SOLUCIONARIO DEL CAPÍTULO # 1 DE BOYLESTAD

PROBLEMAS PROPUESTOS CAPITULO # 3

3.2 CONSTRUCCIÓN DE UN TRANSISTOR

1. ¿Qué nombres se aplican a los dos tipos de transistores BJT? Trace la construcción básica de
cada uno y marque los varios portadores minoritarios y mayoritarios en cada uno. Trace el
símbolo gráfico junto a cada uno. ¿Cambia cualquier parte de esta información al cambiar de
silicio a germanio?

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y
una de material tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material tipo n. El primero se llama
transistor npn y el segundo transistor pnp.

Figura 1: tipos de transistores[ CITATION ROB09 \l 12298 ]

2. ¿Cuál es la diferencia principal entre un dispositivo bipolar y uno unipolar?

Un transistor bipolar utiliza orificios y electrones en el proceso de inyección o flujo de carga, mientras
Los dispositivos unipolares utilizan electrones o agujeros, pero no ambos, en el proceso de flujo de
carga.

3.3 OPERACIÓN DEL TRANSISTOR

3. ¿Cómo se deben polarizar las dos uniones de transistor para la correcta operación de
amplificador del transistor?

Directa e inversamente sesgada.

4. ¿Cuál es la fuente de la corriente de fuga en un transistor?

La corriente de fuga ICO es la corriente de portadora minoritaria en el colector.

5. Trace una figura similar a la figura 3.3 de la unión polarizada en directa de un transistor npn.
Describa el movimiento resultante de los portadores.

Figura 2: Unión de polarización en directa[ CITATION ROB09 \l 12298 ]

En la figura 3.3 se dibujó el transistor pnp sin polarización entre la base y el emisor, podemos observar
semejanzas entre esta situación y la del diodo polarizado en directa. El ancho de la región de
empobrecimiento se redujo a causa de la polarización aplicada y el resultado fue un intenso flujo de
portadores mayoritarios del material tipo p al material tipo n.

6. Trace una figura similar a la figura 3.4 de la unión polarizada en inversa de un transistor npn.
Describa el movimiento resultante de los portadores.
 Figura 3: Unión de polarización en inversa[ CITATION ROB09 \l 12298 ]

Podemos darnos cuenta que eliminando la polarización de la base al emisor del transistor pnp
obtendremos la figura 3.4. Considerando el capítulo que es estudiando anteriormente en clases vemos
las semejanzas entre esta situación y la del diodo polarizado en inversa . Recuerde que el flujo de
portadores mayoritarios es cero, y el resultado es sólo un flujo de portadores minoritarios, como se
indica en la figura 3.4. En suma, por consiguiente: La unión p-n de un transistor se polariza en inversa
en tanto que la otra se polariza en directa.

7. Trace una figura similar a la figura 3.5 del flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de
un transistor npn. Describa el movimiento resultante de los portadores.

Figura 4: flujo de portadores mayoritarios y minoritarios [ CITATION ROB09 \l 12298 ]

En la figura 3.5 se aplicaron ambos potenciales de polarización a un transistor pnp, con los flujos de
portadores mayoritarios y minoritarios resultantes indicados. Observe en la figura 3.5 los anchos de las
regiones de empobrecimiento donde se ve con claridad cuál unión es polarizada en directa y cual lo
está polarizada en inversa. Como se indica en la figura 3.5, una gran cantidad de portadores
mayoritarios se difundirá a través de la unión p–n polarizada en directa hacia el material tipo n.

8. ¿Cuál de las corrientes del transistor siempre es la más grande? ¿Cuál es siempre la más
pequeña? ¿Cuál de las dos corrientes son de magnitud relativamente parecidas?

IE el más grande
 IB el más pequeño
IC ≅ IE

9. Si la corriente en el emisor de un transistor es de 8 mA e IB es de 1100 de IC, determine los

niveles de IC e IB.

1
I B= I I =100 I B
100 C C

I E =I C + I B =100 I B + I B=101 I B

I E 8 mA
I B= = =79,21 mA
101 101

I C =100 I B=100 ( 79,21 μA )=¿ 7.921 mA

10. De memoria, trace el símbolo de los transistores pnp y npn y luego inserte el flujo
convencional de cada corriente

R. La flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del emisor (flujo convencional) a
través del dispositivo.

11. Utilizando las características de la figura 3.7 determine VBE con IE = 5 mA y VCB = 1.10 y
20 V. ¿Es razonable suponer de una forma aproximada que V CB tiene sólo un efecto leve
en la relación entre VBE e IE?

