Seminar.

2
PROBLEMA1: Pentru circuitul din Fig. P1a se cunosc :  Q1,4: F=0=200, VBE0.6V (in RAN), ro=
r=. Rezistorii din figura au valorile: R1 = 8kR2 = 1kR3 = 0.7kR4 = 10kR5 = 4k Rg =
0.1kCircuitul este alimentat de la o tensiune VCC = 20V.
Sa se determine :
(1) PSF al dispozitivelor circuitului.
(2) Amplificarea in tensiune raportata la generator a circuitului Av,g=v0/vg;
(4) Rezistenta echivalenta de intrare in circuit Ri=vi/ii si Rezistenta echivalenta de iesire a
circuitului.R0=v0/i0vi=0

Fig. P 1 a

Rezolvare:

(1) Presupunad tranzistoarele ca functionand in RAN se obtin urmatoarele ecuatii:

V BE1  V BE 2  I C1  I C 2 (1)
Neglijind curentii de baza rezulta:
VCC  VBE1
I C1  I C 2  I C 3  I C 4  I   2mA (2)
R1  R2  R3
Pentru verificarea functionarii in RAN se scriu ecuatiile:
VCE 1  V BE1 (3)
I
VCE 2  VCC   R1  R2  I  R4  V BE 4  1.4V (5)
F
VCE 3  R1 I  V BE 3  R5 I  8.6V (6)
VCE 4  VCC  R5 I  VCE 3  VCE 2  2V (7)
Toate tranzistoarele functioneaza in RAN
Tema: Verificati corectitudinea neglijarii curentilor de baza in ecuatiile de mai sus.
Schema echivalenta a circuitului in regim dinamic este reprezentata in Fig. P1b

Fig. P 1 b

Amplificarea in tensiune a circuitului se determina in felul urmator:

v 0 v 0 i c 4 i c 3 ib 4 ii  R 4  R 2 R3  1 
Av , g     R5 1   0    
 Rbe 4  R4  R 2 R3  R g   R4  R2 R3  Rbe 4
v g i c 4 i c 3 ib 4 ii v g  

Av , g  310 (8)
Rezistenta echivalenta de intrare in circuit:
vi
Ri     R4  R2 R3  Rbe 4 
ii
Rezistenta echivalenta de iesire din circuit se determina pe schema din Fig. P 2c:

v0
R0   R5 Rcb 3  R5
i0
 PROBLEMA2: Pentru circuitul din Fig. P 2 a se cunosc : Q2: IDSS=8mA, VT=-2V, rds= Q2:
F=0=200, VBE0.6V (in RAN), ro= r=. Rezistorii din figura au valorile: R1 = 16kR2 = 4kR3 =
1kR4 = 10MCircuitul este alimentat de la o tensiune VCC = 20V.
Sa se determine :
(1) PSF al dispozitivelor circuitului.
(2) Amplificarea in tensiune raportata la generator a circuitului Av,g=v0/vg;
(4) Rezistenta echivalenta de intrare in circuit Ri=vi/ii si Rezistenta echivalenta de iesire a
circuitului.R0=v0/i0vi=0

Fig. P 1 a

Rezolvare:

(1) Presupunad tranzistorul bipolar functionand in RAN si TEC-J in saturatie se obtin urmatoarele ecuatii:
VGS 1  0  I D1  I DSS  8mA (1)
Neglijind curentii de baza rezulta:
I D1  I C1  I  2mA (2)
Pentru verificarea functionarii in RAN se scriu ecuatiile:
R1
VCE 2  VCC1  V BE 2  R3 I  8.6V (3)
R1  R 2
V DS 1  VCC  R3 I  VCE 2  3.4V (4)
tranzistorul Q1 este saturat iar Q2 functioneaza in RAN.
Tema: Verificati corectitudinea neglijarii curentului de baza in ecuatiile de mai sus.
Schema echivalenta a circuitului in regim dinamic este reprezentata in Fig. P1b
 Fig. P 2 b

Amplificarea in tensiune a circuitului se determina in felul urmator:

v0 v i i v gs1 R4
Av , g   0 c 2 d1   R35 1  g m1 
v g i c 2 i d 1 v gs1 v g R4  R g
Av , g  310 (8)
Rezistenta echivalenta de intrare in circuit:
vi
Ri     R4  R2 R3  Rbe 4 
ii
Rezistenta echivalenta de iesire din circuit se determina pe schema din Fig. P 2c:

v0
R0   R5 Rcb 3  R5
i0

Anexa

Determinarea rezistentei Rbe pentru un tranzistor bipolar cu ro= r=.

 vi ib  rbe    0  1 RE 
Rbe    rbe    0  1 RE
ii ib
Determinarea rezistentei Rcb pentru un tranzistor bipolar cu ro= r=.

Pentru curentul Ib se poate scrie ecuatia:

ib  R B  rbe   ib   0  1) RE   0
cu solutia evidenta ib =0. Rezulta imediat :
vi
Rcb  
ii