Informe Terminado de Dispositivos Ponce

lOMoARcPSD|3650435
Informe Terminado DE Dispositivos Ponce
Introduccion a las telecomunicaciones (Universidad Nacional Mayor de San Marcos)
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LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
UNIVERSIDAD
NACIONAL MAYOR DE
SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERÍA
ELECTRÓNICA Y ELECTRICA
TEMA: Informes de Laboratorio

de Dispositivos Electrónicos
Docente: Ing. Ponce Martínez, Luis
Horario de Laboratorio: MARTES 12Pm-2pm
INTEGRANTES:
JUAN
EXPERIMENTO Nº 1
I. OBJETIVO:
UTILIZAR CARACTERISTICAS DE OPERACIÓN DE LOS

DIODOS SEMICONDUCTORES
II. INFORME PREVIO
EL DIODO
Las propiedades de los materiales semiconductores se conocían en 1874,
cuando se observó la conducción en un sentido en cristales de sulfuro, 25
años más tarde se empleó el rectificador de cristales de galena para la
detección de ondas. Durante la Segunda Guerra Mundial se desarrolló el
primer dispositivo con las propiedades que hoy conocemos, el diodo de
Germanio.
POLARIZACIÓN CIRCUITO CARACTERÍSTICAS
DIRECTA
El diodo conduce con una caída de tensión
El ánodo se conecta al positivo de de 0,6 a 0,7V. El valor de la resistencia
la batería y el cátodo al interna sería muy bajo. Se comporta como
negativo. un interruptor cerrado
INVERSA El diodo no conduce y toda la tensión de la

pila cae sobre él. Puede existir una
El ánodo se conecta al negativo y
corriente de fuga del orden de µA. El valor
el cátodo al positivo de la
de la resistencia interna sería muy alto Se
batería
comporta como un interruptor abierto.
DIODO RECTIFICADOR
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos

semiconductores que solo conducen en polarización directa
(arriba de 0.7 V) y en polarización inversa no conducen. Estas
características son las que permite a este tipo de diodo
rectificar una señal.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y
el voltaje en inverso que pueden soportar.
Los diodos, en general se identifican mediante una referencia. En
el sistema americano, la referencia consta del prefijo “1N”
seguido del número de serie, por ejemplo: 1N4004. La “N”
significa que se trata de un semiconductor, el “1” indica el
número de uniones PN y el “4004” las características o
especificaciones exactas del dispositivo. En el sistema europeo o
continental se emplea el prefijo de dos letras, por ejemplo:
BY254. En este caso, la “B” indica el material (silicio) y la “Y” el
tipo (rectificador). Sin embargo muchos fabricantes emplean sus
propias referencias, por ejemplo: ECG581.
DIODO ZÉNER
Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su

capacidad de mantener un voltaje constante en sus terminales
cuando se encuentran polarizados inversamente, y por ello se
emplean como elementos de control, se les encuentra con
capacidad de ½ watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4
voltios hasta 200 voltios.
El diodo zener polarizado directamente se comporta como un
diodo normal, su voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.

Los diodos zener se identifican por una referencia, como por

ejemplo: 1N3828 ó BZX85, y se especifican principalmente por
su voltaje zener nominal (VZ) y la potencia máxima que pueden
absorber en forma segura sin destruirse (PZ)
DIODO EMISOR DE LUZ (LED)

Es un diodo que entrega luz al aplicársele un determinado voltaje. Cuando esto
sucede, ocurre una recombinación de huecos y electrones cerca de la unión NP; si
este se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, ámbar,
amarilla, verde o azul dependiendo de su composición.
Los LED’s se especifican por el color o longitud de onda de la luz emitida, la caída
de voltaje directa (VF), el máximo voltaje inverso (VR), la máxima corriente
directa (IF) y la intensidad luminosa. Típicamente VF es del orden de 4 V a 5 V. Se
consiguen LED’s con valores de IF desde menos de 20 mA hasta más de 100 mA e
intensidades desde menos de 0.5 mcd (milicandelas) hasta más de 4000 mcd. Entre
mayor sea la corriente aplicada, mayor es el brillo, y viceversa. El valor de VF
depende del color, siendo mínimo para LED’s rojos y máximo para LED’s azules.
Los LED’s deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para limitar la
corriente a través de este a un valor seguro, inferior a la IF máxima.
También deben protegerse contra voltajes inversos excesivos. Un voltaje inverso
superior a 5V causa generalmente su destrucción inmediata del LED.
DIODO TÚNEL
Los diodos túnel, también conocidos como diodos Esaki. Se caracterizan por poseer
una zona de agotamiento extremadamente delgada y tener en su curva una región
de resistencia negativa donde la corriente disminuye a medida que aumenta el
voltaje. Esta última propiedad los hace muy útiles como detectores,
amplificadores, osciladores, multiplicadores, interruptores, etc., en aplicaciones de
alta frecuencia.
FOTODIODOS
Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente
inversa puede ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz que
pasa por la ventana e incide sobre la unión PN. A mayor cantidad de
luz incidente, mayor es la corriente inversa producida por que se
genera un mayor número de portadores minoritarios, y viceversa.
Son muy utilizados como sensores de luz en fotografía, sistemas
de iluminación, contadores de objetos, sistemas de seguridad,
receptores de comunicaciones ópticas y otras aplicaciones.
II.6 Principales características comerciales:
A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe

cuidar que presente unas características apropiadas para dicha
aplicación. Para ello, se debe examinar cuidadosamente la hoja de
especificaciones que el fabricante provee. Las características
comerciales más importantes de los diodos que aparecen en
cualquier hoja de especificaciones son:
1. Corriente máxima en directa: IFmax o IFM (DC forward

current): Es la corriente continua máxima que puede
atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún
daño, puesto que una alta corriente puede provocar un
calentamiento por efecto Joule excesivo. Los fabricantes
suelen distinguir tres límites:
o Corriente máxima continua (IFM)

o Corriente de pico transitoria (Peak forward surge
current), en la que se especifica también el tiempo
que dura el pico
o Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward
current), en la que se especifica la frecuencia máxima
del pico

