiesto las
numerosas ventajas que los LEDs ofrecen.

Los LEDs de Luz Blanca son uno de los desarrollos más recientes y se pueden
considerar como un intento muy bien fundamentado para sustituir las bombillas
actuales por dispositivos mucho más ventajosos. En la actualidad se dispone de
tecnología que consume un 92% menos que las bombillas incandescentes de uso
doméstico común y un 30% menos que la mayoría de los sistemas de
iluminación fluorescentes; además, estos LEDs pueden durar hasta 20 años y
suponer un 200% menos de costes totales de propiedad si se comparan con las
bombillas o tubos fluorescentes convencionales. [3] Estas características
convierten a los LEDs de Luz Blanca en una alternativa muy prometedora para la
iluminación.

También se utilizan en la emisión de señales de luz que se trasmiten a través de

fibra óptica.

Conexión

Para conectar LEDs de modo que iluminen de forma continua, deben estar
polarizados directamente, es decir, con el polo positivo de la fuente de
alimentación conectado al ánodo y el polo negativo conectado al cátodo. Además,
la fuente de alimentación debe suministrarle una tensión o diferencia de
potencial superior a su tensión umbral. Por otro lado, se debe garantizar que la
corriente que circula por ellos no excede los límites admisibles (Esto se puede
hacer de forma sencilla con una resistencia R en serie con los LEDs). Unos
circuitos sencillos que muestran cómo polarizar directamente LEDs son los
siguientes:
 63

La diferencia de potencial Vd varía de acuerdo a las especificaciones relacionadas

con el color y la potencia soportada.

En términos generales, pueden considerarse de forma aproximada los siguientes

valores de diferencia de potencial:[4]

 Rojo = 1,8 V a 2,2 V

 Naranja = 2,1 V a 2,2 V
 Amarillo = 2,1 V a 2,4 V
 Verde = 2 V a 3,5 V
 Azul = 3,5 V a 3,8 V
 Blanco = 3,6 V

Luego mediante la ley de Ohm, puede calcularse la resistencia R adecuada para

la tensión de la fuente Vfuente que utilicemos.

El término I, en la fórmula, se refiere al valor de corriente para la intensidad

luminosa que necesitamos. Lo común es de 10 mA para LEDs de baja
luminosidad y 20 mA para LEDs de alta luminosidad; un valor superior puede
inhabilitar el LED o reducir de manera considerable su tiempo de vida.

Otros LEDs de una mayor capacidad de corriente conocidos como LEDs de

potencia (1 W, 3 W, 5 W, etc.), pueden ser usados a 150 mA, 350 mA, 750 mA o
incluso a 1000 mA dependiendo de las características opto-eléctricas dadas por
el fabricante.
 64

Cabe recordar que también pueden conectarse varios en serie, sumándose las
diferencias de potencial en cada uno.

También se pueden hacer configuraciones en paralelo, aunque este tipo de

configuraciones no son muy recomendadas para diseños de circuitos con LEDs
eficientes

Diodo láser

Un diodo LASER empaquetado. Atrás, una moneda de un centavo como

referencia de escala.

Imagen de un chip del diodo LASER contenido en el paquete mostrado en la

imagen superior. Se muestra en el ojo de una aguja que sirve de escala.

El diodo láser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que
bajo las condiciones adecuadas emite luz láser. A veces se los denomina diodos
láser de inyección, o por sus siglas inglesas LD o ILD.

Cuando un diodo convencional o LED se polariza en directa, los huecos de la zona

p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos
desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si
los electrones y huecos están en la misma región, pueden recombinarse cayendo
el electrón al hueco y emitiendo un fotón con la energía correspondiente a la
banda prohibida (véase semiconductor). Esta emisión espontánea se produce
normalmente en los diodos semiconductores, pero sólo es visible en algunos de
ellos (como los LEDs), que tienen una disposición constructiva especial con el
propósito de evitar que la radiación sea reabsorbida por el material circundante,
 65

y habitualmente una energía de la banda prohibida coincidente con la

correspondiente al espectro visible; en otros diodos, la energía se libera
principalmente en forma de calor, radiación infrarroja o radiación ultravioleta. En
condiciones apropiadas, el electrón y el hueco pueden coexistir un breve tiempo,
del orden de nanosegundos, antes de recombinarse, de forma que si un fotón
con la energía apropiada pasa por casualidad por allí durante ese periodo, se
producirá la emisión estimulada (véase láser), es decir, al producirse la
recombinación el fotón emitido tendrá igual frecuencia, polarización y fase que el
primer fotón.

En los diodos láser, para favorecer la emisión estimulada y generación de luz

láser, el cristal semiconductor del diodo puede tener la forma de una lámina
delgada con un lado totalmente reflectante y otro sólo reflectante de forma
parcial (aunque muy reflectante también), lográndose así una unión PN de
grandes dimensiones con las caras exteriores perfectamente paralelas y
reflectantes. Este conjunto forma una guía de onda similar a un resonador de
tipo Fabry-Perot. En ella, los fotones emitidos en la dirección adecuada se
reflejarán repetidamente en dichas caras reflectantes (en una totalmente y en la
otra sólo parcialmente), lo que ayuda a su vez a la emisión de más fotones
estimulados dentro del material semiconductor y consiguientemente a que se
amplifique la luz (mientras dure el bombeo derivado de la circulación de corriente
por el diodo). Parte de estos fotones saldrá del diodo láser a través de la cara
parcialmente transparente (la que es sólo reflectante de forma parcial). Este
proceso da lugar a que el diodo emita luz, que al ser coherente en su mayor
parte (debido a la emisión estimulada), posee una gran pureza espectral. Por
tanto, como la luz emitida por este tipo de diodos es de tipo láser, a estos diodos
se los conoce por el mismo nombre.

Ventajas

 Son muy eficientes.

 Son muy fiables.
 Tienen tiempos medios de vida muy largos.
 Son económicos.
 Permiten la modulación directa de la radiación emitida, pudiéndose
modular a décimas de Gigahercio.
 Su volumen y peso son pequeños.
 El umbral de corriente que necesitan para funcionar es relativamente bajo.
 Su consumo de energía es reducido (comparado con otras fuentes de luz)
 El ancho de banda de su espectro de emisión es angosto (puede llegar a
ser de sólo algunos KHz)

Algunas aplicaciones

 Comunicaciones de datos por fibra óptica.

 Lectores de CDs, DVDs y formatos derivados.
 Interconexiones ópticas entre circuitos integrados.
 Impresoras láser.
 Escáneres o digitalizadores.
 66

 Sensores.

Fotodiodo

Símbolo del fotodiodo.

Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la

incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto
se polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de
corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos
se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior
generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el
cátodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente
de oscuridad.

Un fotodiodo es una unión P-N o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente
energía llega al diodo, excita un electrón dándole movimiento y crea un hueco
con carga positiva. Si la absorción ocurre en la zona de agotamiento de la unión,
o a una distancia de difusión de él, estos portadores son retirados de la unión por
el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente.

Los diodos tienen un sentido normal de circulación de corriente, que se llama

polarización directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente eléctrica y
prácticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que varía
con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la
juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de
manera inversa. Se producirá un aumento de la circulación de corriente cuando
el diodo es excitado por la luz.

Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con

voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados
el ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una
ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo.
 67

Composición

Fotodiodo.

El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para

definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz
visible (longitud de onda de hasta 1µm); germanio para luz infrarroja (longitud
de onda hasta aprox. 1,8 µm ); o de cualquier otro material semiconductor.

Material Longitud de onda (nm)

Silicio 190–1100

Germanio 800–1700

Indio galio arsénico (InGaAs) 800–2600

sulfuro de plomo <1000-3500

También es posible la fabricación de fotodiodos para su uso en el campo de los

infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 µm), pero estos requieren
refrigeración por nitrógeno líquido.

Antiguamente se fabricaban exposímetros con un fotodiodo de selenio de una

superficie amplia.
 68

Uso

 A diferencia del LDR, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a

iluminación y viceversa con mucha más velocidad, y puede utilizarse en
circuitos con tiempo de respuesta más pequeño.
 Se usa en los lectores de CD, recuperando la información grabada en el
surco del Cd transformando la luz del haz láser reflejada en el mismo en
impulsos eléctricos para ser procesados por el sistema y obtener como
resultado los datos grabados.
 Usados en fibra óptica

Investigación

La investigación a nivel mundial en este campo se centra (en torno a 2005)

especialmente en el desarrollo de células solares económicas, miniaturización y
mejora de los sensores CCD y CMOS, así como de fotodiodos más rápidos y
sensibles para su uso en telecomunicaciones con fibra óptica.

Desde 2005 existen también semiconductores orgánicos. La empresa

NANOIDENT Technologies fue la primera en el mundo en desarrollar un
fotodetector orgánico, basado en fotodiodos orgánicos.

Diodo Varicap

Símbolo del diodo varicap

El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que

basa su funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera de
potencial en una unión PN varíe en función de la tensión inversa aplicada entre
sus extremos. Al aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de esa barrera,
 69

disminuyendo así la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un

condensador variable controlado por tensión. Los valores de capacidad obtenidos
van desde 1 a 500 pF. La tensión inversa mínima tiene que ser de 1 V.

