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8) Diseño de interruptores.
Construir un interruptor serie (con carga a masa) para la conmutación de una tensión de 20V sobre
una carga de 20Ω, controlado mediante una tensión digital con valores 0-5V. Considerar los casos
de utilizar como interruptor un transistor PNP o NPN. Se dispone de transistores de pequeña señal y
de media potencia.
I0
Vi T
+
R3
RL V0
R2 I2
R1
VC T1
I1
Figura 2
En efecto, puesto que la corriente de base tiene sentido de salida, I2, bastará utilizar un transistor de
pequeña señal, T1, que, actuando como interruptor a masa, habilite o no el camino para esa
corriente. Por otra parte, la configuración permite la saturación del transistor principal, T, a través
de la condición I2>I0/β, para lo que basta elegir adecuadamente el valor de R2.
Hay que imponer, por tanto, la operación en saturación de los transistores como condición de
diseño, lo que se realizará mediante las resistencias involucradas.
V0 Vi VEC Vi
I0
T sat
IC T
RL RL RL
IC Vi Vi
IB T
R2 R L 100 20 2k R2 1k
T
R2 R L
Cuanto menor sea R2, y, por tanto, más elevada la corriente de base, mayor será la entrada en
saturación del transistor T, pues mejor se cumplirá la condición al respecto IB>IC/β. De este modo,
la tensión en conducción emisor-colector resultará menor y, en consecuencia, la potencia disipada,
pero a costa de un mayor tiempo en la posterior conmutación a corte. Por tanto, se hace necesario
introducir alguna modificación en el circuito que, sin alterar su operación básica, redunde en una
mejora de los tiempos de conmutación. Esto se lleva a cabo mediante la resistencia R3, como se
analizará con posterioridad (diseño dinámico).
VC V BE (5 0.7)V 4.3V
IB T1
I1 T1
R1 R1 R1
Vi 20V
IC I2 20mA
T 1 sat
R2 1k
c) Inclusión de R3:
La introducción de la resistencia R3 tiene por objeto mejorar la conmutación del transistor principal,
T, a través de la reducción del tiempo de conmutación de saturación a corte. En efecto, la
conmutación a corte de un transistor bipolar se realiza con corriente transitoria inversa de base,
encargada de la descarga e inversión de polaridad de las capacidades equivalentes Ccb y Cbe, tal
como se explica, de forma diáfana, en el punto 6 del tema 6. De no ser posible esa corriente por la
propia estructura del circuito, como sucede en el presente caso, la eliminación de la carga
excedentaria en las regiones semiconductoras se realizaría a través de un proceso de recombinación,
lo que conlleva una mayor duración temporal.
De este modo, cuanto menor sea el valor de R3, mayor será esa corriente y, por tanto, más rápida la
descarga de las capacidades equivalentes y, por tanto, la conmutación a corte. Sin embargo, es
preciso tener en cuenta que esa resistencia puede modificar por completo la operación global
cuando los transistores deben conducir, en correspondencia con VC=5V. En efecto, constatando que
la tensión en R3 no puede superar en ningún caso el valor típico de conducción de la unión PN
emisor-base de T, del orden de 1V, caben dos situaciones:
a) Que la corriente por R3, con VEB≈1V, sea compatible con la corriente I2 determinada por la
conducción de T y el valor de R2.
b) Que no lo sea, en cuyo caso, asociado a valores bajos de R3, el transistor T no puede entrar en
conducción, por quedar la tensión VEB por debajo de su valor umbral, y V0=0V de forma
permanente.
Estas situaciones se explican muy bien utilizando los valores numéricos derivados del diseño. Así,
despreciando la tensión colector-emisor de T1 en saturación, resulta:
Conducción de T en saturación:
I0 1A 19V 1V 1V 1V
IB 10mA ; I B I R 2 I R 3 19mA 10mA R3 110
100 R2 R3 R3 9mA
A este respecto, debe observarse, como planteamiento verdaderamente importante, que el efecto
positivo de la inclusión de R3 es doble. Por una parte, habilita el camino para la corriente inversa de
base, como ya se ha explicado, pero, por otra, reduce el valor de la corriente directa de base en
saturación, lo que determina una menor profundización en este estado, con el resultado global de un
menor tiempo de conmutación a corte.
