Resumen Electronica

INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
UNIDAD PROFESIONAL DE INGENIERÍA CAMPUS

GUANAJUATO
Resumen capítulos 1,2 y 3
ALUMNO:
SALAZAR DANIEL ALEJANDRO
PROFESOR: Dr. Daniel Sánchez Guzmán
MATERIA: Electricidad y Electrónica
GRUPO: 5IM1
UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE INGENIERIAS CAMPUS GUANAJUATO

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SILAO, GTO. A 01 DE ABRIL DE 2019
Capitulo 1 DIODOS SEMICONDUCTORES
La miniaturización desarrollada en los años recientes ha dado por resultado sistemas tan pequeños
que ahora el propósito básico del encapsulado sólo es obtener algunos medios para manipular el
dispositivo y asegurar que las conexiones permanezcan fijas en forma adecuada en la base del
semiconductor. Los límites de la miniaturización dependen de tres factores: la calidad del material
semiconductor, la técnica del diseño de redes y los límites de la manufactura y el equipo de
procesamiento.
1.2 El diodo ideal
Es el más sencillo semiconductor, todas sus características se encuentran en las hojas de

especificaciones.
El diodo ideal es un dispositivo con dos terminales
El diodo conducirá energía según la dirección de la flecha del símbolo y actuara como circuito
abierto en cualquier intento por establecer corriente en la dirección opuesta ( solo puede conducir
corriente en una sola dirección).
Uno de los parámetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o la región de

operación. Si se considera la región de conducción definida por la dirección de I D y polaridad de VD
en la figura 1.1
Figura 1.1
se deduce que el valor de la resistencia directa, Rp según lo define la ley de Ohm, es

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donde VF es el voltaje de polarización directa a través del diodo e 1 F es la corriente a través del
diodo.
Por tanto, el diodo ideal es un circuito cerrado para la región de conducción.
donde VR es el voltaje inverso a través del diodo e IR es la corriente inversa en el diodo. Por tanto,
el diodo ideal es un circuito abierto en la región de no conducción.
1.3 Materiales semiconductores
El término semiconductor revela por si mismo una idea de sus características. El prefijo semi suele
aplicarse a un rango de niveles situado a la mitad entre dos límites.
El término conductor se aplica a cualquier material que soporte un flujo generoso de carga, cuando
una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a través de sus terminales. Un aislante es un
material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la presión de una fuente de voltaje
aplicada. Un semiconductor, por tanto, es un material que posee un nivel de conductividad sobre
algún punto entre los extremos de un aislante y un conductor.
Aunque se pueda estar familiarizado con las propiedades eléctricas del cobre y la mica, las
características de los materiales semiconductores, germanio (Ge) y silicio (Si), pueden ser
relativamente nuevas. Como se encontrará en los capítulos que siguen, ciertamente no son los
únicos dos materiales semiconductores; sin embargo, son los que más interesan en el desarrollo de
dispositivos semiconductores.
A un patrón completo se le llama cristal, y al arreglo periódico de los átomos, red cristalina. Para el
Ge y el Si el cristal tiene la estructura de diamante de tres dimensiones. Una unión de átomos
fortalecida por el compartimiento de electrones se denomina unión covalente.
Si bien la unión covalente generará una unión más fuerte entre los electrones de valencia y su
átomo, aún es posible para los electrones de valencia absorber suficiente energía cinética por
causas naturales, para romper la unión covalente y asumir el estado "libre". El término "libre" revela
que su movimiento es muy sensible a los campos eléctricos aplicados, como los establecidos por las
fuentes de voltaje o cualquier diferencia de potencial. Estas causas naturales incluyen efectos
como la energía lumínica en la forma de fotones y la energía térmica del medio que lo rodea.