La aplicación de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintonía de TV,

modulación de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores
controlados por voltaje (oscilador controlado por tensión).

En tecnología de microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar la

tensión en el diodo, su capacidad varía, modificando la impedancia que presenta
y desadaptado el circuito, de modo que refleja la potencia incidente.

El Transistor

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones

de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la
contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia").
Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los artefactos domésticos
de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video,
hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración,
alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas
fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3,
celulares, etc.

Fue el sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos o triodo, el transistor

bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947
por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes
fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956.

Al principio se usaron transistores bipolares y luego se inventaron los

denominados transistores de efecto de campo (FET). En los últimos, la corriente
entre la fuente y el drenador se controla usando un campo eléctrico. Por último,
apareció el semiconductor metal-óxido FET (MOSFET). Los MOSFET permitieron
un diseño extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente
integrados (IC). Hoy la mayoría de los circuitos se construyen con la denominada
tecnología CMOS (semiconductor metal-óxido complementario). La tecnología
CMOS es un diseño con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se
complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un
funcionamiento sin carga.
 70

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas

artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades
específicas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores,
el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las
dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las
válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se
obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les
considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e
inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarse
mediante mecánica cuántica.

De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es función

amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor sólo gradúa la
corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", según
el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación logrado entre corriente
de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros
parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base,
Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas
donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión
Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de
esquemas básicos para utilización analógica de los transistores son emisor
común, colector común y base común.

Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integración a
gran escala que disfrutamos hoy en día, para tener una idea aproximada pueden
fabricarse varios miles de transistores interconectados por centímetro cuadrado y
en varias capas superpuestas.

Tipos de transistor

 Transistor de punta de contacto. Primer transistor que obtuvo

ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una
base de germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es
capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el
nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco
conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano),
frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo
convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor
ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
 Transistor de unión bipolar, BJT por sus siglas en inglés, se fabrica
básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de
Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre
conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el
sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos
de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos
uniones NP.
 71

 La zona N con elementos donadores de electrones (cargas negativas) y la

zona P de aceptores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan
como elementos aceptores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y
donadores N al Arsénico (As) o Fósforo (P).


La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN,

donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y
las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo
contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el
emisor esta mucho más contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de

dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de
contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico
de la unión.

Transistores y electrónica de potencia

Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los

dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión
y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como
actualmente los transistores son empleados en conversores estáticos de
potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente
inversores), aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente
dentro de un circuito cerrado.

Transistor de unión bipolar

Transistor de unión bipolar.

El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus

siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a
través de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en
electrónica analógica. También en algunas aplicaciones de electrónica digital
como la tecnología TTL o BICMOS. Un transistor de unión bipolar está formado
por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región
muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
 72

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su

funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el
emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinación de
portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.

Estructura

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras

dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas
regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P,
y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a
un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unión bipolar NPN. Donde se

puede apreciar como la unión base-colector es mucho más amplia que la base-
emisor.

La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está

compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad.
El colector rodea la región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones
inyectados en la región de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el
valor resultante de α se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al
transistor un gran β.

El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es

usualmente un dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector
y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience
a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor
está usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el
colector con el emisor hacen que los valores de α y β en modo inverso sean
mucho más pequeños que los que se podrían obtener en modo activo; muchas
veces el valor de α en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetría es
principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El
emisor está altamente dopado, mientras que el colector está ligeramente
dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensión de reversa en la
 73

unión colector-base antes de que esta colapse. La unión colector-base está

polarizada en inversa durante la operación normal. La razón por la cual el emisor
está altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyección de portadores
del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relación con
aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayoría
de los portadores inyectados en la unión base-emisor deben provenir del emisor.

Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor

genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie
significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensión o
corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente
controladas por tensión, pero son caracterizados más simplemente como fuentes
de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido
a la baja impedancia de la base.

Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayoría de los

BJT modernos están compuestos de silicio. Actualmente, una pequeña parte de
éstos (los transistores bipolares de heterojuntura) están hechos de arseniuro de
galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.

Funcionamiento

En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la

unión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son
impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del
ánodo compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada
en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor
NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-
emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo
eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo a los
electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos
electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración
cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector.
Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la
base está dopada con material P, los cuales generan "hoyos" como portadores
mayoritarios en la base.

La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para

que los portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo
que la vida útil del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el
porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unión base-
colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusión de los
electrones.
 74

Control de tensión, carga y corriente

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente

base-emisor (control de corriente), o por la tensión base-emisor (control de
voltaje). Esto es debido a la relación tensión-corriente de la unión base-emisor,
la cual es la curva tensión-corriente exponencial usual de una unión PN (es decir,
un diodo).

En el diseño de circuitos analógicos, el control de corriente es utilizado debido a

que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es
aproximadamente β veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser
diseñados asumiendo que la tensión base-emisor es aproximadamente
constante, y que la corriente de colector es β veces la corriente de la base

El Alfa y Beta del transistor

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de

electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la
región del emisor y el bajo dopaje de la región de la base pueden causar que
muchos más electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que
huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor común
está representada por βF o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente
continua de colector a la corriente continua de la base en la región activa directa
y es típicamente mayor a 100. Otro parámetro importante es la ganancia de
corriente base común, αF. La ganancia de corriente base común es
aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la región
activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que
oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta están más precisamente determinados
por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):
 75

Tipos de Transistor de Unión Bipolar

NPN

El símbolo de un transistor NPN.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en
día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de
los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y
velocidades de operación.

Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P

(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente
ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida
del colector.

La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta
en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
está en funcionamiento activo.

PNP

El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
 76

El símbolo de un transistor PNP.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N

entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña
corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor
circule desde el emisor hacia el colector.

La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la

dirección en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.

Regiones operativas del transistor

Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas

principalmente por la forma en que son polarizados:

 Región activa:

Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región

de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta
región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente
de base (Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de
las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta
región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como
un amplificador de señal.

 Región inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo,

el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este
modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que
la mayoría de los TBJ son diseñados para maximizar la ganancia de
corriente en modo activo, el parámetro beta en modo inverso es
drásticamente menor al presente en modo activo.
 77

 Región de corte: Un transistor está en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0,(Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no
hay caída de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

 Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie =

Imaxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el
emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir
una corriente de colector β veces más grande. (recordar que Ic = β * Ib)

Transistor bipolar o BJT

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los

diodos, puede ser de germanio o silicio.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la

corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo
de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patas con los siguientes nombres: base

(B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la pata
que tiene la flecha en el gráfico de transistor.

                            
Transistor NPN                               Transistor PNP

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si

le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patas (base), el
entregará por otra (emisor) , una cantidad mayor a
ésta, en un factor que se llama amplificación.

Este factor se llama β (beta) y es un dato propio de

cada transistor.

Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la pata colector) es igual a
 78

β (factor de amplificación) por Ib (corriente que pasa por la pata base).

- Ic = β * Ib
- Ie (corriente que pasa por la pata emisor) es del mismo valor que Ic, sólo
que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de él, o
viceversa.

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta
el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia
ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura.

En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder
entender que a más corriente la curva es más alta

Regiones operativas del transistor

- Región de corte: Un transistor esta en corte cuando:

corriente de colector  = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje

de alimentación del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay caída
de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib =0)

- Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I
máxima)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación

del circuito y de los resistores conectados en el colector o el emisor o en
ambos, ver ley de Ohm.

Este caso normalmente se presenta cuando la

corriente de base es lo suficientemente grande como
para inducir una corriente de colector β veces más
grande. (recordar que Ic = β * Ib)

- Región activa: Cuando un transistor no está ni

en su región de saturación ni en la región de corte
entonces está en una región intermedia, la región
activa.

En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la

corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente de un amplificador, es un
 79

dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector

y emisor).

Esta región es la mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor

como un amplificador.

Configuraciones del transistor bipolar

Hay tres tipos de configuraciones típicas en los amplificadores con

transistores, cada una de ellas con  características especiales que las hacen
mejor para cierto tipo de aplicación. y se dice que el transistor no está
conduciendo. Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de
base (Ib = 0)

- Amplificador emisor común

- Amplificador colector común
- Amplificador base común

Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales,

pero se toman como tal, debido a la pequeña diferencia que existe entre ellas,
y que no afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores.

Amplificador emisor común

Circuito y recta de carga

Para que una señal sea amplificada tiene que ser una señal de corriente alterna.

No tiene sentido amplificar una señal de corriente continua, por que ésta no lleva
ninguna información.

En un amplificador de transistores están involucradas los dos tipos de corrientes

(alterna y continua).

La señal alterna es la señal a amplificar y la continua sirve para establecer el punto

de operación del amplificador.

Este punto de operación permitirá que la señal amplificada no sea distorsionada.