IE = 5 mA, VCB = 1 V: VBE = 800 mV

VCB = 10 V: VBE = 770 mV

VCB = 20 V: VBE = 750 mV

El cambio de VCB es 20 V: 1 V = 20:1.

El cambio resultante en VBE es 800 mV :750 = 1.07:1(muy leve).

12. a. Determine la resistencia de cada promedio para las características de la figura 3.10b.

b. Para redes en las que la magnitud de los elementos resistivos es por lo general de
kilohms, ¿es válida la aproximación de la figura 3.10c [basada en los resultados de la parte
(a)]?

ΔV 0.9 V −0.7 V
a) rav¿ = =25 Ω
ΔI 8 mA−0
b) Si, ya que en 25Ω es a menudo insignificante en comparación con los otros niveles de la
resistencia de la red.
13. a. Con las características de la figura 3.8, determine la corriente en el colector si

IE = 4.5 mA y VCB = 4 V.

b. Repite la parte (a) con IE = 4.5 mA y VCB = 16 V.

c. ¿Cómo han afectado los cambios en VCB el nivel resultando de IC. ?

d. De una forma aproximada, ¿Cómo se relacionan I E e IC con base en los resultados

anteriores?

a) IC ≅ IE = 4.5 mA.
b) IC ≅ IE = 4.5 mA.
c) Insignificante: no se reconoce el cambio en este conjunto de características.
d) IC ≅ IE
14. a. Utilizando las características de la figura 3.7 y 3.8, determine IC si VCB = 10 V

y VBE = 800 mV.

b. Determine VBE si IC = 5 mA y VCB = 10 V.

c. Repita la parte (b) usando las características de la figura 3.10b.

d. Repita la parte (b) usando las características de la figura 3.10c.

 e. Compare las soluciones de V BE para las partes (b) y (d). ¿Se puede ignorar la diferencia
si por lo general se presentan niveles de voltaje de más de algunos volts?

Figura 5: grafica de niveles y características[ CITATION ROB09 \l 12298 ]

a) Usando Fig. 3.7 primero, IE ≅ 7 mA

Entonces Fig. 3.8 resultados en IC ≅ 7 mA.
b) Usando Fig. 3.7 primero, IE ≅ 5 mA
Entonces Fig. 3.8 resultados en VBE ≅ 0.78 V.
c) Utilizando Fig. 3.10 (b) IE = 5 mA resultados en VBE = 0,81 V.
d) Utilizando Fig. 3.10 (c) IE = 5 mA resultados en VBE = 0,7 V.
e) Si, la diferencia de niveles de VBE puede ser ignorada para la mayoría de las aplicaciones si hay
tensiones de varios voltios en la red.
15. a. Dada αcd de 0.998, determine IC si IE = 4 mA.

b. Determine αcd si IE = 28 mA e IB = 20 μA.

c. Encuentre IE si IB = 40 μA y αcd = 0.98.

a) IC = α IE = (0.988)(4 mA) = 3.992 mA

b) IE = IC + IB
IC = IE - IB = 2.8 mA – 0.02 mA = 2.78 mA.
Ic 2.78 mA
αdc¿ Ie = 2.8 mA
=0 . 993
 α 0.98
( ) (
c) IC = β IB = 1−α IB = 1−0.98 ¿ )
Ic 1.96 mA
IE = = =2 mA
α 0.993

16. De memoria, trace la configuración de un transistor BJT en base común (npn y pnp) e indique
la polaridad de la polarización aplicada y las direcciones de la corriente resultante.

Figura 6: notación y simbología de un transistor[ CITATION ROB09 \l 12298 ]

La flecha en el símbolo define la dirección de la corriente del emisor (flujo convencional) a través del
dispositivo.

