MEMORIAS ELECTRONICAS

  DEFINICION DE MEMORIA

Las memorias son dispositivos electrónicos de almacenamiento de datos

binarios, retienen información a un largo o corto periodo de tiempo. Este tipo de
formato numérico es utilizado por los computadores y demás equipos del
presente para realizar distintos procesos

  TIPOS DE MEMORIA

 RAM (memoria de acceso aleatorio): Éste es igual que memoria

principal. Cuando es utilizada por sí misma, el término RAM se refiere a
memoria de lectura y escritura; es decir, usted puede tanto escribir datos
en RAM como leerlos de RAM. Esto está en contraste a la ROM, que le
permite solo hacer lectura de los datos leídos. La mayoría de la RAM es
volátil, que significa que requiere un flujo constante de la electricidad
para mantener su contenido. Tan pronto como el suministro de
poder sea interrumpido, todos los datos que estaban en RAM se
pierden.
 ROM (memoria inalterable): Los ordenadores contienen casi siempre
una cantidad pequeña de memoria de solo lectura que guarde las
instrucciones para iniciar el ordenador. En la memoria ROM no se puede
escribir.
 PROM (memoria inalterable programable): Un PROM es un chip de
memoria en la cual usted puede salvar un programa. Pero una vez que
se haya utilizado el PROM, usted no puede reusarlo para salvar algo
más. Como las ROM, los PROMS son permanentes.
 EPROM (memoria inalterable programable borrable): Un EPROM es un
tipo especial de PROM que puede ser borrado exponiéndolo a la luz
ultravioleta.
 EEPROM (eléctricamente memoria inalterable programable borrable):
Un EEPROM es un tipo especial de PROM que puede ser borrado
exponiéndolo a una carga eléctrica.
 FLASH

MEMORIA RAM

RAM son las siglas de random access memory, un tipo de memoria de

ordenador a la que se puede acceder aleatoriamente; es decir, se puede
acceder a cualquier byte de memoria sin acceder a los bytes precedentes. La
memoria RAM es el tipo de memoria más común en ordenadores y otros
dispositivos como impresoras.

Hay dos tipos básicos de memoria RAM

RAM dinámica (DRAM)

RAM estática (SRAM)

Los dos tipos de memoria RAM se diferencian en la tecnología que utilizan para
guardar los datos, la memoria RAM dinámica es la más común.

RAM DINÁMICA

Un tipo de memoria física usado en la mayoría de los ordenadores personales.

El término dinámico indica que la memoria debe ser restaurada
constantemente (reenergizada) o perderá su contenido.

La RAM (memoria de acceso aleatorio) se refiere a veces como DRAM para

distinguirla de la RAM estática (SRAM). La RAM estática es más rápida y
menos volátil que la RAM dinámica, pero requiere más potencia y es más
costosa.

RAM ESTÁTICA

Abreviatura para la memoria de acceso al azar estática. SRAM es un tipo de

memoria que es más rápida y más confiable que la DRAM más común (RAM
dinámica). El término se deriva del hecho de que no necesitan ser restaurados
como RAM dinámica.

Mientras que DRAM utiliza tiempos de acceso de cerca de 60 nanosegundos,

SRAM puede dar los tiempos de acceso de hasta sólo 10 nanosegundos.
Además, su duración de ciclo es mucho más corta que la de la DRAM porque
no necesita detenerse brevemente entre los accesos.

La memoria RAM dinámica necesita actualizarse miles de veces por segundo,

mientras que la memoria RAM estática no necesita actualizarse, por lo que es
más rápida, aunque también más cara. Ambos tipos de memoria RAM son
volátiles, es decir, que pierden su contenido cuando se apaga el equipo
MEMORIA ROM

Las memorias de sólo lectura (ROM, read-only memory) son, al igual que

las RAM, memorias de acceso aleatorio, pero, en principio, no pueden cambiar
su contenido. Tampoco se borra la información de ellas si es interrumpida la
corriente, por lo tanto es una memoria no volátil. 

La ROM forma parte del grupo de componentes llamados dispositivos lógicos

programables (PLD, programmable logic devices), que emplean la información
almacenada para definir circuitos lógicos.

