De 2020 A 02jun2020

Generalidades Versión 02.06.
2020
Dispositivos Electrónicos (IEER434)* – Generalidades

Docente
Dr.-Ing. Hernán Barba Molina
hernan.barba@epn.edu.ec
Paralelo GR3:
→ Martes 09:00 – 11:00
→ Jueves 07:00 – 09:00
Asignatura Pre-Requisito
Fundamentos de Circuitos Eléctricos (IEER344)
Diseño de diapositivas:
Dr.-Ing. Hernán Barba Molina
*El presente material es una ayuda para las clases

magistrales de la asignatura.
No es material bibliográfico indexado y por lo tanto no
puede ser utilizado como referencia bibliográfica.
Dispositivos Electrónicos (IEER344) 2020-A Dr.-Ing. Hernán Barba Molina < 0.1 >
Generalidades Versión 02.06.2020
Dispositivos Electrónicos (IEER434) – Generalidades

Canales Virtuales
Zoom
Microsoft Teams
Topic: Dispositivos Electrónicos - GR3
Dispositivos Electrónicos (IEER434) – GR1
https://cedia.zoom.us/j/98908472775
Meeting ID: 989 0847 2775

Password: DE-GR3

Evaluación
→ Primera calificación:
- Pruebas cortas/Deberes/Talleres (Máximo 1 punto extra)*
- Prueba 1 (25%) → Domingo, 21 de junio 2020 (09:00 – 11:00)
- Prueba 2 (35%) → Domingo, 05 de julio 2020 (09:00 – 11:00)
- Examen 1** (40%) → Domingo, 19 de julio 2020 (09:00 – 11:00)
→ Segunda calificación
- Pruebas sorpresa/Deberes/Talleres (Máximo 1 punto extra)*
- Prueba 3 (25%) → Domingo, 16 de agosto 2020 (09:00 – 11:00)
- Prueba 4 (35%) → Domingo, 06 de septiembre 2020 (09:00 – 11:00)
- Examen 2*** (40%) → Domingo, 20 de septiembre 2020 (09:00 – 11:00)
* Las evaluaciones sorpresas NO SON RECUPERABLES. Los deberes se considerarán

solamente los enviados en el plazo indicado. Parte de los deberes, consultas o pruebas
sorpresa podrán ser considerados en las pruebas y exámenes, se recomienda su realización).
** Acumulativo (primer bimestre)
*** Acumulativo (todo el semestre)

Pruebas atrasadas
→ Primer bimestre
- Viernes, 10 de julio 2020 (18:00 – 20:00)
- Viernes, 24 de julio 2020 (18:00 – 20:00)
→ Segundo bimestre
- Viernes, 11 de septiembre 2020 (18:00 – 20:00)
- Martes, 22 de septiembre 2020 (18:00 – 20:00)
Para rendir una evaluación atrasada, si el estudiante presenta su justificación avalada por el
Departamento de Bienestar Politécnico, se procederá según lo indicado en el Reglamento de
Régimen Académico vigente. En caso de no tener una justificación avalada, se aplicarán las
sanciones aprobadas por Consejo de Facultad, en sesión del 11 de abril de 2019, en donde se
establece que: “… para las evaluaciones atrasadas no justificadas o presentadas fuera del plazo
establecido en el Art. 74 del Reglamento de Régimen Académico de la EPN, se aplique los
siguientes criterios: 1ra. vez, 30%; 2da. vez, 40%; 3ra.vez, 60%.”
Además, debe recalcarse que el contenido a evaluarse en las pruebas atrasadas será
ACUMULATIVO y hasta donde el profesor de la asignatura lo indique.

Software de simulación
LTspice
https://www.analog.com/en/design-center/design-tools-and-calculators/ltspice-simulator.html
TinkerCADTM
https://www.tinkercad.com/
Resultados de aprendizaje de la asignatura
De conocimientos:
→ Analizar el funcionamiento de los dispositivos mencionados a continuación: Diodos,
Transistores, FET, MOSFET, transistores de potencia, elementos de cuatro capas.
→ Describir el funcionamiento de los diferentes tipos de amplificadores mediante transistores de
juntura bipolar y transistores efecto de campo.
→ Explicar el funcionamiento de las fuentes reguladas de voltaje.
→ Describir los dispositivos de cuatro capas.

