Tarea 4_módulo 2_Semiconductores_Conductividad_ Fecha de entrega vía correo electrónico:

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1. ¿Qué entiende por banda de valencia? ¿Banda de conducción?
2. Defina lo que se entiende por la energía correspondiente a la llamada “banda prohibida”
de un semiconductor
3. ¿Qué entiende por “portadores de carga”?
4. Explique para los materiales semiconductores:
a. El mecanismo mediante el que se genera la conductividad eléctrica en
semiconductores de tipo intrínseco
b. El mecanismo mediante el que se genera la conductividad eléctrica en
semiconductores de tipo extrínseco

Favor de marcar no solamente el inciso correcto sino la frase completa.

5. En un semiconductor extrínseco de tipo p la conducción a bajas temperaturas se debe al
movimiento de:
a. Los electrones activados térmicamente.
b. Los huecos.
c. Los electrones y huecos.
d. No hay conducción neta a bajas temperaturas.
6. En un semiconductor intrínseco la conductividad está controlada por:
a. La movilidad y la temperatura.
b. La temperatura y la concentración del dopante.
c. La temperatura, movilidad y la brecha o nivel prohibido, Eg.
d. La concentración del dopante.
7. ¿Cuál de los siguientes elementos permite obtener semiconductores de silicio tipo n,
donadores?
a. Fósforo, P
b. Aluminio, Al
c. Boro, B
d. Germanio, Ge
8. En un semiconductor tipo n la conducción a alta temperatura se debe a:
a. Electrones donadores.
b. Electrones donadores y electrones activados térmicamente.
c. Electrones donadores, huecos y electrones activados térmicamente.
d. Huecos y electrones activados térmicamente.
9. La estructura electrónica de los semiconductores está formada por:
a. Dos bandas de energía con algunos estados superpuestos.
b. Dos bandas de energía, con electrones conductores en la de conducción.
c. Bandas de valencia y conducción, separadas por un intervalo prohibido de energía.
d. Bandas de valencia y conducción coincidentes.
10. En los semiconductores, los agentes activos de conducción son:
a. Los electrones de la banda de valencia.
b. Los huecos de la banda de valencia.
c. Los electrones de la banda de conducción.
 d. Electrones y huecos.
11. Un semiconductor que contiene elementos químicos con la banda electrónica de
valencia diferente a la de los del semiconductor se denomina:
a. Extrínseco.
b. Intrínseco.
c. Débilmente extrínseco.
d. No recibe ningún nombre especial.
12. La naturaleza del dopante incide en:
a. Aumento de la energía de la banda prohibida, disminuyendo la población de
portadores de carga libre.
b. Disminución de la energía de la banda de energía prohibida, aumentando la
concentración de portadores libres.
c. El valor de la energía de ionización y por tanto en una mayor aptitud para
suministrar portadores de carga libre.
d. El mecanismo de conducción, intrínseco o extrínseco.
13. La diferencia entre la estructura electrónica de un metal y un semiconductor radica en:
a. La diferencia de población electrónica en la banda de conducción.
b. La inexistencia de una banda de energía prohibida en el metal separando las
bandas de valencia y conducción.
c. Un mayor valor de la energía prohibida en el semiconductor que en metal.
d. La inexistencia de banda de valencia en los metales.
14. La concentración de portadores de carga, en los semiconductores extrínsecos:
a. Disminuye en el rango de bajas temperaturas por actuar la agitación térmica de la
red cristalina.
b. Disminuye a altas temperaturas al disminuir la movilidad.
c. Aumenta en el rango de bajas temperaturas por actuar los dopantes como
promotores del mecanismo conductor.
d. Ninguna es correcta ya que la concentración de portadores de carga es
independiente de la temperatura en los extrínsecos.
15. Calcular la resistividad de un sustrato de silicio dopado con 1018 at/cm3 de elemento
dopante donador a temperatura ambiente.
µn = 300 cm2/Vˑs

16. A partir de los datos proporcionados en la tabla:

a. ¿Cuál de los tres semiconductores es el que presenta la concentración intrínseca
más débil?
b. Calcule ni para este semiconductora a 300 K
c. Calcular la σ intrínseca para este semiconductor a 300 K
 Movilidad a T= 300K
EG NC NV [átomos/cm3] Electrones Huecos
[eV] [átomos/cm3] 2 -1 -1
(cm V s ) (cm2V-1s-1)

AsGa 1.43 4.7 x1017 7 x 1018 3900 1900

Ge 0.66 1.04 x 1019 6 x1018 1500 475
Si 1.12 2.8 x 1019 1.04 x 1019 8500 400

17. El Germanio tiene las siguientes propiedades: masa atómica M = 72.6g, densidad ρ = 5.32
g cm-3; densidad efectiva de estados energéticos a 300 K, NC = 1.04x1019 átomos cm-3, NV
= 6x1018 átomos cm-3.
a. Determinar el número de átomos por cm3.
b. Calcular la concentración intrínseca a 300 K
c. ¿cuál es la fracción de átomos ionizados?

18. Un monocristal de germanio dopado con átomos de fósforo está tallado en forma de
lámina de espesor d = 10-4 m. Entre sus dos caras existe una diferencia de potencial de 4
V siendo la resistividad  = 0.1 m y la movilidad de = 0.3 m2/Vˑs a temperatura
ambiente.
Calcular:
a. Tiempo que emplea un electrón de conducción en atravesar la lámina.
b. Concentración de donadores ND.
c. Relación entre el número de átomos de germanio y de fósforo. Recuérdese que
la celda de germanio es cúbica, A = 5.66A y contiene 8 átomos
d.

4V

19. En la siguiente gráfica se muestran las curvas de conductividad a y b de un semiconductor,

en función de la temperatura y desde luego del número de portadores. Explique:
a. A qué tipo de conductividad corresponde cada una de las curvas
b. Los fenómenos que originan las zonas relevantes de las curvas (aumento,
disminución, marcado con números).