Este tipo de memorias suele almacenar datos básicos y la configuración del

ordenador para ser usado, principalmente, en el arranque del mismo. Por
ejemplo, la BIOS y su configuración suele almacenarse en este tipo de
memorias. 

Las características fundamentales de las memorias ROM son:

1. Alta densidad: la estructura de la celda básica es muy sencilla y permite altas

integraciones.

2. No volátiles: el contenido de la memoria permanece si se quita la

alimentación.

3. Costo: dado que la programación se realiza a nivel de máscaras durante el

proceso de fabricación, resultan baratas en grandes tiradas, de modo que el
costo de fabricación se reparte en muchas unidades y el coste unitario baja.

4. Sólo lectura: únicamente son programables a nivel de máscara durante su

fabricación. Su contenido, una vez fabricada, no se puede modificar.

Las memorias ROM pueden ser clasificadas, según su capacidad de variar su

contenido, en: Memoria PROM, Memoria EPROM, Memoria
EEPROM, Memoria flash .
               

                                   

MEMORIA PROM

Las PROM (Programmable ROM) son memorias ROM vírgenes que se hallan
dispuestas para ser programadas por el adquiridor para su aplicación
específica.

Este tipo de memoria que puede ser programada una sola vez a través de un
programador PROM. Están compuestas de fusibles (o antifusibles) que sólo
pueden ser quemados una vez. Una memoria PROM sin programar se
encuentra con todos los fusibles sin ser quemados, o sea, valor 1. Cada fusible
quemado corresponde a un 0 produciendo una discontinuidad en el circuito.
Estas memorias se van programando aplicando pulsos eléctricos.

Fue creada en 1956 por Wen Tsing Chow en Nueva York a pedido de la Fuerza
Aérea estadounidense para conseguir una forma segura de almacenar las
constantes de los objetivos en la computadora del misil MBI Atlas E/F.
Actualmente siguen siendo utilizadas en misiles, satélites, etc.

Las Aplicaciones más importantes:

Microprogramación. Librería de subrutinas. Programas de sistema. Tablas de

función.
                                                              

MEMORIA EPROM

Las EPROM, o Memorias sólo de Lectura Reprogramables, se programan

mediante impulsos eléctricos y su contenido se borra exponiéndolas a la luz
ultravioleta (de ahí la ventanita que suelen incorporar este tipo de circuitos), de
manera tal que estos rayos atraen los elementos fotosensibles, modificando su
estado.

Al ser programadas, puede borrarse su contenido manteniéndolas expuestas a

una luz ultravioleta fuerte. Esto sucede porque los fotones de luz ultravioleta
excitan los electrones de las celdas, lo que produce que se descarguen. Los
tiempos medios de borrado de una EPROM, por exposición a la luz ultravioleta,
oscilan entre 10 y 30 minutos. Las EPROM pueden retener los datos entre diez
y veinte años, y pueden ser leídas ilimitadas veces.

                                                     

MEMORIA EEPROM

La memoria EEPROM es programable y borrable eléctricamente y su nombre

proviene de la sigla en inglés Electrical Erasable Programmable Read Only
Memory.

Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por un transistor,

que tiene una compuerta flotante, su estado normal está cortado y la salida
proporciona un 1 lógico.
Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo
puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un millón de veces

Ventajas de la EEPROM:

Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual.

Para borra la información no se requiere luz ultravioleta.

Las memorias EEPROM no requieren programador.

De manera individual puedes borrar y reprogramar eléctricamente grupos de

caracteres o palabras en el arreglo de la memoria.

Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.

Se pueden conectar fácilmente con microprocesadores o microcontroladores,

algunas de estas memorias tienen pines para realizar esta labor.

Transferencia de datos de manera serial, lo que permite ahorro del micro para
dedicarlo a otras funciones.

El consumo de corriente es mucho menor que en las memorias que trabajan en

paralelo.

                                                          

MEMORIAS FLASH

Es un tipo de memoria no volátil que pueden borrarse y reescribirse fácilmente.

Suele ser usadas en celulares, cámaras digitales, PDAs, reproductores
portátiles, discos rígidos, etc. El término Memoria Flash fue acuñado por
Toshiba, por su capacidad para borrarse “en un flash” (instante).

