Lucrarea1-DIODE SEMICONDUCTOARE

Desfasurarea lucrarii:

->Caracteristici statice:

●Polarizare directa:

Dioda (V) 1 11 11 11 4 11 4 11 7 11
ED
(kΩ) 1000 1000 100 10 1 1 0.1 0.1 0.03 0.03
RK
D1 (V) x x 0.141 0.238 0.314 0.406 0.519 0.686 0.827 0.976
VD
(mA) x x 0.10859 1.076 3.686 10.59 34.81 103.1 205.7 334.13
ID 2 4 4 667 33
D2 (V) 0.272 0.38 0.471 0.577 0.634 0.687 0.734 0.785 0.816 0.842
VD
(mA) 0.000 0.010 0.10529 1.042 3.366 10.31 32.66 102.1 206.1 338.6
ID 728 62 3 3 5 333
-3.96421 -3 -2.4 -2 -1.5 -1 -0.8 -0.6

-6.1 -5 -3.97761 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.8 -0.6

1. Se realizează configuraţia din figura 6, alegând dioda D, respectiv rezistenţa RK şi reglând sursa
ED conform indicaţiilor din tabelul 1.

Se măsoară de fiecare dată VD şi se calculează curentul ID cu relaţia:

ED−VD
ID=
Rk

●Polarizarea inversă
 Dioda Rk(kΩ) ED (V) -1 -5 -10 -20 -30

UR (mV) -19.41 -114.5 -356.7 -1417 -2933

D1 1 VD (mV) 1.29 -2.38 -7.14 -16.6 -25.848

ID (uA) -19.41 -114.5 -356.7 -1417 -2933

UR (mV) -1.2 -1.83 -2.26 -2.6 -3.06

D2 1000 VD (mV) 1.38 1.5 2.4 1.6 5.8

- -
ID (nA) -0.0012 -0.00183
0.00226
-0.0026
0.00306

2. Se realizează configuraţia din figura 7. rezistenţele RK sunt alese (comform tabelului 2) astfel
încât căderea de tensiune pe RK să fie mult mai mică decât VD şi să se poată aproxima:
VD  ED UR  ED

Se reglează sursa la tensiunile indicate în tabelul 2 şi se calculează curentul invers prin diodă, ID, cu
relaţia:

UR
ID=
Rk

●Diode stabilizatoare de tensiune:

Se realizează configuraţia din figura 8. Se alege RK şi se reglează ED conform indicaţiilor din tabelul 3. Se
măsoară VZ şi se calculează IZ cu relaţia:

ED−Vz
Iz=
Rk

ED (V) -10 -11 -14 -11 -14 -11 -14

 Rk (kΩ) 10 1 0.1
Vz (V) -8.709 -8.723 -8.749 -8.793 -8.833 -8.914 -9
Iz (mA) -0.1291 -0.2277 -0.5251 -2.207 -5.167 -20.86 -50

●Rezistenţa internă:

4. Se realizează configuraţia din figura 9. Se alege RK, D şi se reglează ED conform tabelului 4. Se

măsoară VD şi se calculează ID cu relaţia :

Se aplică la intrarea un semnal sinusoidal cu frecvenţa de 10 kHz. Pentru fiecare situaţie se reglează
amplitudinea generatorului astfel încât să se obţină Vd=2.5 mV. Se măsoară VS şi se calculează RI cu
relaţia:

Vd
RI=R1
Vs−Vd

Dioda ED (V) 11 4 11 4 11
Rk (kΩ) 10 1 0.1
VD (V) 0.238 0.128 0.362 0.473 0.667
ID (mA) 1.0762 3.872 10.638 35.27 103.33
D1 VS (mV) 8.592 20.29 37.21 63.82 95.8
R1 41.0374 14.0528 4.07697 2.67952
7.202535292
masurat 3 4 3 8
(Ω)
R1
         
teoretic
VD (V) 0.576 0.634 0.686 0.734 0.782
ID (mA) 1.0762 3.872 10.638 35.3 103.3
Vs (mV) 8.558 23 66.18 185.17 503.39
D2 R1 41.2677 12.1951 1.36858 0.49911
3.925879397
masurat 5 2 8 2
(Ω)
R1
         
teoretic
 Prelucrarea datelor experimentale şi concluzii

Caracteristicile statice

1. Cu ajutorul datelor din tabelul 1 se trasează pe acelaşi grafic, la scară liniară, caracteristicile iD(vD),
vD≥0, pentru diodele D1 şi D2.