Resultados de aprendizaje de la asignatura
De destrezas:
→ Utilizar diodos para aplicaciones de rectificación.
→ Diseñar amplificadores monoetapa y multietapa de pequeña señal.
→ Implementar amplificadores de potencia clase AB y C.
→ Desarrollar criterios de diseño para fuentes reguladas.
→ Utilizar elementos de cuatro capas.
De valores y actitudes:
→ Tener un pensamiento critico con responsabilidad de los elementos analógicos
estudiados como base para aplicaciones más complejas de electrónica.

Bibliografía
Floyd, T.L., “Dispositivos Electrónicos”, Prentice Hall, 8va. Edición.
Boylestad, R.L., “Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos”, Prentice Hall, 10ma.
Edición.
Neamen, D., “Microelectronics Circuit Analysis and Design”, McGraw-Hill, 2009.
Contenido Versión 02.06.2020
Dispositivos Electrónicos (IEER434) – Contenido

1. Diodos
2. Transistores
3. Amplificadores de potencia de baja frecuencia
4. Fuentes reguladas de voltaje
5. Elementos de cuatro capas

1. Diodos
2. Transistores
3. Amplificadores de potencia de baja frecuencia
4. Fuentes reguladas de voltaje
5. Elementos de cuatro capas

1. Diodos
1.1. Estudio de los elementos semiconductores

1.2. Construcción y principios de funcionamiento del diodo semiconductor
1.3. Características y parámetros. Circuito equivalente
1.4. Aplicaciones, rectificadores y filtros pasivos
1.5. Diodos para aplicaciones generales: Zener, diodos rápidos, aplicaciones
1. Diodos Versión 02.06.2020
Teoría atómica de la conducción – Introducción

“El átomo posee una misma
- Toda materia está constituida por átomos cantidad de cargas negativas
y cargas positivas”
protones, neutrones y
electrones
- Modelos atómicos
→ Demócrito Ernest Rutherford
Modelo formulado desde la (1871-1937)
→ Dalton
→ Thomson mecánica clásica: “El átomo está
→ Rutherford compuesto por un núcleo en
→ Bohr donde se encuentran las cargas
→ Lewis positivas y electrones en sus
alrededores”
[Wikipedia]
→ Sommerfeld
→ Heisenberg
Niels Bohr
→ Schrödinger (1885-1962) Modelo cuántico no relativista:
→ Chawick
electrones → ondas de materia
Erwin Schrödinger
(1887-1961)
Teoría atómica de la conducción – Modelo atómico de Rutherford

- El átomo consta de dos partes: núcleo y
orbitales
→ Núcleo: Contiene casi toda la masa del

átomo (protones y neutrones)
→ Orbitales: Electrones girando alrededor
del núcleo
- Átomo eléctricamente estable (carga neta = 0)
[Wikipedia]
Modelo atómico según Rutherford para el nitrógeno
Teoría atómica de la conducción – Modelo atómico de Bohr

- El átomo consta de un núcleo central rodeado por
electrones que describen órbitas.
- Tres postulados:
→ No todas las órbitas se encuentran disponibles
para los electrones, únicamente algunas
determinadas. En estas órbitas el electrón no
produce radiación electromagnética si no que
conserva su energía (estado estacionario del
átomo).
→ Un electrón puede saltar de un estado
estacionario a otro. En el salto, se emite
radiación electromagnética.
Niveles de energía
[Floyd]
→ La energía de la radiación absorbida o producida
es similar a la energía de circulación del electrón.
Modelo atómico según Rutherford para el nitrógeno
Teoría atómica de la conducción – Estructura electrónica de los elementos

Principio de exclusión de Pauli
Dos electrones no pueden ocupar o tener el mismo nivel de energía si están en el
[Wikipedia]
mismo átomo o, aunque pertenezcan a otros diferentes.
- Energía en el electrón es discreta o cuantizada
- Átomo en estado normal (o no excitado) tiene todos sus electrones ocupando los
Wolfgang Ernst Pauli
diferentes niveles energéticos permitido (1900-1958)
- Schrödinger desarrolló una ecuación de onda para describir el electrón bajo un potencial de campo →
solución: función de onda que determina la probabilidad de que en cada punto del espacio se
encuentre un electrón con un valor de energía determinado. [Millman-Halkias]
→ Número cuánticos n, l, ml, ms
- Pauli (más formal): “… en un sistema electrónico dos electrones no pueden tener los cuatro números
cuánticos iguales…” [Millman-Halkias]
Teoría atómica de la conducción – Capas electrónicas (1/2)

