Sunteți pe pagina 1din 17

Tehnici de sistem

Tehnici de corodare, tehnica lift-off


CURS 8

Prof. Dr. Ing. Mihai Olimpiu TĂTAR


BPMNS - CURS

1. Tehnici de corodare

Prin corodare sunt indepartate straturile expuse de fotorezist de pe placheta


si straturile depuse (rezist pozitiv).

Metodele de corodare folosite pentru TMS trebuie sa fie capabile sa


indeparteze materialul cu exactitate, astfel incat sa fie obtinute structuri foarte mici,
asa cum ar fi striuri, poduri, membrane sau raze, de ordinul micronilor.

O metoda de corodare este considerate selectiva, daca dizolva numai un


material specific si nu reactioneaza cu alte materiale.

O alta proprietate caracteristica a corodarii este ca poate produce diferite


rezultate in diferite directii ale materialului procesat.

Un proces de corodare este izotropic, daca viteza de corodare este aceeasi pe


orice directie in material, altfel procesul este anizotropic.

Proprietatile de selectivitate si anizotropie joaca un rol decisiv in realizarea


microstructurarii,
BPMNS - CURS

1.1 Corodarea chimica in solutie

Corodarea in solutie, folosita in mod obisnuit in microelectronica, poate


produce structurile tridimensionale si de suprafata necesare pentru TMS.

Solutia de corodare, care poate fi acida sau alcalina, dizolva materialul care
trebuie indepartat.

Corodarea se produce prin scufundarea substratului intr-o baie de corodare


sau prin pulverizarea substratului cu solutia de corodare.

Dependent de structura materialului sau de solutia de corodare, procesul


de corodare umeda poate fi izotrop sau anizotrop.
BPMNS - CURS

Corodarea izotropa

Daca materialul este amorf sau


policristalin, procesul de corodare
chimica umeda este intotdeauna
izotrop.

Corodarea unui substrat din


polisiliciu determnina formarea unor
cavitati cu marginile rotunjite. In
acelasi timp, corodarea are loc in
mica masura si sub stratul de rezist
(Fig. 1).
Fig. 1 Corodare chimica izotropa

Amorf - Material care nu prezintă o structură cristalină, regulata

Policristalin - Material care este format din mai multe cristale.


BPMNS - CURS

In micromecanica, marginile rotunjite nu sunt de dorit, in afara de cazul cand


este necesara obtinerea unei bune rezistente la oboseala intre partile aflate in
miscare.

Acest fapt limiteaza aplicarea acestei metode in cazul formarii in adancirne, in


special atunci cand zona corodata sub rezist depaseste toleranta privind
dimensiunile partii dorite.

De aceea, corodarea izotropica umeda nu este potrivita pentru o largime a


cavitatii mai mica de aproximativ 2-3 µm.

In ciuda acestor probleme, corodarea izotropa este utila pentru multe aplicatii ale
micromecanicii suprafetei, unde straturile individuale ale unui substrat cu mai multe
straturi la suprafata sunt corodate selectiv.
BPMNS - CURS
Corodarea anizotropa

Monocristalul de siliciu, spre deosebire de siliciul policristalin, poate fi corodat


anizotrop, ceea ce inseamna ca placheta de monocristal poate fi precis structurata
tridimensional.

Monocristalul de siliciu si diamantul au aceeasi retea cristalina. Atomii


caracteristici sunt asezati in colturile si in centrul fetelor unei retele cubice. Muchiile
cubului alcatuiesc un sistem de coordonate cartezian asa cum se vede in figura 2.

Fig. 2 Aranjarea fetelor cristalului intr-o retea


cristalina de siliciu
BPMNS - CURS

Spre deosebire de polisiliciu, in monocristalul de siliciu viteza de corodare este


dependenta de orientarea cristalului.