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Los materiales intrínsecos son aquellos semiconductores que han sido cuidadosamente refinados
para reducir /as impurezas a un nivel muy bajo, esencialmente tan puro como se puede obtener a
través de /a tecnología moderna.
1.4 Niveles de energía
Mientras más distante se encuentre el electrón del núcleo, mayor e:s el estado de energía, y
cualquier electrón que haya dejado a su átomo, tiene un estado de energía mayor que cualquier
electrón en la estructura atómica.
Figura 1.4.1. Niveles de energía : a) niveles discretos en estructuras atómicas aisladas; b) bandas de conducción y valencia de un
aislador, semiconductor y conductor.
El conductor tiene electrones en la banda de conducción aun a O K. Por tanto, es bastante obvio que
a temperatura ambiente existan portadores libres más que suficientes para soportar un gran flujo de
carga o corriente.
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1.5 MATERIALES EXTRÍNSECOS: TIPO n Y TIPO p
Las características de los materiales semiconductores pueden ser alteradas significativamente por la
adición de ciertos átomos de impureza a un material semiconductor relativamente puro. Estas
impurezas, aunque sólo haya sido añadida 1 parte en 10 millones, pueden alterar en forma suficiente
la estructura de la banda y cambiar totalmente las propiedades eléctricas del material.
Material tipo n
Tanto el material tipo n como el tipo p se forman mediante la adición de un número predeterminado
de átomos de impureza al germanio o al silicio. El tipo n se crea a través de la introducción de
elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio,
arsénico y fosforo.
A las impurezas difundidas con 5 electrones de valencia se les llama átomos donores
Material tipo p
El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con átomos
de impureza que poseen tres electrones de valencia. Los elementos que se utilizan con mayor
frecuencia para este propósito son el boro, galio e indio.
Observe que ahora existe un número de electrones insuficiente para completar las uniones
covalentes de la red cristalina recién formada. A la vacante que resulte se le llama hueco, y está
representado por un pequeño círculo o signo positivo debido a la ausencia de una carga negativa.
Por tanto, la vacante resultante aceptará con facilidad un electrón "libre"':
A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como átomos aceptores.
El material resultante tipo p es eléctricamente neutro, por las mismas razones descritas para el
material tipo n.
Flujo de electrones comparado con flujo de huecos.

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Portadores mayoritarios y minoritarios
En el estado intrínseco, el número de electrones libres en Ge o en Si se debe sólo a aquellos

electrones en la banda de valencia que han adquirido suficiente energía de las fuentes térmicas o
lumínicas para romper la unión covalente o a las pocas impurezas que no pudieron eliminarse. Las
"vacantes" dejadas atrás en la estructura de uniones covalentes representan una cantidad muy
limitada de huecos, En un material tipo n, el número de huecos no ha cambiado de manera
significativa de su nivel intrínseco, El resultado neto, por tanto, es que el número de electrones
supera por mucho el número de huecos.
En un material tipo n al electrón se le llama portador mayoritario y el hueco es el portador minoritario.
En un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrón es el portador minoritario.
1.6 DIODO SEMICONDUCTOR
Sin polarización aplicada (VD = O V)
Bajo condiciones sin polarización, cualquiera de los portadores minoritarios (huecos) en el material
tipo n que se encuentren dentro de la región de agotamiento, pasarán directamente al material tipo
p. Mientras más cercano se encuentre el portador minoritario a la unión, mayor será la atracción de

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la capa de iones negativos y menor la oposición de los iones positivos en la región de agotamiento
del material tipo n.
En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de la carga en cualquier dirección

para un diodo semiconductor es cero.
Condición de polarización inversa (VD < O V)
Sin embargo, el número de portadores minoritarios que están entrando a la región de agotamiento
no cambiarán, y dan como resultado vectores de flujo de portadores minoritarios de la misma
magnitud que sin voltaje aplicado, como lo indica la figura 1.14. A la corriente que existe bajo las
condiciones de polarización inversa se le llama corriente de saturación inversa, y se representa
mediante I5
Condición de polarización directa (VD> O V)
Una condición de polarización directa O "encendido" se establece al aplicar el potencial positivo al

materia! tipo p y el potencia! negativo al materia! tipo n. Por tanto, para mayor referencia: Un diodo
semiconductor tiene polarización directa cuando se ha establecido la asociación tipo p y positivo y
tipo n y negativo.
La aplicación de un potencial de polarización directa VD "presionará" los electrones en el material

tipo n y los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones cercanos a la unión y
reducirá el ancho de la región de agotamiento
Región Zener

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La corriente se incrementa a una velocidad muy rápida en una dirección opuesta a aquella de la
región de voltaje positivo. El potencial de polarización inversa que da como resultado este cambio
muy drástico de las características se le llama potencial Zener y se le da el símbolo Vz.
La región Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar si la respuesta de un sistema no
debe ser alterada completamente por el severo cambio en las características de esta región de
voltaje inverso.
El máximo potencial de polarización inversa que puede ser aplicado antes de entrar a la región
Zener se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente como el valor PIV, por las iniciales
en inglés de: Peak Inverse Voltage) o PRV, por las iniciales en inglés de: Peak Reverse Voltage).
Si una aplicación requiere de un valor PIV mayor que el de una sola unidad. se deben conectar en
serie un número de diodos de la misma característica. Los diodos también se conectan de manera
paralela para aumentar la capacidad de transporte de corriente.
1.7 NIVELES DE RESISTENCIA
Cuando el punto de operación de un diodo se mueve desde una región a otra, la resistencia del
diodo también cambiará debido a la forma no lineal de la curva característica
Resistencia en dc o estática
La aplicación de un voltaje de a U D circuito que contiene un diodo semiconductor tendrá por

