5. Una muestra tipo-p de GaAs a T= 300K esta dopada en Ny =10!%cm-%, La concentracién de portadores en exceso varia linealmente desde 10!* cm~? a cero en una distancia de 50 jum. Grafique la posicién de los cuasiniveles de Fermi con respecto al nivel de Fermi instrinseco versus la distancia. * Dales Gads > m= 46x10° cmr® Tpo-p Nos 10° cm? Ap = 40cm * Tenemes que Na >> pr tab pz Ne => poe 10 wo? 2 (Apt em?) fo AO" cm-3 “4 * Me = 3,R4Xx10 om Las condiciones que entrega el enunciado son las siguientes: Wy * SplOy= 10 ow? “87 (sx “em = O * Dodorns ver qe se trate da un Ways mivel da my ottian “3 ‘ * Sploy= Ape 10cm? £ we Ao! owv \ ' Al sor Yayo ruth de inyeccan teneome ques Sw =p Pa otto Lodo . Spon= Apt mx Comportamiento lineal de los portadores en exceso ~ alt -° oO + Io) + wW- sxe 4 m= -O 4 = ©x10 Evloncas Ib Spod = 9" ~ 2x10 x ame Spud = Su \ > Spurs tol - axid x Entontas por = po + Spo tb + por = sous + 9" ~ 2310 x Nay = No + Swix) 4 \ u WOXd = By RYXID em F + fot - 2x1 xX Daca ableren Ei-Tp — ustmarlei-p/er Kr mm (fe) + Veeroplazanb anamos : = Ib £1 -Te= 002540 - In (att + 10% aio". x) AQ x10" comm? + Pon. Fa-E > one ” 1b *Fr-Ei = Ooms ln (parte + 19" _ 2210 x) ALG x10° comm? ev ob pi ows or ous + Ei-fp x Cem) o 0,005 cm