TRANSISTORES

TIPO (BJT, FET, MOSFET, UJT, MESFET)

SERGIO ESTEBAN CALDERON JARABA

INSTITUTO UNIVERSITARIO DE LA PAZ

ESCUELA DE INGENIERIA DE PRODUCCION
BARRANCABERMEJA
2016
 TRANSISTORES
TIPO (BJT, FET, MOSFET, UJT, MESFET)

SERGIO ESTEBAN CALDERON JARABA

Ing. Samir Toloza

INSTITUTO UNIVERSITARIO DE LA PAZ

ESCUELA DE INGENIERIA DE PRODUCCION
BARRANCABERMEJA
2016
 INTRODUCCION

 
En este trabajo abarcaremos el tema sobre un dispositivo, el cual han revolucionado la
vida de todos nosotros “el TRANSISTOR”, que es sin duda uno de los mejores inventos
del hombre diseñado para operar en circuitos electrónicos como amplificador, oscilador o
conmutador. El término Transistor es un acrónimo den transfer  y resistor  (resistencia de
transferencia) y se compone de tres terminales: colector, base y  emisor. En estos temas
estudiaremos las principales características básicas del transistor bipolar
Y FET,
 OBJETIVOS

 OBJETIVO GENERAL:
Conocer los diferentes tipos de transistores

 OBJETIVOS ESPECIFICOS:

 Conocer las relaciones de las curvas Voltaje-Corriente (V-I).

 Diferenciar las especificaciones eléctricas
 Conocer el funcionamiento de cada uno de los transistores
 Conocer sus aplicaciones
 TRANSISTORES
TIPO (BJT, FET, MOSFET, UJT, MESFET)

 TRANSISTORES Tipo BJT: El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar

junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado
sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar
el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se
debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad
en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan

generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones
de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.

 TIPOS DE TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR

1. TRANSISTORES TIPO NPN: es uno de los dos tipos de transistores

bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de
carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La
mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a
que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en
los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de
operación. Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N.
Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-
común es amplificada en la salida del colector. La flecha en el símbolo del
transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la
que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.

2. TRANSISTOR TIPO PNP: El otro tipo de transistor de unión bipolar es el

PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias
dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor
desempeño en la mayoría de las circunstancias. Los transistores PNP
consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente
 operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal
positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica
externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que
una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La
flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo está en funcionamiento activo.

 Relación tensión- corriente (Curva V vs I) :

Otra cosa muy importante a tener en cuenta, es la dirección de las corrientes y
las tensiones de un transistor, sea NPN o PNP. Fíjate en la siguiente imagen.
En este caso hemos puesto el emisor abajo y el colector arriba, no pasa nada
es lo mismo, pero en algunos esquemas te los encontrarás de esta forma y es
bueno verlos así también.

Es fácil averiguarlas por intuición con la flecha del símbolo. Si es PNP lógicamente
la I del emisor (IE) tendrá la dirección del emisor, por que entra por él. Por donde
entran las corrientes estará el positivo de las tensiones. Si la corriente del emisor
entra por el emisor (PNP), la tensión emisor colector tendrá el positivo por donde
entre, es decir en el emisor, y se llamará Tensión emisor-colector (Ve-c). Si la
corriente entra por el colector, o lo que es lo mismo sale por el emisor se llamara
Tensión colector-emisor (Vc-e) y la corriente saldrá por el emisor. No te líes que es
muy fácil, solo tienes que fijarte un poco, y no hace falta aprenderlas de memoria.
Las curvas características más empleadas en la práctica son las que relacionan
VBE con IB y VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los
fabricantes.
Características VBE-IB
Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones
de la tensión de polarización VBE sobre la corriente de base IB. Estas gráficas
reciben el nombre de curvas características de transferencia. Las curvas que se
obtienen son muy similares a la de un diodo cuando se polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prácticamente constantes, por lo que serán de gran
ayuda para localizar averías en circuitos con transistores.

La función que liga VBE con IB es la característica de un diodo, y puede aplicarse

dado que la unión base - emisor, es una PN normal, igual que la de diodo, y al
polarizarla, seguirá el mismo comportamiento que aquel.

Características VCE-IC
Estas características también son conocidas como familia de colector, ya que son
las correspondientes a la tensión e intensidad del colector. En la siguiente figura,
se muestran una familia de curvas de colector para diferentes valores constantes
de la
Corriente base.