1. Tensión de ruptura en polarización inversa:

(Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV):
Es la tensión a la que se produce el fenómeno de
ruptura por avalancha.
2. Tensión de pico inverso: (Maximun Working Inverse
Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda
no sobrepasar para una operación en inversa segura.
3. Corriente en inversa: IR (Reverse current): Es
habitual que se exprese para diferentes valores de la
tensión inversa
4.
Resistencia dinámica
A la derivada de la tensión con respecto a la corriente en el

punto de operación se le llama resistencia dinámica del diodo rD,
y su expresión puede determinarse a partir del modelo
exponencial del diodo, teniendo en cuenta que si V DQ es mayor que
VT puede despreciarse la unidad frente al término exponencial:
Como VT 25 mV, la expresión válida para el cálculo de la

resistencia dinámica de un diodo en función de la corriente de
polarización continua puede escribirse de la siguiente forma,
llamada aproximación de Shockley:
Esta aproximación sólo es válida en la región de conducción en

polarización directa del diodo.
DIODO SEMICONDUCTOR
MATERIALES Y EQUIPOS:
1. Una fuente de corriente continua variable
2. Un multímetro
3. Un miliamperímetro y un microamperimet4ro
4. Un diodo semiconductor de SI y GE
5. Un voltímetro de cc
6. Resistencia de 1kΩ
7. Cables y conectores
IV. PROCEDIMIENTO
1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas e inversas del diodo de
silicio .registra los datos en la tabla 1.
2. Armar el circuito de la figura 1
a) Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la corriente y el

voltaje directo del diodo, registrar sus datos en la tabla 2.
b) Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos

procedentes como en a) registrando los datos en la tabla 3.

R directa R inversa
30 Ω ∞
Tabla 2
Vcc(v) 0,935 1,315 2,095 2,985 3,65 5,38 5,72 10,55 15,56 20,41
Id(mA) 0,1 0,2 0,4 0,8 1,6 2,5 5 10 15 20
Vd(v) 0,47 0,49 0,529 0,563 0,598 0,62 0,65 0,685 0,71 0,72

GRAFICA DE LA TABLA 2
25
20
Id(mA)
15
10
0
0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75
Vd(v)
Calculando la resistencia dinamica del diodo:
Para ID=0,2 mA
25 mV
r  125 Ω
D
0,2 mA
=
Para ID= 0,4mA

25 mV
r 62,5Ω
D
0,4 mA
Para ID= 5mA

25 mV
r 5Ω
D
5 mA
Tabla 3
vcc(v) 0 2 4 6 8 10 12 15 20
Vd(v) 0 0,595 0,638 0,66 0,675 0,686 0,696 0,708 0,718
Id(µA) 0 1350 3450 5330 7400 9490 11400 14440 19400

Para ID= 1350 µA

25 mV Ω
r
D 1350 µA
= 18,5
Para ID= 3450 µA

D
3450
25 mV 7,25
r
Ω
Para ID= 7400 µA
25 mV 3,38
r D 7400
Ω
25000
20000
15000
Id(µA)
10000
5000
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Vd(v)
3. Usando el ohmímetro, medir la resistencia directa e inversa del diodo de

germanio. Registrar los datos en la tabla 4
TABLA 4
R directa R inversa
26 Ω ∞

4.- Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera similar al

paso 2 procederes a llenar la tabla 5 y 6.
vcc(v) 0,26 0,769 1,178 2,318 2,638 3,161 5,78 8,89 10,96 13,05 16,15 20,03
Id(mA
) 0 0,2 0,4 0,8 1,6 2,5 5 8 10 12 15 20
0,59
Vd(v) 0,26 0,522 0,562 4 0,628 0,649 0,684 0,707 0,718 0,727 0,738 0,75
TABLA 5
25
20
15
Id(mA)
10
0
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Vd(v)
Para ID=0,2 mA
D
0,2 mA
=
25 125

rmV
Para ID= 0,8mA

D 25 mV
r  0,8 31,25
Ω
Para ID= 2,5mA

25 mV
r 10 Ω
D
2,5 mA
vcc(v) 0 1 2 4 6 8 10 12 15 18 20
0,66
Vd(v) 0 0,558 0,621 4 0,687 0,702 0,714 0,723 0,734 0,743 0,749
1700
Id(µA) 0 370 1300 3400 5300 7200 9200 11000 14000 0 19100
TABLA 6
25000
20000
15000
Id(µA)
10000
5000
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Vd(v)
Para ID= 370 µA
25 mV
r D
370 = 67,56
Ω
Para ID= 3400 µA
25 mV
r D 3400
7,35 Ω
µA

Para ID= 9200 µA
25 mV
r D 9200
2.72 Ω
µA
Conclusiones:
Tanto el diodo de silicio como el de germanio conducen cuando lo
polarizamos directamente, se comportan como cortocircuito. Cuando estos
se polarizan de manera inversa se comportaran como circuito abierto
teóricamente pero en realidad existe una pequeña corriente fluye por el
diodo en el orden de los microamperios (µA)
RECTIFICADORES Y
FILTROS
I. INFORME PREVIO
El rectificador de media onda es un circuito empleado para
eliminar la parte negativa o positiva de una señal de corriente
alterna de lleno conducen cuando se polarizan inversamente.
Además su voltaje es positivo.
EL RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

Polarización directa
En este caso, el diodo permite el paso de la corriente sin
restricción. Los voltajes de salida y de entrada son iguales, la
intensidad de la corriente puede calcularse mediante la ley de
ohm.
Polarización inversa
En este caso, el diodo no conduce, quedando el circuito
abierto. No existe corriente por el circuito, y en la resistencia
de carga RL no hay caída de tensión, esto supone que toda la
tensión de entrada estará en los extremos del diodo.
Vo = 0
Vdiodo = Vi
I = 0
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA CON FILTRO