Son una evolución de las memorias EEPROM que permiten que múltiples

posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operación
mediante impulsos eléctricos. Por esta razón, este tipo de memorias funcionan
a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura
al mismo tiempo. Inicialmente almacenaban 8 MB, pero actualmente
almacenan más de 64 GB, con una velocidad de hasta 20 MB/s.

Son muy resistentes a golpes, pequeñas, livianas y sumamente silenciosas.

Permiten un número limitado de veces que se escriben/borran, generalmente
de 100 mil a un millón de veces.

 Actualmente se comercializaron equipos digitales que no utilizan discos

rígidos para el almacenamiento masivo, sino que sólo tienen memorias flash.

                                        

TABLA COMPARATIVA ENTRE MEMORIAS

      

Una parte importantísima en la mayoría de los sistemas digitales es la dedicada

a contener la información que está tratando dicho sistema. 
Los datos e instrucciones del programa de un sistema microcomputador son
almacenados en la memoria. Cada "celda" de la memoria puede almacenar un
bit, estando las memorias constituidas por varios miles de estas celdas. El
conjunto de celdas en las que se almacena una palabra se llama "Posición de
memoria" 
Se han desarrollado numerosos sistemas capaces de almacenar o memorizar
una información digital. Todos ellos, persiguen como objetivo conseguir: 

- Alta velocidad 
- Bajo precio 
- Gran capacidad de almacenamiento 
- Bajo consumo
Cada uno de estos objetivos se conseguirá en mayor o menor medida
dependiendo del medio físico empleado, su organización, tecnología, étc. 
Por ejemplo, desde la década de los años 1950, las memorias de núcleos de
ferrita han predominado como memorias principales en los ordenadores. Sin
embargo gracias al desarrollo tecnológico de los semiconductores en forma
integrada y más concretamente LSI, ha permitido a partir de 1975 se
sustituyeran las memorias de ferritas por memorias de tipo semiconductor, por
sus ventajas tanto en rapidez como en precio y espacio. 
Hoy en día las memorias de tipo semiconductor, constituyen el sector más
expansivo dentro de la tecnología de los semiconductores. 
Antes de proceder al estudio de las memorias de tipo semiconductor,
expondremos ls características más importantes de las memorias y una
clasificación general, que dará a su vez paso a una segunda clasificación de
las de tipo semiconductor en forma integrada.
CARACTERISTICAS MAS IMPORTANTES DE LAS MEMORIAS 
Al estudiar los flip-flops o biestables ya se definieron los términos de lectura y
escritura por tratarse de elementos de memoria. 
Las características más importantes de las memorias son: 
Tiempo de escritura 
Es el tiempo que transcurre entre el momento en que se presenta la
información a almacenar en la memoria y el momento en que la información
queda realmente registrada. 
Tiempo de lectura 
Es el que transcurre entre la aplicación de la orden de lectura, y el momento en
que la información está disponible en la salida. 
Tiempo de acceso 
Es a menudo, la media de los dos tiempos de lectura y escritura definidos
anteriormente. 
Es la medida del tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la unidad
de memoria hasta que esta lo entrega. 
Tiempo de ciclo 
Después de una operación de lectura o escritura, es posible que la memoria
necesite un tiempo de reinscripción (memorias de núcleos de ferrita, por
ejemplo), o de recuperación. El tiempo de ciclo es entonces la suma de este
tiempo y del tiempo de acceso. 
También denominado ciclo de memoria, es el tiempo transcurrido desde que se
solicita un dato a la memoria hasta que ésta se halla en disposición de efectuar
una nueva operación de lectura o escritura.  
Acceso aleatorio 
Una memoria es de acceso aleatorio cuando el tiempo de acceso a cualquier
posición de memoria es siempre el mismo. 
Cadencia de transferencia 
Es la velocidad a la cual la memoria acepta informaciones de lectura o escritura
(Bits por segundo) 
Capacidad 
Es el número de palabras o de bits que la memoria puede almacenar. Se
denomina también volumen. 
Densidad de información 
Es el número de informaciones por unidad de volumen físico. 
Volatilidad 
Es el defecto de una memoria que pierde la información almacenada, si se
produce un corte de alimentación