resultado un punto de operación sobre la curva característica que no cambiará con el tiempo. La
resistencia del diodo en el punto de operación puede encontrarse con sólo localizar los niveles
correspondientes de VD e ID

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EJERCICIO TIPO EXAMEN
Resistencia en ac o dinámica
La resistencia en dc de un diodo es independiente de la forma de la característica en la región que

rodea el punto de interés. Si se aplica una entrada senoidal en lugar de una entrada de, la situación
cambiará por completo. La entrada variante desplazará de manera instantánea el punto de

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operación hacia arriba y abajo en una región de las características y, por tanto, define un cambio
específico en corriente y voltaje.
Una línea recta dibujada tangencialmente a la curva a través del punto Q, como se muestra en la
figura 1.28, definirá un cambio en particular en el voltaje, así como en la corriente que pueden ser
utilizados para determinar la resistencia en ac o dinámica para esta región en las características del
diodo. Se debe hacer un esfuerzo para mantener tan pequeño y equidistante como sea posible el
cambio en el voltaje y en la corriente a cualquier lado del punto Q.
Resistencia en ac promedio
Si la señal de entrada es lo suficientemente grande para producir una gran excursión tal como lo
indica la figura 1.30, a la resistencia asociada con el dispositivo para esta región se le llama
resistencia en ac promedio. La resistencia ac promedio es, por definición, la resistencia determinada
por una línea recta dibujada entre dos intersecciones establecidas por unos valores máximos y
mínimos del voltaje de entrada.

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TABLA RESUMEN

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1.8 CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS
Un circuito equivalente es una combinación de elementos que se eligen en/arma adecuado. para
representar, lo mejor posible, las características terminales reales de un dispositivo, sistema o similar
en una región de operación en particular.
En otras palabras, una vez que se define el circuito equivalente. el símbolo del dispositivo puede
eliminarse de un esquema, e insertar el circuito equivalente en su lugar sin afectar de forma severa
el comportamiento real del sistema. El resultado es a menudo una red que puede resolverse
mediante el empleo de técnicas tradicionales de análisis de circuitos.
Circuito equivalente de segmentos lineales
Como es natural, al circuito equivalente que resulta se le llama circuito equivalente de segmentos
lineales. Los segmentos lineales no resultan ser una duplicación exacta de las características reales,
sobre todo en la región de inflexión de la curva de respuesta. Sin embargo, los segmentos
resultantes son lo suficientemente cercanos a la curva real como para establecer un circuito
equivalente, que ofrecerá una excelente primera aproximación al comportamiento real del
dispositivo.
Circuito equivalente simplificado
Para la mayor parte de las aplicaciones, la resistencia rav es lo suficientemente pequeña como para
omitirse en comparación con otros elementos en la red. La eliminación de rav del circuito equivalente
es la misma que aparece en las características del diodo. Éste establece que un diodo de silicio con
polarización directa en un sistema electrónico bajo condiciones de tiene una caída de 0.7 V a través
de él, en el estado de conducción a cualquier nivel de corriente del diodo.
Circuito equivalente ideal
En la industria, una sustitución popular para la frase "circuito equivalente de diodo" es modelo de
diodo, un modelo que, por definición, es la representación de un dispositivo, objeto y sistema
existente, y así sucesivamente. De hecho, esta terminología de sustitución se empleará casi de
manera exclusiva en los capítulos subsecuentes.
RESUMEN

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HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS
Los datos acerca de los dispositivos semiconductores específicos suele presentarlos el fabri- cante
de dos maneras. Es común que consistan sólo de una breve descripción limitada, a veces de una
página. De otra forma, es un extenso examen de las características con sus gráficas, trabajo
artístico, tablas, etc. Sin embargo, en cualquier caso, existen piezas específicas de datos que
deben incluirse para una correcta utilización del dispositivo. Éstos incluyen:
l. El voltaje directo VF (a una corriente y temperatura especificadas) 2. La corriente directa máxima