Multe solutii de corodare au in mod clar o viteza de corodare minimala pe directia


fetei (111) a cristalului, ceea ce practic determina o stopare a procesului de corodare
pe aceasta directie. Acest fapt permite definirea intr-un substrat monocristalin a unor
microstructuri cu geometrie precisa, avand colturile si muchiile ascutite.
BPMNS - CURS

Daca o placheta de siliciu este taiata in asa fel incat viteza laterala de corodare
este mult mai mica decat cea verticala, nu va aparea practic problema corodarii sub
masca de rezist. De aceea, se pot forma cavitati verticale si in forma de V care sunt
marginite de fata (111) a cristalului.

Peretii structurii sunt foarte netezi, deoarece rata de corodare de-a lungul fetei
(111) a cristalului este de cateva sute de ori mai mare decat cea perpendiculară pe
aceasta directie (Fig. 3).

Notatiile (100) si (110) indica de-a lungul carei ·fete a cristalului este taiata
placheta substrat, adica care dintre fetele cristalului este paralela cu suprafata
substratului.

Fig. 3 Corodare anizotropica intr-un monocristal de siliciu


BPMNS - CURS

Cele mai folosite solutii de corodare anizotropa sunt cele alcaline, asa cum ar fi:

- hidroxidul de potasiu (KOH),


- hidroxidul de sodiu (NaOH),
- EDP (etilen diamina pirocatechina).

Dioxidul de siliciu (SiO2) si nitrura de siliciu (Si3N4 ) sunt cele mai obisnuite
materiale folosite ca rezist.

Structurile tipice care pot fi obtinute


prin orientarea diferita a cristalului sunt
prezentate in figura 4.

Dimensiunile limita care pot fi atinse


sunt determinate de metoda
fotolitografica folosita. Ele sunt, de obicei,
suficient de mici pentru a permite Fig. 4 Structuri de baza care pot fi produse in siliciu:
producerea unor structuri de cavitati
compacte in substrat. a) siliciu (110), b) siliciu (100)
BPMNS - CURS

1.2 Corodarea uscata

Corodarea uscata implica expunerea substratului la un gaz ionizat.

Corodarea are loc prin interactiunea chimica sau fizica dintre ionii din
gaz şi atomii sub stratului.

Tehnicile de corodare uscata pot fi folosite pentru structurarea aproape a tuturor


materialelor potrivite pentru TMS. Ele sunt, de asemenea, folosite pentru materiale la
care corodarea in solutie este prea dificila, cum ar fi platina sau dioxidul de staniu.

Cele mai aplicate tehnici de corodare uscata pot fi impartite in trei grupe:

- corodarea fizica prin bombardament ionic (pulverizare) sau cu fascicul de


ioni;

- corodarea chimica in plasma;

- corodarea combinata fizica/chimica,


BPMNS - CURS
Corodarea prin bombardament ionic este similara cu tehnica de sablare, dar se
realizeaza la nivel atomic. In loc de particule de nisip sunt folositi ioni pozitivi, chimic
neutri, de argon, heliu sau xenon.

Corodarea are loc intr-un reactor vidat, care contine doi electrozi plani situati la o
distanta de cativa centimetri unul de celalalt,

Electrozii sunt inconjurati de plasma in care ionii inerti sunt generati si accelerati
de un camp electric. Acesti ioni lovesc substratul care este fixat pe catod. Ionii de
impact desprind particule de la suprafata substratului bombardat (Fig. 5).

Fig. 5 Metode de baza ale corodarii uscate


BPMNS - CURS

Celalalt proces fizic, corodarea cu fascicul de ioni, foloseste, de asemenea,


conceptul de accelerare electrostatic a ionilor inerti chimic. Fata de pulverizare, acest
proces prezinta avantaje insa este mult mai complicat si mai costisitor.

In corodarea chimica in plasma sunt folosite gaze reactive care se descompun


in plasma, luand nastere radicali activi.
Aceste particule difuzeaza in suprafata substratului si initiaza procesul de corodare.
Oricare ar fi materialul de corodat, siliciul mono- sau policristalin, dioxidul de siliciu,
nitrura de siliciu sau metale, sunt folosite gaze care contin fluor sau clor.