3.5 ACCIÓN AMPLIFICADOR DEL TRANSISTOR

17. Calcule la ganancia de voltaje (A V = VL / Vi ) para la red de la figura 3.8 si V i = 500 mA y R =

1 kΩ. (Los demás valores del circuito no cambian.)
 Figura 7: características de un colector de una amplificación en base común [ CITATION ROB09 \l 12298 ]

Ii = Vi / Ri = 500 mV / 20 Ω = 25 mA

IL = Ii = 25 mA.

VL = IL RL = (25 mA)(1 kΩ) = 25 V

Vo 25V
AV ¿ = =50
Vi 0.5V

18. Calcule la ganancia de voltaje (A V = VL / Vi ) para la red de la figura 3.12 si la resistencia

interna de la fuente es de 100 Ω en serie con Vi.

Vi 200 mV 200 mV
Ii ¿ Ri + Rs = 20 Ω+ 100 Ω = 120 Ω =1.67 mA .

IL = Ii = 1.67 mA

VL = ILR = (1.67)(5 kΩ) = 8.35 V

Vo 8.35 v
AV ¿ = =41 .75
Vi 0.2 v

3.6 CONFIGURACIÓN EN EMISOR COMÚN

19. Defina ICBO e ICEO. ¿En qué son diferentes? ¿Cómo están relacionadas? ¿Son en general de
magnitud parecida?

ICBO es la corriente que va dirigida del colector a la base.

ICEO es la corriente que va dirigida del colector al emisor.

ICBO = ICEO

ICBO dada en mA y ICEO = mA

20. Utilizando las características de la figura 3.14:

Figura 8: Características de un transistor de silicio en la configuración en emisor común: (a) características; (b) características de base [ CITATION
ROB09 \l 12298 ]

750 mV
( 1000 mV | )
1 V =0.75V

a) Determine el valor de I C correspondiente a V BE =+750 mV y V CE =+5 V .

Fig.3.14 (a) I C ≅ 3.6 mA

Fig.3.14 (b) I B ≅ 35 μ A

b) Determine el valor de V CEy V BE correspondiente a I C =3 mA e I B=30 μA

Fig.3.14 (a) V CE ≅ 2.5V

Fig.3.14 (b) V BE ≅ 0.72V

21. a) Para las características en emisor común de la figura 3.14, determine la beta de cd en un
punto de operación de V CE =+8 V e I C =2 mA .
 Figura 9: características del transistor de silicio[ CITATION ROB09 \l 12298 ].

I C 2mA
β= = =117.65
I B 17 μA

c) Determine el valor de α correspondiente a este punto de operación.

β 117.65
α= = =0.992
β+ 1 117.65+1

d) En V CE =+8 V , determine el valor correspondiente de I CEO.

I CEO=0.3 mA

e) Calcule el valor aproximado de I CEO con el valor de beta de cd obtenido en la parte (a).

I CEO= (1−α ) I CEO

¿ ( 1−0.992 ) ( 0.3 mA )=2.4 μA

22. a) Utilizando las características de la figura 3.14a, determine I CEO en V CE =10 V .

 Figura 10: Características emisor común[ CITATION ROB09 \l 12298 ].

I CEO ≅ 0.3 mA

Determine β cd en I B=10 μA y V CE =10 V .

I C ≅1.35 mA

I C 1.35 mA
β cd = = =135
IB 10 μA

Utilizando la β cd determinada en la parte (b) calcule I CBO.

β 135 135
α= = = =0.9926
β+ 1 135+1 136

I CBO ≅(1−α ) I CEO

I CBO= (1−0.9926 ) ( 0.3 mA )=2.2 μA

23. a) Con base en las características de la figura 3.14a, determine β cd con I B=80 μA y V CE =5 V .

Figura 11: Grafica de características [ CITATION ROB09 \l 12298 ]

 I C =β I B

I C =( 83.75 ) ( 80 μA )=6.7 mA

I C 6.7 mA
β dc = = =83.75
I B 80 μA

b) Repita la parte (a) en I B=5 μA y V CE =15 V .

I C =β I B

I C =( 170 ) ( 5 μA )=0.85 mA

I C 0.85 mA
β dc = = =170
IB 5 μA

c) Repita la parte (a) en I B=30 μA y V CE =10 V .