MEMORIAS. CLASIFICACION GENERAL 

Las memorias pueden clasificarse atendiendo a diversos parámetros:
Por el modo de acceso: 
Acceso Aleatorio (RAM) 
Acceso Secuencial 
Asociativas 
Por el modo de almacenamiento: 
Volátiles  
No volátiles 
Por el tipo de soporte 
Semiconductoras 
Magnéticas 
De papel 
Por su función o jerarquía 
Tampón o borrador: (LIFO,FIFO) 
Central o Principal 
De masas

POR LA FORMA DE ACCESO 

Memorias de Acceso Aleatorio. Denominadas usualmente RAM (Ramdon
Access Memory), son memorias en las que cualquier información puede leerse
o escribirse con el mismo tiempo de acceso, cualquiera que sea la célula de
memoria elegida. 
Memoria de acceso secuencial o serie.- Para la lectura o escritura de una
determinada célula, espreciso leer todas las células que le preceden
físicamente 
Memoria asociativa.- Es una memoria direccionable por su contenido, no por
una dirección.
POR EL MODO DE ALMACENAMIENTO 
Memoria volátil.- Es aquel tipo de memoria que pierde la información en ella
almacenada, al cortar la alimentación. 
Memoria no volátil.- Retienen la información en modo permanente aún después
de eliminar o cortar la alimentación
POR EL TIPO DE SOPORTE 
Memorias semiconductoras.- Son aquellas que utilizan dispositivos
semiconductores para registrar la información 
Memorias magnéticas.- El registro de la información se realiza por
magnetización de un soporte de este tipo. 
Memorias de papel.- No son propiamente memorias. Sin embargo, el papel
(cinta perforada o tarjeta) permite almacenar una información en forma de
marca o perforaciones.
POR SU FUNCION O JERARQUIA 
Memorias tampón.- Son generalmente de tipo semiconductor y se
caracterizan porque la información en ellas se almacena durante un
corto periodo de tiempo. Puede decirse que son memorias borrador, de
paso o adaptadoras. 
Son memorias de baja capacidad y acceso rápido, puesto que
normalmente se refieren a los registros generales incluidos dentro del
propio sistema microcomputador. Su función será, pues, actuar como
memorias de trabajo auxiliares en las transferencias de información
entre el sistema y las unidades exteriores.
Las memorias LIFO y FIFO son memorias especiales del tipo tampón
cuyo nombre proviene de la forma de almacenar y extraer la información
de su interior. 
FIFO (First in-firts out), primero en entrar - primero en salir, es decir, es
lo que se llama una fila de espera 
LIFO (Last in-first out), la última información introducida en la memoria
es la primera en extraerse, es lo que se llama una pila o apilamiento.
Memoria Central.- Es la que está incorporada en la Unidad Central de
Proceso de un ordenador. Su misión consiste en almacenar los
programas y los datos implicados en la ejecución de las sucesivas
instrucciones. 
Hasta hace algunos años, las memorias centrales estaban formadas a
partir de núcleos de ferrita o por hilos plateados. Actualmente, este tipo
de memorias ha sido desplazado definitivamente por las memorias
integradas a semiconductores. Y la memoria central del sistema está
formada por la asociación de un número de chips de memoria RAM y
ROM a semiconductores, mayor o menor, según la capacidad de
almacenamiento requerida por el sistema. 

Clasificación: 
 

o  Según el modo de lectura

1. Lectura destructiva: al leer el contenido de una posición de memoria,

la información almacenada desaparece. Este tipo de memoria precisa de
una regeneración del contenido, después de efectuada una operación de
lectura. 
2. Lectura no destructiva: donde la operación de lectura no provoca la
pérdida de la información almacenada. Hay que hacer constar que la
casi totalidad de las memorias centrales modernas pertenecen a este
grupo. 
 
 o  Según el modo de retener la información

1. Volátiles: para que el contenido permanezca memorizado, es

necesario una fuente de alimentación. Al desconectarla, se pierde la
información almacenada. Las memorias RAM pertenecen a esta
categoría. 
2. No volátiles: la información persiste aún desconectando la fuente de
alimentación de la unidad de memoria, esto es, el contenido es
memorizado sin consumo energético. Las memorias centrales ROM son
ejemplo de lo dicho. 

