3. La corriente total en un semiconductor es constante y esta compuesta de una componente de arrastre de electrones y una componente de difusin de huecos. La concentracién de electrones es constante e igual a 10° cm~®. La concentracién de huecos esta dada por p(x) = 10 exp (- 7) cm-3 para x > 0, donde L = 12 um. El coeficiente de difusin de huecos es D, = 12 cm2/s y la movilidad de electrones es jz, = 1000 cm?/V's. La densidad de corriente total es J = 4,8 A/cm?. Calcule (a) la densidad de corriente de difusién de huecos versus x, (b) la densidad de corriente de electrones versus x, y (c) el campo eléctrico versus x. Ne Dates wexr = 10 ene? Te 4e A A. Des Maat Ma = 1000 cme a) * Tenemes que lo abysichel de comante de difusion de Wes es Shiai (8) = -qbp J Poy dx Evtonus pano. dey tenemos: ax con L = AL “ADS AO cm Le 42-40% omee dP = -sot © dx 4210" © Entences That = - 9 Bp dPoo ix “tem > 19 woe Te rap GS AbxI0 ae 10 gait * 00" Teen = Tp ay cer= Abxio? - 10% + Tpeaipbo = db e [4] b) TenEmos que Tene Taap + Tacs tm San = HOA ome Toap = ee" fay Por bo dando br dewsidoo! de comonle -€> x * Tuuye = 46 -dee [ayc) Cn: Ts deg = 4 fon Min) 8 ~» * Teamplaganco : a 4,6 - fee Oe