Transistores de Potencia

Electrónica de Potencia
Profesor Tamatia Coronel
Presentación en base al material de los profesores
Héctor Vega y Javier Ribas Bueno
Transistores de Potencia

1.1. Transistores de unión Bipolar- BJT

1.2. Transistor de metal-óxido de efecto de campo- MOSFET

1.3. Transistor de Inducción- SIT

1.4. Transistor bipolar de compuerta aislada- IGBT

1.5. Operación de transistores en serie y paralelo

2
 Características comunes
• Son dispositivos (típicamente)
de 3 terminales ie is

• Un terminal es común a
entrada y salida + +
Ve Vs
• Dos de los tres terminales
actúan como terminales de - -
entrada (control)
Entrada Salida
• Dos de los tres terminales Cuadripolo
actúan como terminales de
salida.
3
 Características comunes
• La potencia consumida en la
entrada es menor que la ie is
controlada en la salida

+ +

• La tensión entre los Ve Vs

terminales de entrada - -
determina el comportamiento
eléctrico de la salida
Entrada Salida
Cuadripolo

4
 Características comunes
is is=0
Zona de +
+
Corte
-
Vs = Vs La salida se comporta como:
- • Circuito abierto:
is is corte
Zona de + • Corto circuito:
Saturación
-
Vs = Vs=0 saturación
• Fuente de corriente
controlada:
is +
Zona Activa is zona lineal o activa
+ Vs
-
Vs = -
5
Transistores de Potencia
SCR
MARGEN DE POTENCIA (V·A) 107

106

105 GTO
104

103 BJT MOSFET

IGBT
102
10 102 103 104 105 106 107 108
FRECUENCIA (Hz)
6
Transistores de Potencia

7
Transistores de Potencia

8
Transistor Bipolar (BJT)
Transistor NPN: zona N, zona P y zona N
Transistor PNP: zona P, zona N y zona P

Colector (N) Colector (P)

Base Base
(P) (N)

NPN Emisor (N) PNP Emisor (P)

9
 Transistor Bipolar (BJT)

En el contexto de los componentes electrónicos de

Potencia, es usado como dispositivo de conmutación
MARGEN DE POTENCIA (V·A)

• Dispone de características que lo convierten en un conmutador

107 casi ideal.

106 Los BJT de alta potencia son utilizados

fundamentalmente para
105
• Frecuencias por debajo de 10kHz
104 • Muy efectivos hasta en aplicaciones que requieran 1200V y 400A
como máximo.
103 BJT
102
10 102 103 104 105 106 107 108
FRECUENCIA (Hz) 10
Transistor Bipolar (BJT)

• Los estados más importantes de funcionamiento son el de saturación

y corte. Estos estados se corresponden al estado abierto y cerrado del
conmutador ideal.
• Un transistor de juntura bipolar está formado por dos junturas P en
un solo cristal semiconductor, separados por una región muy
estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones:
• Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal.
• Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
• Colector, de extensión mucho mayor

11
Transistor Bipolar (BJT)

Se puede representar con o sin

círculo 12
 Características estáticas
Transistor NPN En principio necesitamos conocer 3 tensiones y 3
corrientes:
IB = f(VBE, VCE) Característica de entrada
IC, IB, IE y VCE, VBE, VCB
IC
+ +
VCB En la práctica basta con conocer solo 2 corrientes y 2
tensiones. Normalmente se trabaja con:
IB - VCE
+
IC, IB y VCE , VBE
VBE
IE
-
- Por supuesto las otras dos pueden obtenerse
fácilmente:

IE = IC + IB VCB = VCE - VBE

IC = f(VCE, IB) Característica de salida
Características estáticas
Característica de entrada del Transistor NPN

VCE3 > VCE2 > VCE1

IB = f(VBE, VCE) Característica de entrada vBE
VCE1 VCE2
IC IB VCE3
+
vce

IB VCE
+
ic
VBE VBE SATURA- SATURA-
- CORTE
CIÓN CIÓN
-

Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo.

La característica de este diodo depende de VCE pero la variación es pequeña.

 Características estáticas

Característica de salida del Transistor NPN

IC = f(IB, VCE) Característica de salida vBE

IC IC
+ + vce

IB
IB VCE
+ ic
- SATURA- SATURA-
VBE CIÓN
CORTE
CIÓN
-
- VCE

La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de base

IB.
 Características estáticas
Linealización de la característica de salida: Transistor NPN

Zona activa: IC=·IB

IC IB (μA) vBE
IC (mA)
+ 400
40

IB 30 300 vce
+ VCE
20 200
VBE
- 10 100
- ic
0
SATURA- SATURA-
1 2 VCE (V) CORTE
Zona de CIÓN CIÓN
saturación
Zona de corte

El parámetro fundamental que describe la característica de salida del transistor

es la ganancia de corriente .
 Características estáticas
Zonas de Funcionamiento: Transistor NPN
IC
+
IC Zona activa IB vBE
+ + ·IB VCE
IB
+ VCE VBE
- - vce
VBE
- - IC
Zona de +
IB
saturación + IC<·IB VCE=0 ic
IC SATURA- SATURA-
IB VBE CORTE
- - CIÓN CIÓN