Memoria de masas.- Es la memoria auxiliar de tipo externo de un

ordenador. 
  
Son memorias de acceso aleatorio o directo y de elevada capacidad. No
son estrictamente imprescindibles dentro del sistema microcomputador,
como ocurre en las centrales. Se emplean como bloques de
almacenamiento auxiliar, con una velocidad de transferencia de
información elevada. Habitualmente este tipo de memorias contiene el
archivo de información que manipula el sistema dentro del conjunto de
aplicaciones al que se halla orientado. Para que el mricroprocesador
pueda procesar la información almacenada en una memoria de tipo de
masas, ésta debe pasar primeramente al interior de la memoria central
del sistema. 
En virtud del tipo de transferencia empleado, por bloques, la
característica básica de las memorias de masa es el caudal de
transferencia o número de palabras de información que puede
transferirse por unidad de tiempo. El caudal se expresa en Kbytes o
Mbytes por segundo. 
Las memorias de masa que alcanzan mayor difusión en el campo de los
microordenadores son los discos magnéticos, más concretamente los
discos magnéticos flexibles o "Floppy disk". 

 Memorias de fichero 
Al igual que las anteriores, este tipo de memorias son auxiliares de la
meoria central de microcomputador. La diferencia radica en que las
memorias de fichero están caracterizadas por una velocidad de
transferencia sustancialmente inferior a las de masa. 
 

El acceso a la información almacenada se efectúa de forma

secuencial. Por lo tanto, el tiempo de acceso a determinada
información depende de su emplazamiento sobre el soporte
físico. En definitiva, el acceso a las memorias de fichero no es
aleatorio, de ahi que su velocidad de transferencia sea variable y
en general reducida.
Como contrapartida a su baja velocidad de trabajo, las memorias de
fichero suelen ser relativamente económicas (Cintas magnéticas o
cassettes) 
 Por último, cabe precisar que dada su característica de acceso no
aleatorio, la velocidad de una memoria de fichero se define a partir del
"Tiempo medio de acceso" respecto a las posiciones extremas de
almacenamiento.

MEMORIAS SEMICONDUCTORAS. CLASIFICACION 

Existen una gran variedad de memorias de tipo semiconductor, tanto en
tecnología bipolar como MOS 
Las clasificaremos atendiendo al modo de acceso como característica principal,
subdividiéndolas en la forma de almacenamiento y por último en la tecnología
empleada. 
MEMORIAS SEMICONDUCTORAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM) 
Usualmente se reserva el término RAM para aquellas memorias que permiten
leer y escribir en ellas. Para aquellas que siendo del siendo del tipo RAM
(Acceso aleatorio), solo permiten la lectura se reserva el término ROM o
RPROM étc. En consecuencia, una "memoria RAM semiconductora", es una
memoria de acceso aleatorio y que permite leer o escribir indistintamente, una
información sobre ella.

32-Word x 8-Bit Static RAM

 
ESQUEMA DE UNA MEMORIA RAM 

Las entradas de control C y R/W permiten inhibir la memoria y leer o escribir

(Read-Write) respectivamente. 
 
 Fig. 1
Su funcionamiento es el siguiente: 

  Situar en los terminales de DIRECCION la combinación adecuada a la

célula de memoria a operar. 
  En el caso de lectura, poner el terminal R/W a "0", y por último permitir
el funcionamiento de la memoria, es decir, validar el proceso con C="1".
En la salida de datos obtendremos la información almacenada en la
dirección de memoria correspondiente. 
  En el caso de escritura, además de la dirección adecuada es preciso
situar en los terminales de "entrada de datos", el dato a almacenar o
escribir. Ahora el terminal R/W deberá ponerse a "1". Por último, validar
la operación con C="1", la información a la entrada de datos quedará
registrada en la dirección de memoria indicada. 