RC
Un circuito RC sirve como filtro para hacer que el
voltaje alterno se vuelva directo casi como el de una
batería, esto es gracias a las pequeñas oscilaciones
que tiene la salida del voltaje, las cuales son
prácticamente nulas.
La primera parte del circuito consta de una fuente de
voltaje alterna, seguido de un diodo que en esta
ocasión será ideal (simplemente para facilitar la

comprensión del funcionamiento) y finalmente el filtro

RC.
El circuito funciona de la siguiente manera:
1. Entra la señal alterna al circuito, la cual se

rectifica con el diodo. (Solo permite pasar un
semi- ciclo de la señal, que en este caso es el semi-
ciclo positivo)
2. En el momento que el voltaje sale del diodo el
condensador se empieza a cargar y la caída de
voltaje se recibe en la resistencia.
3. En el entender que es lo que está pasando y como
calcular el filtro.
FORMA DE ONDA QUE SE OBSERVARIA EN EL

OSCILOSCOPIO

RECTIFICADOR DE ONDA
COMPLETA
Un rectificador de onda completa es un circuito
empleado para convertir una señal de corriente
alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida
(Vo) pulsante. A diferencia del rectificador de media
onda, en este caso, la parte negativa de la señal se
convierte en positiva o bien la parte positiva de la
señal se convertirá en negativa, según se necesite una
señal positiva o negativa de corriente continua.
Circuito de un rectificador de onda completa con
filtro

FORME DE ONDA QUE SE OBSERVARIA EN
EL OSCILOSCOPIO UTILIZANDO UN
CONDENZADOR COMO FILTRO
Rectificador puente
El puente rectificador es un circuito
electrónico usado en la conversión de corriente
alterna en corriente continua. También es conocido
como circuito o puente de Graetz, en referencia a
su creador, el físico alemán Leo Graetz (1856-
1941).
Consiste en cuatro diodos comunes, que

convierten una señal con partes positivas y
negativas en una señal únicamente positiva. Un
simple diodo permitiría quedarse con la parte
positiva, pero el puente permite aprovechar
también la parte negativa. El puente, junto con un
condensador y un diodo Zener, permite convertir la
corriente alterna en continua. El papel de los
cuatro diodos comunes es hacer que la electricidad

vaya en un solo sentido, mientras que el resto de

componentes tienen como función estabilizar la
señal
Circuito rectificador puente
TIPOS DE FILTROS
El filtro por condensador es uno de los más

sencillos y por eso es de los más utilizados. No
obstante existen otros que sólo describiremos
brevemente.
Filtro R-C:
Si colocamos una resistencia en serie con el

condensador, conseguiremos un efecto de
filtrado mayor, pues como es sabido, la
constante de tiempo de un condensador es
t=R·C, con lo que el tiempo de carga del

condensador aumenta y por lo tanto el rizado
disminuye.
No obstante, la resistencia R del filtro R-C produce

cierta caída de tensión y la consiguiente pérdida de
energía.
 Filtro L-C:
Se suelen utilizar cuando la corriente por la carga es

elevada. En este caso, se conecta en serie con el
condensador una bobina y es la bobina la que proporciona
la resistencia para la constante de tiempo, con la ventaja
de que su resistencia es tan baja que apenas produce
caída de tensión en continua, porque sólo interviene la de
los arrollamientos.

 Filtro en Pi:
En este caso se montan dos condensadores en paralelo

unidos por una bobina. Es el que mejores resultados
da, pero es más voluminoso y costoso que los
anteriores.
II. MATERIALES Y EQUIPOS
1.- Osciloscopio
2.-Cables conectores y
coaxiales 3.-Multímetro
4.-R: 100, 1K, 10K ohms
5.-Transformador
6.-C: 100, 470, 1000 y 2200 uF
7.- Bobina de coche
8.-Diodos: 4 x 1N4004
9.-Miliamperímetro

III. PROCEDIMIENTO
a. Verificar los componentes con el Multímetro Digital.
Llenar las tablas 1 a y 1 b
TABLA 1. A
Resistore
R 1 R 2 R 3 Capacitores C 1 C 2 C 3 C 4
s
100 100 470 1000 2200

Teórico 1 KΩ 10 KΩ Teórico
Ω uF uF uF uF
981 9,86K 100 470 1000 2200

Medido 98 Ω Medido
Ω Ω uF uF uF uF
Tabla 1.b
Diodos D1 D2 D3 D4
Directa 41 40 42 42,5
(Ω)
Inversa ∞ ∞ ∞
(Ω) ∞
b. Armar el circuito de la figura 1 y medir lo indicado
Figura 1

REALIZADO COON UN TRANSFORMADOR DE 9V
1K Ω 10K Ω
RL
C SIN C 100 uF 2200 SIN C 100 uF 2200
uF uF
Vop-p 16,6 2,6 0,6 16,8 0,6 0,6
Vorms 6,77 0,664 0,072 6,85 0,074 0,018
Vodc 6,74 15,40 16,06 5,45 16,63 16,65
Vsrms 2,843 6,11 6,30 2,84 6,33 6,35
Iodc(mA 5,4 16 16,5 0,6 1,7 1,8
)
c. Colocar el condensador de 100 y 2200 uF en paralelo a

RL y llenar el cuadro anterior. Anotar las observaciones
- Usar la fila Vorms como V rp-p cuando se usen

condensadores. ( Con un voltímetro CA)
- Utilizar el O.R.C en D.C para medir la componente

continua y sobre el eje de 0 voltios y en AC para las
componentes alternas de la salida V o.
Dibujar las formas de onda obtenidas (Medir también

Vodc con un voltímetro DC).
OBS:
SIN CONDENSADOR:

CON CONDENSADOR:
a. Para el rectificador de onda completa de la figura 2

medir :
TABLA 3
1K Ω 10K Ω
RL
C SIN C 100 uF 2200 SIN C 100 2200
uF uF uF
Vop-p 12,6 1,4 0,4 12,8 0,6 0,4-0,6
Vorms 4,45 12,08 12,47 4,5 12,74 12,79

Vodc 17,24 17,19 17,21 17,36 17,36 17,36

Vsrms 9,44 9,42 9,42 9,43 9,46 9,43
Iodc(mA 8 12 12,5 0,8 1,3 1,3
)
e. Colocar el condensador de 100 y 2200 uF en

paralelo a RL y llenar el cuadro anterior.
Anotar las observaciones. Dibujar las formas de
onda obtenidas.
SIN CONDENSADOR:
CON CONDENSADOR:

f. Armar el circuito de la figura 3; procediendo como en

los casos anteriores.
Tabla 4
1K Ω 10K Ω
RL
C SIN C 100 uF 2200 SIN C 100 uF 2200
uF uF
Vop-p 25,2 3,2 1,6-2,4 25,2 1,6 1,2
Vorms 8,49 5,75 10 8,55 78,3mv 125mv
Vodc 16,03 23,83 24,44 16,4 25,54 22,6
Vsrms 10,54 11,95 11,61 10,6 11,97 11,03

Iodc(mA 16 30-70 40 a+ 1,6 2,6 100 a+

)
g. Colocar el condensador de 100 y 2200 uF en

paralelo a RL y llenar el cuadro anterior. Anotar
las observaciones. Dibujar las formas de onda obtenidas.
SIN CONDENSADOR:
CON CONDENSADOR:

DIODO
PROCEDIMIENTO:
ZENER
REALIZAR EL CIRCUITO DE LA FIGURA:
1. VARIANDO EL VOLTAJE DE ALIMENTACION, COMPLETAR LOS

DATOS SOLICITADOS EN LA TABLA N°1

Val(v 0.5 1 1.2 1.4 2 2.5 3 4 5 6 7 8

)
Iz(m 0A 0 0 0 1m 1.8m 2.2m 3.2m 4m 5.2m 6m 7.1m
A) A A A A A A A A
Vz(v) 0.4 0.7 0.7 0.5 0.2 0.5v 0.74 0.8v 0.7 0.75 0.7 0.77
v 7v 3v v v v v v 5v v
2. ¿Qué COMPORTAMIENTO TIENE EL DIODO ZENER EN EL

CIRCUITO? Como la corriente pasa por el diodo zener de anodo a
catodo(polarización directa) el zener se comporta como un diodo
rectificador.
3. INVIERTA LA POSICION DEL ZENER Y COMPLETAR LA TABLA

N°2 VARIANDO LOS VALORES DEL VOLTAJE DE ALIMENTACION
Val(v) 0.5 1 1.2 1.4 2 2.5 3 4 5 6 7 8
Iz(mA 0A 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
)
Vz(v) 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3
4 3 3 5 4 1 2 4 3 4 3 3
4. ¿Qué COMPORTAMIENTO TIENE EL ZENER CON LA

POSICION CAMBIADA?
En este caso la corriente pasa por el diodo zener de catodo a
anodo(polarización inversa) el zener se comporta como un
estabilizador de tensión
5. CON LOS DATOS OBTENIDOS EN LAS TABLAS N°1 Y 2,

TRAZAR LA GRAFICA CORRESPONDIENTE PARA EL
COMPORTAMIENTO DEL ZENER EXPERIMENTADO.

Cuando el zener está polarizado inversamente con pequeños valores de

tensión se alcanza la corriente inversa de saturación prácticamente estable
y de magnitudes despreciables a efectos prácticos.
Si sigue aumentando la tensión de codo o de giro, donde los aumentos de
corriente son considerables frente a los aumentos de tensión (apréciese
en torno a esta tensión la curvatura de la grafica). Sobrepasada esta zona a
pequeños incrementos de tensión corresponden aumentos elevados de la
corriente Iz.
Alcanzada la circunstancia anterior, nos encontraremos en la región
de trabajo efectivo del zener. Debemos hacer ciertas consideraciones en
este momento.
 1. Se ha de asegurar que en régimen de trabajo, el diodo sea atravesado
como mínimo por una corriente inversa Iz expresada por el fabricante para
excluir la región de giro del funcionamiento normal.
 2. No se debe sobrepasar en ningún caso Iz max para asegurar la
supervivencia del componente.
 3. Estos dos valores de Iz llevan asociados un par de valores de tensión, Vz ;
aproximadamente el valor medio de ellos representa la tensión nominal del
zener Vz nom
Se suele expresar en las características un porcentaje de tolerancia sobre
la tensión nominal.
 4. La potencia disipada en cada momento, Pz vendrá expresada por el
producto de los valores instantáneos de Vz e Iz
 5. Los valores de Iz min e Iz max con sus valores de Vz asociados
representan la región de trabajo
En estos momentos estamos en condiciones de asegurar que en la región de
trabajo, el zener es capaz de mantener en sus extremos una tensión
considerablemente estable.
El zener como regulador de tension:
En muchas circunstancias la tension aplicada a una carga puede sufrir
variaciones indeseables que alteren el funcionamiento nomal de la misma.
Estas variaciones generalmente vienen provocadas por:
 1. Una variacion de la resistencia de carga, que lleva emparejada una
variacion de la intensidad de carga.
 2. Variaciones de la propia fuente de alimentacion.
 3. Por ambas causas.
Si elegimos un diodo zener de tension nominal igual a la que es necesaria
aplicar a la carga y somos capaces de hacerlo funcionar en su region de
trabajo, conseguiremos una tension sin apenas variaciones.