I C =β I B

I C =( 113.33 )( 30 μA ) =3.4 mA

I C 3.4 mA
β dc = = =113.33
I B 30 μA

d) Revisando los resultados de las partes (a) a (c), ¿cambia el valor de β cd de punto a punto
sobre la curva de las características? ¿Dónde se encontraron los valores más altos? ¿Puede
llegar a alguna conclusión general sobre el valor de β cd con las características de la figura
3.14a?
β dc Si cambia de punto a punto en las características.

Valor Bajo I B, valor alto V CE → Betas superiores

24. a) Utilizando las características de la figura 3.14a, determine β ca en I B=80 μA yV CE =5 V .

 Figura 12: Grafica de características [ CITATION ROB09 \l 12298 ]

∆IC 7.3 mA −6 mA 1.3 mA

β ac = |
∆ IB
V CE=5 V = =
90 μA−70 μA 20 μA
=65

b) Repita la parte (a) en I B=5 μA y V CE =15 V .

∆IC 1.4 mA−0.3 mA 1.1 mA

β ac = |
∆ IB
V CE=15 V =
10 μA−0 μA
=
10 μA
=110

c) Repita la parte (a) en I B=30 μA yV CE =10 V .

∆IC 4.25 mA−2.35 mA 1.9 mA

β ac = |
∆ IB
V CE=10 V =
40 μA−20 μA
=
20 μA
=95

d) Revisando los resultados de las partes (a) a (c), ¿cambia el valor de β ca de un punto a otro
sobre la curva de las características? ¿Dónde se localizan los valores más altos? ¿Puede llegar a
alguna conclusión general sobre el valor de β ca sobre un conjunto de las características del
colector?
β ca cambia de punto a punto en las características.
El valor más alto se da obtenido en un nivel más alto de V CE y menor nivel de I C.
La separación entre curvas I B es el mejor en esta región
e) Los puntos seleccionados en este ejercicio son los mismos que se emplearon en el problema
23. Si éste se efectuó, compare los niveles de β cd y β ca en cada punto y comente sobre la
tendencia de la magnitud para cada cantidad.
V CE IB β cd β ca IC β cd
β ca
5V 80 μA 83.75 65 6.7 mA 1.29
 10 V 30 μA 113.33 95 3.4 mA 1.19
15 V 5 μA 170 110 0.85 mA 1.55

Cuando I C disminuyó, el nivel de β cd y β ca aumentó. Tenga en cuenta que el nivel de β cd y β ca en el

centro de la región activa está cerca del valor promedio de los niveles obtenidos. En cada caso β cd es
más grande que β ca, con la menor diferencia ocurriendo en el centro del región activa.

25. Utilizando las características de la figura 3.14a, determine β cd en I B=25 μA y V CE =10 V .

β cd
Luego calcule α cd y el nivel resultante de I E . (Use el nivel de I C determinado por I C =
IB

Figura 13: Grafica de características de un transistor [ CITATION ROB09 \l 12298 ]

I C =β I B

I C =( 116 )( 25 μA )=2.9 mA

I C 2.9 mA
β cd = = =116
I B 25 μA

β 116
α= = =0.991
β+ 1 116 +1
I C 2.9 mA
I E= = =2.93
α 0.991

26. a) Dado que α cd =0.987 , determine el valor correspondiente de β cd .

 α 0.987 0.987
β cd = = = =75.92
α −1 0.987−1 0.013

b) Dada β cd =120, determine el valor correspondiente de α.

β 120 120
α= = = =0.992
β+ 1 120+1 121

c) Dado que β cd =180e I c =2.0 mA , determine I E e I B.

I C 2.0 mA
I B= = =11.11 μA
β 180
I E =I c + I B =2.0 mA +11.11 μA=2.011 mA

27. De memoria, trace la configuración en emisor común (npn o pnp)e inserte la modalidad de
polarización correcta con las direcciones resultantes de I B , I C e I E .

Figura 14:
Configuración en emisor común(NPN-PNP)[ CITATION ROB09 \l 12298 ].

Figura 15: Símbolos de la configuración en emisor común (NPN, PNP)

3.7 CONFIGURACIÓN EN COLECTOR COMÚN

28. Se aplica un voltaje de entrada de 2 V rms (medido de la base a tierra) al circuito de la figura
3.21. Suponiendo que el voltaje del emisor sigue al voltaje de la base con exactitud y que
V
V be (rms)=0.1 V , calcule la amplificación de voltaje del circuito ( A v = 0 ) y la corriente del emisor
Vi
para ℜ=1 kΩ .