IC=0
+
Zona de corte IB
+ VCE
VCE
VBE
- -
Características estáticas

Características de transferencia
18
Ejemplo 1: Determinación de los parámetros
de saturación de un BJT
El transistor bipolar de la figura tiene un valor nominal de β𝐹 en el
intervalo de 8 a 40. La resistencia de la carga es 𝑅𝐶 = 11Ω. El voltaje de
suministro de cc es 𝑉𝑐𝑐 = 200 𝑉, y el voltaje de entrada al circuito de la
base es 𝑉𝐵 = 10 𝑉. Si 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) = 1.0 𝑉 y 𝑉𝐵𝐸(𝑠𝑎𝑡) = 1.5 𝑉.
Determinar:
a) El valor de 𝑅𝐵 que produzca
saturación con un ODP de 5.
b) La beta forzada.
c) La disipación de potencia 𝑃𝑇
en el transistor.
19
 Ejemplo 1: Determinación de los parámetros
de saturación de un BJT
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸(𝑠𝑎𝑡)
𝐼𝐵 = R𝐵 =
𝑅𝐵 𝐼𝐵
𝐼𝐵 I𝐵 = 𝑂𝐷𝐹 ∗ 𝐼𝐵𝑆
𝑂𝐷𝐹 =
𝐼𝐵𝑠
𝐼𝐶𝑆 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)
𝐼𝐵𝑆 = 𝐼𝐶𝑆 =
𝛽𝑚𝑖𝑛 𝑅𝐶
𝑅𝐶 = 11Ω.
𝑉𝑐𝑐 = 200 𝑉 200 − 1 199
𝑉𝐵 = 10 𝑉 𝐼𝐶𝑆 = = A
𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) = 1.0 𝑉 11 11
𝑉𝐵𝐸(𝑠𝑎𝑡) = 1.5 𝑉 𝐼𝐶𝑆 = 18,1 A
𝛽𝑚𝑖𝑛 = 8 20
Ejemplo 1: Determinación de los parámetros
de saturación de un BJT
200 − 1 199 199
𝐼𝐶𝑆 = = A ≈ 18,1 A 𝐼𝐶𝑆 11 8
11 11 𝛽𝑓 = = 995 = = 1,6
𝐼𝐵 5
88
(199/11) 199
𝐼𝐵𝑆 = = 𝐴 ≈ 2,3 A
8 88 𝑃𝑇 = 𝑉𝐵𝐸 ∗ 𝐼𝐵 + 𝑉𝐶𝐸 ∗ 𝐼𝐶
199 995
I𝐵 = 5 ∗ = 𝐴 ≈ 11,3𝐴 995 199 6169
88 88 𝑃𝑇 = 1,5 ∗ +1∗ = ≈ 35𝑊
88 11 176
10 − 1,5 748
R𝐵 = = ≈ 0,75Ω
995/88 995

21
Características estáticas

22
Características estáticas

23
Características DINÁMICAS

Tiempo de Encendido: 𝑡𝑜𝑛 = 𝑡𝑑 + 𝑡𝑟

Tiempo de Apagado: 𝑡𝑜𝑓𝑓 = 𝑡𝑠 + 𝑡𝑓

24
 Características DINÁMICAS
Encendido con carga resistiva. vB

RCARGA vce
VCC
ic

+ vce ic
vB 90%

10%
tdON trise
tON
• El paso de corte a saturación, y viceversa, es lento.
• Cuanta menos carga espacial más rápida será la conmutación pero también
mayores serán las pérdidas estáticas.

• Con el fin de acelerar la conmutación y disminuir sus pérdidas, puede

suministrarse una IB negativa para pasar de saturación a corte.
25
 Características DINÁMICAS
Apagado con carga resistiva. vB

RCARGA vce
VCC
ic

+ vce ic
vB 90%

10%

tst tfall
tOFF
tst: Tiempo de almacenamiento: el proceso de conducción continúa a costa de los portadores
almacenados en la base.

Las pérdidas en conmutación en el apagado son MAYORES que las del encendido (debido al tiempo de
bajada)
26
Características DINÁMICAS

27
Características DINÁMICAS

28
Características DINÁMICAS

29
Características DINÁMICAS

30
Características DINÁMICAS
Dichas energías se definen como:
𝑡2 𝑡3 𝑡4

𝑊𝐴 = න 𝑖𝑐 𝑡 ∗ 𝑣𝐶𝐸 𝑡 𝑑𝑡 𝑊𝐵 = න 𝑖𝑐 𝑡 ∗ 𝑣𝐶𝐸 𝑡 𝑑𝑡 𝑊𝐶 = න 𝑖𝑐 𝑡 ∗ 𝑣𝐶𝐸 𝑡 𝑑𝑡

𝑡1 𝑡2 𝑡3

𝐼𝐶 y 𝑉𝐶𝐸 se definen para cada intervalo de la siguiente manera:

31
Características DINÁMICAS
Resolviendo las integrales obtenemos:
𝐼𝐶 𝑠𝑎𝑡 ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑡𝐴 𝐼𝐶 𝑠𝑎𝑡 ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑡𝐵 𝐼𝐶 𝑠𝑎𝑡 ∗ 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑡𝐶
𝑊𝐴 = 𝑊𝐵 = 𝑊𝐶 =
6 6 6

A efectos prácticos, 𝑡𝐴 es equivalente al tiempo de subida (𝑡𝑟 ), 𝑡𝑐

equivale al tiempo de bajada (𝑡𝑓 ), mientras que 𝑡𝑠 será el ancho
del pulso menos estos dos tiempos.
El valor medio de la potencia total disipada por el transistor será:

32
Protección del BJT

33
Protección del BJT

34
Protección del BJT

35
 Los transistores de efecto de campo de
metal-óxido-semiconductor, MOSFET
Contactos
Metal
Metal metálicos
Estructura SiO2 S G D Nombre
S G D Óxido

N+ N+ Semiconductor
P-

+
D
Substrato
D
G Símbolo
S
Símbolo G
Substrato MOSFET de
enriquecimiento de
S MOSFET de enriquecimiento
canal P
(acumulación) de canal N 36
Curvas características de un MOSFET de
enriquecimiento de canal N
Referencias iD • Curvas de salida
normalizadas
D iD [mA]
+

G vDS 4 vGS = 4,5V

+ S -
vGS vGS = 4V
- 2
vGS = 3,5V
vGS = 3V
• Curvas de entrada: vGS = 2,5V vDS [V]
No tienen interés (puerta aislada
0 6
del canal) 2 4
vGS < VTH = 2V

37
Los MOSFET de deplexión
S G D
• Existe canal sin necesidad de aplicar tensión
a la puerta. Se podrá establecer circulación de
N+ N- N+ corriente entre drenador y fuente sin
P- necesidad de colocar tensión positiva en la
puerta
+
Substrato

+
G • Modo ACUMULACIÓN:
S +++ +++ D Al colocar tensión positiva en la
vGS
V1 puerta con relación al canal, se
N+ N-
- - - - - - N+ refuerza el canal con más
P- vGS = V1 electrones procedentes del
substrato. El canal podrá conducir
Substrato + - más
38
Los MOSFET de deplexión

+
G
S --- --- D

+- + + + + + VGS V1
N+ N N+
P-

Substrato + -
VGS = -V1

• Operación en modo DEPLEXIÓN:

Se debilita el canal al colocar tensión negativa en la puerta con relación al substrato.
El canal podrá conducir menos corriente

39
Los MOSFET de deplexión
Modo acumulación Modo deplexión vDS
vDS
iD iD

G G
D S --- --- D
S +++ +++
N+ + + + + + ++ + N+ V1
N+
- - - - N+
N
N- -

- - P-
P- V1
Substrato +
Substrato +
VGS = -V1
VGS = V1
• Cuando se aplica tensión entre drenador y fuente se empieza a contraer el canal, como
ocurre en los otros tipos de FET ya estudiados
• Esto ocurre en ambos modos de operación
40
 Comparación entre las curvas características de
los MOSFET de enriquecimiento y de deplexión

MOSFETs de deplexión MOSFETs de enriquecimiento

iD [mA] iD [mA] vGS = 4,5V
4 vGS = 1V 4
vGS = 4V
vGS = 0,5V Modo acumulación
2 vGS = 3,5V
2 vGS = 3V
vGS = 0V vGS = 2,5V
vGS = -0,5V Modo deplexión
0 2 4 6 vDS [V]
vGS = -1V
vGS < VTH = 2V
0 6 vDS [V]
2 4
vGS < -1,5V

41
Comparación entre los símbolos de los
MOSFET de enriquecimiento y de deplexión
con ambos tipos de canal
D D
Canal N
G G
S S
Tipo enriquecimiento Tipo deplexión

D D Canal P
G G
S S
Tipo enriquecimiento Tipo deplexión

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Comparación de los circuitos de polarización para
trabajar en zona resistiva o en zona de fuente de
corriente con MOSFET de ambos tipos de canal
iD
-iD
R R
D D +
+
vDS G vDS
G V2 - V2
S - + S
+
vGS V1 vGS
V1 -
-

Canal N Canal P
Hay que invertir los sentidos reales de tensiones y corrientes para
operar en los mismas zonas de trabajo
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Referencias bibliográficas
• Rashid Muhammad H.-Electrónica de Potencia, Circuitos, Dispositivos
y Aplicaciones; 3ra. Edición; 2.004; Editorial Pearson - Prentice Hall.
• Daniel W. Hart.- Electrónica de potencia; 2.001; Editorial Prentice Hall.
• Ned Mohan, Tore M. Underland, William P. Robins; Electrónica de
Potencia-Convertidores, aplicaciones y diseño; 3ra. Edición; 2.009;
Editorial Mc Graw Hill.

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