En el diagrama se ve que la base del transistor está conectada a dos resistores

(R1 y R2).
 80

Estos dos resistores forman un divisor de voltaje que permite tener en la base del
transistor un voltaje necesario para establecer la corriente de polarización de la
base.

El punto de operación en corriente continua está sobre una línea de carga dibujada
en la familia de curvas del transistor.

Esta línea está determinada por fórmulas que se muestran.

Hay dos casos extremos:

- Cuando el transistor está en saturación (Ic max.), que significa que Vce es
prácticamente 0 voltios y....
- Cuando el transistor está en corte (Ic = 0), que significa que Vce es
prácticamente igual a Vcc. Ver la figura.

Si se modifica R1 y/o R2 el punto de operación se modificará para arriba o para

abajo en la curva pudiendo haber distorsión

Si la señal de entrada (Vin) es muy grande, se recortarán los picos positivos y

negativos de la señal en la salida (Vout)

Capacitor de bloqueo (C1)

Este capacitor (condensador) se utiliza para

bloquear la corriente continua que pudiera
venir de Vin. Este capacitor actúa como un
circuito abierto para la corriente continua y un
corto circuito para la corriente alterna (la que
se desea amplificar).

Estos capacitores no se
comportan tan perfectamente en
la realidad, pero se acercan
bastante, pudiendo suponerse
como ideales.

Capacitor de derivación (Ce)

El resistor Re aumenta la
estabilidad de el amplificador,
pero que tiene el gran
inconveniente que es muy
sensible a las variaciones de
temperatura (causará cambios en
la corriente de base, lo que
 81

causará variaciones en la corriente de emisor (recordar Ic = β Ib)).

Esto causará una disminución en la ganancia de corriente alterna, lo que no es

deseable.

Para resolver el problema se pone en paralelo con Re un capacitor que funcionará

como un corto circuito para la corriente alterna y un circuito abierto para corriente
continua.

- El voltaje de salida estará dada por la siguiente fórmula:

Vout = Ic x Rc = β x Ib x Rc = hfe x Ib x Rc

- La ganancia de voltaje es:

ΔV - Vout / Vin =  - Rc / Zin.
(el signo menos indica que Vout esta 180° fuera de fase con al entrada Vin)

- La ganancia de corriente es:

ΔI = (Vout x Zin) / (Vin x Rc) = ganancia de voltaje x Zin / Rc

- La ganancia de potencia es = ganancia de voltaje x ganancia de corriente

=
ΔP = ΔV x ΔI

- Zin (impedancia de entrada) = R1 // R2 // hie, que normalmente no es un valor

alto (contrario a lo deseado)
- Zo (impedancia de salida) =  Rc
- La salida está 180° desfasada con respecto a la entrada (es invertida)

Notas:
 - β = hfe  son parámetros propios de cada transistor
- hie = impedancia de entrada del transistor dada por el fabricante.
- // significa "en paralelo"

El amplificador a transistor seguidor emisor

Configuración emisor seguidor o

colector común.
Amplificador a transistores

El amplificador seguidor emisor,

también llamado colector común, es
muy útil pues tiene una impedancia de
entrada muy alta y una impedancia de
salida baja.

Nota: La impedancia de entrada alta es

una característica deseable en un
 82

amplificador pues, el dispositivo o circuito que lo alimenta no tiene que

entregarle mucha corriente (y así cargarlo) cuando le pasa la señal que se
desea amplificar.

Este circuito no tiene resistencia en  el colector y la salida está conectada a la

resistencia del emisor (ver la figura).

El voltaje se salida "sigue" al voltaje en el emisor, sólo que es de un valor

ligeramente menor (0.6 voltios aproximadamente)

Ve = Vb - 0.6 Voltios

La ganancia de tensión es:

Av = Vout / Vin = Ve / Vb.

Como Ve es siempre menor que Vb, entonces la ganancia siempre será

menor a 1.

La impedancia de entrada se obtiene con la siguiente fórmula:   Zin = (β +

1) x Re

Donde: β  es la ganancia de corriente del transistor (dato del fabricante)

Del gráfico anterior. Si Re = 2.2 Kilohmios (2.2 K) y  β = 150

Zin = (β + 1) x Re = (150 + 1) x 2200 Ohmios = 332,000 Ohmios  (332 K)

Este amplificador aparenta una impedancia de entrada de 332,000 Ohmios a

la fuente de la señal que se desea amplificar. Este tipo de circuito es muy
utilizado como circuitos separadores y como adaptadores de impedancia entre
las fuentes de señal y las etapas amplificadoras

Encapsulados de transistores y otros semiconductores

Los transistores bipolares, triacs, SCR y otros tipos de dispositivos

semiconductores vienen en muchas presentaciones o encapsulados.

Estas presentaciones dependen del tipo de aplicación en que se les van a utilizar.

Cada transistor (dispositivo semiconductor) tiene impreso en el cuerpo del mismo,

el tipo de transistor que es, siendo así muy fácil poder encontrar sus características
técnicas en un manual como el ECG, NTE u otro.

En estos manuales también se pueden encontrar transistores de características

 83

similares o muy parecidas a los que se les llama "equivalentes"

Entre los encapsulados más comumes están: (hay más)

- El TO-92: Este transistor pequeño es muy utilizado para la amplificación de

pequeñas señales.
La asignación de patitas (emisor - base - colector) no está estandarizado, por lo
que es necesario a veces recurrir a los manuales de equivalencias para obtener
estos datos.

- El TO-18: Es un poco más grande que el encapsulado TO-92, pero

es metálico. En la carcasa hay un pequeño saliente que indica que la
patita más cercana es el emisor.
Para saber la configuración de patitas es necesario a veces recurrir a
los manuales de equivalencias.

- El TO-39: Tiene le mismo aspecto que es TO-18, pero es más grande.

Al igual que el anterior tiene una saliente que indica la cercanía del emisor, pero
también tiene la patita del colector pegado a la carcasa, para efectos de disipación
de calor.

- El TO-126: Se utiliza mucho en aplicaciones de pequeña a

mediana potencia. Puede o no utilizar disipador dependiendo de
la aplicación en se este utilizando.
Se fija al disipador por medio de un tornillo aislado en el centro
del transistor. Se debe utilizar una mica aislante

- El TO-220: Este encapsulado se utiliza en aplicaciones en que se deba de

disipar potencia algo menor que con el encapsulado TO-3, y al igual que el TO-126
debe utilizar una mica aislante si va a utilizar disipador, fijado por un tornillo
debidamente aislado.

- El TO-3: Este encapsulado se utiliza en transistores de gran

potencia. Como se puede ver en el gráfico es de gran tamaño debido a
que tiene que disipar bastante calor. Está fabricado de metal y es muy
normal ponerle un "disipador" para liberar la energía que este genera
en calor.

Este disipador no tiene un contacto directo con el cuerpo del transistor, pues este
estaría conectado directamente con el colector del transistor (ver siguiente
párrafo). Para evitar el contacto se pone una mica para que sirva de aislante y a la
vez de buen conductor térmico.
 84

El disipador de fija al transistor con ayuda de tornillos adecuadamente aislados

que se introducen el los orificios que estos tienen. (ver figura arriba)

En el transistor con encapsulado TO-3 el colector esta directamente conectado al

cuerpo del mismo (carcasa), pudiendo verse que sólo tiene dos pines o patitas.

Estas patitas no están en el centro del transistor sino que ligeramente a un lado y
si se pone el transistor como se muestra en la figura, al lado izquierdo estará el
emisor y la derecha la base.

Como probar diodos y transistores

Como probar un diodo

Determinar si un diodo está en buen estado o no es muy importante en el trabajo

de un técnico en electrónica, pues esto le permitirá poner a funcionar
correctamente un artículo electrónico.

Pero no sólo son los técnicos los que necesitan saberlo.

En el caso del aficionado que está implementando un circuito o revisando un

proyecto, es indispensable saber en que estado se encuentran los componentes
que utiliza.

Hoy en día existen multímetros (VOM) digitales que permiten probar con mucha
facilidad un diodo, pues ya vienen con esta opción listos de fábrica.

El método de prueba que se presenta aquí es el método típico de medición de un

diodo con un multímetro analógico (el que tiene una aguja) o digital.

Para empezar, se coloca el selector para

medir resistencias (ohmios / ohms), sin
importar de momento la escala. Se realizan
las dos pruebas siguientes:

1 - Se coloca el cable de color rojo en el

ánodo de diodo (el lado de diodo que no
tiene la franja) y el cable de color negro en el
 85

cátodo (este lado tiene la franja).

El propósito es que el multímetro inyecte una corriente continua en el diodo

(este es el proceso que se hace cuando miden resistores).

- Si la resistencia que se lee es baja indica que el diodo, cuando está polarizado
en directo funciona bien y circula corriente a través de él (como debe de ser).

- Si esta resistencia es muy alta, puede ser una indicación de que el diodo esté
"abierto" y deba que ser  reemplazado.

2 - Se coloca el cable de color rojo en el cátodo y el cable negro en el ánodo del

diodo. En este caso como en anterior el propósito es hacer circular corriente a
través del diodo, pero ahora en sentido opuesto a la flecha de éste.