Veamos un diagrama de los tiempos de las señales que intervienen en la

operación 

Ciclo de lectura
 Ciclo de escritura

CS    AUTORIZACION DE   FUNCIONAMIENTO 

Una vez expuesto el principio de una memoria RAM en general, vamos a ver
cómo están realizadas las de tipo semiconductor. 
Se pueden clasificar en dos grupos: 

Las RAM estáticas están basadas en estructuras biestable con un tipo de

transistor u otro. 
Las RAM dinámicas están formadas por células dinámicas, (registros de
desplazamiento dinámicos), las cuales están basadas en el aprovechamiento
de las capacidades estructurales de los transistores MOS, para almacenar una
carga determinada. 
Como sabemos, cada célula de memoria es capaz de almacenar 1 bit. Sin
embargo, la forma de trabajo habitual de los sistemas digitales, obliga a
almacenar grandes cantidades de información, bien en forma de bits aislados,
o bien en forma de palabras. 
Ello da lugar a dos tipos diferentes de organización de las memorias RAM 
En la organización por palabras, al direccionar una posición de memoria, se
tiene a la salida una palabra que puede estar constituida por 6, 8, 12, 16, 32, 64
ó incluso más bits. 
Sin embargo, al direccionar una posición de memoria organizada en bits, sólo
se obtiene un bit de salida. 
Para poder introducir datos en la memoria, y para poder sacarlos de ella, cada
posición de memoria viene dada por su correspondiente "dirección". La
dirección es, pues, una palabra binaria que define la posición. Es importante
distinguir entre lo que es una dirección de una posición de memoria, y el dato
que puede ser almacenado en esa dirección. 
En general a nivel de pastillas de memoria en C.I. los fabricantes, ponen a
disposición del usuario organizaciones de un bit (por ejemplo: 256 X 1 bits,
4096 x 1 bits, étc.) que asociadas en paralelo permiten obtener palabras de la
longitud requerida. 

Memoria RAM estática.-  

Las memorias estáticas tiene células de memoria en forma de flip-flops o

biestables. Por tanto, como los flip-flops pueden ser unos más rápidos que
otros, así ocurrirá con las memorias. Si se desea una memoria rápida puede
elegirse una RAM a base de flip-flops en TTL Schottky o ECL. Si se desea una
memoria barata aunque lenta, puede realizarse a partir de flip-flops con MOS.
Si el consumo ha de ser extremadamente bajo, deberá elegirse una RAM
CMOS. 

RAM estática bipolar 

 
Una célula de memoria en una memoria bipolar está constituida por un flip-flop
sencillo a base de transistores bipolares. 
RAM ORGANIZADA EN PALABRAS (Ver Fig. 1) 
 
L 

i 
n 

e 

a 

s 
A0 
d 
 
e 
A1
P 

a 

l 
a 
ENTRADAS/SALIDAS
b 

r 
a
RAM ORGANIZADA EN BITS 

 Estos biestables constan de dos transistores multiemisores en acoplamiento

cruzado 

    LINEA DE SELECCION DE PALABRA 

En condiciones normales, un transistor se encontrará siempre saturado y el

otro en estado de bloqueo.  

? Para leer el estado del biestable, se eleva la tensión de la línea de palabra y

el transistor saturado dejará pasar corriente a través de la línea de bit, lo que a
su vez es detectado para determinar el estado del biestable.. 
? Para escribir datos, la tensión de la línea de palabra se eleva nuevamente y
la tensión de una de las líneas de bit se baja, provocando que el transistor
asociado a esta línea de bit se sature. 

En la matriz de memoria, todas las celdas de una columna comparten la misma

línea de bit, y todas las celdas en una fila tienen la misma línea de palabra. 
En cuanto al biestable de una memoria MOS estática, su celda corresponde a
la estructura siguiente, formada utilizando transistores unipolares MOS de
acumulación. 

       LINEA DE SELECCION 

       DE PALABRA 

Los transistores T1 y T2 trabajan en conmutación y son los encargados de

almacenar el bit de información. Por su parte T3 y T4 actúan como puerta de
intercambio con el exterior. Cada uno de ellos canaliza una información binaria
(0 ó 1) desde la línea de bit correspondiente hasta el transistor de
almacenamiento 