IF (a una temperatura especificada) 3. La corriente de saturación inversa IR (a una corriente y
temperatura especificadas) 4. El valor de voltaje inverso [PIVo PRV o V(BR), donde BR proviene del
término "ruptura" (por la inicial en inglés de: breakdown) (a una temperatura especificada)]
5. El nivel máximo de disipación de potencia a una temperatura en particular
6. Los niveles de capacitancia (según se definirá en la sección 1.10)

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7. El tiempo de recuperación inverso t"
8. El rango de temperatura de operación
Dependiendo del tipo de diodo que se considere, también se presentan datos adicionales, como el
rango de frecuencia, el nivel de ruido, el tiempo de conmutación, los niveles de resistencia térmica y
los valores pico repetitivos. Para la aplicación considerada el significado de los datos, en general,
será claro por sí mismo. Si se proporciona la máxima potencia o el valor nominal de disipación, se
entiende que éste es igual al producto siguiente:
CAPÍTULO 2: APLICACIONES DE DIODOS

2.2 ANÁLISIS MEDIANTE LA RECTA DE CARGA
Normalmente, la carga aplicada tendrá un impacto importante en el punto o región de operación del
dispositivo. Si el análisis se debe llevar a cabo de manera gráfica, se puede dibujar una línea recta
sobre las características del dispositivo que represente la carga aplicada. La intersección de la recta
de carga con las características determinará el punto de operación del sistema.
El hecho de que esta corriente y la dirección de conducción definida del diodo sean "semejantes",
indica que el diodo está en estado "encendido" y que se establece la conducción. La polaridad
resultante a través del diodo será como se señala, y el primer cuadrante (VD e ID positivos) de la
figura 2.1b será la región de interés, es decir, la región de polarización directa.
Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito en serie
E = VD + ID*R

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Las intersecciones de la recta de carga sobre las características pueden determinarse con facilidad
si se considera que en cualquier lugar del eje horizontal I D = O A Y que en cualquier lugar del eje
vertical VD=O V. Si se establece V D = O V y se resuelve para I D se tiene una magnitud de I D sobre el
eje vertical. Por tanto, con VD = O V se convierte en: ID = E/R
Si se establece ID = O A y se resuelve para V D se tiene la magnitud de V D sobre el eje vertical. Por

tanto, con ID = O A se convierte en: VD = E
Ahora se tiene una recta de carga definida por la red y una curva de características definida por el
dispositivo. El punto de intersección entre las dos es el punto de operación para este circuito.
Mediante el sencillo dibujo de una línea recta hacia abajo hasta el eje horizontal puede determinarse
el voltaje del diodo VD' mientras que una línea horizontal a partir del punto de intersección y hasta el
eje vertical dará el nivel de ID, a esto se le llama punto estable (Q)
Para conocer el Voltaje y corriente del diodo en el circuito, lo que se hace es

conocer primero la corriente del diodo, para esto se usa la ley de Ohm (V=IR), por
lo tanto se divide el Voltaje entre la resistencia para conocer la corriente en el
circuito, y como ya se conoce el voltaje, se grafica la recta, para esto se unen los
puntos del valor del voltaje y corriente. Para conocer la corriente del diodo, se
considera el voltaje del diodo como 7 volts, y se intersecta con la recta de carga
para conocer su corriente.
2.3 APROXIMACIONES DE DIODOS

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Tenga en cuenta que el 0.7 V Y el 0.3 V en los circuitos equivalentes no son fuentes independientes
de energía. pero están ahí sólo para que recuerde que existe un "precio que debe pagarse" por
encender un diodo. Un diodo aislado en la mesa de laboratorio no indicará 0.7 V o 0.3 V si se coloca
un voltímetro en sus terminales. Los fabricantes especifican la caída de voltaje a través de cada uno
cuando el dispositivo se encuentra en "encendido'·. y detallan que el voltaje del diodo debe ser por lo
menos del nivel que se indica antes que la conducción pueda establecerse.
2.4 CONFIGURACIÓN DE DIODOS EN SERIE CON ENTRADAS DE DC
En general, un diodo está en estado "encendido" si la corriente establecida por las fuentes aplicadas
es tal que su dirección concuerda con la flecha del símbolo del diodo, y V D >= 0,7 V para el silicio y
V D >= 03 V para el germanio.
Si un diodo está en estado "encendido", se puede colocar una caída de 0.7-V a través del elemento,
o dibujar de nuevo la red con el circuito equivalente V T como se definió en la tabla 2.1. Con el
tiempo, probablemente se preferirá incluir la caída de 0.7· Va través de cada diodo en "encendido" y

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dibujar una línea a través de cada diodo en estado "apagado" o abierto. Inicialmente el método de
sustitución se utilizará con el fin de asegurar que se determinen el voltaje y los niveles de corriente
adecuados.
Si el diodo se invierte, no fluye corriente a través del diodo, ahora el diodo está apagad, por lo tanto
su voltaje es igual a 0.

