UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS
(Universidad del Perú, Decana de América)

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA, ELECTRONICA Y

TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMRES CODIGO

Barrueta Perez Brayan Ivanobish 18190086

CURSO TEMA

Dispositivos electrónicos PRACTICA DIRIGIDAS 1 Y 2

INFORME FECHAS NOTA

REALIZACION ENTREGA

Resolución de 28/06/2020 30/06/2020

prácticas I y II
GRUPO PROFESOR

G5 ING. Luis Paretto

PRACTICA 1
1.Obtener los radios de los estados estacionarios para un átomo de Litio (Li).

 L i3 =1 s 2 2 s 1 ⇒ Hasta n=2

ε o × n2 ×h2  
rn =
m× e2 × Π

 Para n=1

r 1=8,85× 10−12 × 12 ¿ ¿

⇒ r 1 =0,5305 A o

 Para n=2

r 2=8,85× 10−12 × 22 ¿ ¿

⇒ r 2 =2,122 A o

2. Obtener la longitud de onda del electrón para la órbita de éste en un átomo de Hidrógeno (H).

 H 1=1 s 1 Hasta n=1

 Para n=1

r 1=8,85× 10−12 × 12 ¿ ¿

⇒ r 1 =0,5305 A o

Para hallar la Longitud de Onda:

2 Π r1   2 Π (0,5305)  
λ= Entonces : λ= =3,332 A o
n1 1

3. Obtener las velocidades orbitales de los electrones en sus niveles para un átomo de Litio (Li), así
como los radios de los estados estacionarios.
  Utilizando los datos del ejercicio 1:

r 1=0,5305 A o

r 2=2,122 Ao

 A partir de eso calculamos la longitud de onda:

2 Π r1  
λ=
n1

2 Π (0,5305)  
 Para n=1 ⇒ =3,332 A o
1
2 Π ( 0,122) 
 Para n=2 ⇒ =6,666 A o
2

 Finalmente calculamos la velocidad de los orbitales:

H 
v n= −1 0
10 × λn × M

6,62 ×   10−34 6
⇒ v 1= −1 0 −31
=2,185× 10 m/s
10 × 3,332× 9,09× 10

6,62×   10−34 6
⇒ v 2= −1 0 −31
=1,092 ×10 m/s
10 × 6,666 ×9,09 ×10

PRACTICA 2

1. Hallar el valor del nivel de energía existente en la banda prohibida de los elementos Si y Ge para:
a) Una temperatura de -73°C b) Una temperatura de 127°C
  Recordemos que la TEMPERATURA se mide en KELVIN

⇒Temperatura para medir en Kelvin(K): C+273=K°

 Para el Silicio

a) (-73°C+273= 200°K)
Ahora para hallar el nivel de Energía en el SILICIO:

 EG (T)=1.21−3.6 × 10−4 T

Entonces reemplazamos datos:

 EG (T)=1.21−3.6 × 10−4 ×(200)

⇒ EG (T)=1,138 eV

b) (127°C+273= 400°K)
Entonces reemplazamos datos:

 EG (T)=1.21−3.6 × 10−4 ×(400)

⇒ EG (T)=1,066 eV

 Para el Germanio

a) (-73°C+273= 200°K)
Ahora para hallar el nivel de Energía en el GERMANIO:

 EG (T)=0.785−2.23× 10− 4 T

Entonces reemplazamos datos:

 EG (T)=0.785−2.23× 10− 4 ×(200)

⇒ EG (T)=0,7404 eV
b) (127°C+273= 400°K)
Entonces reemplazamos datos:

 EG (T)==0.785−2.23× 10− 4 ×( 400)

⇒ EG (T)=0,6958 eV
3. Para un semiconductor intrínseco de Ge a 27°C, se le aplica al material un campo Eléctrico de
200 v./mt. Obtener:
Recordemos que la TEMPERATURA se mide en KELVIN, Entonces:
 Temperatura se mide en Kelvin(K): C+273=K°
Entonces: 27+273=300k, por lo tanto

 un (Impureza Donadora o Tipo N)=1 .800 c m 2/V.-Seg

 u P(Impureza Aceptadora o Tipo P)= 3 . 800 c m 2/V.-Seg
 N i (Concentración intrínseca) = 2 .5 ×10 13 cm−3
 ⅇ (carga del electrón)=1 .6 × 10−19 J
 Campo Eléctrico = 200 v./mt.

A) LA CONDUCTIVIDAD INTRÍNSECA
g= (n . un + p .u p )ⅇ

g= (2. 5× 1019 × 0,38+2. 5× 1019 × 0,18)×1.6 × 10−19

g= (2,24 ¿

B) LA DENSIDAD DE CORRIENTE
J= G × E

J= 2,24 ×200=4,48 (Amp/mt 2)

C) LA VELOCIDAD DE ARRASTRE DE LOS ELECTRONES

V= un × E

V= 0,38 ×200=76(mt/seg)