Capitolul 5

Etaje de iesire
5.1. Notiuni generale
5.1. Caracteristici generale
•  debiteaza putere intr-o sarcina, avand un randament ridicat si putere disipata
redusa pe tranzistoarele finale
•  impedanta redusa de iesire
•  excursie maxima a tensiunii de iesire
•  distorsiuni minime

Clasa A:
- distorsiuni foarte reduse
- randament redus

Clasa B:
- distorsiuni importante
- randament foarte bun

Clasa AB:
- distorsiuni reduse
- randament bun
5.2. Etajul de iesire in clasa A, configuratie colector comun
5.2. Etajul de iesire in clasa A, configuratie colector comun
v O = 0; i O = 0
VCC I C 3 = I ;VCE 3 = VCC
In repaus:
⎛ I ⎞
V I = V BE 3 = Vth ln⎜⎜ ⎟⎟
vI
Q3 ⎝ I S ⎠
ic3 io Caracteristica de transfer vO = f (v I )
R
v I = v BE 3 + vO
I I Rl vo
⎛ vO ⎞
⎛ i ⎞ ⎜ I + ⎟
Q1 Q2 v BE 3 = Vth ln⎜⎜ c 3 ⎟⎟ Rl
⎝ I S ⎠ ⇒ v I = vO + Vth ln⎜ ⎟
⎜ I S ⎟
v ⎜ ⎟
-VCC ic 3 = I + O ⎝ ⎠
Rl
vO ⎛ I ⎞
Cu << I , Vth ln⎜⎜ ⎟⎟ = VBE 3 , expresia caracteristicii de transfer
Rl ⎝ I S
⎠
devine, in consecinta v I = vO + v BE 3 , deci liniara.
 vO

VCC-VCesat3
v
iC 3 = I + O
Rl
panta = 1
VBE3 V − vCE 3
vI iC 3 = I + CC
Rl
Rl mic iC 3 = 0 ⇒ vCE 3 = VCC + IRl
- RlI
- (VCC-VCesat2)
Rl mare

Valoarea maxima pozitiva a tensiunii de iesire este:

++
VO max = VCC − VCEsat 3
Valoarea maxima negativa a tensiunii de iesire depinde de valoarea Rl:

•  pentru valori mari ale Rl, limita negativa a tensiunii de iesire este data de:

VO−max = VCC − VCEsat 2

•  pentru valori mici ale Rl, limita negativa a tensiunii de iesire este data de:
VO−max = IRl < VCC − VCEsat 2
5.3.
`
Etajul de iesire elementar in clasa B
vo

Q1 B B B B C S
VCC Q2 S C B B B B

VCC-VCesat1
panta = 1
Q1
iC1 io
vI
iC2 Q vI
Rl vo
Q2 -VBEon VBEon
panta = 1

Zona “moarta”
-VCC
- (VCC-/VCesat2/)
In repaus:
vO = 0; iO = 0; ic 1 = ic 2 = I ; v BE 1 + v EB 2 = 0
Daca:
⎛ I ⎞
Q1 ≡ Q2 ; I S 1 = I S 2 = I S ⇒ 2Vth ln⎜
⎜ + 1 ⎟⎟ = 0 ⇒ I = 0 ⇒ ic 1 = ic 2 = 0
⎝ I S ⎠
`
vo vo

vI
t

vI

Caracteristica de transfer
5.4. Reducerea neliniaritatii etajului de iesire in clasa B
prin utilizarea rectiei negative v O

VCC=15V
panta = 1

VCC=15V -0,6V vI
0,6V
Rf = 10kΩ
panta = 1
-VCC= -15V
-
+
5
vO
vI a = 10
vO VCC=15V
Rr = 2,5kΩ panta = 5

-6µV vI
-VCC=-15V 6µV
panta = 5
-VCC= -15V
5.5. Etajul de iesire in clasa AB
5.5. Etajul de iesire in clasa AB

VCC

VQ Q1
vI iC1
iC2
VQ Rl vo
Q2

-VCC

Pentru obtinerea unei bune liniaritati a functiei de transfer, este necesar:

-  sa existe o imperechere cat mai buna intre parametrii tranzistoarelor complementare
-  sa se realizeze o pre-polarizare corespunzatoare a etajului de iesire in repaus
-  pre-polarizarea implementata sa asigure evitarea ambalarii termice a etajului
Circuit pentru evitarea ambalarii termice a etajului de iesire (1)
Tensiunea care asigura pre-polarizarea etajului de iesire trebuie sa prezinte
o variatie particulara cu temperatura (de exemplu, o tensiune baza-emitor)
vO
VCC

I VCC-VCesat1

Q1
D -Vthln(IQ/IS2) vI
D
Rl vo
vI Q2
I
- (VCC-VCesat2)
-VCC
Tranzistoarele conectate ca diode trebuie sa prezinte o dependenta de temperatura
similara cu cea a tranzistoarelor finale. In repaus:
vO = 0
⎛ I Q I Q ⎞ ⎛ I ⎞ I S1I S 2
VBE 1 + VEB 2 = 2VD ⇒ Vth ln⎜
⎜ ⎟ = 2Vth ln⎜ I ⎟ ⇒ I Q = I I
⎟ ⎜ ⎟
I I
⎝ S 1 S 2 ⎠ ⎝ SD ⎠ SD
Circuit pentru evitarea ambalarii termice a etajului de iesire (2)

`
VCC
I v BE 1 + v EB 2 = vCE 3
Q1 v ⇒
R2 vCE 3 = BE 3 ( R1 + R2 )
R1
Q3
R1 ⎛ I Q I Q ⎞ ⎛ R ⎞ I
Rl ⇒ Vth ⎜⎜ ln + ln ⎟⎟ = ⎜⎜ 1 + 2 ⎟⎟Vth ln
vo
I Q2 ⎝ I S 1 I S 2 ⎠ ⎝ R1 ⎠ IS3

R
1+ 2
-VCC ⎛ I ⎞ R1
⇒ IQ = I S 1 I S 2 ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ I S 3 ⎠
Circuit pentru evitarea ambalarii termice a etajului de iesire (3)

VC
C
IO

Q3

IQ
Q1 vO
vI Q2
IQ

Q4
IO
-VCC
/ VBE 1 / + VBE 2 = VBE 3 + / VBE 4 /
IQ IO
2Vth ln = 2Vth ln ⇒ IQ = IO
IS IS
Circuit pentru evitarea ambalarii termice a etajului de iesire (4)

VCC
VBE 1 + VBE 2 = VBE 3 + VEB 4
VC Q5 IC 1 I I I
Vth ln + Vth ln C 2 = Vth ln C 3 + Vth ln C 4
Q3 v IS1 IS2 IS3 IS4
O
Q1
RL IS3IS4
Q2 ⇒ IC 3 = IC 4 = IC 1
I S1I S 2
Q4
Q6
vi
VO+max = VCC − VEC 5 sat − VBE 3
-VCC
VO−max = −VCC + VEC 6 sat + VEB 4
Circuit pentru protectia la suprasarcina (1)

VCC

VC Q5
Q3
Q7 V
Q1 R1 I O+ max = BE7
vO R1

Q2 R2 RL
Q4

vi Q6
-VCC
Circuit pentru protectia la suprasarcina (2)

VCC

VC Q5
Q3 V
Q7 I O+ max = BE7
Q1 R1 R1
vO V
I O− max = EB 8
Q2 R2 R2
RL
Q8 Q4

vi Q6
-VCC