- Si la resistencia leída es muy alta, esto nos indica que el diodo se comporta
como se esperaba, pues un diodo polarizado en inverso casi no conduce corriente.

- Si esta resistencia es muy baja puede se una indicación de que el diodo está en
"corto" y deba ser reemplazado.

Nota:
- El cable rojo debe ir conectado al terminal del mismo color en el multímetro
- El cable negro debe ir conectado al terminal del mismo color en el multímetro
(el común / common)

Como probar un transistor

Para probar transistores bipolares hay que analizar un circuito equivalente de éste,
en el que se puede utilizar lo aprendido al probar diodos. Ver la figura.

Se ve que los circuitos equivalentes de los transistores bipolares NPN y PNP

están compuestos por diodos y se sigue la misma técnica que probar diodos
comunes.

La prueba se realiza entre el terminal de la base (B) y el terminal E y C. Los

métodos a seguir en el transistor  NPN y PNP son opuestos.

Al igual que con el diodo, si uno de estos "diodos del equivalente del transistor"
no funcionan como se espera hay que cambiar el transistor.

Nota: Aunque este método es muy confiable (99 % de los casos), hay casos en
que, por las características del diodo o el transistor, esto no se cumple. Para
 86

efectos prácticos se sugiere tomarlo como confiable en un 100%.

EL TRANSISTOR BIPOLAR

La Figura 1 muestra el símbolo de un transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction

Transistor), con la nomenclatura habitual de sus terminales.

Figura 1: Símbolo y tipos de transistor BJT

Internamente, el BJT se compone de tres capas de silicio, según la configuración

mostrada en la Figura 2.

Figura 2: Estructura interna del transistor bipolar

Como puede apreciarse, la flecha que indica el tipo de transistor, apunta al

sentido de la corriente en polarización directa del diodo BE. En principio, parece
una estructura simétrica, en la que es imposible distinguir el emisor del colector.
Sin embargo la función que cumple cada uno es completamente distinta, y en
consecuencia, se fabrican con diferentes características. Por lo tanto no es un
componente simétrico.

Un transistor tiene dos formas principales de operación: como un interruptor o

como una resistencia variable.

1.1 TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

La función del transistor como interruptor es exactamente igual que la de un

dispositivo mecánico: o bien deja pasar la corriente, o bien la corta. La diferencia
está en que mientras en el primero es necesario que haya algún tipo de control
 87

mecánico, en el BJT la señal de control es electrónica. En la Figura 3 se muestra

la aplicación al encendido de una bombilla.

Figura 3: El transistor bipolar como interruptor de corriente

En el primer caso, bajo la señal de control adecuada, que es introducida a través

de la base, el transistor se comporta como un circuito abierto entre el emisor y el
colector, no existe corriente y la bombilla estará apagada. En el segundo caso,
cambiando la señal de control, se cierra el circuito entre C y E, y los 12 V se
aplican a la bombilla, que se enciende.

Este funcionamiento entre los estados de corte y conducción se denomina

operación en conmutación. Las aplicaciones típicas de este modo de operación
son la electrónica de potencia y la electrónica digital, en la que los circuitos
operan con dos niveles de tensión fijos equivalentes al y lógicos.

1.2 TRANSISTOR COMO RESISTENCIA VARIABLE

En la Figura 4 se presenta la comparación entre un potenciómetro y un transistor

colocados en un circuito.

Figura 4: Transistor bipolar operando como resistencia variable

Si el valor de la resistencia del potenciómetro se fija en 5 kW, la tensión de

salida VOUT será de 5 V. Al aumentar esta resistencia, la salida también
aumentará de valor. Por ejemplo, con 20 kW VOUT resulta ser 8 V. Modificando el
valor del potenciómetro se puede obtener cualquier valor en la salida
comprendido entre 0 V y 10 V, ya que:
 88

Al igual que en el potenciómetro, en el transistor se puede ajustar su resistencia

entre colector y emisor, con la diferencia de que la señal de mando no es
mecánica, sino eléctrica a través de la base. Como se verá más adelante, con
una pequeña señal aplicada en la base puede gobernarse el BJT, con lo que
aparece un concepto nuevo: la amplificación de señales. Esta función es la base
de la electrónica analógica, aquella en la que se procesan señales de tensión
respetando su forma de onda temporal.

2 PRINCIPIO DE OPERACION

En este apartado se va a trabajar exclusivamente con el transistor NPN. No

obstante, cabe señalar que los razonamientos necesarios para entender el
transistor PNP son completamente análogos, por lo que se deja al lector la tarea
de deducir los modelos característicos de su funcionamiento.

En la Figura 2 pueden verse las dos uniones PN del transistor: la unión Base-
Emisor (BE), y la unión Base-Colector (BC). Cada una por separado constituye un
diodo, pero la conjunción de ambas provoca un efecto nuevo, denominado efecto
transistor. Obviamente, el estado global del transistor depende de la
polarización, directa (PD) o inversa (PI), de las dos uniones.

Los casos posibles se adjuntan en la tabla siguiente:

Unión Unión
Estado

PI PI Corte
PD PD Saturación
PD PI RAN
PI PD RAI

Los dos últimos casos, la Región Activa Normal (RAN) y la Región Activa Inversa
(RAI) son conceptualmente similares. Si el transistor fuera simétrico, estaríamos
ante la misma región de funcionamiento, solo que con los terminales
intercambiados. Sin embargo el colector y el emisor se fabrican de forma
diferente, precisamente para adaptar su funcionamiento a la RAN. Por ello no se
suele trabajar en la RAI. Una vez aclarado este punto se va a analizar el
funcionamiento en cada región de operación.

2.1 REGION DE CORTE

Como elemento básico para la discusión en este apartado se va a emplear el

circuito de la Figura 5.
 89

Figura 5: Transistor BJT polarizado en la región de corte

En el circuito de la Figura 5:

En este caso las dos uniones están polarizadas en inversa, por lo que existen
zonas de deplección en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay
portadores de carga móviles, por lo tanto, no puede establecerse ninguna
corriente de mayoritarios. Los portadores minoritarios sí pueden atravesar las
uniones polarizadas en inversa, pero dan lugar a corrientes muy débiles. Por lo
tanto, un transistor en corte equivale a efectos prácticos, a un circuito abierto.

A partir de esta definición, se pueden deducir fácilmente los modelos matemático

y circuital simplificados para este estado. El transistor BJT en la región de corte
se resume en la Figura

Figura Modelo del en corte para señales de continua

 90

Obviamente, en estos modelos no se tiene en cuenta el efecto de las corrientes

de fuga de las dos uniones, y sólo son válidos para realizar una primera
aproximación al comportamiento de un circuito.

EJEMPLO 1: Calcular las tensiones VBE, VBC y VCE así como las corrientes IB, IC e
IE del circuito de la figura 7, cuando EB = 0 V.

Figura 7: Circuito del ejemplo 1

SOLUCIÓN: La base del transistor está conectada a la fuente a través de una

resistencia RB. Puesto que la diferencia de potencial entre los extremos del
generador es nula, no puede polarizarse la unión BE en directa, por lo que el
transistor está en corte, es decir:

VBC = VBE - VCE = 0 - 10 = - 10 V

Pueden obtenerse los mismos resultados si se sustituye el transistor en el circuito

por su modelo equivalente:

2.2 REGION ACTIVA NORMAL

 91

Para facilitar el estudio y comprensión de los fenómenos que suceden cuando se

polariza el transistor en RAN, se va a analizar en primer lugar el comportamiento
del transistor en las situaciones descritas en la Figura 8 a) y b).

Figura 8: Transistor NPN.

En la Figura 8 a), como la tensión EC está aplicada al colector, la unión base-

colector estará polarizada en inversa. A ambos lados de la unión se creará la
zona de deplección, que impide la corriente de portadores mayoritarios. No
existirá corriente de colector significativa, y el transistor se encontrará operando
en la región de corte.

En el caso de la Figura 8 b), la fuente EB polariza la unión base-emisor en directa,

que se comporta como un diodo normal, es decir, la zona P inyecta huecos en la
zona N, y esta electrones en aquella. Si el dopado de la base es muy inferior al
del emisor, la inyección de huecos será muy inferior a la de electrones, y se
puede describir el proceso así: el emisor inyecta electrones en la base. Estos se
recombinan con los huecos que provienen de la fuente de alimentación y se crea
una corriente IB. En este caso el colector no entra en juego.

La operación en RAN se da cuando la unión BE se polariza en directa y la BC en

inversa. Los tres puntos característicos de esta región de operación son:

1. Corriente de colector no nula: conducción a través de la unión BC pese a

que está polarizada en inversa.
2. La corriente de base es muy inferior a la de colector.
3. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base.
 92

Figura 9: Transistor NPN en RAN.