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2.5 CONFIGURACIONES EN PARALELO Y EN SERIE-PARALELO
Para cada área de aplicación, sólo se igualan las series secuenciales de pasos aplicados a las
configuraciones de diodos en serie.

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2.6 COMPUERTAS AND/OR
El análisis de las compuertas AND/OR se realiza con fáciles mediciones al utilizar el equivalente
aproximado para un diodo. en lugar del ideal. debido a que puede estipularse que el voltaje a través
del diodo debe ser 0.7 V positivos para el diodo de silicio (0.3 V para el de germanio) para cambiar al
estado "encendido'·. En general. el mejor método es el de establecer un sentido "intuitivo·' para el
estado de los diodos mediante la observación de la dirección y la "presión" que establecen los
potenciales aplicados. El análisis verificará o negará las suposiciones iniciales.

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El estado de los diodos es, por tanto, confirmado y el análisis anterior fue correcto. A pesar de que
no hay O V como se especificó antes para el nivel 0, el voltaje de salida es lo suficientemente
pequeño para poder considerarlo en un nivel O. Para la compuerta AND, por tanto, una única
entrada dará por resultado un nivel 0 de salida.
2.7 RECTIFICADORES SENOIDALES; RECTIFICACIÓN DE MEDIA ONDA
La red más simple que se examinará con una señal variable en el tiempo aparece en la figura 2.43.
Por el momento se utilizará el modelo ideal (obsérvese la ausencia de la identificación Si o Ge para
denotar el diodo ideal), para asegurar que el sistema no se dificulte por la complejidad matemática
adicional.
A través de un ciclo completo, definido por el periodo T de la figura 2.43, el valor promedio (la suma
algebraica de las áreas arriba y abajo del eje) es cero. El circuito de la figura 2.43, llamado
rectificador de media onda, generará una forma de onda vo' la cual tendrá un valor promedio de uso
particular en el proceso de conversión de ac a dc. Cuando un diodo se usa en el proceso de
rectificación, es común que se le llame rectificador.
Al proceso de eliminación de la mitad de la señal de entrada para establecer un nivel de se le llama

rectificación de media onda.

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2.8 RECTIFICACIÓN DE ONDA COMPLETA
PUENTE DE DIODOS: La red más familiar para llevar a cabo tal función aparece en la figura 2.52
con sus cuatro diodos en una configuración en forma de puente. Durante el periodo t '" O a Tl2 la
polaridad de la entrada se muestra en la figura 2.53. Las polaridades resultantes a través de los
diodos ideales también se señalan en la figura 2.53 para mostrar que D, y D3 están conduciendo, en
tanto que D¡ y D, se hallan en estado "apagado". El resultado neto es la configuración de la figura
2.54, con su corriente y polaridad indicadas a través de R. Debido a que los diodos son ideales, el
voltaje de carga V o = Vi' según se muestra en la misma figura.
RECORTADORES

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Existe una variedad de redes de diodos que se llaman recortadores y tienen la capacidad de
"recortar" una porción de la señal de entrada sin distorsionar la parte restante de la forma de onda
alterna.
EN SERIE: La respuesta de la configuración en serie de la figura 2.67a a una variedad de formas de

onda alternas se ilustra en la figura 2.67b. Aunque se presentó al principio como un rectificador de
media onda (para fonnas de onda senoidales), no existen limitaciones sobre el tipo de señales que
pueden aplicarse a un recortador. La adición de una fuente de de como la que se muestra en la
figura 2.68 puede tener un efecto pronunciado sobre la salida de un recortador. El análisis inicial se
limitará a los diodos ideales, y se reservará el efecto de V T a un ejemplo posterior.

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EN PARALELO: El análisis de las configuraciones en paralelo es muy similar a la que se aplica a las
configuraciones en serie, como se demostrará en el siguiente ejemplo.