Caracteristica curent - tensiune a diodelor semiconductoare D1 si D2 la

polarizarea directa
300

250

200
ID (mA)

D1
150 D2

100

50

0
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

VD (V)
2. Se determină grafic VP şi RD alegând IDM=200 mA şi ε=0.1.

3. Cu ajutorul datelor din tabelul 1 se trasează pe acelaşi grafic lg iD(vD), vD>0 pentru diodele D1 şi
D2 (lg iD: 1cm/decadă, vD: 0.1V/cm)
4. Se determină pentru fiecare diodă I0, γ şi RS.
5. Cu datele din tabelul 2 se trasează pe două grafice diferite caracteristicile iD(vD), vD≤0, pentru
diodele D1 şi D2.
Diode stabilizatoare de tensiune

6. Cu datele din tabelul 3 se trasează caracteristica iD(vD), vD≤0, pentru dioda D3.

Caracteristica curent - tensiune pentru D3

0
-9.05 -9 -8.95 -8.9 -8.85 -8.8 -8.75 -8.7 -8.65

-10
Curentul prin dioda

-20

-30 D
3

-40

-50

-60

Tensiunea pe dioda

7. Se determină UZ şi RZ similar determinării lui Vp şi RD la polarizarea directă (pct.2).

Rezistenţa internă

8. Se trasează pe acelaşi grafic RI (măsurat) şi RI (teoretic) – calculat cu relaţia (10), în funcţie de

curentul ID (cu datele din tabelul 4).

R1 masurat in functie de ID pentru diodele D1 si D2

120

100
Curentul prin dioda

80

D1
60
D2
40

20

0
0 100 200 300 400 500 600
Rezistena R1 masurat
Lucrarea 2-REGIMUL DINAMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR

Desfăşurarea lucrării:

A. Determinarea parametrilor: βF, β0, gm, rb’e

1.Se realizează configuraţia de circuit din fig. 10 şi se fixează punctul static de funcţionare (psf) al
tranzistorului la primul set de valori indicate în tab. 1: IC=1mA şi VCE=4V (VCC=8V).

Reglarea psf se obţine din potenţiometrul sursei de tensiune continuă (pentru VCC) şi din
potenţiometrele P1, P2 (pentru VCE). Se măsoară potenţialele continue VBB şi VBE; valorile se trec în
tab. 1.

2.La intrarea circuitului se aplică un semnal sinusoidal de 10 kHz cu amplitudinea astfel încât Vb=2mV. Se
măsoară potenţialele alternative Vi (zeci, sute de mV) şi V0 (zeci de mV) şi se trec în tab. 1.

3.Se determină:

- factorul de amplificare în curent continuu:

- factorul de amplificare dinamic cu relaţia (7) în care se înlocuieşte Rb=100kΩ şi RL=100Ω:

 - panta de semnal mic cu relaţia (6), ştiind RL=100Ω

- rezistenţa se intrare cu relaţia (8), ştiind că Rb=100kΩ

4. Se reiau măsurătorile de la punctele 1-3 pentru celelalte valori ale psf din tab. 1.

VBE(mV gm(mA/V
Vcc(V) VCE(V) Ic(mA) VBB(mV) Vi(mV) V0(mV) βF β0 rb'e(kΩ)
) )
8 4 1 948 589 23.88 6.28 278.551532 287.0201 31.4 9.140768
12 4 2 1449 655 22.86 14.06 251.8891688 674.0173 70.3 9.587728
16 4 3 1839 665 73.3 19.71 255.5366269 276.4376 98.55 2.805049
20 4 4 2216 672 92.47 25.02 259.0673575 276.5558 125.1 2.210678
20 12 2 1400 645 49.6 13.85 264.9006623 290.9664 69.25 4.201681
4.6 4 6 2898 684 123 32.75 271.00271 270.6612 163.75 1.652893
4.8 4 8 3628 691 153 40.49 272.3867892 268.1457 202.45 1.324503
5 4 10 4351 696 180 47.47 273.5978112 266.6854 237.35 1.123596
B. Determinarea rezistenţei de ieşire a tranzistorului rce

