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Estudio teórico del ferromagnetismo en la superred

(VN)1/(GaN)3
Theoretical study of ferromagnetism in (VN)1/(GaN)3 superlattice

Rafael González-Hernández, Ph.D.1*, W. López-Pérez. Ph.D.2, J.A. Rodríguez Martínez Ph.D.3

Docente Investigador. Departamento de Física, Universidad del Norte, Barranquilla, Colombia. * rhernandezj@uninorte.edu.co
1

2
Docente Investigador. Departamento de Física, Universidad del Norte, Barranquilla, Colombia.
3
Docente Investigador. Departamento de Física, Universidad Nacional de Colombia, Bogotá, Colombia

Fecha de recepción del artículo: 07/10/2011 Fecha de aceptación del artículo: 03/08/2012

Resumen Palabras claves

Usando métodos de primeros principios y basados Propiedades magnéticas, Superredes, LAPW, GaN.
en la técnica de ondas planas aumentadas y
linealizadas (LAPW), se investigaron las propiedades Abstract
estructurales, electrónicas y magnéticas de la
superred (VN)1/(GaN)3, en la fase wurtzita por ser Using first principles calculations by means the
la configuración mas estable del GaN. Los efectos Linearized Augmented Plane Wave (LAPW)
de intercambio y correlación se trataron empleando method the structural, electronic and magnetic
la Aproximación del Gradiente Generalizado properties of (VN)1/(GaN)3 superlattice in
(GGA), implementada en la parametrización de wurtzite structure have been investigated. The
Perdew, Burke y Ernzerhof (PBE). A partir de los exchange and correlation effects were treated
cálculos de la energía total, se encontró que el estado using the Generalized Gradient Approximation
ferromagnético (FM) es enérgicamente más estable, (GGA) with the Perdew, Burke and Ernzerhof
comparado con los estados no-magnético (NM) y parameterization (PBE). By total energy
antiferromagnético (AFM). El ferromagnetismo calculations it was found that ferromagnetic
ocurre a pesar de que el átomo de vanadio no,
state (FM) is energetically more stable than
es un átomo magnético en su fase natural. En el
nonmagnetic (NM) and antiferromagnetic (AFM)
volumen de equilibrio, el sistema en el estado del
states. The ferromagnetism is presented although
ferromagnético, posee un momento magnético
that vanadium atom is not a magnetic atom. In
total de 2 µB por supercelda. Además, el cálculo de la
the equilibrium volume, a total moment magnetic
estructura de bandas y densidad de estados, indican
que este sistema posee comportamiento electrónico of 2 µB/supercell was found in the ferromagnetic
tipo half-metallic, donde los electrones conducción state. Also, it was found that the system possesses
presentan un 100% de polarización de espin en el behaviour electronic type half-metallic, where
nivel de Fermi. Este es un resultado importante pues conduction electrons conduction presents 100%
la superred (VN)1/(GaN)3, puede ser potencialmente of spin polarization in the Fermi level. This makes
útil en la fabricación de inyectores de espin a otros this superlattice potentially useful for spin injection
materiales como el ZnO o el mismo GaN. into ZnO or the same GaN.

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Key words 2. Método

Magnetic properties, Superlattices, LAPW, GaN Para el estudio teórico de la superred (VN)1/(GaN)3,
se construyó una supercelda wurtzita, compuesta
por ocho planos atómicos en una configuración
1. Introducción 1x3 formada por 1 capa de V y 3 capas de Ga,
separadas por 4 capas de N en la dirección [0001]
Para ayudar al entendimiento y el control de los como se muestra en la Figura 1. Los cálculos se
nuevos materiales en la industria, los estudios teóricos realizaron en el marco de la teoría de la densidad
se han convertido en una parte fundamental del funcional (DFT). Las ecuaciones de Kohn-Sham
diseño de los nuevos dispositivos. Recientemente, el se resolvieron sin tener en cuenta polarización de
diseño y fabricación de nuevos semiconductores que espin para el caso no magnético (NM) y para ambas
integran el magnetismo a los dispositivos electrónicos polarizaciones de espin en los casos de acople
convencionales, son uno de los grandes desafíos en el ferromagnético (FM) y antiferromagnetico (AFM)
área de la nanotecnología. Esto se debe principalmente, entre los átomos de Vanadio en la superred. Para
a que el magnetismo ha desempeñado un papel solucionar las ecuaciones se empleo el método
fundamental en el almacenamiento de información de ondas planas aumentadas y linealizadas en su
desde la construcción de las primeras computadoras, versión de potencial total (FP-LAPW), tal como
y se anticipan aumentos dramáticos de la capacidad de está implementado en el código WIEN2k [4]. En
almacenamiento con este tipo de nuevos materiales. los efectos de intercambio y correlación se empleó
la aproximación del gradiente generalizado (GGA)
Los semiconductores magnéticos (SM), semicon- de Perdew, Burke y Ernzerhof (PBE) [5]. Para
ductores dopados con átomos magnéticos, están lograr la convergencia en los valores propios de la
siendo investigados aceleradamente para el desarrollo energía, la función de onda en la región intersticial
de dispositivos en espintrónica. Mientras se han se expandió en ondas planas hasta el valor de corte
realizado muchos trabajos enfocados en materiales RMT·Kmax = 8, donde Kmax es el máximo módulo de
III-V, principalmente (In,Mn)As y (Ga,Mn)As, sus los vectores en el espacio recíproco y RMT es el radio
temperaturas de Curie Tc=90K para (In,Mn)As de esfera atómico más pequeño. Los radios de las
[1] y Tc=172K para (Ga,Mn)As [2] son demasiado esferas atómicas seleccionados fueron: RGa = 1.80
bajas para aplicaciones prácticas. La fabricación bohr, RV = 1.70 bohr y RN = 1.60 bohr. Además, se
de dispositivos móviles, requerirá el desarrollo seleccionaron 50 puntos k en la parte irreducible de
de semiconductores que puedan mantener sus la primera zona de Brillouin para todos los casos.
propiedades ferromagneticas, a temperaturas cercanas
a la temperatura ambiente. De manera que en los
últimos años, la comunidad científica se ha enfocado
en estudiar tanto teórica como experimentalmente,
semiconductores magnéticos alternativos en
vías de desarrollo de dispositivos que trabajen a
temperaturas de Curie más altas [3]. Resulta entonces
muy atractivo, desde el punto de vista teórico,
estudiar el semiconductor (Ga,V)N, debido a que sus
propiedades magnéticas se encuentran íntimamente
relacionadas con su estructura electrónica. En el
presente trabajo, se investigó el efecto estructural,
electrónico y magnético de la sustitución de átomos
de Vanadio (V) en la matriz de nitruro de galio (GaN)
en una configuración de superred (VN)1/(GaN)3. Figura 1. Celda unitaria de la superred (VN)1/(GaN)3.

