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VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

FORMATO DE GUÍA DE PRÁCTICA DE LABORATORIO / TALLERES /


CENTROS DE SIMULACIÓN – PARA DOCENTES

CARRERA: Ingeniería Eléctrica ASIGNATURA: Electrónica


NRO. PRÁCTICA: 5 TÍTULO PRÁCTICA: TRANSISTOR BJT
OBJETIVO (Colocar el o los objetivos que se alcanzarán al desarrollar la práctica):
1. Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento de los siguientes circuitos de utilizando el transistor BJT en
conmutación:
a. Realizar un dimmer para un diodo led de alta luminosidad en base a la cantidad de luz en el ambiente.

1. Diseñar, simular e implementar el circuito.


2. Medir las corrientes en los elementos del circuito, así como las tensiones.
INSTRUCCIONES (Detallar las
instrucciones que se dará al 3. Realizar una tabla comparativa entre los valores medidos, calculados y simulados,
estudiante): comentar los resultados.
N.

ACTIVIDADES POR DESARROLLAR


(Anotar las actividades que deberá seguir el estudiante para el cumplimiento de la práctica)
1.
2.
3.
N.

RESULTADO(S) OBTENIDO(S):
Escribir los resultados obtenidos con la realización de la práctica.
Rúbrica:
El docente de laboratorio aprobará la práctica mediante una firma una vez que se haya comprobado que el estudiante ha
cumplido con los objetivos planteados en la práctica.
La práctica se califica sobre 10 puntos evaluados de la siguiente manera:

Actividad Puntaje
Consecución de objetivos 5
Presentación y redacción de 2
informe
Cálculos 1
Simulaciones 1
Redacción de conclusiones 1
Total 10
CONCLUSIONES:
Las conclusiones deben hacer alusión a los conocimientos adquiridos, así como también recalcar los puntos importantes de la
experimentación realizada.

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20
VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

RECOMENDACIONES:

Docente / Técnico Docente: _____________________________

Firma: _______________________________

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20
VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

FORMATO DE INFORME DE PRÁCTICA DE LABORATORIO /


TALLERES / CENTROS DE SIMULACIÓN – PARA ESTUDIANTES

CARRERA: Electricidad ASIGNATURA: Electrónica


NRO. PRÁCTICA: 5 TÍTULO PRÁCTICA: TRANSISTOR BJT
OBJETIVO ALCANZADO:
1. Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento de los siguientes circuitos de utilizando el transistor BJT en
conmutación:
2. Realizar un dimmer para un diodo led de alta luminosidad en base a la cantidad de luz en el ambiente.

ACTIVIDADES DESARROLLADAS
1. Diseñar, simular e implementar el circuito.
2. Medir las corrientes en los elementos del circuito, así como las tensiones.
3. Realizar una tabla comparativa entre los valores medidos, calculados y simulados, comentar los resultados.
RESULTADO(S) OBTENIDO(S):

Figura 1. Circuito transitorio, realizado en Multisim.

R A ≥ 1 k ΩR A + R B ≤ 6.6 MΩC ≥ 500 μF

R B → LDR=15 k Ω

1.44 1.44 1.44


f= C= C= C=9.1428 ≅ 10 nF
( R A +2 R B ) C ( R A +2 RB ) f ( 1.5 k Ω+2 (15 k Ω )) 5 kHz
Resolución CS N° 076-04-2016-04-20
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t 0=ln ( 2 ) RB Ct 0=( 0.693 ) ( 1.5 k Ω ) (10 nF )t 0=10.395 μs

t 1=ln ( 2 ) ( R A + R B ) Ct 1=( 0.693 ) ( 15 k Ω+1.5 k Ω )( 10 nF )t 1=114.345 μs


Transistor
V CC V 5V
IC = → RC = CC = =250 Ω
sat
RC IC 20 mA
sat

I B=G I C I B= ( 2 )( 20 mA ) I B=40 mA
sat

V CC−V BE 5V −0.7 V
R B= = =110 Ω
IB 40 mA

GRÁFICOS:

Figura 2. Onda de salida, se puede notar como la onda senoidal se va agrandando y reduciendo

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20
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Figura 3. Onda cuando el LDR está en su máximo (sin luz)

Figura 4. Onda cuando el LDR está en su mínimo (con luz)

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Figura 5-6. Onda sacada en el osciloscopio se puede notar el cambio que va sufriendo y como se altera la frecuencia.
CONCLUSIONES:
El BJT tiene tres zonas y puede trabajar como conmutador o como switch, en este caso observamos las zonas de activa y de
saturación, sin poder llegar a la zona de corte debido a la poca cantidad de voltaje que ingresaba a la base del transistor razón
por la que se produce su activación.
Con nuestra LDR podremos regular la intensidad de la corriente que entra en la base del transistor y de esa manera influir en
el resultado de salida.
RECOMENDACIONES:

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20

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