Imposibilidad de conducción de T:
20V R 1k R 3 0
VEB 1V , I B 0 : VR 3 I R 3 R3 R3 1V R3 2 50 ; VR 3 0V
R3 R2 19 19
I0
Vi T
+
RL V0
R4 I7
VX
R2 I3
I6 I5
R3
V1 T2
R1 I2 I4
VC T1
I1
Figura 3
4 Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0
Ejercicios prácticos: etapas con BJT
En esta configuración, debe constatarse, como cuestión verdaderamente relevante, que el transistor
T (NPN) trabaja siempre en modo activo y no en saturación como en el caso anterior:
VCE VCB V BE V R 4 V BE I 6 R4 V BE V BE
En el caso de que el interruptor está cerrado, interesa que V0 sea lo más próximo posible a Vi, lo
que significa que el transistor opere en las proximidades de saturación. La ventaja que presenta esta
estructura es que la conmutación a corte es más rápida al no estar saturado el transistor, aunque la
potencia disipada en este caso es mayor.
Vi I 6 R4 VBE T
V0 V0 Vi VBE T
I 6 R4 I 0 R L
T en modo activo:
IC IE I0 V0 V0
I6 I7 IB V0 Vi V BE R4
T T
T
RL T
RL
R Vi VBE T
V0 1 Vi VBE V0
4
R L
T
1
R4
RL
Es decir, hay que minimizar R4 para perder la menor tensión posible en T (reducir VCE lo máximo
posible), a costa de una mayor corriente por T2 cuando se sature y T esté en corte. Por tanto, T2 se
elegirá también como transistor de media potencia ( V BE T 1V ). Visto de otro modo, se trata de
minimizar la caída de tensión en R4 para que la tensión en base del transistor T sea lo más próxima
posible a Vi. En este caso, considerando los valores indicados en el enunciado:
V0 20V I0
I0 1A ; I 6 I 7 I B 10mA
RL 20 T
Es importante observar que la obtención de una tensión de salida lo más próxima posible a la de
entrada conlleva utilizar valores de R4 suficientemente bajos, pero ello supone derivar una corriente
por T2 en saturación, tan absurda como innecesariamente alta, en un transistor cuya única misión es
un control ON-OFF y que, por tanto, debe realizarse con la menor corriente posible.
Así, en el caso presente, la elección de R4=100Ω significa perder solo un voltio en esa resistencia,
con lo que se obtiene una tensión de salida de 18V, lo cual es aceptable. Al mismo tiempo, se está
derivando a masa, con T2 en saturación y T en corte, una corriente de 200mA, lo que carece de todo
sentido. La forma de salvar esta contradicción es utilizar un transistor PNP en lugar de la resistencia
R4, tal como se expone al final.
Dado que R2 limita por sí misma la corriente por el colector de T1 y la base de T2, puede
considerarse, sin ningún problema, R3=0.
Vi VBE Vi VBE Vi
IB I3 I4 T2
T2
T2
R2 R3 R 3 0 R2 R2
Vi VCE T 2 sat Vi
IC T2
I5 I6
R4 R4
IC Vi Vi
IB T2
R2 2 R4 100 100 10k R2 2k
T2
2 R2 2 R4
IC 4.3V 10mA
IB T1
R1 129k R1 33k
T1
1 R1 300
De nuevo, cabe el comentario, tantas veces reiterado, de que una mayor corriente de base, lo que se
lleva a cabo reduciendo la resistencia asociada al camino correspondiente, supone una saturación
más profunda, pero a costa de un mayor tiempo en la conmutación posterior a corte. Esto implica
una limitación en la frecuencia de operación, pues resulta del todo ineludible la completitud de los
transitorios y el alcance pleno de los regímenes permanentes de corte y saturación en la operación
del transistor en estados extremos.
6 Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0
Ejercicios prácticos: etapas con BJT
I0
Vi T
+
T2 RL V0
I3
I2 R2
R1
VC T1
I1
Figura 4
V0 Vi VCE T
Vi VEC T 2 sat .
VBE T V V
i BE T Vi 1V 19V
Con esta estrategia, el transistor está en modo activo pero al borde de la saturación, reduciendo de
este modo la caída de tensión que se tenía anteriormente en la resistencia R4 y el consumo por esta
en el estado de corte del transistor principal. En cuanto al diseño, se siguen exactamente las mismas
pautas que en la configuración de la figura 2, incluyendo la resistencia entre emisor y base de T2.