Figura 16: Configuración en colector común

V e =V i−V be=2 V −0.1V =1.9V

V 0 1.9 V
A v= = =0.95 ≅ 1
Vi 2V

V E 1.9V
I e= = =1.9 mA ( rms )
RE 1 kΩ

29. Para un transistor cuyas características son las de la figura 3.14, trace las características de
entrada y salida de la configuración en colector común.
Características de salida:

Figura 17: Características de entrada y salida[ CITATION Rob09 \l 12298 ].

Las curvas son esencialmente lo mismo con nuevas escalas como se muestra.
Las características de entrada del emisor común pueden usarse directamente para el colector común.
30.- Determine la región de operación para un transistor cuyas características son las de la figura
3.14 si I Cmax =7 mA , V CEmax =17V y PCmax =40 mW .
 Figura 18: Características de entrada[ CITATION ROB09 \l 12298 ]

PCmax =30 mW =V CE I C

PCmax 30 mW
I C =PCmax ,V CE = = =4.29 V
I Cmax 7 mA

PCmax 30 mW
V CE =V CEmax , I C = = =1.5 mA
V Cmax 20V

PCmax 30 mW
V CE =10 V , I C = = =3 mA
V CE 10 V

PCmax 30 mW
I C =4 mA ,V CE= = =7.5 V
I Cmax 4 mA

PCmax 30 mW
V CE =15 V , I C = = =2 mA
V CE 15 V
 Figura 19: la corriente de colector con respecto al voltaje colector emisor [ CITATION Rob09 \l 12298 ]

31.- Determine la región de operación para un transistor cuyas características son las de la figura
3.8 si I Cmax =6 mA , V CEmax =15V y PCmax =30 mW .

Figura 20: grafica de características de la corriente[ CITATION ROB09 \l 12298 ].

PCmax 30 mW
I C =PCmax ,V CE = = =5 V
I Cmax 6 mA

PCmax 30 mW
V CB =V CBmax , I C = = =2 mA
I Cmax 15 mA

PCmax 30 mW
I C =4 mA ,V CB= = =7.5 V
IC 4 mA

PCmax 30 mW
V CB =10 V , I C = = =3 mA
V CB 10 mA
 Figura 21: relación de la corriente y el voltaje [ CITATION Rob09 \l 12298 ].

32.- Recurriendo a la figura 3.23, determine el intervalo de temperatura para el dispositivo en

grados Fahrenheit.

Figura 22: tabla de voltajes de la fig. 3.23[ CITATION ROB09 \l 12298 ]

9
℉= ℃+ 32°
5

9
℉= (−55 ℃ )+32 °=−67 ℉
5

9
℉= (−150℃ )+32 °=−302 ℉
5

−67 ℉ ≤T J ≤−302 ℉

33.- Utilizando la información dada en la figura 3.23 con respecto a PCmax ,V CEmax , I Cmax , I Cmax trace
los límites de operación para el dispositivo.
 Figura 23: tabla de voltajes de la fig. 3.23[ CITATION ROB09 \l 12298 ]

I Cmax =200 mA ,V CE =30 V , PDmax =6.25 mW

P Dmax 625 mW
I C =I Cmax , V CE = = =3.125V
I Cmax 200 mA

P Dmax 625 mW
V CE =V CEmax , I C = = =20.83 mA
V CEmax 30 V

P Dmax 625 mW
I C =100 mA , V CE = = =6.25V
IC 100 mA

P Dmax 625mW
V CE =20 V , I C = = =3.125 mA
V CE 20 V
 Figura 24: Depresión de la corriente de colector al elevarse el voltaje colector emisor [ CITATION Rob09 \l 12298 ].

