. Portadores en exceso son inyectados en la superficie (x = 0) de una lamina delgada de silicio tipo-n (3 x 10°” cm~*) con una longitud W = 0,05 mm, y son extraidos en la superficie opuesta donde p(W) = py. Si el tiempo de vida de portadores en exceso es 50 is, encuenttre la porcién de corriente inyectada la cual alcanza la superficie opuesta por difusién. Dabs: + Sica m= AT x10 wd s me= 3x0 coms . Tipo- © W= GOS Mmm = 0,00 om = SXITP ere + Te=Te= 90hs Termes qa Mo = 3Xig\ ew? Con mhepor mi — beramos po = arr iery 2 950 om? ax 10'F or Tenemes ye le longitu de dijpson de uum tHe dade por: 7 Dp Te Donk pars Dp cor te han de Einstein « Dp a kr t Pe © oe lp pan um coreentncon dee = 3 10"ew3Eton Dp nes guide: 2-M0* cyt - 0.02590 Dp = ve => Dp= De = TAB cm® Entonces Teremes ge le logitut de dyson de uum es: bp =V Dp lp = 0.086 cm * Saberros que W = 9005 cm Gus Le > Weslo ms die que la syetpicce puesta oe Sem candielay es ect on Faw Wn posomca ck care de d:panon de huecasFoc lodmlo lo perce de corcenle nyecttde, Go cuph Alunge (X=) por dipivion este dhd~ por Jp ay w) Th aye 60d E> deac Ei _ 4 4Dete * Poo oblentr pon P= Spon & po como peace Spy = ped= Spl) * luyo pap Oblentr Spo) Levemas x - ‘ Spence + Ce = Donel Lemames Leo siprimls condicom> de foonlews + Gylneoy~ Ap * Splx-w)=0 Agtdonm tas condicrenns gate dokret tm cles Gy Ca. sUn $ROW) = 0 La suptiftae qpasto~sUn $ROW) = 0 w a te & Spuy= ae +c.e 4 -4 % as 07028 +e o & cae "= -aer a7 8 Catone Can Ca Ahorm dens = & aw 7K % Spr Ge ae ee Usinlo Sgarer~ Ap — obsenomos or) Ape ca - cre ° ve = Ag= (se) De Ga + Ar (<8) Por bette Lermos [a sigemla ccunces t wot * Spoo= Ap e@ - Ar ee GF) (8) + Reet pre oelenar Spay Spup Jenguos + x x Hae ot ot # etle Spm = AP 4 e@ Bele eB) Fb* Evalinde en Azo atu wv & a Spw) - Ap_ ye , Arp etd (eB) (eB) Ww , Seur- Arp 4e@ 4 Arp let ax (40%) (1%) 4 Spun Ae let . wy = 2 +e Ix (re) op (on Dpuw y ae8 Obtewido — Yemplazanad en Teay Cw) . Age Te ag (0) ApePlo) ape (4) e > Iya wy = 22 Teaytoy (440%) > Fue »o%* Tye 0) (, see © Seat WW) gas Test (0) Es decor we = nN X=W deren AS % de le Jy que entre al semieandiclor en X=0