M …
L Número de
− − Capa 𝒏 𝒍 Subcapa 𝒎𝐥
K electrones
− −
K 1 0 s 0 2 2
− − − 0 s 0 2
L 2 8
1 p 0, ±1 6
− −
𝑝+ 0 s 0 2
𝑛± M 3 1 p 0, ±1 6 18
− −
2 d 0, ±1, ±2 10
− − − 0 s 0 2
− − 1 p 0, ±1 6
s N 4 32
− − 2 d 0, ±1, ±2 10
s,p
s,p,d … 3 f 0, ±1, ±2, ±3 14
[Millman-Halkias]
Teoría atómica de la conducción – Capas electrónicas (2/2)

- Electrones en capas interiores → fuertemente unidos al átomo, no puedes moverse fácilmente
→ Energía muy pequeña
- Átomos con capas completas → Configuraciones muy estables

→ v.g. gases inertes (He, Ne, A, Kr, Xe)
- Configuraciones electrónicas del Grupo IV A

Número
Elemento Configuración
atómico
C 6 1s22s22p2
Si 14 1s22s22p43s23p2
Ge 32 1s22s22p63s23p63d104s24p2
Sn 50 1s22s22p63s23p63d104s24p64d105s25p2
→ Subcapas completas excepto la p (2 electrones de los 6 posibles)

→ C: aislante; Si, Ge: semiconductores; Sn: metal
[Millman-Halkias]
Teoría atómica de la conducción – Materiales (1/3)

- Electrones de valencia son los más alejados del núcleo → Determinan las propiedades físicas y
químicas de los elementos
Materiales conductores
- Electrones de valencia muy próximos a átomos vecinos, compartidos por todos los centros iónicos
→ Electrones libres
- Mayoría de metales con buenos conductores (Cu, Ag, Au, Al → un electrón de valencia)
- Diferencia de potencial → Corriente eléctrica
- Si no hay presencia de campo eléctrico, los electrones de valencia se mueven en forma errática (en
todas las direcciones)
→ Movimiento dependiente de la temperatura
- δe− ≈ 1023 cm−3 (𝑁A = 6,02 × 1023 moléculas/mol)

[Novillo, Floyd]

Materiales aislantes
- Electrones de valencia fuertemente ligados a sus átomos originales
- Conductores pobres dentro de un amplio rango de temperatura
- En presencia de un campo eléctrico se mueven pocos electrones a través del material
- Buenos aislantes → materiales compuestos (hule, plástico, vidrio, mica, cuarzo)
- δe− ≈ 107 cm−3
[Novillo, Floyd]

Materiales semiconductores
- Materiales entre conductores y aislantes (referente a capacidad de conducción eléctrica)

→ Estado puro (intrínseco) no es ni buen conductor ni buen aislante
Altas temperaturas →
Buen conductor
- Electrones de valencia no están tan ligados ni tan separados del núcleo
Temperatura ambiente →
- La unión de los electrones de valencia es dependiente de la temperatura ni buen conductor ni
buen aislante
- Semiconductores de un solo elemento: Si, Ge, C (4 electrones de valencia)
Bajas temperaturas →
- Semiconductores compuestos: GaAs, InP, CdS, GaN, GaAsP Buen aislante
Video recomendado:
https://www.youtube.com/watch?v=0NBTvJF6ghQ
[Novillo, Floyd, Boylestad]
Teoría de las bandas de energía de los cristales – Cristales (1/2)

- Configuraciones geométricas tridimensionales, regulares y periódicas
[Ingeniería de materiales – Ing. Alejandra Garza Vázquez -

→ Monocristal: Forma geométrica básica se → Policristal: Material en forma de
repita de manera idéntica en las 3 aglomeraciones de pequeños cristales
dimensiones en toda la masa del cuerpo
https://slideplayer.es/slide/5491943/]
[Wikipedia]
[Novillo]
Teoría de las bandas de energía de los cristales – Cristales (2/2)

Atomium, Bruselas – Bélgica
[Wikipedia]
Cristal de hierro ampliado 165 mil
millones de veces
102 metros de altura
Teoría de las bandas de energía de los cristales – Modelo de niveles (1/2)