1.Se realizează circuitul din fig. 11. Se fixează psf la valorile IC=1mA, VCE=4V. Se aplică un semnal
sinusoidal de 10 kHz cu amplitudinea VS reglată astfel încât V0=0.5V. Se măsoară Vi; valorile se trec în
tab. 2.

Vcc(V) 8 12 16 20 20
Ic(mA) 1 2 3 4 2
Vce(V) 4 4 4 4 12
VI(V) 2.0907 2.1187 2.1444 2.1723 2.1023
rce(kΩ) 66.15215 50.5476 41.55125 34.82298 58.65103

2.Se determină rezistenţa rce:

conform relaţiilor 9-10 şi: Ri=12kΩ, RC=4kΩ. Valorile se trec în tab. 2.

3.Măsurătorile şi determinările de la pct. 5 şi 6 se repetă pentru toate seturile de valori ale psf indicate
în tab. 2.

C. Amplificatorul cu tranzistorul în montaj EC

1.Se realizează montajul din fig. 12. Se fixează psf la valorile IC=1mA, VCE=4V. La ieşire se alege
RS2=1.3kΩ astfel încât rezistenţa de sarcină să fie de 1kΩ.
 2.Se aplică la intrare un semnal sinusoidal de 10kHz cu amplitudinea reglată astfel încât
Vb=2mV. Se măsoară Vi şi V0; valorile se trec în tab. 3.

3.Se reiau măsurătorile pentru rezistenţa de sarcină de 2kΩ precum şi 4kΩ.

4.Se determină: - amplificarea de tensiune:

- amplificarea de curent:

- rezistenţa de intrare cu relaţia (16)

Valorile se trec în tab. 3.

Experimental Calculat
PSF RL(k Vi(m V0(m
Av Ai Ri(kΩ) Av Ai Ri(kΩ)
Ω) V) V)
73.26 37.4182 37.41828 282.745
  1 1.958 -17.444 -4761.9  
5 8 3 9  
146.5 4.66443 0.02490 6.80040 4.664438 348.363
Ic=1mA 2 31.41  
1 8 8 8 0  7 
29.83 9.06653 0.02429 7.18519 9.066532  252.162
Vce=4V 4 270.5  
5 3 5 8 5  7
Vcc=12 130.9 2.45841 0.02554 3.90091 2.458419 268.835
1 53.27  
V 6 9 3 7 3  7 
278.0 4.82157 0.02497 3.59259 4.821571  281.371
Ic=2mA 2 57.67  
6 1 4 9 0  6
0.02382 3.34840 9.220800
Vce=4V 4 61.73 569.2 9.2208    
4 1 2 
Vcc=20 2.26244 0.02304 1.84331  2.26244
1 110.5 250    
V 3 1 8 34
121.4 3.70779 0.01884 1.67476 3.707791
Ic=4mA 2 450.2    
2 1 9 1 1 
5.40620 0.01370 1.39860 5.406220
Vce=4V 4 145 783.9    
7 5 1 6 
                   

5.Măsurătorile de la punctele 8-11 se reiau şi pentru celelalte valori ale psf din tab.3.

D. Comportarea neliniară a tranzistorului

1.Se foloseşte montajul din fig. 12 alimentat la VCC=20V; psf cu VCE=8V. Se vor vizualiza cu osciloscopul
formele de undă de la intrarea şi ieşirea montajului pentru o frecvenţă de 10kHz.

2.Se studiază pe osciloscop efectul măririi semnalului de intrare pentru două valori ale rezistenţei de
sarcină: RL=4kΩ şi RL=1kΩ
Pentru RL=4kΩ limitarea apare prin intrarea tranzistorului în saturaţie (fig.7) – limitare inferioară.