Conducción a través de la unión BC

En el circuito de la Figura 9 la unión BE se polariza en directa, mientras que si E C

es mayor que EB, la unión BC estará en inversa, luego no debería circular
corriente a través de esta última. Lo que sucede es que el emisor (tipo N) inyecta
electrones en la base (tipo P), en la que los portadores mayoritarios son los
huecos, y los minoritarios son los electrones. Como se explicó anteriormente,
una unión PN en inversa bloquea el paso de mayoritarios, pero no de minoritarios
(que constituyen la corriente de fuga en inversa). Por lo tanto, los electrones
inyectados desde el emisor a la base, atraídos por el potencial positivo aplicado
al colector, pueden atravesar la unión BC, y dar origen a la corriente de colector
IC. Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta
drásticamente el número de portadores minoritarios del diodo base-colector, con
lo que su corriente inversa aumenta también.

Así que la primera contradicción queda resuelta. El diodo BC no conduce

realmente en inversa, sino que sus corrientes de fuga se equiparan con la
corriente normal gracias al aporte de electrones que provienen del emisor.

La corriente de base es muy inferior a la de colector

En este punto de la explicación surge una pregunta: ¿y por qué los electrones
llegan hasta la unión BC y no se recombinan como en la Figura 8.b)?. La Figura
10 muestra la distribución de corrientes.
 93

Figura 10: Distribución de corrientes en un transistor NPN en RAN.

Si la base es estrecha y está poco dopada, es relativamente probable que un

electrón la atraviese sin encontrarse con un hueco. Típicamente, los BJT se
construyen para que se recombine el 1% de los electrones. En este caso se
obtiene una ganancia de corriente de 100, es decir, la corriente de base es 100
veces inferior a la del colector. Como la corriente de emisor es la suma de estas
dos, es obvio que su valor es cercano al de la corriente de colector, con lo que en
la práctica se consideran iguales (sólo operando en RAN).

La corriente de colector es proporcional a la corriente de base

Centrando la atención en la recombinación de los electrones en la base

procedentes del emisor. Allí donde había un hueco pasa a haber, tras la
recombinación, un ion negativo inmóvil. Si desaparecen los huecos de la base y
se llena de iones negativos, se carga negativamente, y se repelen los electrones
procedentes del emisor. En este caso se impediría la circulación de corriente, es
decir, es necesario que la corriente de base reponga huecos para que haya
corriente de colector.

Por tanto, por cada electrón recombinado hay que introducir un hueco nuevo que
neutralice la carga negativa. Si la reposición de huecos es lenta (corriente I B
pequeña), la capacidad de inyectar electrones será baja, debido a la repulsión
 94

eléctrica. Este fenómeno tiene la propiedad de ser aproximadamente lineal, con

lo que se puede establecer que:

en donde es un coeficiente adimensional denominado ganancia directa de

corriente, o bien ganancia estática de corriente.

REGION DE SATURACION

Supongamos que tenemos un transistor polarizado en la RAN según el circuito de

la Figura 7). En la tabla de resultados del ejemplo 2 queda claro que según
aumenta la tensión EB (o bien la corriente IB) el valor absoluto de la tensión VBC
disminuye. Llegará un momento en el que, si IB crece lo suficiente VBC cambiará
de signo y pasará a ser positiva. En ese instante, la unión BC dejará de estar
polarizada en inversa, y entrará en polarización directa. La consecuencia es que
el colector pierde su capacidad de recolectar electrones, y la corriente IC resulta
ser inferior al valor IB.

Figura 14: Transistor BJT polarizado en la región de saturación

Por otra parte, según se muestra en la Figura 14, al estar las dos uniones
polarizadas en directa, la tensión entre el colector y el emisor en saturación será:

VCE SAT = VBE ON - VBC ON

Si los diodos BE y BC fueran idénticos, la tensión de conducción de ambos sería

prácticamente igual, y entonces la tensión VCE SAT sería nula. Sin embargo, tal y
como se ha comentado anteriormente, el colector y el emisor se fabrican con
distintas características. Normalmente la tensión VBE ON es aproximadamente igual
a 0,7 V, mientras que VBC ON se sitúa en torno a los 0,5 V. Ello conlleva una
tensión cercana a 0,2 V. Dado que la tensión de codo de los diodos permanece
prácticamente constante para las corrientes de operación habituales, la tensión
VCE SAT es también independiente de las corrientes IB ó IC. Con ello el transistor
pierde su capacidad de gobierno sobre la corriente de colector, que será
controlada únicamente por el circuito externo.
 95

Figura 16: Gráfica frente a .

CURVAS CARACTERISTICAS. PUNTO DE OPERACION

Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis

parámetros para determinar el estado eléctrico del mismo: tres tensiones y tres
corrientes. Aplicando las leyes básicas de resolución de circuitos pueden
presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parámetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito

determinado y bajo la acción de unas excitaciones concretas, existirán unos
valores de estos cuatro parámetros que caracterizan por completo el estado del
transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de operación (Q).

Las curvas características más empleadas en la práctica son las que relacionan
VBE con IB y VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los
fabricantes.

3.1 CARACTERISTICA VBE-IB

La función que liga VBE con IB es la característica de un diodo, y puede aplicarse

todo lo dicho cuando se estudió aquél.
 96

Figura 17: Característica IB-VBE.

La curva representada en la Figura 17 sigue la expresión:

3.2 CARACTERISTICA VCE-IC

Según lo explicado hasta ahora, la característica VCE - IC debería ser la siguiente:

Figura 18: Característica VCE -IC ideal.

Idealmente, en la RAN la corriente de colector depende exclusivamente de la de

base, a través de la relación . Por lo tanto, en el plano - , la
representación estará formada por rectas horizontales (independientes de V CE)
para los diversos valores de IB (en este caso se ha representado el ejemplo para
). Evidentemente, no se dibujan más que unos valores de I B para no
emborronar el gráfico. Para , la corriente de colector también debe ser
nula. La región de corte está representada por el eje de abscisas. Por contra,
para el transistor entra en saturación, luego esta región queda
representada por el eje de ordenadas.
 97

Hasta aquí se presenta la característica ideal, pero como era de esperar, la

realidad es un poco más compleja (Figura 19):

Figura 19: Característica - real.

Las diferencias son claras:

 En la RAN la corriente de colector no es totalmente independiente de la

tensión colector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra
importancia la resistencia interna del transistor.
 La región de saturación no aparece bruscamente para , sino que
hay una transición gradual. Típicamente se suele considerar una tensión de
saturación comprendida entre 0,1 V y 0,3 V.


PRINCIPALES PARAMETROS COMERCIALES

De entre los numerosos datos que suministran los fabricantes de componentes

electrónicos, con respecto a los transistores cabe destacar los siguientes:

 Tensión máxima en entre colector y emisor, colector-base y emisor-base

(VCEO, VCBO y VEBO): son las tensiones máximas a las que se puede someter a
los terminales del transistor. Tensiones mayores pueden provocar una
ruptura en inversa y la destrucción del transistor.
 Corriente continua máxima de colector, : es la corriente máxima que
puede circular por el colector sin que el transistor sufra ningún daño.
 Ganancia de corriente en DC (DC Current Gain): se suele especificar la
ganancia para varios puntos de operación, incluso pueden ser
suministradas las gráficas de la ganancia en función de la corriente de
colector. La fluctuación de su valor es debida a los efectos de segundo
orden.
 Tensiones de saturación VCE(sat), VBE(sat): son las tensiones que aparecen
entre los terminales en la región de saturación.
 Potencia máxima disipable (Total Device Dissipation):
es la potencia máxima que puede disipar el transistor sin sufrir ningún
daño.
 98

Además es habitual facilitar la influencia de la temperatura en el funcionamiento

del transistor.

EJEMPLO DE APLICACION: EL AMPLIFICADOR DE SEÑALES ALTERNAS

El mundo está lleno de pequeñas señales que necesitan amplificarse para

procesar la información que contienen. Por ejemplo: una guitarra eléctrica. El
movimiento de una cuerda metálica en el interior de un campo magnético
(creado por los captadores o pastillas) provoca una pequeña variación de tensión
entre dos terminales de una bobina. Para que esa débil señal pueda llegar a los
oídos de todo un auditorio, es evidente que se necesita una amplificación. La
señal producida por la pastilla de la guitarra viaja por un par de terminales hasta
el amplificador. Aquí se produce la transformación de la pequeña señal, que es
capaz ahora de excitar la membrana de un altavoz con la potencia que se desee.

Para que se pueda oír lo que se toca realmente, la amplificación debe cumplir
ciertas condiciones:

1. Debe respetar la forma de onda de la tensión de entrada. Si no lo hace así,

se produce una distorsión, una pérdida de la información que aporta.
2. La energía absorbida de la fuente que emite la onda que se desea
amplificar ha de ser mínima. El circuito amplificador necesita una fuente de
alimentación propia.

EL TRANSISTOR BIPOLAR

El esquema más sencillo de amplificador de señales es el propio transistor

bipolar.

Figura 23: Circuito con un transistor bipolar.