- Energía en el electrón → potencial (con 𝐸
respecto al núcleo) y cinética
- Cada órbita está asociada con cierta cantidad

de energía (potencial + cinética)
Primer nivel de energía
𝐸1 < 𝐸2
Nivel de valencia
Primer nivel de excitación
cuanto de energía (𝐸2 − 𝐸1 ) 𝑟
𝐸1 < 𝐸2 < 𝐸3
Órbita de valencia
cuanto de
cuanto de energía (𝐸3 − 𝐸1 ) 14+ Primera órbita de excitación
mucha
energía
electrón Electrón de valencia
𝐸1 < 𝐸i libre
Átomo de silicio [Novillo]
Teoría de las bandas de energía de los cristales – Modelo de niveles (2/2)

- Cuando un electrón se desprende del átomo, éste se ioniza
→ Energía de ionización
→ Entre el nivel de valencia y el de ionización existen niveles adicionales permitidos que
normalmente no está ocupados por electrones
Molécula diatómica
Primer nivel de energía - Niveles de cada átomo muy próximos
- Depresión de la curva de energía entre los
dos núcleos → proceso de acoplamiento
- Cada electrón es atraído por su núcleo y por
Nivel de valencia el núcleo del átomo vecino → El efecto del
segundo átomo es el de reducir la energía
Primer nivel necesaria para desplazar el electrón entre los
de excitación dos núcleos
- Niveles compartidos permiten circulación de
electrones en la molécula → enlaces
Nivel de ionización
[Novillo]
Teoría de las bandas de energía de los cristales – Bandas de energía

- Reunión de más átomos → Desdoblamiento de niveles de energía → Bandas de energía permitidas
Primera banda de
energía
Banda de valencia
Primera
banda de
excitación
Bandas prohibidas Banda de ionización

- Brecha de energía (𝐸g energy gap)
→ Energía necesaria para romper el enlace de valencia y producir un electrón libre
→ Característica de cada material, dependiente de la temperatura (𝑇 temperatura absoluta)
𝐸g,Si = 1,21 − 3,6 × 10−4 𝑇 eV
𝐸g,Ge = 0,785 − 2,23 × 10−4 𝑇 eV [Novillo, Millman-Halkias]
Estructura de los materiales según la teoría de bandas
[Boylestad]
Movilidad y conductividad (1/2)

𝐼
𝐽=
𝐴
𝐴 𝐽
𝐽: Densidad de corriente de conducción
𝐼: Corriente (A)
𝐴: Área (m2) 𝐿
𝑞 𝑁𝑒
𝐼= = 𝑁𝑒𝑣m
𝑡 𝑡 𝐽=
𝐴𝐿
𝑁: Cantidad de electrones libres
𝑒: Carga de un electrón (1,6 × 10−19 C) 𝐽 = 𝑛𝑒𝑣m
𝑡: Tiempo
𝑛: Concentración de electrones
𝑁𝑒 𝐿 𝐿
⇒𝐽= ∴ 𝑣m = ⇒ 𝑡 =
𝐴𝑡 𝑡 𝑣m
[Millman-Halkias]
Movilidad y conductividad (2/2)
- ∄𝐸 → 𝐼total = 0
⇒ 𝐽 = 𝑛𝑒μ𝐸 = σ𝐸
- ∃𝐸 → 𝐹
σ: Conductividad
𝑞𝐸 𝑣m
𝐹 = 𝑞𝐸 ⇒ 𝑎 = ∴ 𝑣m = 𝑎𝑡; 𝑎 = 𝑛Si = 1,48 × 1010 cm−3
𝑚 𝑡 Temperatura ambiente
(25ºC ≈ 300K)
𝑣m 𝑒𝐸 𝑛Ge = 2,37 × 1013 cm−3
⇒ =
𝑡 𝑚
- En el silicio la concentración de electrones es
𝑒𝑡𝐸 tres órdenes de magnitud menor que en el
𝑣m = = μ𝐸
𝑚 germanio.
- A temperatura ambiente, en el silicio hay un (1)
μ: Movilidad de los electrones electrón libre por cada 1010 átomos y en el
germanio, un (1) electrón libre por cada 1013
átomos.
[Millman-Halkias]
Corriente en semiconductores (1/3)
- Cristal de silicio puro a 𝑇 = 0 K → no existe energía calorífica para excitar sus electrones de valencia
- Cristal de silicio a temperatura ambiente → energía térmica suficiente para que algunos electrones
salten de la banda de valencia a la de conducción
→ Generación par electrón-hueco
[Floyd]
- En un semiconductor, en presencia de una fuente de voltaje:
→ Electrones hacia el terminal positivo (𝐼𝑛 : corriente de electrón)
→ Huecos hacia el terminal negativo (𝐼𝑝 : corriente de hueco)
[Floyd]
𝐼𝑡 = 𝐼𝑛 + 𝐼𝑝
[https://www.circuitbread.com/tutorials/band-gap-and-
semiconductor-current-carriers]
V
Semiconductores
- Conductores buenos → 1 electrón de valencia