Pentru RL=1kΩ limitarea apare prin intrarea tranzistorului în zona de blocare (fig.8) – limitare
superioară.

Se vor desena formele de unda în ambele cazuri. 3.Se măsoară valorile tensiunii V0 la care apare
limitarea în cele două cazuri şi se trec în tab. 4.

Tip V0(V)
limitare masurat calculat
blocat 2.63  
saturat 7.46  

Prelucrarea datelor experimentale

1.Se va reprezenta pe baza datelor din tab. 1 variaţia în funcţie de curentul IC (pentru VCE=4V) a
mărimilor βF, şi β0 pe un grafic şi respectiv a rezistenţelor rb’e şi gm pe alt grafic.

12 Id in functie de Bf si B0
10

8
Curentul ID (mA)

Id in functie de
6 Bf
4

0
200 250 300 350 400 450 500 550 600 650 700
Coeficientul B0 sau Bf

2.Se va comenta diferenţa dintre valorile factorului de amplificare în curent continuu βF şi factorul de
amplificare β0.

3.În tab. 5 se vor compara valorile experimentale ale pantei tranzistorului cu cele calculate cu relaţia
gm=40IC

Ic(mA) 1 2 4 8 10
gm(mA/V masurat 31.4 70.3 125.1 202.45 237.35
) calculat 40 80 160 320 400
4.Se va reprezenta pe baza datelor din tab. 2 variaţia rezistenţei rce funcţie de IC (pentru VCE=4V).

Rce in functie de Ic
4.5
4
3.5
3
2.5
Ic (mA)

2 Rce in functie de Ic
1.5
1
0.5
0
66.15 50.55 41.55 34.82
rce(ohmi)

5.Cu formulele 2-4 se vor calcula AV, Ai şi Ri . Se vor folosi valorile mărimilor β0, rb’e şi rce din tab. 1 si 2.
Valorile se trec în tab. 3 şi se compară cu cele experimentale.
 Lucrarea 3-TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP TEC-J

Desfăşurarea lucrării

->Caracteristici statice

1. Se realizează configuraţia din fig. 5. Se ridică caracteristicile de ieşire pentru VDS≥0, prin
fixarea succesivă a tensiunilor VGS şi VDS la valorile indicate în tabelul 1. Reglajele se fac din sursa VGG,
respectiv din sursa VDD. Se măsoară de fiecare dată ID şi se trece în tabelul 1.

3. Se inversează legăturile la sursa VDD şi la bornele miliampermetrului şi se ridică caracteristica

curent-tensiune pentru VDS:

VGS(V) VDS(V) 0 0.1 0.2 0.5 1 2 4 6 -0.1 -0.2 -0.5 -1

0 ID(mA) 0 0.59 1.18 2.78 4.94 7.53 8.88 9.11 0.65 -1.27 -3.3 -6.19
-0.7 ID(mA) 0 0.47 0.88 2.07 3.6 5.21 5.89 6.08 -0.47 -0.97 -2.56 -5.56
-1.4 ID(mA) 0 0.32 0.63 1.43 2.39 3.13 3.4 3.49 -0.33 -0.7 -1.89 -4.17
-2.1 ID(mA) 0 0.2 0.37 0.79 1.15 1.34 1.44 1.47 -2.21 -0.46 -1.26 -2.91

Verificarea modelului dynamic

Estimarea rezistenţei rd în saturaţie

 3. Se realizează configuraţia din fig. 6. Se reglează VGS=0V şi se conectează rezistenţa de drenă
R3=1kΩ.

4. Se reglează VDS=6V şi apoi se reglează amplitudinea semnalului de la generator astfel încât să se

obţină Vgs=10mV, şi se măsoară Vds. Rezultatele se trec în tabelul 3.

5. Se repetă reglajele şi măsurătorile de la punctul 4 pentru RD=R4=100Ω

RD(kΩ) R3=1kΩ R4=100Ω

Vda(mV
Vda 1=44.83 Vda 2=5.125
)

Pentru calculul rezistenţei rd în saturaţie se va folosi relaţia:

Dependenţa conductanţei mutuale in saturaţie gmsat de p.s.f

6. În configuraţia din fig. 6, se conectează R3. Se reglează succesiv VGS la valorile din tabelul 4
menţinând VDS=6V, Vgs=20mV şi măsurând Vds.