Cuando T3 y T4 se hallen en reposo, el biestable permanece aislado del

exterior, preservando la información memorizada. 
La escritura de un bit "0" ó "1" se produce al excitar, a través de T3 o T4 , al par
T1-T2; uno de los dos transistores pasará a saturación, mientras que el otro
evolucionará hacia el estado de bloqueo (OFF) Dependiendo de la transición
de estados del par T1-T2 , el punto de memoria almacenará un estado lógico u
otro. 
Para leer la información almacenada, se introduce un impulso de tensión a
través de la línea de selección, lo que provocará una corriente a través de la
rama T1-T3 o T2-T4, según sea "0" o "1" el bit almacenado. 
En definitiva, la lectura se efectúa detectando la presencia de corriente en una
u otra línea de bit. 
Para terminar, diremos que el mayor inconveniente de las RAM estáticas lo
constituyen su elevado consumo energético, comparativamente con las
dinámicas. Ello se debe, como hemos visto, a que las resistencias R1 y R2
consumen permanentemente, al mantener el estado lógico en el que se halla
posicionado el biestable. 
El hecho de que cada celda de memoria incorpore un notable número de
componentes, también limita las posibilidades de integración de este tipo de
memorias. 
Algunos ejemplos comerciales de RAM estáticas 

Nos referiremos a continuación a modelos reales de memoria de

lectura/escritura. Para cada uno de estos integrados se dan sus características
básicas más importantes, asi como su esquema de bloques y relación de
patillas. 
La primera característica de cada una de ellas es su organización de
almacenamiento o número de palabras de "n" bits que memoriza, extremo
importante puesto que especificando su capacidad podemos deducir el número
de líneas de direcciones y datos que acceden a la memoria en cuestión. 
Por ejemplo, una memoria de 128 palabras de 8 bits cada una (128x8), estará
dotada de 7 entradas de direccionamiento y poseerá 8 líneas de datos. Esto es
lógico ya que para seleccionar los 128 bytes son necesarias 128
configuraciones de direccionamiento, ( 128=27 ), lo que significa que existirán 7
líneas de direcciones. 
Al mismo tiempo, puesto que cada palabra es de 8 bits, se requerirán 8 líneas
para canalizar la entrada y salida de datos. 
Así pues, observaremos los siguientes tipos de líneas: 

A0-An: entradas de direcionamiento. 

D0-Dn: entrada/salida de datos 
R/W : contro lectura/escritura. 
CS0-CSn: selección de chip 

Las entradas CS pueden ser una o varias y a su vez pueden activarse por
niveles "0" ó "1" lógicos. 
En el caso de existir varias CS, éstas suelen estar cableadas internamente en
forma de puerta "Y". En consecuencia, la selección de chip se conseguirá
cuando todas las entradas reciban simultáneamente sus posicionamientos
activos. 
 RAM estática 6810 

Está organizada en 128 palabras de 8 bits y se emplea mucho en los sistemas

basados en el microprocesador 6800 de Motorola, debido a la facilidad de
adaptación. Dispone de 6 entradas CS: dos con activación alta y cuatro con
nivel bajo. 

Sus características más sobresalientes son: 

Organización 128 X 8 bits 

Tecnología NMOS 
Alimentación 5 V 
Disipación típica 130 mW 
E/S datos Bidireccional y tri-estado 
Encapsulado DIL 24 patillas 
 
             GND   Vcc 
  D0   A0 
  D1   A1 
  D2   A2 
  D3   A3 
  D4   A4 
 D5   A5 
  D6   A6 
  D7   R/W 
  CS0   CS5 
  CS1   CS4 
  CS2   CS3 
 

RAM estática 2114 

Tiene una estructura de 1024 palabras de 4 bits 

Cada uno de los cuatro bits dato es bidirecional, con lógica tri-estado para
permitir su desconexión virtual del bus de datos. 

Las líneas de control son dos: 

   CS y WE 

Esta segunda línea es equivalente a R/W; si WE = 0 la operación efectuada

será de escritura;  y si WE = 1 será de lectura. 