- Aislantes buenos → 8 electrones de valencia
- Semiconductores → 4 electrones de valencia
El carbono también tiene 4, ¿por qué es aislante?
→ IV Grupo de la tabla periódica

→ Dos tipos: Intrínsecos y Extrínsecos (Dopados)
[Boylestad]
Semiconductores – Intrínsecos (1/2)
- Materiales (lo más) puros (posibles) → Cantidad de impurezas muy pequeña

- Estructuras cristalinas a 𝑇 = 0 K:
[Boylestad]
Semiconductores – Intrínsecos (2/2)
- Causas externas pueden romper los enlaces covalentes y producir pares electrón-hueco
→ Energía luminosa en forma fotones
→ Energía térmica
- En un semiconductor puro:
𝑛i = 𝑛 = 𝑝
𝑛: Concentración de electrones libres

𝑝: Concentración de huecos
𝑛i : Concentración intrínseca de portadores
3 𝐸g,0
𝑛i = A0 𝑇 2 e−2k𝑇
k: Constante de Boltzman (8,62 × 10−5 eV/K)

𝐸g,0 : Energía de brecha a 𝑇 = 0 K
A0 : Constante independiente de la temperatura
[Millaman-Halkias]
Semiconductores – Extrínsecos o dopados (1/3)
- Se los consigue agregando al material idealmente puro cantidades controladas (en el orden de
algunas partes por millón) de ciertas impurezas → dopado
- Los átomos de impureza reemplazan a los átomos de silicio o germanio en la estructura cristalina.
- Dos tipos de materiales: tipo n y tipo p
inmensurable importancia en la electrónica

Semiconductores tipo n Semiconductores tipo p
- Material dopado con impurezas pentavalentes - Material dopado con impurezas trivalentes
→ Las impurezas con cinco electrones de → Las impurezas con tres electrones de
valencia se conocen como donadores valencia se conocen como aceptores
→ Existen más electrones libres en la → Existen más huecos en la estructura
estructura cristalina → n cristalina → p
→ Portadores mayoritarios: electrones → Portadores mayoritarios: huecos
→ Portadores minoritarios: huecos → Portadores minoritarios: electrones
[Boylestad]

Semiconductor tipo n
Si: 0,05 eV
- Impurezas pentavalentes: Sb, As, P, Bi Ge: 0,01 eV
Nivel de energía de
los donadores
- Las impurezas pentavalentes no dejan huecos sino iones

positivos fijos en la estructura
- El cristal sigue siendo eléctricamente neutro
𝑛n = 𝑝n + iones donadores 𝑛𝑛 × 𝑝𝑛 = 𝑛i2

[Novillo]
𝑛n : Concentración total de electrones en el semiconductor tipo n

𝑝n : Concentración total de huecos en el semiconductor tipo n

Semiconductor tipo p
- Impurezas trivalentes: B, Ga, In
Nivel de energía de
los aceptores
Si: 0,05 eV
Ge: 0,01 eV
- Las impurezas trivalentes no dejan electrones sino iones

negativos fijos en la estructura
- El cristal sigue siendo eléctricamente neutro
𝑝p = 𝑛p + iones aceptores 𝑛p × 𝑝p = 𝑛i2

[Novillo]
𝑛p : Concentración total de electrones en el semiconductor tipo p

𝑝p : Concentración total de huecos en el semiconductor tipo p
Semiconductores – Conductividad
- Corriente → Flujo de cargas libres a través de una superficie imaginaria por unidad de tiempo
→ En los semiconductores: Corriente de difusión y corriente de deriva (drift)
ordinariamente no
ocurre en los metales
Corriente de difusión Corriente de deriva
- Concentración de cargas móviles varían de un - Se genera en presencia de un campo eléctrico
punto a otro → gradiente en la densidad de externo → sin campo, I = 0
portadores - Más conocida que la de difusión
- Las cargas tienden a distribuirse en forma - Cargas chocan con átomos en vibración →
homogénea transferencia de energía → calor de Joule
𝐽p
[Novillo]

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Generalidades Versión 02.06.

