CUESTIONARIO

1. Explicar lo observado en el 3.I del procedimiento.

 El punto Q tiende a la región de saturación.

Tanto la unión base-colector como la unión base-emisor de un transistor tienen polarización

directa. Cuando VCE toma cierto valor la IC cae a 0 debido a que las uniones están en polarización
directa, las corrientes se anulan.

Así tenemos que un transistor está saturado cuando I C = IE = IMáxima

 El punto Q tiende a la región de corte.

Tanto la unión base-emisor como la unión colector-emisor de un transistor tienen polarización

inversa. En la región de corte la IC no es igual a cero cuando IB es cero.

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del
circuito. De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como un circuito
abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

2. Hacer un comentario acerca de las potencias desarrolladas en el circuito y de su

rendimiento.

En el caso particular de un transistor bipolar, consideramos que la potencia que disipa viene dada
por la corriente de colector multiplicada por la tensión que colector-emisor, es decir:

El producto de la corriente de colector por la tensión colector-emisor indica la potencia disipada

por el dispositivo. En función del tipo de transistor (de su fabricación, características y
encapsulado), y de las condiciones ambientales, la potencia que puede soportar un transistor
varía.

Con respecto al rendimiento, mientras menos potencia disipada mayor será el rendimiento, si por
el contrario la potencia es mayor, menor será su rendimiento.

3. A qué se atribuye las diferencias entre sus datos teóricos y prácticos.

La comparación entre los resultados teóricos y experimentales se hacen para conocer si el circuito
está funcionando según el diseño realizado. Las principales razones que existan diferencias entre
los datos teóricos y prácticos se debe a:

 El circuito armado en físico tiene valores aproximados a los que fueron dados
teóricamente.
 La falta de precisión de los componentes reales a los ideales.

4. Sustente teóricamente los procedimientos seguidos en los pasos 3.e y 3.f.

Un circuito amplificador también debe tener otras características como alta impedancia de
entrada (ZIN), baja impedancia de salida (ZOUT) 

 La impedancia de entrada Zi

La misma idea se aplica a la impedancia de salida del amplificador. Cuando una resistencia de
carga, R L se conecta a la salida del amplificador, el amplificador se convierte en la fuente que
alimenta la carga. Por lo tanto, el voltaje y la impedancia de salida se convierten automáticamente
en la tensión de la fuente y la impedancia de la fuente para la carga, como se muestra.

 La impedancia de salida Zo

Entonces podemos ver que las características de entrada y salida de un amplificador se pueden
modelar como una red divisoria de voltaje simple. El amplificador mismo se puede conectar en
Common Emitter (emisor conectado a tierra), Common Collector (seguidor de emisor) o en
configuraciones Common Base.
 5. Indicar sus observaciones generales de la práctica y sus conclusiones.

OBSERVACIONES

 Los cables coaxiales no conectaban de manera correcta en el osciloscopio y en el

generados de señales, por lo cual nos dificulto la lectura de la onda.
 NOTA: Para la región de corte en el circuito: La región por debajo de I B =0µA debe evitarse
si se requiere una señal de salida sin distorsión.

CONCLUSIONES

 Si sobreexcitamos un amplificador, por una señal de entrada alta, o si lo utilizamos en su

porción lineal, la señal obtenida será distorsionada y por lo tanto será diferente a la
entrada.
 Si el amplificador funciona por la porción de sus características la señal de salida, es fiel.
 Los transistores de una configuración de amplificados son usados muy frecuentemente en
dispositivos comunes.

BIBLIOGRAFÍA

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Recuperado de:
http://www.iuma.ulpgc.es/users/jrsendra/Docencia/Electronica/PDF/Laboratorio/Practica_6.pdf