Ministerul Educației al Republicii Moldova

Universitatea Tehnică a Moldovei

Facultatea Inginerie și Management în Electronică și Telecomunicaţii
Catedra Sisteme și Rețele de Comunicații Optoelectronice

Dare de Seamă
La lucrarea de laborator nr.1
Tema: ”Studiul diodelor semiconductoare şi a schemelor
în baza lor”
La disciplina: dispozitive electronice

A efectuat studentul grupei: SOE-141 , Sturza Nicolae

A verificat lectorul superior: Grițco R.

Chișinău 2015
 Lucrarea de laborator nr. 1

Tema: Studiul diodelor semiconductoare şi a schemelor în baza lor.

Scopul lucrării: Familiarizarea cu metodele de ridicare a caracteristicilor volt-
amperice(CVA) pentru diverse diode semicoductoare , ridicarea parametrilor de bază a diodelor şi
schemelor cu utilizarea lor.
Aparate şi materiale: Generator funcţional, multimetru, osciloscop sursă de tensiune curent
continuu, rezistoare, diodă semiconductoare.

Mersul lucrării:

Lansaţi programul emulator ELECTRONICS WORKBENCH.

Experienţa 1. Măsurarea tensiunii şi calcularea curentului care circula prin

diodă la polarizare directă şi indirectă.

Construiţi figura 1

Figura 1. Polarizarea directă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Măsurăm tensiunea la polarizare directă Udir, şi calculăm conform relaţiei 1.1 curentul la polarizare
directă.
E  U dir
I dir  (1.1)
R
 10000  772.1
I dir   92.28mA
100

calculul
Tensiunea la polarizare directă este Udir= 772,1 mV curentul este Idir=92,279mA
Construiţi figura 2

Figura 2. Polarizarea indirectă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Măsurăm tensiunea la polarizare indirectă Uind, şi calculăm conform relaţiei 1.2 curentul la
polarizare indirectă.
E  U ind
I ind  (1.2)
R

10000  10000
I ind  0
100
calculul
Tensiunea la polarizare indirectă este Uind=10V curentul este Iind= 0

Experienţa 2. Măsurarea curentului care circula prin diodă la polarizare

directă şi indirectă.

Construiţi figura 3

Figura 3. Polarizarea directă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Măsuram curentul la polarizare directă Idir= .92,28mA

Construiţi figura 4
 Figura 4. Polarizarea indirectă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Măsuram curentul la polarizare indirectă Iind=0 .

Experienţa 3. Măsurarea rezistenţei statice a diodei la polarizare directă şi

indirectă.

Construiţi figura 5
∞

Figura 5. Polarizarea directă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Măsuram rezistenţa statică a diodei la polarizare directă Rst dir=77,21MΩ .

Construiţi figura 6

Figura 6. Polarizarea indirectă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Măsuram rezistenţa statică a diodei la polarizare indirectă Rst ind =∞.
 Experienţa 4. Măsurarea tensiunii şi curentului la polarizare directă şi
indirectă pentru trasarea CVA a diodei .

Construiţi figura 7

Figura 7. Polarizarea directă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Valorile tensiunii de intrare le luăm din tabelul 1.1 prezentat mai jos şi tot în el întroducem
datele măsurate experimental.

Tabelul 1.1 Datele măsurate pentru ramura directă a CVA

E,V Udir , mV Idir , mA
0 0 0
0,5 499,7 0.002958
1 684,8 3,152
1,5 708,6 7,914
2 721,0 12,79
2,5 729,4 17,71
3 735,8 22,64
3,5 740,9 27,59
4 745,2 32,55
4,5 748,8 37,51
5 752,1 42,48

Construiţi figura 8

Figura 8. Polarizarea indirectă o diodei semiconductoare.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Valorile tensiunii de intrare le luăm din tabelul 1.2 prezentat mai jos şi tot în el întroducem
datele măsurate experimental.

Tabelul 1.2 Datele măsurate pentru ramura indirectă a CVA

E,V Uind , V Iind , mA
 0 0 0
5 5 0,005
10 10 0,01
15 15 0,015
20 20 0,02
25 25 0,025
30 30 0,03
35 35 0,035
40 40 0,04

Conform datelor obţinute experimental construim CVA a diodei analizate ţinînd cont de faptul că
ramura directă a CVA este în cadranul I a sistemului de coordonate , iar ramura indirectă în cadranul III.

Experienţa 5.Obţinerea CVA a diodei pe ecranul osciloscopului.

Construiţi figura 9

Figura 9. Instalaţia experimentală de ridicare a CVA de pe ecranul osciloscopului.

Tastaţi pentru ca prin circuit să curgă curentul.

Salvaţi în lucrare caracteristica obţinută pe ecranul osciloscopului şi masuraţi tensiunea de
curbură Ucurb=695.1365m
 Figura 10. Caracteristica pe ecranul osciloscopului.

Concluzie :
În urma efectuării lucrării de laborator nr. 1, eu am făcut cunoțtință cu:
 Polarizarea directă o diodei semiconductoare.
 Polarizarea indirectă o diodei semiconductoare.
 Aparate şi materiale: Generator funcţional, multimetru, osciloscop sursă de
tensiune curent continuu, rezistoare, diodă semiconductoare.
 Noțiunea de diodă, semiconductor, joncțiune, polarizare, străpungere, caracteristica
volt amperic, injecție, emitor.
 La fel am înțeles procesul cum crește intensitatea la polarizarea directă, după
realizarea graficului.
 Am măsurat tensiunea de curbură cu ajutorul osciloscopului.
 Îmi este clar principiu de funcționarea a aplicației ELECTRONICS
WORKBENCH la fel și elementele pe care le conține.
 Ecuația statică a caracteristicii volt-amperice pentru dioda ideală.
Totodață nu trebuie să neglijăm părțile componente a diodelor, la fel și tipurile de
străpungeri în semiconductoare. Cînd au loc străpungerile trebuie să conștientizăm că
doar dacă are loc străpungerea termică materialul poate să se deformeze ceea ce rezultă
pierderea capacității lui de semiconductor, sau chear și a formei lui fizice.