Dispositivos Electrónicos (IEER434)* – Generalidades

*El presente material es una ayuda para las clases

Dispositivos Electrónicos (IEER434) – Generalidades

Meeting ID: 989 0847 2775

Dispositivos Electrónicos (IEER434) – Generalidades

* Las evaluaciones sorpresas NO SON RECUPERABLES. Los deberes se considerarán

Dispositivos Electrónicos (IEER434) – Generalidades

Dispositivos Electrónicos (IEER434) – Generalidades

Resultados de aprendizaje de la asignatura

Dispositivos Electrónicos (IEER434) – Generalidades

Dispositivos Electrónicos (IEER434) – Generalidades

Floyd, T.L., “Dispositivos Electrónicos”, Prentice Hall, 8va. Edición.

Neamen, D., “Microelectronics Circuit Analysis and Design”, McGraw-Hill, 2009.

Dispositivos Electrónicos (IEER434) – Contenido

3. Amplificadores de potencia de baja frecuencia

4. Fuentes reguladas de voltaje

5. Elementos de cuatro capas

Dispositivos Electrónicos (IEER434) – Contenido

3. Amplificadores de potencia de baja frecuencia

4. Fuentes reguladas de voltaje

5. Elementos de cuatro capas

Dispositivos Electrónicos (IEER434) – Contenido

1.1. Estudio de los elementos semiconductores

Teoría atómica de la conducción – Introducción

Teoría atómica de la conducción – Modelo atómico de Rutherford

→ Núcleo: Contiene casi toda la masa del

- Átomo eléctricamente estable (carga neta = 0)

Teoría atómica de la conducción – Modelo atómico de Bohr

Teoría atómica de la conducción – Estructura electrónica de los elementos

Dos electrones no pueden ocupar o tener el mismo nivel de energía si están en el

- Energía en el electrón es discreta o cuantizada

Teoría atómica de la conducción – Capas electrónicas (1/2)

Teoría atómica de la conducción – Capas electrónicas (2/2)

- Átomos con capas completas → Configuraciones muy estables

- Configuraciones electrónicas del Grupo IV A

→ Subcapas completas excepto la p (2 electrones de los 6 posibles)

Teoría atómica de la conducción – Materiales (1/3)

- Diferencia de potencial → Corriente eléctrica

- δe− ≈ 1023 cm−3 (𝑁A = 6,02 × 1023 moléculas/mol)

Teoría atómica de la conducción – Materiales (2/3)

- Electrones de valencia fuertemente ligados a sus átomos originales

- Conductores pobres dentro de un amplio rango de temperatura

- En presencia de un campo eléctrico se mueven pocos electrones a través del material

- Buenos aislantes → materiales compuestos (hule, plástico, vidrio, mica, cuarzo)

- δe− ≈ 107 cm−3

Teoría atómica de la conducción – Materiales (3/3)

- Materiales entre conductores y aislantes (referente a capacidad de conducción eléctrica)

Teoría de las bandas de energía de los cristales – Cristales (1/2)

[Ingeniería de materiales – Ing. Alejandra Garza Vázquez -

Teoría de las bandas de energía de los cristales – Cristales (2/2)

102 metros de altura

Teoría de las bandas de energía de los cristales – Modelo de niveles (1/2)

- Cada órbita está asociada con cierta cantidad

cuanto de energía (𝐸2 − 𝐸1 ) 𝑟

Teoría de las bandas de energía de los cristales – Modelo de niveles (2/2)

Teoría de las bandas de energía de los cristales – Bandas de energía

Bandas prohibidas Banda de ionización

Estructura de los materiales según la teoría de bandas

Movilidad y conductividad (1/2)

Movilidad y conductividad (2/2)

Corriente en semiconductores (1/3)

Corriente en semiconductores (2/3)