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3. Propiedades estructurales Tabla 1. Propiedades estructurales de la superred
y magnéticas (VN)1/(GaN)3.

En la Figura 2, se muestra la curva de energía a (bohr) V0(bohr3) B(GPa) E0(eV) DE(eV)


total contra volumen calculada para diferentes NM 6.066 157.43 177.6 -9.689 0.052
configuraciones magnéticas de la superred (VN)1/ AFM 6.091 159.38 174.6 -9.664 0.077
(GaN)3 y ajustadas a la ecuación de estado de FM 6.097 159.86 171.6 -9.741 -
Murnaghan [6]. Se observa que el acople FM
entre los átomos de V, es el estado más estable
para la superred, pues posee una energía 0.077 calculados con los parámetros de equilibrio de la
eV mas baja que en el estado AFM. El resumen Tabla 1. Se observa que el átomo de V induce una
de los resultados estructurales para cada una de magnetización finita en los átomos vecinos de N,
las configuraciones magnéticas, se muestra en la en especial sobre el átomo de N1, lo cual indica
Tabla 1. la existencia de una fuerte hibridizacion entre
los estados d-V y los estados p-N1. Además, se
presenta una suave hibridación en los estados p-N1
y p-Ga1, que induce una pequeña magnetización
en el átomo de Ga1. La hibridizacion p-d a corto
alcance, es la responsable del acople FM entre los
átomos de V en la superred.

Conclusiones

Mediante cálculos de primeros principios, utilizando


el método de ondas planas aumentadas y linealizadas
en su versión de potencial total, se estudiaron las
propiedades estructurales, electrónica y magnéticas
de la superred (VN)1/(GaN)3 en una configuración
wurtzita. En conclusión, se muestra que la
configuración FM es la más estable energéticamente,
debido a la fuerte hibridizacion p-d entre los atomos
de V y N. Además, se encuentra que en el estado
Figura 2. Energía vs volumen para las configuraciones FM, la superred exhibe un comportamiento tipo
NM, AFM y FM de la superred (VN)1/(GaN)3. half-metallic, debido a que presenta una brecha de
separación energética en su estructura de bandas
para los estados de espin minoritarios y es metal
Para entender el mecanismo que estabiliza el estado para los estados de espin mayoritarios. Esto indica
FM en la superred, en la Tabla 2 se muestra la que esta superestructura puede ser potencialmente
magnetización parcial de cada uno de los átomos útil en la fabricación de dispositivos de inyección
correspondientes a la Figura 1 en el estado FM, de espin para espintronica.

Tabla 2. Momento magnético total y local (en µB/celda) para la superred (VN)1/(GaN)3.

Total V N1 N2 N3 N4 Ga1 Ga2 Ga3 Int


AFM 0.000 1.424 -0.089 0.005 0.004 0.001 0.012 0.004 0.000 0.000
FM 2.000 1.428 -0.094 0.006 0.006 -0.002 0.013 0.004 0.001 0.637

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Agradecimientos 2. Nazmul A M, Sugahara S and Tanaka M. (2003).
Phys. Rev. B 67, 241308.
Los autores desean agradecer el apoyo financiero
al Departamento de Física de la Universidad del 3. Chambers S A. (2006). Surf. Sci. Rep. 61, 345.
Norte. También se desea dar un agradecimiento
especial al Doctor Peter Blaha y su equipo de trabajo 4. Blaha, P.; Schwarz, K.; Madsen, G.; Kvasnicka, D.
(Vienna University of Technology Inst. of Physical
& Luitz, J. (2001). WIEN2k, An augmented plane
and Theoretical Chemistry, Getreidemarkt 9/156,
A-1060 Vienna/Austria). Los cálculos se realizaron wave plus local orbitals program for calculating
en el cluster Hiperlab de Ciencias Básicas en la crystal properties. ISBN 3-9501031-38-1-2.
Universidad del Norte (Barranquilla, Colombia).
5. Perdew, J.; Burke, K. y Ernzerhof, M. (1996).
Referencias Phys. Rev. Lett. 77, 3865.

1. Schallenberg, T. and Munekata H. (2006). Appl. 6. Murnaghan, F.D. (1944). Proc. Natl. Acad. Sci,
Phys. Lett. 89, 042507. USA 30, 244.

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