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Resumen: una variedad de recortadores en serie y en paralelo con los resultados de salida para las
entradas senoidales se presentan en la figura 2.91. Obsérvese en particular la respuesta de la última
configuración, con su capacidad de recortar Una sección positiva o negativa como se determine por
la magnitud de sus fuentes de dc.
Capitulo 3 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN
El diodo de bulbo fue introducido por J. A. Fleming en 1904. En 1906, Lee De Forest le añadió un
tercer elemento al diodo al vacío, denominado rejilla de control, lo cual dio por resultado el triodo,
primer amplificador de su género. A principio de los años treinta el tubo de vacío de cuatro y cinco
elementos cobró gran importancia en la industria de los tubos electrónicos al vacío.
Walter H. Brattain y Joseph Bardeen en 1930 demostraron la acción amplificadora del primer
transistor en la compañía Bell Telephone Laboratories. Las ventajas de este dispositivo de estado
sólido de tres terminales respecto al bulbo se manifestaron de inmediato: era más pequeño y ligero,
no tenía requerimientos de calentamiento o disipación de calor, su construcción era resistente y era
más eficiente debido a que el mismo dispositivo consumía menos potencia, estaba disponible para
utilizarse de inmediato.
3.2 CONSTRUCCIÓN DE TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material
tipo n y una capa tipo p, o, de dos capas de material tipo p y una tipo n. Al primero se le llama
transistor npn (a), en tanto que al segundo transistor pnp(b). Ambos se muestran en la figura 3.2.1.

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Figura 3.2.1. Tipos de transistores
La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada. la base ligeramente dopada y el colector sólo
muy poco dopado. Las capas exteriores tienen espesores mucho mayores que el material tipo pon al
que circundan. El dopado de la capa central es también mucho menor que el dopado de las capas
exteriores (casi siempre 10: 1 o menos). Este nivel bajo de dopado disminuye la conductividad
(aumenta la resistencia) de este material al limitar el número de portadores "libres".
La abreviatura BJT, de transistor bipolar de unión (del inglés, Bipolar Junction Transistor), suele
aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y
los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polaIlzado de forma opuesta. Si
sólo se utiliza un portador (electrón o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.
3.3 OPERACIÓN DEL TRANSISTOR
En la figura 3.3.1 se dibujó de nuevo el transistor pnp sin la polarización base-colector. El espesor
de la región de agotamiento se redujo debido a la polarización aplicada, lo que da por resultado un
flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n.
Figura 3.2.1 Unión con polarización directa transistor pnp.

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Ahora se eliminará la polarización base-colector del transistor pnp, se muestra en la figura 3.2.2. El
flujo de los portadores mayoritarios es cero, y da por resultado sólo un flujo de portadores
minoritarios. En resumen: Una unión p-n de un transistor tiene polarización inversa, mientras que la
otra tiene polarización directa.
Figura 3.2.2 Unión con polarización inversa de un transistor pnp.
Ahora ambos potenciales de polarización se aplicaron a un transistor pnp, con el flujo resultante
indicado de portadores mayoritarios y minoritarios. Obsérvense, en la figura 3.2.3, los espesores de
las regiones de agotamiento, que indican con claridad cuál unión tiene polarización directa y cuál
polarización inversa. Por lo que habrá una gran difusión de portadores mayoritarios a través de la
unión p~n con polarización directa hacia el material tipo n. Debido a que el material tipo n del centro
es muy delgado y tiene baja conductividad. un número muy pequeño de estos portadores tomará
esta trayectoria de alta resistencia hacia la tenninal de la base.
La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los microamperes.

comparado con miliamperes para las corrientes del emisor y del colector. La mayor cantidad '"de
estos portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión con polarización inversa, hacia el
material tipo p conectado a la terminal del colector.
Figura 3.2.3 Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp.
Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 3.2.3, como si fuera un solo nodo,
se obtiene:
I E =I C + I B
Es decir, la corriente del emisor es la suma de las corrientes del colector (I C) y de la base (I B), la
corriente del colector está formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios.

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I E =I C mayoritaria
+ I CO mayoritaria
Al componente de corriente minoritaria se le denomina corriente de fuga y se le asigna el símbolo I C0