Si el transistor se encuentra en la RAN, hay una relación lineal entre e :

 99

Como es reflejo de la entrada e lo es de la salida, este esquema proporciona

una ganancia en corriente. Sin embargo presenta dos limitaciones muy
importantes:

1. Sólo amplifica la parte positiva de la señal: Cuando es menor que 0,7 V

Q pasa al estado de corte, con lo que .
2. Requiere señales de tensión grandes, por lo menos mayores que 0,7 V, ya
que la señal de entrada ha de polarizar en directa la unión BE y llevar el
transistor a la RAN.

Con este dispositivo sólo se puede trabajar con señales positivas mayores de 0,7
V. Por lo tanto no es capaz de amplificar señales de alterna. La figura siguiente
representa aproximadamente la respuesta que se obtendría al tratar señales de
alterna:

Figura 24: Corrientes en el circuito de la Figura 23.

5.2 POLARIZACION DEL TRANSISTOR Q A TRAVES DE LA BASE

 100

Figura 25: Transistor polarizado a través de la base.

Este esquema presenta la novedad de la resistencia RB. Gracias a ella, la base se

polariza mediante la fuente de alimentación EC y no mediante . La corriente
que llega a la base proviene de dos fuentes:

 : Es la señal que queremos amplificar, por lo tanto, será variable en el

tiempo.

 : Esta corriente es la suministrada por EC, que es una fuente de

continua, para la polarización del transistor.

La intensidad de colector será, si Q está en la RAN:

Finalmente, puede calcularse la tensión de salida :

 101

La siguiente figura ayuda a comprender mejor estos conceptos.

Figura 26: Tensiones y corrientes en el circuito de la Figura 25.

La onda de salida es, efectivamente, proporcional a la entrada, pero está

desplazada en el eje de las "Y", es decir, tiene una componente de continua que
ha sido introducida por la fuente de polarización del transistor.

LOGROS DEL ESQUEMA:

1. El transistor es también capaz de amplificar la parte negativa de la señal.

 102

2. La tensión de entrada puede ser pequeña, ya que ahora el transistor se

polariza a través de una fuente de alimentación ajena a la entrada.
3. En la salida se dispone de una señal de tensión, gracias a RC, que cumple
dos misiones:

o Transforma en una tensión .

o Junto con RB lleva el transistor a la RAN.

INCONVENIENTES:

1. Al conectar directamente el generador de señal a la entrada, IB iría a tierra

a través de él. Esto podría dañar el generador (en el ejemplo de la
introducción, las pastillas o captadores de la guitarra eléctrica)
2. Al conectar directamente la salida a la carga (altavoz), IC iría a tierra a
través de ella, dañándola.

Los inconvenientes de este esquema están introducidos por la corriente continua

de polarización. Estas corrientes deben quedar limitadas al interior del dispositivo
amplificador.

5.3 EL CONDENSADOR DE ACOPLAMIENTO

El condensador es un componente que se comporta como un circuito abierto para

la corriente continua. Por medio de él, se aísla tanto la entrada como la salida de
las componentes de continua. Si elegimos correctamente el valor de la capacidad
de acuerdo con la frecuencia a la que se espera que trabaje el dispositivo, se
logra además que estos condensadores se comporten como un cortocircuito para
las señales de alterna que se quieren amplificar. En cualquier caso, la respuesta
frecuencial del amplificador queda limitada por los valores de C 1 y C2.

Figura 27: Esquema amplificador con condensadores de acoplamiento.

 103

Una vez visto el esquema básico de un amplificador, se enuncian los parámetros

más importantes de éste:

 : Señal de entrada (pequeña señal AC).

 : Corriente de entrada, que se absorbe del generador de señal de
entrada (AC).
 : Señal de salida (AC).

 , : Corrientes de polarización del transistor (DC).

 , : Resistencias de polarización.
 : Carga sobre la que se aplica la tensión de salida.
 : Aísla la entrada del circuito de la polarización en continua.
 : Aísla la salida del circuito de la polarización continua.

5.4 GANANCIA Y RESISTENCIA DE ENTRADA DE UN AMPLIFICADOR

El esquema presentado es sólo una de las posibles soluciones válidas para la

amplificación de señales. Para comparar las características de todos ellos, se
definen dos parámetros de AC: la ganancia en tensión y la resistencia de
entrada:

Ganancia en tensión:

Es el cociente entre la señal de salida y la aplicada al dispositivo. Normalmente,

la ganancia depende de la carga que se conecte ( ).

Nótese que en este parámetro se relacionan las amplitudes de las señales

alternas entrada y de salida y no los valores instantáneos. Se da por supuesto
que el circuito va a mantener en gran medida la similitud de las formas de onda,
y de lo que se trata es de cuantificar la magnitud de la amplificación. (El grado
de distorsión de la señal de salida con respecto a la de entrada se valora
mediante otros parámetros).

Resistencia de entrada:

La resistencia de entrada da una idea de la cantidad de corriente que absorbe la

fuente de señal que se desea amplificar (no hay que confundir la con la fuente de
 104

alimentación del amplificador). Dado que interesa absorber poca energía de la

fuente, el amplificador será tanto mejor cuanto mayor sea su resistencia de
entrada.

Puesto que la señal de entrada es alterna, estamos de nuevo ante un parámetro

que relaciona las amplitudes de las oscilaciones de las magnitudes eléctricas
implicadas

El Triac

Símbolo.
 105

Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor,

de la familia de los transistores. La diferencia con un tiristor convencional es que
éste es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría
decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.

Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían

dos SCR en antiparalelo.

Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominación de ánodo y
cátodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al
electrodo puerta.

Construcción del TRIAC.

Aplicaciones más comunes

 Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas.

 Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas
ventajas sobre los interruptores mecánicos convencionales y los relés.
 Funciona como switch electrónico y también a pila.
 Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como
atenuadores de luz, controles de velocidad para motores eléctricos, y en
 106

los sistemas de control computarizado de muchos elementos caseros. No

obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores eléctricos,
se deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC
se apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda de Corriente
alterna.

El Tiristor

Símbolo electrónico que representa al tiristor.

El tiristor (gr.: puerta) es un componente electrónico constituido por elementos

semiconductores que utiliza realimentación interna para producir una
conmutación. Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor,
es decir, dependiendo de a la temperatura a la que se encuentren pueden
funcionar como aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales
porque solamente transmiten la corriente en una única dirección. Se emplea
generalmente para el control de potencia eléctrica.

El dispositivo consta de un ánodo y un cátodo, donde las uniones son de tipo

PNPN entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores típicos
PNP y NPN, por eso se dice también que el tiristor funciona con tensión
realimentada. Se crean así 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente),
el terminal de puerta está conectado a la unión J2 (unión NP).

Algunas fuentes definen como sinónimos al tiristor y al rectificador controlado de

silicio (SCR);[1] otras definen al SCR como un tipo de tiristor, a la par que los
dispositivos DIAC y TRIAC.

Este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en los años
1960. Aunque un origen más remoto de este dispositivo lo encontramos en el
SCR creado por William Shockley (premio Nobel de física en 1956) en 1950, el
cual fue defendido y desarrollado en los laboratorios Bell en 1956. Gordon Hall
lideró el desarrollo en Morgan Stanley para su posterior comercialización por
G.E.'s Frank W. "Bill" Gutzwiller.
 107

Funcionamiento básico

El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrónico de

los interruptores mecánicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o
bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno,
aunque no son capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este
principio básico puede observarse también en el diodo Shockley.

El diseño del tiristor permite que éste pase rápidamente a encendido al recibir un
pulso momentáneo de corriente en su terminal de control, denominada
compuerta (o en inglés, gate) cuando hay una tensión positiva entre ánodo y
cátodo, es decir la tensión en el ánodo es mayor que en el cátodo. Solo puede
ser apagado con la interrupción de la fuente de voltaje, abriendo el circuito, o
bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el dispositivo. Si se
polariza inversamente el tiristor existirá una débil corriente inversa de fugas
hasta que se alcance el punto de tensión inversa máxima, provocándose la
destrucción del elemento (por avalancha en la unión).

Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe
generarse una corriente de enganche positiva en el ánodo, y además debe haber
una pequeña corriente en la compuerta capaz de provocar una ruptura por
avalancha en la unión J2 para hacer que el dispositivo conduzca. Para que el
dispositivo siga en el estado activo se debe inducir desde el ánodo una corriente
de sostenimiento, mucho menor que la de enganche, sin la cual el dispositivo
dejaría de conducir.

A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se

puede controlar así la tensión necesaria entre ánodo y cátodo para la transición
OFF -> ON, usando la corriente de puerta adecuada (la tensión entre ánodo y
cátodo dependen directamente de la tensión de puerta pero solamente para OFF
-> ON). Cuanto mayor sea la corriente suministrada al circuito de puerta IG
(intensidad de puerta), tanto menor será la tensión ánodo-cátodo necesaria para
que el tiristor conduzca.

También se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad

de puerta y la tensión ánodo-cátodo es mayor que la tensión de bloqueo.

Formas de activar un tiristor

Luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo
silicio, el número de pares electrón-hueco aumentará pudiéndose activar el
tiristor.