Idealmente, en la Región Activa, la corriente de colector depende exclusivamente

de la de base, a través de la relación IC=β+IB. Por lo tanto, en el plano VCE-IC la
representación estará formada por rectas horizontales (independientes de VCE)
para los diversos valores de IB (en este caso se ha representado el ejemplo para
β=100).
Evidentemente, no se dibujan más que unos valores de IB para no emborronar el
gráfico. Para IB=0, la corriente de colector también debe ser nula. La región de
corte está representada por el eje de abscisas. Por contra, para VCE=0 el
transistor entra en saturación, luego esta región queda representada por el eje de
ordenadas.
Hasta aquí se presenta la característica ideal, pero como era de esperar, la
realidad es un poco más compleja, y las curvas quedarán como representa la
siguiente figura:

 PRINCIPALES ESPECIFICACIONES ELÉCTRICAS:

 Características de entrada y salida de un transistor (NPN o PNP) en un circuito
amplificador
Conectar un transistor (NPN o PNP) en un circuito amplificador
permitirá que una señal de AC (corriente alterna) se amplifique. La
cantidad de amplificación puede variar dependiendo de los valores de
resistencia de las resistencias eléctricas utilizadas en el circuito.
En un circuito de amplificación de Clase A, la amplificación se consigue
mediante la aplicación de una señal de CA a la conexión de base de
un transistor. La señal amplificada se obtiene al hacer una conexión
eléctrica en la conexión del colector.
 Salida de distorsión cuando se usa un circuito amplificador
 Un transistor (NPN o PNP) se puede utilizar para amplificar una señal
de CA, sin embargo, si una señal se amplifica más allá de los límites
de potencia del transistor, el transistor "recorta" la salida en el límite de
la potencia nominal, lo que provoca la distorsión de la señal. El sobre-
amplificación continuo de la señal de entrada provocará un fallo
prematuro del transistor NPN.

 Características de entrada y salida de un transistor (NPN o PNP) en un circuito

interruptor
Los componentes activos, tales como los transistores, requieren una
tensión mínima que permita que la corriente eléctrica fluya a través de
la unión PN. La tensión mínima típica para iniciar el flujo de corriente
es 0,7 V aplicados a una unión PN en un transistor de base de silicio.
Por lo tanto, un transistor se puede utilizar como un mecanismo de
conmutación.
En esencia, cuando la tensión aplicada al conector de la base en un
transistor es 0,7 V o mayor, el circuito eléctrico opera en una condición
de "encendido". Cuando la tensión aplicada al conector de la base cae
por debajo de 0,7 V, el circuito eléctrico se "Apagará".

 APLICACIONES
Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
 Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
 Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de
radiofrecuencia)
 Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de
alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por
anchura de impulsos PWM)
 Detección de radiación luminosa (fototransistores)
 Se usan generalmente en electrónica analógica y en la electrónica
digital como la tecnología TTL o BICMOS.
 Son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para
motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque
su principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de
un circuito cerrado.

TRANSISTORES NPN
 MMUN2211 (DATASHEET)

 2N6517 (DATASHEET (1))

 Referencias transistores :
TRANSISTORES PNP

 MPQ3906 (DATASHEET (2))

 2N4250 (DATASHEET (3))
 TRANSISTORES Tipo FET: El transistor de efecto campo (Field-Effect
Transistor, en inglés) es un transistor que se basa en el campo eléctrico para
controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un canal que transporta un
solo tipo de portador de carga, hecho de un material semiconductor, por lo que
también suele ser conocido como transistor unipolar. Posee tres terminales,
denominados puerta (gate), drenaje (drain) y fuente (source). La puerta es el
terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor), de cuyo
funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta
y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Así como los transistores
bipolares se dividen en NPN y PNP, los FET son de los tipos Canal-N y Canal-P,
dependiendo del material del canal del dispositivo.
 TIPOS DE TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO:
Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de
aislamiento entre el canal y la puerta:

 El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un

aislante (normalmente SiO2).
 El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n
 El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye
la unión PN del JFET con una barrera Schottky.
 En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado
HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos"
forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.
 Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
.