Toate metodele fizice sunt anizotrope, permitand obtinerea unei structuri precise
cu peretii netezi; selectivitatea nu este garantata, ceea ce Inseamna ca toate
materialele vor fi corodate cu aproximativ aceeasi viteza,

Corodarea chimica in plasma este complet izotropa spre deosebire de corodarea


prin pulverizare; aceasta prezinta excelente proprietati selective.

Ratele de corodare la metodele fizice ating numai cateva 10 nm/min, dar la


metodele chimice acestea merg pana la 100 nm/min.
BPMNS - CURS

O alternativa sunt metodele de corodare uscata combinata, care folosesc


atat energia fizica cat si pe cea chirnica a particulelor reactive, combinand
selectivitatea si anizotropia la un nivel ridicat.

In cazul corodarii cu ioni reactivi (reactive ion etching -RIB), spre


deosebire de simpla corodare in plasma, ionii reactivi si radicalii sunt accelerati
intr-un camp electric in directia suprafetei de corodat. Gaze inerte pot fi adaugate
pentru a intari procesul de corodare fizica. Rata de corodare variaza de la 20 la
200 nm/min.

O alta metoda combinata este corodarea cu fascicul de ioni reactivi. Pentru


a fi realizata, aceasta necesita mai mult echipament, dar are cea mai rapida rata
de corodare de pana la 500 nm/min.
BPMNS - CURS

Un exemplu de structura micromecanica produsa prin corodare uscata poate ti


vazut in figura 6. Aceasta figura arata o structurii suspendata liber, din aluminiu, pe
un substrat de siliciu.

Fig. 6 Microstructuri din aluminiu realizate


prin procesul de corodare in plasma
BPMNS - CURS

2. Tehnica lift-off

Tehnica lift-off este o tehnica diferita de structurare, adesea folosita pentru


fabricarea pad-urilor metalice pe un cip.
In acest caz, pe substrat este aplicat un strat de rezist dupa ce acesta este
structurat printr-un proces litografic. Rezistul developat este o proiectie inversa a
structurii metalice dorite (Fig. 7).

Fig. 7 Tehnica lift-off utilizata pentru structurare


BPMNS - CURS

Dupa ce materialul de structurare a fost depus prin pulverizare, stratul de


rezist este indepartat printr-un proces lift-off, folosind solventul potrivit.
In acest fel, stratul de material depus pentru structurare situat deasupra ariilor
de substrat acoperit cu rezist este indepartat (lift-oft) impreuna cu rezistul.
Structura dorita ramane pe substrat.
De obicei, in tehnica lift-off se folosesc un rezist fotosenzitiv si acetona ca
solvent.

Aceasta tehnica este in mod special potrivita pentru realizarea straturilor


electrice conductoare din metale rezistente la corodare, asa cum ar fi platina.
Este, de asemenea, folosita pentru fabricarea condensatoarelor interdigitale,
care sunt importante pentru microsenzorii biochimici.
BPMNS - CURS

O structura interdigitala consta din mai multi


electrozi metalici planari, integrati pe un
substrat; structura este asemanatoare cu cea a
unui pieptene cu dinti de inaltimi diferite, care
alterneaza. O metoda tipica pentru producerea
unei astfel de structure prin tehnica lift-off este
prezentata in figura 8.

Pasul al treilea de structurare in


adancime din figura 8 joaca un rol minor si
poate fi omis. Acest pas este realizat atunci
cand suprafata plana a substratului urmeaza sa
suporte procesari ulterioare sau atunci cand
electrozii trebuie sa adere foarte bine la piesa
de prelucrat.

Metalul este, de obicei, depus prin


tehnica depunerii· chimice din faza de vapori
(Chemical Vapour Deposition - CVD); in
general, sunt depuse metale cum ar fi platina, Fig. 8 Tehnica lift-off pentru a produce structuri
titanul sau aurul. de capacitoare interdigitale