Corriente de Compuerta: Para un tiristor polarizado en directa, la inyección de

una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y
cátodo lo activará. Si aumenta esta corriente de compuerta, disminuirá el voltaje
de bloqueo directo, revirtiendo en la activación del dispositivo.

Térmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del

número de pares electrón-hueco, por lo que aumentarán las corrientes de fuga,
 108

con lo cual al aumentar la diferencia entre emisor y colector, y gracias a la acción

regenerativa, esta corriente puede llegar a ser 1, y el tiristor puede activarse.
Este tipo de activación podría comprender una fuga térmica, normalmente
cuando en un diseño se establece este método como método de activación, esta
fuga tiende a evitarse.

Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el ánodo hacia el cátodo es mayor que
el voltaje de ruptura directo, se creará una corriente de fuga lo suficientemente
grande para que se inicie la activación con retroalimentación. Normalmente este
tipo de activación puede dañar el dispositivo, hasta el punto de la destrucción del
mismo.

dv/dt: Si la velocidad en la elevación del voltaje ánodo-cátodo es lo

suficientemente alta, entonces la corriente de las uniones puede ser suficiente
para activar el tiristor. Este método también puede dañar el dispositivo.

Aplicaciones

Normalmente son usados en diseños donde hay corrientes o voltajes muy

grandes, también son comúnmente usados para controlar corriente alterna
donde el cambio de polaridad de la corriente revierte en la conexión o
desconexión del dispositivo. Se puede decir que el dispositivo opera de forma
síncrona cuando, una vez que el dispositivo está abierto, comienza a conducir
corriente en fase con el voltaje aplicado sobre la unión cátodo-ánodo sin la
necesidad de replicación de la modulación de la puerta. En este momento el
dispositivo tiende de forma completa al estado de encendido. No se debe
confundir con la operación simétrica, ya que la salida es unidireccional y va
solamente del cátodo al ánodo, por tanto en sí misma es asimétrica.

Los tiristores pueden ser usados también como elementos de control en

controladores accionados por ángulos de fase, esto es una modulación por ancho
de pulsos para limitar el voltaje en corriente alterna.

En circuitos digitales también se pueden encontrar tiristores como fuente de

energía o potencial, de forma que pueden ser usados como interruptores
automáticos magneto-térmicos, es decir, pueden interrumpir un circuito
eléctrico, abriéndolo, cuando la intensidad que circula por él se excede de un
determinado valor. De esta forma se interrumpe la corriente de entrada para
evitar que los componentes en la dirección del flujo de corriente queden
dañados. El tiristor también se puede usar en conjunto con un diodo zener
enganchado a su puerta, de forma que cuando el voltaje de energía de la fuente
supera el voltaje zener, el tiristor conduce, acortando el voltaje de entrada
proveniente de la fuente a tierra, fundiendo un fusible.

La primera aplicación a gran escala de los tiristores fue para controlar la tensión
de entrada proveniente de una fuente de tensión, como un enchufe, por ejemplo.
A comienzo de los ’70 se usaron los tiristores para estabilizar el flujo de tensión
de entrada de los receptores de televisión en color.
 109

Se suelen usar para controlar la rectificación en corriente alterna, es decir, para

transformar esta corriente alterna en corriente continua (siendo en este punto
los tiristores onduladores o inversores), para la realización de conmutaciones de
baja potencia en circuitos electrónicos.

Otras aplicaciones comerciales son en electrodomésticos (iluminación,

calentadores, control de temperatura, activación de alarmas, velocidad de
ventiladores), herramientas eléctricas (para acciones controladas tales como
velocidad de motores, cargadores de baterías), equipos para exteriores
(aspersores de agua, encendido de motores de gas, pantallas electrónicas...)

El Diac

DIAC

El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos

conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente sólo
tras haberse superado su tensión de disparo, y mientras la corriente circulante
no sea inferior al valor característico para ese dispositivo. El comportamiento es
fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayoría
de los DIAC tienen una tensión de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido,
su comportamiento es similar a una lámpara de neón.

Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los
triac, otra clase de tiristor.

Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados ánodo y cátodo.

Actúa como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre
sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y
36 volts según la referencia.

DIAC de tres capas

Existen dos tipos de DIAC:

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 DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de

base y con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El
dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensión de
avalancha en la unión del colector. Esto inyecta corriente en la base que
vuelve el transistor conductor, produciéndose un efecto regenerativo. Al
ser un dispositivo simétrico, funciona igual en ambas polaridades,
intercambiando el emisor y colector sus funciones.
 DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en
antiparalelo, lo que le da la característica bidireccional.

Amplificador operacional

Amplificador operacional 741 con encapsulado metálico TO-5

Un amplificador operacional (A.O., habitualmente llamado op-amp) es un

circuito electrónico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene
dos entradas y una salida. La salida es la diferencia de las dos entradas
multiplicada por un factor (G) (ganancia):
Vout = G·(V+ − V−)

Originalmente los A.O. se empleaban para operaciones matemáticas (suma,

resta, multiplicación, división, integración, derivación, etc) en calculadoras
analógicas. De ahí su nombre.
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El A.O. ideal tiene una ganancia infinita, una impedancia de entrada infinita, un
ancho de banda también infinito, una impedancia de salida nula, un tiempo de
respuesta nulo y ningún ruido. Como la impedancia de entrada es infinita
también se dice que las corrientes de entrada son cero.

Notación

El símbolo de un MONOLITICO es el mostrado en la siguiente figura:

Los terminales son:

 V+: entrada no inversora

 V-: entrada inversora
 VOUT: salida
 VS+: alimentación positiva
 VS-: alimentación negativa

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Las terminales de alimentación pueden recibir diferentes nombres, por ejemplo

en los A.O. basados en FET VDD y VSS respectivamente. Para los basados en BJT
son VCC y VEE.

Normalmente los pines de alimentación son omitidos en los diagramas eléctricos

por claridad.

Comportamiento en continua (DC)

Lazo abierto

Si no existe realimentación la salida del A.O. será la resta de sus dos entradas
multiplicada por un factor. Este factor suele ser del orden de 100.000 (que se
considerará infinito en calculos con el componente ideal). Por lo tanto si la
diferencia entre las dos tensiones es de 1V la salida debería ser 100.000V.
Debido a la limitación que supone no poder entregar más tensión de la que hay
en la alimentación, el A.O. estará saturado si se da este caso. Si la tensión más
alta es la aplicada a la patilla + la salida será la que corresponde a la
alimentación VS+, mientras que si la tensión más alta es la del pin - la salida será
la alimentación VS-.

Lazo cerrado

Se conoce como lazo a la realimentación en un circuito. Aquí se supondrá

realimentación negativa. Para conocer el funcionamiento de esta configuración
se parte de las tensiones en las dos entradas exactamente iguales, se supone
que la tensión en la patilla + sube y, por tanto, la tensión en la salida también se
eleva. Como existe la realimentación entre la salida y la patilla -, la tensión en
esta patilla también se eleva, por tanto la diferencia entre las dos entradas se
reduce, disminuyéndose también la salida. Este proceso pronto se estabiliza, y se
tiene que la salida es la necesaria para mantener las dos entradas, idealmente,
con el mismo valor.

Siempre que hay realimentación negativa se aplican estas dos aproximaciones

para analizar el circuito:

 V+ = V -
 I+ = I- = 0

Comportamiento en alterna (AC)

En principio la ganancia calculada para continua puede ser aplicada para alterna,
pero a partir de ciertas frecuencias aparecen limitaciones. (Ver sección de
limitaciones)

Un ejemplo de amplificador operacional es el 741op

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Análisis

Para analizar un circuito en el que haya A.O. puede usarse cualquier método,
pero uno habitual es:

1. Comprobar si tiene realimentación negativa

2. Si tiene realimentación negativa se pueden aplicar las reglas del apartado
anterior

3. Definir las corrientes en cada una de las ramas del circuito

4. Aplicar el método de los nodos en todos los nodos del circuito excepto en
los de salida de los amplificadores (porque en principio no se puede saber
la corriente que sale de ellos)
5. Aplicando las reglas del apartado 2 resolver las ecuaciones para despejar la
tensión en los nodos donde no se conozca.

Configuraciones

Comparador

 Esta es una aplicación sin la realimentación. Compara entre las dos

entradas y saca una salida en función de qué entrada sea mayor. Se puede
usar para adaptar niveles lógicos.
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Seguidor

Es aquel circuito que proporciona a la salida la misma tensión que a la

entrada

 Se usa como un buffer, para eliminar efectos de carga o para adaptar

impedancias (conectar un dispositivo con gran impedancia a otro con baja
impedancia y viceversa)
 Como la tensión en las dos patillas de entradas es igual: Vout = Vin
 Zin = ∞
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Inversor

Se denomina inversor ya que la señal de salida es igual a la señal de entrada (en

forma) pero con la fase invertida 180 grados.

 El análisis de este circuito es el siguiente:

o V+ = V - = 0

o Definiendo corrientes: y de aquí se despeja

o
 Para el resto de circuitos el análisis es similar.
 Zin = Rin

Por lo cual podemos controlar la impedancia de entrada mediante la elección de

Rin.