Experimento
EL DIODO DED
(Diodo emisor de luz)
Funcionamiento
Cuando un led se encuentra en polarización directa, los electrones pueden
recombinarse con los huecos en el dispositivo, liberando energía en forma
de fotones. Este efecto es llamado electroluminiscencia y el color de la luz
(correspondiente a la energía del fotón) se determina a partir de la banda
de energía del semiconductor. Por lo general, el área de un led es muy
2
pequeña (menor a 1 mm ), y se pueden usar componentes ópticos integrados
para formar su patrón de radiación. Comienza a lucir con una tensión de unos
2 Voltios.
1. OBJETIVOS:
Proporcionar los conocimientos necesarios a fin de

comprender correctamente la práctica de los LEDS.
2. MATERIALES Y EQUIPOS:
1. Un LED tipo TIL 203

2. Un multímetro a pilas
3. Un miliamperímetro de 10mA
4. Un voltímetro de 5v.
3. PROCEDIMIENTO:
1. Realizar el siguiente circuito:
2. Variando el voltaje de alimentación, obtenga el voltaje

Vd de acuerdo con los valores del cuadro Nº 1; mida y
anote el valor de la corriente del diodo (id.)
Cuadro Nº 1
Vd(v) 0.5 1 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8

Id(mA) 0,14 0,32 0,44 0,47 0,5 0,53 0,56
2. Con los datos obtenidos en el cuadro Nº 1, trazar la

curva correspondiente considerando Id=f (Vd).
cuadro Nº1
0.6
0.5
0.4
Id(mA)
0.3
0.2
0.1
0
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
Vd(v)
3. Disminuya el voltaje de alimentación a 0v. Luego invierta

el LED y repita las medidas anteriores de acuerdo con
el cuadro Nº 2.
Cuadro Nº2
+Vd(v) 0.5 1 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8
Id(mA) 0 0 0 0 0 0 0
NOTA: No sobrepase la tensión de Vd de 1.7 v

cuadro Nº1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
Id(mA)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
Vd(v)
4. ¿Qué nota en el LED? ¿Se ilumina?

- Un diodo LED se iluminara de acuerdo al color que sea, cada
color requiere de un mínimo de voltaje para que este se ilumine.
5. ¿Cuándo trabaja correctamente el LED?

-El diodo LED trabaja correctamente cuando esta polarizado
directamente mas no de polarización inversa porque este se comportara
como un circuito abierto.
CONCLUSIONES:
El LED es un componente que conduce en una sola dirección y
emite luz de intensidad luminosa creciente en cuanto sobrepasa el
umbral de conducción.

Polarización del Transistor BJT
I. OBJETIVOS
Conocer la polarización por corriente de base de base y tipo H, calcular el

punto Q y ver la respuesta en Ac de dicho transistor NPN.
II. MATERIALES E INSTRUMENTOS
 Transistor BC548
 Resistencias (1K, 3K, 10K, 100K)
 Capacitores (10 uF, 100 uF)
 Generador de señales
III. FUNDAMENTO TEÓRICO
El transistor BJT (Bilpolar Junction Transistor en inglés) o

transistor de juntura bilateral, es un dispositivo electrónicos de tres capas,
de las cuales derivan sus dos tipos: PNP o NPN. Actúa básicamente como una
fuente de voltaje o corriente controlada por corriente de base, ello debido
a la juntura PN base – emisor, que se polariza en directa, lo cual permite
controlar el flujo de corriente a través de la juntura de colector – emisor
mediante el ensanchamiento o alargamiento del campo eléctrico entre las
juntura PN.
Transistor tipo NPN

Transistor tipo PNP
Su curva característica se hace en función de todas las corrientes

de base posibles para el transistor sin que este sufra daños. Dicha curva
presenta tres zonas, la zona de corte, saturación y la zona activa o de
amplificación.
Curvas características del transistor BJT y las zonas de corte y

saturación indicadas
POLARIZACION DE UN TRANSISTOR

I. INPLEMENTE EL SIGUENTE CIRCUITO
II.
HFE VCC VBE VE VC VB VCB VRC VRB IC IB IE VBC

133 12 0.70 0 1.38 0.71 2.13 10.6 11.27 3m 22.5 3m 1.73
8 4
III. IMPLEMENTE
VCC VBE VE VRE V VR1 VC VR VCE VR2 VC IC IB IE HF

B C B E
12.1 0.67 0.44 0.43 1. 1. 11.2 1. 10.7 11.4 10 0.45 0.1 0.45 155
3 5 8 7 1 0 3 3 8 3 . m 1 m
IV. 9 1 9 m
V. CAMBIE EL VALOR DE R2 POR R1

VCC VBE VE VRE VB VR1 VC VRC VCE VR2 VCB IC IB IE HF

E
12.5 0.72 3.5 3.5 4.2 7.7 3.5 8.4 0.05 4.2 0.6 2.8, 0.7m 3.6m 4
VI. CAMBIEEL VALOR DE RC PORRE
VCC VBE VE VRE VB VR1 VC VRC VCE VR IC IB IE HF

VC E
2 B
12. 0.67 0.4 0.48 1.1 11.5 12.5 0.1 11.9 1.12 11.3 0.16m 0.12m 0.16m 1.33
6 8 2 5
3
VII. PARA TODOS LOS CASOS ANTERIRORES ,HALLAR EL PUNTO DE

TRABAJO DEL TRANSISTOR
Ubicar el punto Q en la recta de Carga para cada figura
Para la figura 1:
Para la malla 1:
I b × Rb V BE
VCC Para la
malla 2: I C × R C 
V CEVCC
Pero sabemos que:
I E hFE × I B
Y que:
I C ≅ I E ∧ V BE ≅ 0.7 v
En 1:
I B × RB 0.712
11.3
I 0.1mA
B
RB
Luego, como ICQ=4.05 mA

IE
hFE 36.81
IB
Lo cual concuerda con la hoja de datos.
Así, solo nos falta obtener Vce en el punto de trabajo.
De 2:
V CEQVCCI CQ × RC12V 3.94 mA ×3 K 0.2 v
Así, ya tenemos nuestro punto Q = (0.2V,4.05mA)
Ahora, hallamos la IE MÁX, de 2:

VCC
I C MÁX  4
mA
R
C
Ubicando el punto en la recta de carga:
El transistor está en la zona de saturación.
Para el voltaje negativo, las junturas Base – Emisor y Colector-

Emisor se polariza en inversa, por lo que solo tenemos allí la
corriente de fuga de 0.24 uA. El transistor está en la zona de
saturación, por lo que el voltaje VCE es igual al voltaje de la
fuente.
Luego, el punto de trabajo Q sería: Q(12,-0.24)

El transistor está en corte.
Para RB=1M, el tipo de configración varía el hfe, por lo que esta debe
reemplazarse por el descrito en el manual. Al reemplazar los datos
se obtiene:
Reemplazando los datos en las ecuaciones dadas tenemos:
ICQ=2.84mA
VCEQ=3.4 V
Entonces, nuestro nuevo punto Q de trabajo es Q=(3.4V, 2.84mA)

lOMoARcPSD|3650435
El transistor está en la zona activa.
Para la figura 2:
Primero, hallemos el equivalente de

Thevenin del divisor de voltaje:
R1
R1100K RC
RC
100K 3k
R BB R 1 ∥ R 2
3k
Q1 VCC
BC548 12v RBB
Q1 VCC 100 K ×10 K
BC548 12v  100 K 10 K 9.09 K
R2 RE Luego, el VCAB, por divisor de voltaje:

10k 1k
R2 RE R
10k 1k
V BB  2 ×VCC1.2 V
R1
Reemplazando estos datos en el circuito original:
En 1:

lOMoARcPSD|3650435

lOMoARcPSD|3650435
V BB I B × RBB V BE  I E × R E
Para este caso VBE=0.7V,

IE
VCCV BE
 × R  I × RE
hFE E BB
De esta ecuación obtenemos el hfe del transistor:

I E × RBB
hFE  0.35
11.3 v IE ×
R
De 2:
VCCI C × RC V CE I E × RE
Pero IC=IE para este caso:

VCCV CE
I C
RC R
De donde obtenemos IC máx:
VCC
I  4 mA
C MÁX
RC RE
Por último, calculemos los valores de Ic y Vce en el punto de trabajo:
De 1:
I CQ V BBV BE
 BB 0.42mA
R
hFE  RE
Para calcular VCEQ, de 2:
V CEQ VCCI CQ  RC  R E  10.32 v
Por lo tanto, el punto Q será: Q= (10.32v; 0.42mA)


lOMoARcPSD|3650435
Vemos que el punto Q de trabajo está cercano a la zona de corte, aunque

básicamente está en la zona de amplificación o activa.
Cambiemos ahora R1 por R2, y reemplacemos estos valores en las ecuaciones

descritas anteriormente:
Ahora tenemos VBB=10.91v
Reemplazando en las ecuaciones 1 y 2 obtenemos nuestro nuevo punto Q de

trabajo.
ICQ=2.7mA
VCEQ=0.1v
Ubicando este punto en la característica del transistor tenemos:

Ahora vemos que el transistor no trabaja, pues su punto Q está fuera de su

recta de carga.
CONCLUSIO
NES
 El transistor BJT sirve como amplificador electrónico, pues
presenta una ganancia de voltaje en el emisor.
 Existen diversos circuitos de polarización para los BJT, en función
de la manera en que se quiere que trabaje.
 La recta de carga ubica todos los puntos de trabajo posibles del
transistor para diferentes corrientes de base. Un transistor
trabajando en algún punto fuera de esta recta está siendo
utilizado de manera incorrecta.
 Al invertir el voltaje de alimentación en el primer circuito, llevamos
al transistor a la zona de corte, pues la juntura base – emisor se
polarizó en inversa, provocando un campo muy fuerte entre colector
y emisor, dejándolo abierto.
 Al cambiar la resistencia por una de 1M, se llevó finalmente
al transistor a la zona activa.

 En el segundo caso, al invertir las resistencias de base, solo se alteró

la corriente de la base, llevando el punto de trabajo fuera de la
recta de carga.
OSCILADOR CON UJT (TRANSISTOR DE UNIÓN ÚNICA)
I. OBJETIVOS:
 Verificar experimentalmente el funcionamiento del UJT.

 Usar el osciloscopio para observar la gráfica del funcionamiento
del UJT.
II. MATERIALES Y EQUIPOS:
 Un UJT tipo 2N2646

 Resistencias (47Ω, 100Ω, 10KΩ)
 Un potenciómetro de 500KΩ
 Un capacitor de 0.01µF
 Osciloscopio
 Fuente de alimentación
III. CARACTERÍSTICAS DEL UJT:
El transistor mono unión (UJT) se utiliza generalmente para generar

señales de disparo en los SCR. Un UJT tiene tres terminales, conocidas
como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la mono unión tiene las
características de una resistencia ordinaria.

a) Estructura física b) modelo equivalente c) circuito equivalente

d) símbolo
IV. PROCEDIMIENTO:
Implemente el siguiente circuito.

CUESTIONARIO:
1. Observar en el osciloscopio la forma de onda para: VB1, VB2, VE, VC.
2. Dibujar la forma de onda anterior y anotar sus amplitudes,

el periodo.
A continuación se muestran las fotos de cada uno de ellos, se sabe

1
que T  f;
El periodo es el inverso de la frecuencia, entonces en las siguientes

imágenes se muestran los valores de la frecuencia y la amplitud para
cada caso.
 Conectamos las puntas de entrada vertical entre la base 1

y tierra. Y así obtenemos la siguiente gráfica.


 Conectamos las puntas de entrada vertical entre el emisor

 Conectamos las puntas de entrada vertical entre VC y tierra.

Y así obtenemos la siguiente gráfica.

3. Variando el potenciómetro observar las salidas: V B1, VB2, VE, VC y

sacar conclusiones.






 Se concluye que a medida en que se varia el valor de

potenciómetro la amplitud aumenta, y la frecuencia también
aumenta; como el periodo es inverso a la frecuencia,
entonces el periodo tiende a disminuir.
4. Si variamos VCC, que sucede con la forma de onda y el periodo.
Sacar conclusiones.