34. Con base en los datos de la figura 3.23, ¿cuál es el valor esperado de I CEO utilizando el valor
promedio de β cd ?

I CBO=50 nA máx

β min + β máx
β avg=
2
50+150
β avg=
2
200
β avg=
2
β avg=100

I CEO=β∗I CBO

I CEO=(100)(50 nA)

I CEO=5 uA

35. ¿Cómo se compara el intervalo de h FE(fig. 3.23j, normalizado a partir de h FE=100 ) con el
intervalo de h fe (fig. 3.23f) en el rango de I C de 0.1 a 10 mA?
 Figura 25: Graficas de la ganancia de corriente[ CITATION ROB09 \l 12298 ].

h FE ( β dc ),V CE =1 V , T=25° C

I C =0.1 mA , hFE ≅ 0.43∗100=43

I C =10 mA , hFE ≅ 0.98∗100=98

h FE ( β ac ) ,V CE =10 V , T =25 ° C

I C =0.1 mA , hFE ≅ 72
I C =1 omA , hFE ≅ 160

Los valores de h FE y h fe obtendrán el mismo aumento de corriente de colector; el nivel de h fe son mucho
más altos que de h FE pero teniendo en cuenta que sea alto V CE.

36. Utilizando las características de la figura 3.23b, determine si la capacitancia de entrada en la

configuración en base común se incrementa o reduce con los niveles crecientes del potencial de
polarización en inversa. ¿Puede explicar por qué?

Figura 26: grafica de la capacitancia[ CITATION ROB09 \l 12298 ].

Si la magnitud de potencial de la polarización inversa del transistor aumenta, la capacitancia de entrada

disminuye. El aumento de potencial de polarización inversa hace que aumente el ancho de la región de
empobrecimiento, por lo tanto va a reducir la capacitancia.
A
C=∈
d

37. Con las características de la figura 3.23f, determine cuánto ha cambiado el nivel de h fe desde
su valor a 1 mA hasta su valor a 10 mA. Observe que la escala vertical es logarítmica y que puede
requerir referencia a la sección 11.2. ¿Es un cambio que se debiera considerar en una situación
de diseño?
 Figura 27: grafica de la ganancia de corriente [ CITATION ROB09 \l 12298 ].

a)
At I C =1 mA , hfe ≅120

At I C =10 mA , h fe ≅ 160

b)
Se puede decir que cuando beta tiende a aumentar cuando aumenta la corriente del colector.

38. Utilizando las características de la figura 3.23j, determine el nivel de β cd con I C =10 mA a los
tres niveles de temperatura que aparecen en la figura. ¿Es significativo el cambio con el intervalo
de temperatura especificado? ¿Es un elemento de preocupación en el proceso de diseño?

Figura 28: grafica de la ganancia de corriente [ CITATION ROB09 \l 12298 ].

IC
β cd =
IB

100mA
β cd =
125° C
β cd =0.8 mA
 100mA
β cd =
25° C
β cd =4 mA

100 mA
β cd =
−55° C
β cd =−1.8 mA

En parte si es significativo el cambio de temperatura por lo general es muy significativo si I C aumenta

ese va reducirse a la mitad.
Si es importante el diseño por lo general los transistores trabajan a un nivel de 25°C de temperatura.
39. Determinar:

a) Tomando como base las características de la figura 3.24, determine β caen I C =14 mA y V CE 3 V .

Figura 29: Grafica de características de la figura 3.24[ CITATION ROB09 \l 12298 ].

∆ IC 16 mA −12.2mA 3.8 mA
β ac = ( |
∆IB
V CE=3V = )80 uA−60uA
=
20 uA
=190

b) Determine β cd en I C =1 mA y V CE =8 V .
I C 12mA
β dc = = =201.7
I B 59.5 uA

c) Determine β caen I C =14 mA y V CE =3 V .

4 mA −2 mA
β ac = =−200
18 uA−8 uA

d) Determine β cd en I C =1 mA y V CE =8 V .
 I C 3 mA
β dc = = =230.77
I B 13 uA

e) ¿Cómo se comparan el nivel de β ca y el de β cd en cada región?

En ambos casos, β dc es ligeramente mayor que β ac ≅ 10 %

f) ¿Es válida la aproximación β cd =β ca para este conjunto de características?

Los valores de β dc y β ac aumentan con el aumento de I C para V CE y ambos disminuyen para niveles
decrecientes de V CE para I E un fijo. En conclusión, el aumento esperado debido a un aumento en la
corriente de colector puede compensarse con una disminución de V CE.
BIBLIOGRAFÍA

[1] R. L. NASHELSKY, Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, Mexico : Pearson, 2009.

[2] R. L. B. -. L. Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, Louis Nashelsky: Pearson, 2009.