Esta configuración es una de las más importantes, porque gracias a esta

configuración, se puede elaborar otras configuraciones, como la configuración del
derivador, integrador, sumador. En sistemas microelectronicos se puede utilizar
como buffer, poniendo 2 en cascada
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No inversor

Como observamos, el voltaje de entrada, ingresa por el pin positivo, pero como
conocemos que la ganancia del amplificador operacional es muy grande, el
voltaje en el pin positivo es igual al voltaje en el pin negativo,conociendo el
voltaje en el pin negativo podemos calcular, la relación que existe entre el voltaje
de salida con el voltaje de entrada haciendo uso de un pequeño divisor de
tensión.


 Zin = ∞
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Sumador inversor

 La salida está invertida

 Para resistencias independientes R1, R2,... Rn

o
 La expresión se simplifica bastante si se usan resistencias del mismo valor
 Impedancias de entrada: Zn = Rn
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Restador

 Para resistencias independientes R1,R2,R3,R4:

o
 Igual que antes esta expresión puede simplificarse con resistencias iguales
 La impedancia diferencial entre dos entradas es Zin = R1 + R2
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Integrador ideal

 Integra e invierte la señal (Vin y Vout son funciones dependientes del

tiempo)


o Vinicial es la tensión de salida en el origen de tiempos
o

Nota: El integrador no se usa en la práctica de forma discreta ya que cualquier

señal pequeña de DC en la entrada puede ser acumulada en el capacitor hasta
saturarlo por completo. Este circuito se usa de forma combinada en sistemas
retroalimentados que son modelos basados en variables de estado (valores que
definen el estado actual del sistema) donde el integrador conserva una variable
de estado en el voltaje de su capacitor.
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Derivador ideal

 Deriva e invierte la señal respecto al tiempo


 Este circuito también se usa como filtro


NOTA: Es un circuito que no se utiliza en la práctica porque no es estable, esto

se debe a que al amplificar más las señales de alta frecuencia se termina
amplificando el ruido por mucho.

Otros

 Osciladores, como el puente de Wien

 Convertidores carga-tensión
 Convertidores corriente-tensión
 Filtros activos
 Girador permite construir convertidores de inmitancias (empleando un
condensador simular un inductor, por ejemplo)
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Aplicaciones

 Calculadoras analógicas
 Filtros
 Preamplificadores y buffers de audio y video
 Reguladores
 Conversores
 Evitar el efecto de carga
 Adaptadores de niveles (por ejemplo CMOS y TTL)

Estructura

Aunque es usual presentar al A.O. como una caja negra con características
ideales es importante entender la forma en que funciona, de esta forma se podrá
entender mejor las limitaciones que presenta.

Los diseños varían entre cada fabricante y cada producto, pero todos los A.O.
tienen básicamente la misma estructura interna, que consiste en tres etapas:

1. Amplificador diferencial: es la etapa de entrada que proporciona una baja

amplificación del ruido y gran impedancia de entrada. Suelen tener una
salida diferencial.
2. Amplificador de tensión: proporciona una ganancia de tensión.
3. Amplificador de salida: proporciona la capacidad de suministrar la corriente
necesaria, tiene una baja impedancia de salida y, usualmente, protección

frente a cortocircuitos.
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Ejemplo del 741

Diagrama electrónico del operacional 741.

En el diagrama se destaca en azul el amplificador diferencial. Éste es el

responsable de que las corrientes de entrada no sean cero, pero si respecto a las
de los colectores (Nótese como a pesar de aproximar las corrientes de entrada a
0, si éstas realmente fueran 0 el circuito no funcionaría). La impedancia de
entrada es de unos 2MΩ.

Las etapas en rojo son espejos de corriente. El superior de la izquierda sirve para
poder soportar grandes tensiones en modo común en la entrada. El superior de
la derecha proporciona una corriente a la circuitería de salida para mantener la
tensión. El inferior tiene una baja corriente de colector debido a las resistencias
de 5kΩ. Se usa como conexión de gran impedancia a la alimentación negativa
para poder tener una tensión de referencia sin que haya efecto de carga en el
circuito de entrada.

Los pines llamados Offset null son usados para eliminar las tensiones de offset
que pueda haber en el circuito.

La etapa de ganancia en tensión es NPN.

La sección verde es un desplazador de tensión. Esto proporciona una caída de

tensión constante sin importar la alimentación. En el ejemplo 1V. Esto sirve para
prevenir la distorsión.

El condensador se usa como parte de un filtro paso bajo para reducir la

frecuencia y prevenir que el A.O oscile.

La salida en celeste es un amplificador PNP seguidor con emisor push-pull. El

rango de la tensión de salida es de un voltio menos a la alimentación, la tensión
colector-emisor de los transistores de salida nunca puede ser totalmente cero.
Las resistencias de salida hacen que la corriente de salida esté limitada a unos
25mA. La resistencia de salida no es cero, pero con realimentación negativa se
aproxima.

Parámetros

 Ganancia en lazo abierto. Indica la ganancia de tensión en ausencia de

realimentación. Se puede expresar en unidades naturales (V/V, V/mV) o
logarítmicas (dB). Son valores habituales 100.000 a 1.000.000 V/V.
 Tensión en modo común. Es el valor medio de tensión aplicado a ambas
entradas del operacional.
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 Tensión de Offset. Es la diferencia de tensión, aplicada a través de

resistencias iguales, entre las entradas de un operacional que hace que su
salida tome el valor cero.
 Corriente de Offset. Es la diferencia de corriente entre las dos entradas
del operacional que hace que su salida tome el valor cero.
 Margen de entrada diferencial. Es la mayor diferencia de tensión entre
las entradas del operacional que mantienen el dispositivo dentro de las
especificaciones.
 Corrientes de polarización (Bias) de entrada. Corriente media que
circula por las entradas del operacional en ausencia de señal
 Slew rate. Es la relación entre la variación de la tensión de salida máxima
respecto de la variación del tiempo. El amplificador será mejor cuanto
mayor sea el Slew Rate. Se mide en V/μs, kV/μs o similares. El slew rate
está limitado por la compensación en frecuencia de la mayoría de los
amplificadores operacionales. Existen amplificadores no compensados (con
mayor slew rate) usados principalmente en comparadores, y en circuitos
osciladores, debido de hecho a su alto riesgo de oscilación.
 Relación de Rechazo en Modo Común (RRMC,o CMRR en sus siglas
en inglés). Relación entre la ganancia en modo diferencial y la ganancia
en modo común.

Limitaciones

Saturación

Un A.O.L típico no puede suministrar más de la tensión a la que se alimenta,

normalmente el nivel de saturación es del orden del 90% del valor con que se
alimenta. Cuando se da este valor se dice que satura, pues ya no está
amplificando. La saturación puede ser aprovechada por ejemplo en circuitos
comparadores.

Tensión de offset

Es la diferencia de tensión que se obtiene entre los dos pines de entrada cuando
la tensión de salida es nula, este voltaje es cero en un amplificador ideal lo cual
no se obtiene en un amplificador real. Esta tensión puede ajustarse a cero por
medio del uso de las entradas de offset (solo en algunos modelos de
operacionales) en caso de querer precisión. El offset puede variar dependiendo
de la temperatura (T) del operacional como sigue:

Donde T0 es una temperatura de referencia.

Un parámetro importante, a la hora de calcular las contribuciones a la tension de

offset en la entrada de un operacional es el CMRR (Rechazo al modo común).

Ahora también puede variar dependiendo de la alimentación del operacional, a

esto se le llama PSRR (power supply rejection ratio, relación de rechazo a la
fuente de alimentación). La PSRR es la variación del voltaje de offset respecto a
la variación de los voltajes de alimentación,expresada en dB. Se calcula como
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sigue:

Corrientes

Aquí hay dos tipos de corrientes que considerar y que los fabricantes suelen
proporcionar:

 IOFFSET = | I + −I − |

Idealmente ambas deberían ser cero.

Característica tensión-frecuencia

Al A.O. típico también se le conoce como amplificador realimentado en tensión

(VFA). En él hay una importante limitación respecto a la frecuencia: El producto
de la ganancia en tensión por el ancho de banda es constante.

Como la ganancia en lazo abierto es del orden de 100.000 un amplificador con

esta configuración sólo tendría un ancho de banda de unos pocos Hercios. Al
realimentar negativamente se baja la ganancia a valores del orden de 10 a
cambio de tener un ancho de banda aceptable. Existen modelos de diferentes
A.O. para trabajar en frecuencias superiores, en estos amplificadores prima
mantener las características a frecuencias más altas que el resto, sacrificando a
cambio un menor valor de ganancia u otro aspecto técnico.

Capacidades

El A.O. presenta capacidades (capacitancias) parásitas, las cuales producen una

disminución de la ganancia conforme se aumenta la frecuencia.

Deriva térmica

Debido a que una unión semiconductora varía su comportamiento con la

temperatura, los A.O. también cambian sus características, en este caso hay que
diferenciar el tipo de transistor en el que está basado, así las corrientes
anteriores variarán de forma diferente con la temperatura si son bipolares o
JFET.
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