. (a) Disefie un fotoconductor de GaAs que tenga un espesor de 4 um. Suponga que el material esté dopado con Ny = 10! cm=? y los valores de tiempos de vida son t= 10-7 s y ty =5X10-®s. Con una excitacién de 1021 cm~3s-1, se requiere de una fotocorriente minima de 2 A para un voltaje aplicado de 2 V. (b) Repita el disefio para un fotoconductor de silicio que tenga los mismos parametros dados en la parte (a). Dales: + t= 4tomom os N= 10" cw? © eps Mews! + Tee 40's T= 2nA + Tesxs + ye av o-) * Pan Cabs — temenses: me 482106 em"? tomo Nim =? moe Nh Mb “Pe My = 10 om é pan po fo = L4.b.x10‘cn"3) AO" o> 4g *fo = 3,410 ew * Tambon tenemos 96: Sn= Ta for = 40745 AO om? © $n = 404 cmSp = Tgp? SxI0 AO em? st + Sp= 5x10 om ° Tanewes for ako bd gue M* No + SV m= 10 em? + 40cm? em: 1orxi0" cw? P= peop + pF 5x10? cms © Por ley de ohm V=~TeRRe alt 4 v » Dade le condichided es T= 4 (pam + pep) Dard yor Ln movthdes tenensos Pana. Ni = 40" oe? Hy jallium Arsenide © 6 Hp 10% - , 0 105 10 108 108 wo” Impurity concentration (em) Teneo que + Pps BERO" ont Ves © fay = F107 ont hs Vs * Ewtones o> T+ &(pom + yp-p) o = hex (h04x10" ow FAO ag + and sxlo“ew>) . 7 = Ad oh erteen om oo ygawecse comm em ¥ m aw ee 1 i re ee » Enlor ES Res LL L L TA Mahe wt Ream layed : Axl0ho = L L AM, 3h om WHO oom => AKIO! 5-H, Bh sc ope! Uo = . Usa4y ek re Porn un Largo L=om — lenames 4s 4 — W= 0,002 om Por lo tanto el semiconductor para que cumpla con estas propiedades su disefio debe ser: . We o,002 crm~ W- 9,002 tm * L = ho om 6 & = 4-40 om b) AO : Parr Bi deneues: Mi = A,BAID em™3 Como Nl am =? moe Ni eee fe Lath 3) *po = a2 xl0l ew® © Tambien Jereanos, 9 one Un Aa 40°73 AO ome? © n= 10! cm Sp = Tego? Sx10 M0 em? st Sp: x10? ems * Tanevs por oko lade gue M= Yo + §YM>= Vo + &Y ib . m= 40 ew? + 40% cn? sme 104 X10 oye3 P= fet sp + pF Sx10? om © Por be ley de ohm VFTR > R=V. ww IT ata “Dade ta resslenct tambien be pdews esenbie. cob » Date lm condecliided esT= 9 (pam + pep) “Derk yo Len mouithdes teneses Pano Nd = tO owe? lo 10's 10 10” 108 lo” Silicon by Temebos ve 2 © ps SXIO cmt M Ws. + pan = ASO ent A Ve * Ewlons >: T= % (Mn + pep) T= dbx Se (AOE oe tuso aut + 5 xed srio%w>) 5 0 AP RoW!Roo mp) loxads Axia = 4 te WF Saw? We dO om, > ARNO! esto! UO = e G§0 =-L WwW Pann. un Largo Lejocm — Lenames W = _420 om 680 — We 0,014 om Por lo tanto el semiconductor para que cumpla con estas propiedades su disefio debe ser: * We 0,004 cm " L = ho om 6 & = Hho on