VGS(V) 0 -0.7 -1.4 -2.1

Vds(mV 89.25 77.16 63.92 47.47
 )

Conductanţa mutuală în saturaţie se calculează cu relaţia:

Măsurarea conductanţei canalului în zona liniară gdlin

7. Se realizează configuraţia din figura 7. Potenţiometrul P3 se va fixa în poziţia superioară (ca pentru a
regla o tensiune VDD mare) şi se vor desface legăturile de la sursa VDD. Se reglează succesiv VGS la
valorile din tabelul 5.

VGS(V) 0 -0.7 -1.4 -2.1

Vda(mV
142.95 113.45 87.15 61.73
)

Amplitudinea semnalului sinusoidal se reglează de fiecare dată astfel încât să se obţină Vds=20mV. Se
măsoară Vdd şi se trece în tabelul 5.

Conductanţa în zona liniară se calculează cu relaţia:

Prelucrarea datelor experimentale şi concluzii

Caracteristici static
1. Cu datele din tabelul 1 şi 2 se vor trasa graficele: a) iD(vDS) pentru VDS=[-1…+1V] şi VGS=0;-
0.7;-1.4;-2.1V ca parametru. Pentru fiecare curbă se va determina grafic tangenta în origine

Rezultatele se trec în tabelul 6.

b) iD(vDS) pentru vDS=[0…+6V] şi VGS=0;-0.7;-1.4;-2.1V.

c) D i = f(vGS) pentru vDS=6V. Se extrapolează curba până la iD=0 şi se determină astfel
VT=VGS (iD=0). Valoarea obţinută se trece în tabelul 6.
2. Pe graficul de la punctul 1a) se vor marca, pentru fiecare curbă separat, punctele pentru
care vDS=VDssat=VGS-VT.
3. Se determină IDSS=iD pentru vDS=-VT şi VGS=0 şi se trece în tabelul 6.

Parametrii modelului dinamic şi dependenţa lor de p.s.f.

4. Utilizând relaţiile (11), (12), (13) şi tabelele corespunzătoare (3, 4, 5) se vor calcula
respectiv parametrii: rdsat, gmsat, gdlin. Rezultatele obţinute se vor centraliza în tabelul 6.
5. Cu ajutorul relaţiei (5) se calculează gmcalc pentru fiecare valoare a tensiunii VGS din
tabelul 4. Rezultatele se trec în tabelul 6.
6. Justificaţi obţinerea relaţiilor 11, 12, 13.
7. Cu datele din tabelul 6 se trasează pe acelaşi grafic curbele gmcalc(vGS) şi gmsat(vGS)
pentru VDS=6V
8. Cu datele din tabelul 6 se trasează pe acelaşi grafic gdlin1(vGS) şi gdlin2(vGS) pentru
VDS=0V.
 Lucrarea 4-LED-URI

Tensiune aplicata LED-

urilor LED ROSU  
Vled(V Iled=(V1-Vled)/R1,
V1(V) ) (mA)  
0 0.000 0.000  
1 0.990 0.056  
2 1.750 1.394  
2.5 1.830 3.735  
3 1.870 6.299  
3.5 1.900 8.919  
4 1.930 11.538  
4.5 1.950 14.214  
5 1.970 16.890  
5.5 1.980 19.621  
6 2.000 22.297  

LED verde
Iled=(V1-Vled)/R1,
Vled(V) (mA)
0.000 0.000  
0.991 0.050  
1.810 1.059  
1.885 3.428  
1.930 5.964  
1.970 8.528  
2.000 11.148  
2.030 13.768  
2.060 16.388  
 2.080 19.064  
2.110 21.683  

LED galben
Vled(V Iled=(V1-Vled)/R1,
) (mA)  
0.000 0.000  
0.990 0.056  
1.792 1.159  
1.883 3.439  
1.950 5.853  
2.018 8.261  
2.070 10.758  
2.120 13.266  
2.180 15.719  
2.241 18.166  
2.293 20.663