1

Seminar 9
PROBLEMA1: Pentru circuitul din Fig. P 1 a se cunosc : DZ1: VZ =10.6V, IZm = 1mA R Z  0  
Q1, Q2,: F=0=400, VBE0.6V (in RAN), ro= r=; Q3: IDSS=4mA, VT =-2V, rds= Rezistorii din figura au
valorile: R1=R2=1MR3=2.5kR4 =1kCircuitul este alimentat de la o tensiune VCC = 20V. Sursa de
semnal este un generator sinusoidal de medie frecventa, amplitudine <1mV si rezistenta de generator
Rg=0.1k
Sa se determine :
(1) PSF al dispozitivelor circuitului.
(2) Amplificarea in tensiune raportata la generator a circuitului Av,g=v0/vg pentru RL=0, 10k, .
(3) Rezistenta echivalenta de intrare in circuit Ri=vi/ii si Rezistenta echivalenta de iesire a
circuitului.R0=v0/i0vi=0

Fig. P 1 a

Rezolvare:

(1) Presupunem tranzistoarele in RAN si dioda Zener in regim de stabilizare. Circuitul format din
Q1, Q2, DZ1 formeaza o oglinda de curent. Considerand curentii de baza mici in raport cu cei de colector se
pot scrie urmatoarele ecuatii:

VZ  VBE
I C1  I C 2   4mA (1)
R3
Am considerat IB1+IB2<<IC1
I S 3  I D 3  I C1 (2)
2

VCC  VZ
IZ   I C1  5.4mA  I Z min (3)
R4
Deoarece I D 3  I DSS  VGS 3  0
VCE1  VBE1 (4)
VCE 2  VZ  VGS 3  10.6V (5)
VDS 3  VCC  VCE 2  9.4V (6)
Toate tranzistoarele bipolare functioneaza in RAN, tranzistorul TEC-J in saturatie si dioda Zener
functioneaza in regim de strapungere.

(2) Schema echivalenta de ac a circuitului este reprezentata in Fig . P 1 b. Oglinda de curent a fost
echivalata cu o rezistenta infinita. Circuitul este un etaj amplificator cu tranzistor in conexiune DC.

Fig. P 1 b

Inlocuind tranzistorul cu modelul de semnal mic se obtine urmatoarea schema echivalenta (Fig . P 1 c):

Fig . P 1 c

Panta de semnal mic pentru tranzistorului Q3 este:

g m  4mA / V
Pe circuitul din Fig. P1 c se pot scrie urmatoarele ecuatii:

 v gs 3 
v0  RL R2  g m v gs 3   (7)
 R1 
v
v g  RG GS 3  v gs 3  v0 (8)
R1

Rezulta:
3

 1 
RL R2  g m  
v0  R1 
 (9)
vg R  1 
1  G  RL R2  g m  
R1  R1 
Observatie: Daca generatorul are Rg<<R1 si gmRL>>1 relatia (9) devine:

v0
Av , g  1 (10)
vg
Amplificatorul este un “Repetor pe sursa”.

(3) Determinarea rezistentei de intrare se face pe baza urmatoarelor ecuatii:

vi  v gs 3  v0 (11)
v gs 3
ii  (12)
R1
Din relatiile (7), (11), (12) rezulta:

vi   1  
Ri   R1 1  RL R2  g m   (13)
ii 
  R1  
Determinarea rezistentei R0 se va realiza pe urmatoarea schema (Fig . P 1 d) care este echivalenta
conditiilor de definitie.

Fig . P 1 d

Pentru aceasta configuratie rezulta:

v0 v0 v0
i0     g m v gs 3 (14)
R1 RL R2
v0  v gs 3 (15)
De unde rezulta:

1
v0 1 1 1 
R0      g m3  (16)
i0 vi  0  R1 R2 RL 
Chestiuni:
Verificati inegalitatile folosite la rezolvarea punctului (1).
Efectuati calculele numerice pentru cele trei valori ale rezistentei de sarcina propuse. Determinati
care caz este cel mai favorabil pentru amplificarea in tensiune.
Gasiti o justificare pentru rezistenta de intrare mult marita a acestui circuit in comparatie cu
schema anterioara de repetor pe sursa.
Efectuati calculele numerice.
4

Incercati sa realizati un amplificator aproape ideal de tensiune (amplificare supraunitara) folosind

etajele pe care le-am studiat pana acum.

PROBLEMA 3: Pentru circuitul din Fig. P 3 a se cunosc : DZ1: VZ =3.6V, IZm = 1mA R Z  0  
Q1: IDSS=5mA, VT =-2V, rds=, Q2: F=0=600, VBE 0.6V (in RAN), ro=r=. Rezistorii din figura au
valorile: R1 = R2 =0.5kRL= 1MCircuitul este alimentat de la o tensiune VCC = 20V. Sursa de semnal este
un generator sinusoidal de medie frecventa, amplitudine <0.1V si rezistenta de generator Rg=0.1k
Sa se determine :
(1) PSF al dispozitivelor circuitului.
(2) Amplificarea in tensiune raportata la generator a circuitului Av,g=v0/vg .
(3) Rezistenta echivalenta de intrare in circuit Ri=vi/ii si Rezistenta echivalenta de iesire a
circuitului.R0=v0/i0vi=0

Fig. P 3 a

Rezolvare:

(1) Presupunem tranzistorul bipolar in RAN, tranzistorul TEC-J in saturatie si dioda Zener in
regim de stabilizare. Circuitul format din Q2, DZ1 formeaza o sursa de curent. Considerand curentii de baza
mici in raport cu cei de colector se pot scrie urmatoarele ecuatii:

VZ  V EB
IC2   6mA (1)
R1
I D1  I DSS  5mA (2)
5

VCC  VZ
IZ   32mA  I Z min (2)
R3
Am considerat IB2<<Iz
V DS 1  RL  I C 2  I D1   10V
(3)
VCE 2  VCC  V DS 1  R1 I C1  7V (4)

(2) Schema echivalenta de ac a circuitului este reprezentata in Fig . P 3 b. Circuitul este un etaj
amplificator cu tranzistor in conexiune EC.

Fig. P 3 b

Inlocuind tranzistorul cu modelul de semnal mic se obtine urmatoarea schema echivalenta (Fig . P 3 c):

Fig . P 3 c

Panta de semnal mic pentru tranzistorului Q1 este:

g m  4mA / V
Pe circuitul din Fig. P1 c se pot scrie urmatoarele ecuatii:

v g  vi  v gs1 (5)
v 0   g m1 R L (6)
Rezulta:
v0
Av , g    g m1 R L (7)
vg
Aceasta relatie permite o rapida estimare a amplificarii unui etaj SC.
6

(3) Rezistenta de intrare:

vi
Ri   (8)
ii

Rezistenta de iesire:
v
R0  0  (9)
i0 v 0
i