 TRANSISTORES MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect

Transistor):
Son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear
una canal de conducción. Son dispositivos más importantes que los JFET ya
que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con
la tecnología (MOS). Son muy parecidos a los JFET. La diferencia entre estos
estriba en que, en los MOS, la puerta está aislada del canal, consiguiéndose
de esta forma que la corriente de dicho terminal sea muy pequeña,
prácticamente despreciable. Debido a este hecho, la resistencia de entrada de
este tipo de transistores es elevadísima, del orden de 10.000 MW, lo que les
convierte en componentes ideales para amplificar señales muy débiles.
  RELACIÓN TENSIÓN- CORRIENTE (CURVA V VS I):
 TRANSISTOR MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO :
Obsérvese cómo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de
VGS (trabajo en modo de empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo
de enriquecimiento). La corriente más elevada se consigue con la tensión
más positiva de VGS y el corte se consigue con tensión negativa de VGS
(apag).

De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia, que nos indica
la relación que existe entre VGS e ID. Ésta posee la forma que se muestra en la siguiente
curva abajo a la derecha:

Obsérvese cómo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje de tensiones.
Esto es debido a que el MOSFET puede operar tanto con tensiones positivas como
negativas. Por esta razón, la corriente IDSS, correspondiente a la intersección de la curva
con el eje ID, ya no es la de saturación.
  TRANSISTOR MOSFET DE ENRIQUESIMIENTO:
Como se podrá observar en las curvas características, este transistor sólo
conduce cuando son aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo que
normalmente estará en no conducción o apagado. El símbolo que representa
al MOSFET de enriquecimiento son los que se indican en las siguientes
figuras, siendo el (a) de enriquecimiento y canal N y en el (b) MOSFET de
enriquecimiento y canal P.

 APLICACIONES
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos
de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS
complementarios. Las aplicaciones de MOSFET discretos más
comunes son:

 Resistencia controlada por tensión.

 Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.)
 Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

 Referencias transistores:

 SCH2815 (DATASHEET (4))

 BS170 (DATASHEET (5))
 TRANSISTORES JFET:
 No es muy común encontrarse en un circuito un JFET aislado, éstos suelen
aparecer, más bien, insertos en circuitos integrados. Otras veces aparecen
incorporados, por ejemplo, en las cápsulas microfónicas, como un pequeño
amplificador de la señal débil que se produce en éstas.
Un JFET reúne las características más interesantes de las válvulas
electrónicas, con las grandes ventajas de los componentes semiconductores.
Según su composición, existen dos tipos de transistores JFET, los JFET de
canal N y los de canal P.

 RELACIÓN TENSIÓN- CORRIENTE (CURVA V VS I):

Examinando estas curvas podemos observar que la corriente de drenaje (ID)

se hace más pequeña a medida que aumenta la tensión negativa aplicada
entre la puerta y el surtidor (VGS).

Al igual que ocurría con los transistores bipolares, en estas curvas se pueden
apreciar cuatro zonas de operación: región de ruptura, región activa, región de
corte y región de saturación. En la región de ruptura, cuando la tensión
drenador-surtidor (VDS) aumenta excesivamente, el JFET entra en la región de
ruptura y se produce una avalancha que puede destruir el transistor. En las
curvas, tomadas como ejemplo, de la figura anterior, es del orden de 16 V.

Estas curvas nos indican los valores que toma la intensidad de

drenador (ID) en función de las variaciones que experimenta la tensión
de graduador-surtidor (VGS) para valores de VDS constantes.
En general, la curva de transconductancia de cualquier JFET posee la
forma de una parábola, tal como se muestra en la figura anterior. Esta
gráfica se corresponde con las curvas de drenador del JFET.

 PRINCIPALES ESPECIFICACIONES ELÉCTRICAS:

La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén
inversamente polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión
de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo
de corriente a través de canal. Además, la puerta debe tener una
tensión más negativa que la fuente para que la unión p-n se encuentre
polarizado inversamente.
Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares
a las curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son
dispositivos controlados por tensión a diferencia de los bipolares que
son dispositivos controlados por corriente. Por ello, en el JFET
intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o drenador a source
o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensión
drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas
de operación: corte, lineal, saturación y ruptura. A

 APLICACIONES
El JFET posee bastantes aplicaciones, como son: interruptores
analógicos, multiplexores, control automático de ganancia "CAG" en
receptores de radio, amplificadores de pequeña señal en receptores de
radio y TV, troceadores o choppers, etc. En la figura de la izquierda, se
muestra un ejemplo de interruptor analógico con un JFET.
Si a este circuito se le aplica una tensión VGS=0, el transistor entrará
en saturación y se comportará como un interruptor cerrado. Por otro
lado, si la tensión aplicada es VGS=VGS (apag), el transistor se pondrá
en corte y actuará como un interruptor abierto. Cuando se utiliza un
JFET como interruptor, se le hace trabajar únicamente en dos estados,
corte y saturación.