(corriente con la terminal del emisor abierta).
Para los transistores de propósíto general, IC se mide en miliamperes, mientras que leo se mide en
microamperes o nanoamperes. ICO al igual que IS para un diodo con polarización inversa, es sensible
a la temperatura y debe analizarse con cuidado cuando se consideren rangos amplios de
temperatura.
3.4 CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN
Por lo regular la base es la terminal más cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. Las
direcciones de corriente harán referencia al flujo convencional. Esta elección se basó, sobre todo en
el hecho de que en la gran cantidad de literatura disponible en instituciones educativas e industriales
se utiliza el flujo convencional. y las flechas en todos los símbolos electrónicos tienen una dirección
definida por esta convención.
La flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del emisor (flujo convencional) a
través del dispositivo. Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.4.1 son las
direcciones reales definidas por medio de la elección del flujo convencional.
Figura 3.4.1 Notación y símbolos utilizados con la configuración de base común: a) transistor pnp; b) transistor npn.
Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales como los

amplificadores de base común de la figura 3.4.1 se requiere de dos conjuntos de características, uno
para el punto de excitación o parámetros de entrada y el otro para el lado de la salida. Como se
muestra en la figura 3.4.2, el conjunto de entrada para el amplificador de base común relacionará la
corriente de entrada (lE) con un voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (V CB).

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Figura 3.4.2 Características del punto de entrada o manejo para un amplíficador a transistor de silicio de base común.
El conjunto de salida relacionará la corriente de salida (l c) con un voltaje de salida (V CB) para varios
niveles de corriente de entrada (l E) según se muestra en la figura 3.4.3, EL conjunto de
características de la salida o colector tiene tres regiones básicas de interés las regiones activa, de
corte y de saturación. La región activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin
distorsión). En particular: En la región activa la unión base-colector se polariza inversamente,
mientras que la unión emisor-base se polariza directamente.
Figura 3.4.3 Características de salida o colector para un amplificador a transistor de base común.
VCB sobre la corriente del colector para la región activa. Las curvas indican con claridad que una
primera aproximación a la relación entre l E y Ic en la región activa está especificada por:
I C =I E
En la región de corte, tanto la unión base-colector como la unión emisor-base de un transistor tienen
polarización inversa. En la región de saturación, tanto la unión base-colector como la emisor-base
están en polarización directa.
Alfa
En el modo de dc los niveles de lC y IE debidos a los portadores mayoritarios se encuentran

relacionados por una cantidad llamada alfa y definida por la siguiente ecuación:
IC
∝dc =
IE
Debido a que alfa sólo puede definirse para los portadores mayoritarios, se convierte en:
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I C =∝ I E + I BCO
Para las situaciones de ac donde el punto de operación se desplaza sobre la curva de característica,
un alfa en ac se define mediante:
Polarización
La polarización correcta de la configuración de base común en la región activa se puede determinar

con rapidez si se utiliza la aproximación Ic = I E y suponiendo, por el momento, que I B = 0 MA. El
resultado es la configuración de la figura 3.4.4 para el transistor pnp. La flecha del símbolo define la
dirección del flujo convencional para l E = lC
Figura 3.4.4 Establecimiento de la polarización correcta para un transistor pnp en base común en la región activa.
3.5 ACCIÓN AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR
La acción básica de amplificación del transistor sobre un nivel superficial utilizando la red de la figura
3.5.1
Figura 3.5.1 Acción básica de amplificación de voltaje de la configuración de base común.
La acción básica de amplificación se produjo mediante la transferencia de una comente 1 desde un

circuito de baja resistencia a uno de alta. La combinación de las partes de las dos palabras en
itálicas, en la siguiente fórmula, da como resultado el término transistor; esto es:
transferencia + resistor  transistor

24
3.6 CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN
Se le denomina configuración de emisor común debido a que el emisor es común o hace referencia
a las terminales tanto de entrada como de salida, la configuración de transistor que se encuentra
más a menudo aparece en la figura 3.6.1 para los transistores pnp y npn.
Para la configuración de emisor común, las características de salida son una gráfica de la corriente
de salida (lC) en función del voltaje de salida (V CE) para un rango de valores de corriente de entrada
(lB). Las características de entrada son una gráfica de la corriente de entrada (l B) en función del
voltaje de entrada (VBE) para un rango de valores de voltaje de salida (V CE).
Figura 3.6.1 Notación y símbolos utilizados con la configuración de emisor común: a) transistor npn; b) transistor pnp.
En la región activa de un amplificador de base común la unión del colector-base se encuentra

polarizada inversamente, mientras que la unión base-emisor se encuentra polarizada directamente.
Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión), el corte para la configuración de emisor
común se definirá mediante lC = ICEO
BETA
En el modo de dc, los niveles de lC e lB se relacionan mediante una cantidad a la que llamaremos
beta y se definen mediante la ecuación siguiente:

24
IC
β dc =
IB
donde lC e lB son determinadas en un punto de operación en particular de las características.
Polarización
La polarización adecuada de un amplificador de emisor común puede determinarse de una manera

similar a la presentada para la configuración de base común. Suponga que se le presenta un
transistor npn como el que se muestra en la figura 3.6.7a, y se pide aplicar la polaridad correcta para
colocar al dispositivo en la región activa. El primer paso consiste en indicar la dirección de l E según lo
establece la flecha en el símbolo del transistor como se muestra en la figura 3.6.7b
Figura 3.6.7 Determinación del arreglo polarización apropiada para una configuración de transistor npn en emisor común.
3.7 CONFIGURACIÓN DE COLECTOR COMÚN
La tercera y última configuración de transistor es la configuración de colector común, que se ilustra

en la figura 3.7.1 con las direcciones adecuadas de corriente y notación de voltaje. La configuración
de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de impedancia, debido a
que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida.
Figura 3.7.1 Notación y símbolos utilizados con la configuración de colector común: a) transistor pnp; b) transistor npn.
3.8 LÍMITES DE OPERACIÓN

24
Para cada transistor hay una región de operación sobre las características, las cuales asegurarán
que no se rebasen los valores máximos y que la señal de salida exhiba una distorsión mínima.
El nivel máximo de disipación se define mediante la ecuación siguiente:
En caso de que no se disponga de las curvas características, o que éstas no aparezcan en la hoja
de especificaciones (cosa que suele ocurrir), sólo habrá que asegurar que l C ,VCE, y su producto VCE
IC caigan dentro del rango que aparece en la ecuación
Para las características de base común, la curva de potencia máxima se define mediante el siguiente
producto de cantidades de salida:
REFERENCIA:
 Boylestad,L., Nashelsky,L.(1997). Electrónica: Teoría de Circuitos (6ª. Ed), Edo. De México,

Pearson Educación.

24

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INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

UNIDAD PROFESIONAL DE INGENIERÍA CAMPUS

Resumen capítulos 1,2 y 3

PROFESOR: Dr. Daniel Sánchez Guzmán

MATERIA: Electricidad y Electrónica

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1.2 El diodo ideal

Es el más sencillo semiconductor, todas sus características se encuentran en las hojas de

El diodo ideal es un dispositivo con dos terminales

Uno de los parámetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o la región de

se deduce que el valor de la resistencia directa, Rp según lo define la ley de Ohm, es

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Por tanto, el diodo ideal es un circuito cerrado para la región de conducción.

1.3 Materiales semiconductores

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1.4 Niveles de energía

Flujo de electrones comparado con flujo de huecos.

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En el estado intrínseco, el número de electrones libres en Ge o en Si se debe sólo a aquellos

En un material tipo n al electrón se le llama portador mayoritario y el hueco es el portador minoritario.

En un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrón es el portador minoritario.

1.6 DIODO SEMICONDUCTOR

Sin polarización aplicada (VD = O V)

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En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de la carga en cualquier dirección

Condición de polarización inversa (VD < O V)

Condición de polarización directa (VD> O V)

Una condición de polarización directa O "encendido" se establece al aplicar el potencial positivo al

La aplicación de un potencial de polarización directa VD "presionará" los electrones en el material

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1.7 NIVELES DE RESISTENCIA

La aplicación de un voltaje de a U D circuito que contiene un diodo semiconductor tendrá por

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La resistencia en dc de un diodo es independiente de la forma de la característica en la región que

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Circuito equivalente de segmentos lineales

Circuito equivalente simplificado

Circuito equivalente ideal

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l. El voltaje directo VF (a una corriente y temperatura especificadas) 2. La corriente directa máxima

5. El nivel máximo de disipación de potencia a una temperatura en particular

6. Los niveles de capacitancia (según se definirá en la sección 1.10)

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8. El rango de temperatura de operación

CAPÍTULO 2: APLICACIONES DE DIODOS

Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito en serie

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Si se establece ID = O A y se resuelve para V D se tiene la magnitud de V D sobre el eje vertical. Por

Para conocer el Voltaje y corriente del diodo en el circuito, lo que se hace es

2.3 APROXIMACIONES DE DIODOS

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2.4 CONFIGURACIÓN DE DIODOS EN SERIE CON ENTRADAS DE DC

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2.7 RECTIFICADORES SENOIDALES; RECTIFICACIÓN DE MEDIA ONDA

Al proceso de eliminación de la mitad de la señal de entrada para establecer un nivel de se le llama

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EN SERIE: La respuesta de la configuración en serie de la figura 2.67a a una variedad de formas de