 Entonces se concluye que a medida que se varia VCC la

frecuencia disminuye y entonces el periodo se hace
demasiado grande, y por ello es que se puede tener
una mejor visión de las gráficas
CONCLUSIONES
 El circuito con UJT sirve para generar señales para
dispositivos de control como tiristores y triac.
 Observamos que el capacitor se carga hasta llegar al

voltaje de disparo del transistor UJT, cuando esto
sucede, el UJT se carga a través de la unión Emisor-
B1.
 Luego, el capacitor se descarga hasta que llegue a un

voltaje (aproximadamente 2.5 V), con este voltaje el
transistor UJT se apaga (es decir, deja de conducir
entre E-B1); y el capacitor inicia su carga otra vez.

EXPERIMENTO
DIA
C
I. OBJETIVOS:
Proporcionar experimentalmente las características del DIAC.
II. MATERIALES Y EQUIPOS:
1. Un DIAC tipo DA3

2. Un Multímetro
3. Un Miliamperímetro
4. Un Voltímetro para 100v
5. Una resistencia de 4.7.
III. PROCEDIMIENTO
1. Realizar el siguiente circuito.
2. Variando la tensión de alimentación partiendo de cero a 100 determinar

los valores de V2 e I con cada valor de V1.
3. En correspondencia de largas variaciones de la intensidad I variar
esmeradamente el voltaje V1. Anotar los valores obtenidos en la
tabla correspondiente.
4. Invierta las conexiones del DDIAC y repetir las mediciones llevando
los valores a la parte correspondiente de la misma tabla.
5. Trazar la gráfica I=f(t) y observe el comportamiento general de la curva.
6. Tomando en consideración los valores de la tabla y la curva obtenida
con esos valores determine el comportamiento del DIAC.
EL DIAC (tiristor)
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseñado para
disparar TRIAC y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensión). Tiene
dos terminales.
El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en paralelo, pero

orientados de forma opuesta. La conducción se da cuando se ha superado el
valor de tensión del zener que está conectado en sentido opuesto. El DIAC
normalmente no conduce, sino que tiene una pequeña corriente de fuga. La
conducción aparece cuando la tensión de disparo se alcanza.
Cuando la tensión de disparo se alcanza, la tensión en el DIAC se reduce y

entra en conducción dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del
SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de
potencia mediante control de fase. La curva característica del DIAC se
muestra a continuación.

IV. MATERIALES Y EQUIPOS:

6. Un DIAC tipo DA3
7. Un MuLtímetro

8. Un Miliamperímetro
9. Un Voltímetro para 100v
10. Una resistencia de 4.7k.
V. PROCEDIMIENTO:
Realizar el siguiente circuito.

7. Variando la tensión de alimentación partiendo de cero a 100 determinar

los valores de V2 e I con cada valor de V1.
8. En correspondencia de largas variaciones de la intensidad I variar

esmeradamente el voltaje V1. Anotar los valores obtenidos en la
tabla correspondiente.
9. Invierta las conexiones del DIAC y repetir las mediciones llevando

los valores a la parte correspondiente de la misma tabla.
10. Trazar la gráfica I=f(v) y observe el comportamiento general de la curva.
11. Tomando en consideración los valores de la tabla y la curva obtenida

con esos valores determine el comportamiento del DIAC.
TABLA (DIAC)
V1(v) V2(v) I(mA)
DIRECTA INVERSA
0 0 0 0
26 25.6 26 0
28 27.98 27.98 0
30 29.99 29.98 0
32 31.98 31.98 0
34 28.85 29 1.2
36 27.50 27.61 1.9
38 26.65 26.75 2.6
39 26.4 26.3 2.8
40 26 26.15 3
42 25.64 25.54 3.7
44 25.29 25.16 4.1
46 24.98 24.86 4.7
48 24.72 24.57 5.2
50 24.48 24.34 5.7
52 24.3 24.13 6.2
GRAFICA (DIAC):
I(mA)
Valores Y
7
4 Valores Y
0
0 10 20 30 40 50 60
encia hasta un cierto valor de tensión. Más allá de este valor el conductor se hace anómalo bajando rápidamente su resiste

TIRISTOR (SCR)
1. OBJETIVOS:
Proporcionar familiarización del funcionamiento de un tiristor
2. MARCO TEÓRICO:
El RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

El SCR es un semiconductor que forma parte de la familia de los
tiristores, los cuales son dispositivos de 4 capas n y p alternantes
cuyo símbolo esquemático es el mostrado en la figura siguiente:
Donde:
A corresponde al ÁNODO, la
K al CÁTODO y la G a la
compuerta o GATE. A
grandes rasgos el principio
básico de funcionamiento es
el siguiente; el dispositivo
tiene dos estados, encendido
y apagado.
Durante el primero no permite la conducción de corriente en ninguna
dirección (en realidad existe una pequeña corriente de fuga), para
encenderlo se necesitan dos condiciones, primero voltaje del ánodo
positivo respecto al cátodo (si este valor se aumenta a valores
superiores al de ruptura se encenderá sin embargo este método es
poco práctico y dañino) y segundo una corriente positiva en la base,
cumplido esto se genera una realimentación positiva en la estructura
interna del componente que logra encenderlo completamente. Una vez
en estado encendido solo se logra apagarle interrumpiendo el flujo de
corriente de ánodo a cátodo.
Entre los parámetros más importantes que debemos tener en cuenta
para este dispositivo tenemos:

Corriente de retención (IL): Es la corriente mínima (ánodo-cátodo)

que debe haber justo después de retirar la señal de corriente en la
compuerta.
Corriente de mantenimiento (IH): La corriente mínima (ánodo-
cátodo) que debe haber para mantener el SCR encendido luego de
estar completamente encendido.
Voltaje pico reverso (VRSM): El máximo voltaje reverse que puede
soportar el SCR.
Corriente máxima de disparo en compuerta (IGTM): La máxima

corriente DC de disparo que soporta el SCR en la compuerta para
encenderlo.
Corriente mínima de disparo en compuerta (IGT): La corriente DC
mínima requerida para encender el SCR.
Voltaje mínimo de disparo en compuerta (VGT): El voltaje mínimo
de compuerta a cátodo requerido para encender el SCR.
La interpretación directa de la curva del tiristor nos dice lo

siguiente: Cuando la tensión entre ánodo y cátodo es cero, la
intensidad de ánodo también lo es, hasta que no se alcance la tensión
de bloqueo (VBo), el tiristor no se dispara, cuando se alcanza dicha
tensión, se percibe un aumento de la intensidad en ánodo (IA),
disminuye la tensión entre ánodo y cátodo, comportándose así como
un diodo polarizado directamente
Si se quiere dispara el tiristor antes de llegar a la tensión de bloqueo,

será necesario aumentar la corriente de compuerta, la tensión de

cebado ocurre cuando se polariza inversamente, se produce una débil

corriente inversa (corriente de fuga) hasta que alcanza el punto de
tensión inversa máxima que provoca la destrucción del componente.
3.MATERIALES Y EQUIPOS
1 SCR (CUALQUIER TIPO, DE REFERENCIA S-4003)
1 Resistencia de 68, 1, 30
1 Resistencia Variable (POTENCIOMENTRO) 1K
1 MULTIMETRO A PILAS
1 AMPERIEMTRO A PILAS
1 VOLTIMETRO
4. PROCEDIMIENTO:
 Realizar el circuito que se indica
 Rellenar la siguiente tabla
Vg(volt 0 0.2 0.4 0.6 8

)
Ig(µA) 0 - - - 1.2m
12mA 10mA 9mA A
 Abrir el interupto T, varia V alimentacion de 0 a 200v y observar Ia

Ia=0A
 Regular Vg=0v, regular V alimentacion a 90v, cerrarel interruptor T y

aumentando la tension Vg medir la corriente Ig con la cual se observa
el paso de la corriente Ia medir I
I=3A
 Abrir el interruptor T y mida
Ia Ia=3A
 Disminuir V alimentacion y observe quesucede
Ia disminuye un poco
 Regule V alimentacion a 0v y observe
Ia Ia=0A
CONCLUSI
ONES:
 Para obtener una buena gráfica de nuestro circuito, calibramos
bien nuestro osciloscopio.
 Utilizamos los materiales exactamentes indicados en las
instrucciones de la practica y obtuvimos buenos resultados, ya
que son estos circuitos muy sencibles y requieren exactitud.
 Si no utilizamos fusible en estas practicas de corriente alterna
ubieramos tenido grandes destrucciones de elementos, ya que
podemos cometer errores en el transcurso de la practica.
 Aprendimos el funcionamiento del SCR y sus ondas de salida.
 El circuito de disparo por cruce de coseno permite linealizar la
relación del voltaje promedio de salida e un semiconvertidor
accionado por este circuito y una señal de control de voltaje.
 La función de transferencia del voltaje de directa con
respecto al voltaje de control tiene un factor de correlación
más cercano a la unidad que el circuito de disparo lineal, por lo
que es más recomendable su uso cuando se usarán sus señales

para proporcionar los pulsos de disparo de un convertidor

semicontrolado.

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Informe Terminado DE Dispositivos Ponce

Introduccion a las telecomunicaciones (Universidad Nacional Mayor de San Marcos)

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TEMA: Informes de Laboratorio

UTILIZAR CARACTERISTICAS DE OPERACIÓN DE LOS

II. INFORME PREVIO

POLARIZACIÓN CIRCUITO CARACTERÍSTICAS

INVERSA El diodo no conduce y toda la tensión de la

Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos

Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

Los diodos zener se identifican por una referencia, como por

DIODO EMISOR DE LUZ (LED)

sucede, ocurre una recombinación de huecos y electrones cerca de la unión NP; si

amarilla, verde o azul dependiendo de su composición.

de voltaje directa (VF), el máximo voltaje inverso (VR), la máxima corriente

directa (IF) y la intensidad luminosa. Típicamente VF es del orden de 4 V a 5 V. Se

consiguen LED’s con valores de IF desde menos de 20 mA hasta más de 100 mA e

mayor sea la corriente aplicada, mayor es el brillo, y viceversa. El valor de VF

corriente a través de este a un valor seguro, inferior a la IF máxima.

También deben protegerse contra voltajes inversos excesivos. Un voltaje inverso

superior a 5V causa generalmente su destrucción inmediata del LED.

una zona de agotamiento extremadamente delgada y tener en su curva una región

de resistencia negativa donde la corriente disminuye a medida que aumenta el

amplificadores, osciladores, multiplicadores, interruptores, etc., en aplicaciones de

II.6 Principales características comerciales:

A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe

1. Corriente máxima en directa: IFmax o IFM (DC forward

o Corriente máxima continua (IFM)

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1. Tensión de ruptura en polarización inversa:

A la derivada de la tensión con respecto a la corriente en el

Como VT 25 mV, la expresión válida para el cálculo de la

Esta aproximación sólo es válida en la región de conducción en

1. Una fuente de corriente continua variable

2. Armar el circuito de la figura 1

a) Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la corriente y el

b) Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos

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Calculando la resistencia dinamica del diodo:

Para ID= 0,4mA

Para ID= 5mA

Calculando la resistencia dinamica del diodo:

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Para ID= 1350 µA

Para ID= 3450 µA

Para ID= 7400 µA

3. Usando el ohmímetro, medir la resistencia directa e inversa del diodo de

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4.- Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera similar al

Calculando la resistencia dinamica del diodo:

Para ID= 0,8mA

Para ID= 2,5mA

Para ID= 370 µA

Para ID= 3400 µA

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Para ID= 9200 µA

EL RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

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RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA CON FILTRO

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