 Referencias transistores :
 LT1457 (DATASHEET (6))
 2N4339 (DATASHEET (7))
 TRANSISTORES HEMT:
El HEMT o Electron Mobility Transistor alta es una forma de transistor de
efecto de campo, FET, que se utiliza para proporcionar niveles muy altos de
rendimiento a frecuencias de microondas. El HEMT ofrece una combinación de
baja figura de ruido combinado con la capacidad de operar a las muy altas
frecuencias de microondas. Por consiguiente, el dispositivo se utiliza en las
áreas de diseño de RF donde se requiere un alto rendimiento a frecuencias de
RF muy altos. Son los más utilizados, incluso para encontrar usos en las
telecomunicaciones móviles, así como una variedad de enlaces de
comunicaciones de radio de microondas, y muchas otras aplicaciones de
diseño de RF.
 PRINCIPALES ESPECIFICACIONES ELÉCTRICAS:
El funcionamiento de la HEMT es algo diferente a otros tipos de FET y
como resultado es capaz de dar un mucho mejor rendimiento sobre la
unión estándar o FET’s MOS, y en particular en aplicaciones de radio de
microondas.

Los electrones de la región de tipo n se mueven a través de la red

cristalina y muchos permanecen cerca de la hetero-unión. Estos electrones
de una capa que es sólo una capa de espesor formando lo que se conoce
como un gas de electrones de dos dimensiones. Dentro de esta región los
electrones son capaces de moverse libremente, porque no hay otros
electrones donantes u otros artículos con el que los electrones chocan y la
movilidad de los electrones en el gas es muy alta.

Una polarización aplicada a la puerta formada como un diodo de barrera

Schottky se utiliza para modular el número de electrones en el canal
formado a partir del gas de electrones 2D y a su vez esto controla la
conductividad del dispositivo. Esto puede ser en comparación con los tipos
más tradicionales de FET cuando la anchura del canal es cambiado por la
polarización de la compuerta.

 APLICACIONES
El HEMT fue desarrollado originalmente para aplicaciones de alta
velocidad. Sólo cuando los primeros dispositivos fueron fabricados de que
se descubrió que exhibieron una figura de ruido muy bajo. Esto está
relacionado con la naturaleza del gas de electrones de dos dimensiones y
el hecho de que hay menos colisiones de electrones.

Como resultado de su desempeño ruido que son ampliamente utilizados en

bajo nivel de ruido amplificadores de pequeña señal, amplificadores de
potencia, osciladores y mezcladores que funcionan a frecuencias de hasta
60 GHz y más, y se prevé que en última instancia dispositivos estarán
ampliamente disponibles para frecuencias de hasta aproximadamente 100
GHz. De hecho los dispositivos HEMT se utilizan en una amplia gama de
aplicaciones de diseño de RF incluyendo las telecomunicaciones celulares,
receptores de radiodifusión directa - DBS, el radar, la radioastronomía, y
cualquier aplicación de diseño de RF que requiere una combinación de
bajo nivel de ruido y un rendimiento muy alta frecuencia.

 Referencias transistores :
 HMC-AUH318 (DATASHEET (8))
 CGHV27200 (DATASHEET (9))
CONCLUSIONES
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de los
circuitos electrónicos. Se puede comentar que con el invento de estos dispositivos han
dado un giro enorme a nuestras vidas, Ya que en casi todos los aparatos electrónicos se
encuentran presentes. Se conocieron los distintos tipos de transistores, así como su
aspecto físico, su estructura básica, etc. En este informe se conocieron algunos de los
tipos de transistores y así el funcionamiento que tienen en los distintos tipos de circuitos.

BIBLIOGRAFIA
  C.J. Savant, M.S. Roden y G.L. Carpenter Ed. Addison-Wesley Iberoamericana,
1ª edición, 1992
 Vardalas, John (mayo de 2003). «Twists and Turns in the Development of the
Transistor». Today's Engineer.
 Schroeder, D. K. (2006). Semiconductor material and devices characterization.
New York: IEEE Press, Wiley-Interscience.
 Libro de texto: .... Capítulo 7 y 9 “Fundamentos de los Transistores” y “ Modelos
equivalentes de Señal”