Sus características más sobresalientes son: 

Organización 1024 X 4 bits 

Tecnología NMOS 
Alimentación 5 V 
Disipación típica 300 mW 
E/S datos Bidireccional y tri-estado 
Encapsulado DIL 18 patillas 

 Vemos que para direccionar 1024 posiciones necesitamos 10 patillas puesto

que 210=1.024 
Para los datos, como son palabras de 4 bits necesitaremos 4 patillas 
Para indicar Lectura o Escritura (R/W) necesitamos 1 patilla 
Para selecccionar el integrado CS (Chip Select) 1 patilla 
Para alimentación 2 patillas 
El número de patillas del integrado es pues de 18. 
    A6   Vcc 
  A5   A7 
  A4   A8 
  A3   A9 
  A0   I/O1 
  A1   I/O2 
  A2   I/O3 
 CS   I/O4 
         GND   WE 
Memorias Comerciales
Las memorias son circuitos integrados cuyos pines se hayan en ambos lados de la
cápsula, formando dos líneas o hileras de pines (DIP) y generalmente se fabrican con
capacidades de orden de Kilobytes o Megabytes múltiplos de 8, por ejemplo 8k, 16k,
32k, 64k, 128k, o 8M, 16M, 32M, etc

En la figura se observa un esquema descriptivo de los pines que generalmente se

encuentran en una memoria. A continuación se da una explicación de cada uno de estos
pines:

A0...An (Bus de direcciones): Estos pines son las entradas para seleccionar la posición
de memoria a escribir o leer y su cantidad define la capacidad de palabras que puede
almacenar, dada por la expresión 2n, donde n es el número de pines.
D0...Di (Bus de Datos): Corresponde a los pines de entrada y salida de datos. En el
mercado se consiguen generalmente buses de 1, 4, 8 y 16 bits y lo más usual es
encontrar chips tengan 8 entradas de datos.
CS (Chip Select): Este pin se utiliza para seleccionar el chip de memoria que se desea
acceder. Esto en el caso del usar dos o más memorias similares.
OE (Output Enable): Utilizado para habilitar la salida de datos. Cuando se encuentra en
estado activo las salidas tiene alta impedancia o actúan como entradas.
R/W" (Read/Write"): Entrada utilizada en las memorias RAM para seleccionar la
operación de lectura o escritura
VCC y GND (Alimentación): Corresponden a los pines de alimentación del circuito
integrado. Algunas tienen disponible tres pines para este propósito, pero por lo general
son dos y el valor de la tensión de alimentación depende de la tecnología de fabricación
del circuito.

En las siguientes secciones se indicaran algunos ejemplos de circuitos integrados de

uso general disponibles en el mercado, dando un ejemplo de cada uno de los tipos de
memorias vistas.

MEMORIA SRAM - MCM6264C

Esta memoria fabricada por Motorola y desarrollada con tecnología CMOS tiene una
capacidad de 8K x 8. Los tiempos de lectura y escritura del integrado son de
aproximadamente 12 ns y tiene un consumo de potencia aproximado de 100 mW

MEMORIA DRAM – 4116

El CI 4116 es una memoria DRAM de 16K x 1. La estructura interna de este integrado

se encuentra constituida por un arreglo de 128 filas y 128 columnas donde cada uno de
los bits se ubican con una dirección de 14 bits. En la figura 10.5.3 se muestra la
disposición de los pines del circuito integrado. Observe que la entrada de direcciones es
de 7 bits (A0...A6). La razón de poseer 7 pines y no 14, se debe a que estos tienen
función doble, por ejemplo la entrada A0 se utiliza para establecer los valores de los
A0/A7 de la dirección de memoria que se quiere acceder.

MEMORIAS PROM - 74S473

Esta memoria tiene una capacidad de 512 palabras de 8 bits.

MEMORIA EPROM - 27C16B

Esta memoria de 24 pines tiene una capacidad de 2048 palabras de 8 bits, es decir
2KB.  Las salidas de esta memoria son triestado, lo que permite escribir o leer los datos
con el mismo bus de datos.

MEMORIA EEPROM - 28C64A

Esta memoria tiene una capacidad de 8K X 8 y tiene características diferentes a las

demás. La información almacenada puede perdurar aproximadamente 100 años y
puede soportar hasta 100.000 ciclos de grabado y borrado.

MEMORIA FLASH - 27F256

La capacidad de esta memoria es de 32K X 8 y como memoria Flash tiene la

característica particular de ser borrada en un tiempo muy corto (1 seg.). El tiempo de
programación por byte es de 100 ms y el tiempo de retención de la información es de
aproximadamente 10 años