Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Cap1 Dioda 2019 PDF
Cap1 Dioda 2019 PDF
DIODA SEMICONDUCTOARE
Cuprins
1. DIODA SEMICONDUCTOARE ...................................................................................... 1
1.1. Structură şi simbol ....................................................................................................... 2
1.2. Fenomene fizice în joncţiunea pn - Aproximaţia de golire ...................................... 3
1.3. Diferenţa internă de potenţial si grosimea regiunii de sarcină spaţială ....................... 5
1.4. Ecuaţia diodei ............................................................................................................. 5
1.4.1. Ecuaţia teoretică a diodei (joncţiunii pn) ............................................................. 5
1.4.2. Ecuaţia practică a diodei ...................................................................................... 6
1.4.3. Caracteristica statică a diodei. ............................................................................. 6
1.4.4. Liniarizarea caracteristicii diodei ......................................................................... 7
1.5. Polarizarea diodei (PSF) .............................................................................................. 7
1.5.1. Polarizarea directă a diodei (PSF) ...................................................................... 7
1.5.2. Polarizarea inversă a diodei.................................................................................. 9
1.6. Aplicatii ..................................................................................................................... 10
1.7. Străpungerea diodei si dioda Zener ........................................................................... 14
1.8. Dependenţa de temperatură a căderii de tensiune în polarizare directă .................... 16
1.9. Circuitul echivalent de semnal mic ........................................................................... 17
1.9.1. Rezistenţa internă a joncţiunii pn ....................................................................... 18
1.9.2. Capacităţile joncţiunii pn ................................................................................... 19
1.9.3. Circuitul echivalent al diodei ............................................................................. 20
1.10. Tipuri de diode ....................................................................................................... 20
1.11. Circuite cu diode .................................................................................................... 22
1.11.1. Redresorul monoalternanţă ............................................................................. 22
1.11.2. Redresorul bialternanţă ................................................................................... 22
1.11.3. Circuite de limitare a semnalului .................................................................... 23
1.11.4. Poarta de maxim ............................................................................................. 26
1.11.5. Poarta de minim .............................................................................................. 27
1.11.6. Detector de valoare de vârf ............................................................................. 28
1
1.1. Structură şi simbol
Dioda semiconductoare este o jonctiune pn şi conţine două regiuni alăturate, una de tip p
şi cealaltă de tip n. Linia de separare dintre cele două regiuni se numeşte joncţiune metalurgică.
Unul dintre simbolurile diodei utilizat în circuitele electronice este prezentat fig. 1.1.1.a), în care
prin A s-a notat electrodul numit anod conectat la semiconductorul de tip p al joncţiunii pn, iar prin K
s-a notat electrodul numit catod conectat la semiconductorul de tip n. Sensurile pozitive pentru tensiune
si curent pe/prin dioda sunt de la anod la catod, asa cum se vede si in figura 1.1.1.
• Semiconductoare de tip p şi n
Materialele semiconductoare sunt siliciul şi germaniul, dar cel utilizat astazi este siliciul
În fig. 1.1.2 este prezentată structura semiconductorului .
Siliciul şi germaniul sunt tetravalente, adică un atom având patru electroni de valenţă
formează patru legături covalente cu cei patru atomi vecini.
Cercul în care s-a înscris cifra +4 simbolizează atomul fără electronii de valenţă, adică
electronii de pe ultimul strat. Între doi atomi învecinaţi se stabileşte o legătură covalentă.
Legătura covalentă se face cu o pereche de electroni, câte unul de la fiecare atom.
Funcţionarea dispozitivelor semiconductoare impune studiul comportării electronilor de
valenţă, aceştia fiind purtătorii de sarcină în mecanismele de conducţie electrică. Acest studiu
implică şi plasarea semiconductorului în câmpuri electrice, magnetice, sub acţiunea luminii sau a
radiaţiilor nucleare, etc. Un caz particular îl constituie absenţa acestor agenţi externi şi o
temperatură uniformă în tot volumul materialului, ceea ce situează semiconductorul în condiţii de
2
echilibru termodinamic, numit şi echilibru termic sau pe scurt, echilibru. Toate celelalte situaţii
sunt stări de neechilibru.
Într-un semiconductor există două tipuri de purtători mobili de sarcină: golul cu sarcina
(+ q ) şi electronul liber cu sarcina (− q ) , unde q = 1,6 ⋅ 10 −19 C .
Un electron care părăseşte legătura covalentă nu mai este legat de atomul de la care
provine şi se deplasează liber în interiorul reţelei cristaline. Acest electron se numeşte electron de
conducţie. Locul rămas liber poate fi ocupat de un alt electron din altă legătură covalentă care s-a
rupt . Electronul smuls din legătura covalentă este electron liber, iar locul rămas liber se numeşte
“gol”.
Din cele discutate mai sus, rezultă că într-un semiconductor intrinsec (pur), prin ruperea
unei legături covalente se formează o pereche electron – gol.
3
orientat de la regiunea n spre regiunea p (fig.1.2.1). Acest câmp electric transportă golurile
dinspre regiunea n spre regiunea p şi electronii dinspre regiunea p spre regiunea n, deci în sens
contrar fluxurilor de difuzie, dând naştere unui curent de drift. Ca urmare, procesul de scădere a
concentraţiilor de purtători majoritari continuă până se asigură echilibrul curenţilor de difuzie şi
de drift (câmp). Această situaţie corespunde unui curent electric nul prin structură, rezultat
compatibil cu condiţia de echilibru termic.
Conform aproximaţiei de golire (fig.1.2.1), joncţiunea se împarte în trei regiuni :
regiunea de trecere (în jurul joncţiunii metalurgice) − l p ≤ x ≤ l n şi două regiuni neutre, una p
şi alta n. În regiunea de trecere nu există purtători mobili de sarcină, ci numai ioni de impurităţi
acceptoare în regiunea p, având sarcină electrică negativă şi respectiv ioni de impurităţi donoare
în regiunea n, având sarcină electrică pozitivă. Regiunile neutre sunt neutre din punct de vedere
electric.
Regiunea de trecere se mai numeşte şi regiune golită sau regiune de sarcină spaţială.
Regiunile neutre p şi n au o comportare identică cu aceea a două semiconductoare
separate.
Câmpul electric intern E dă naştere unei tensiuni numită diferenţă internă de potenţial
(tensiune internă) ψ 0 , care are acelaşi sens cu câmpul electric.
Când se aplică o tensiune (diferenţă de potenţial) externă, aceasta dă naştere unui câmp
electric de acelaşi sens cu ea. Astfel, dacă aplicăm o tensiune directă, ca în fig.2.4.1 (polaritatea
fără paranteze), cele două câmpuri electrice se scad şi grosimea regiunii de sarcină spaţială scade.
4
Dacă aplicăm o tensiune inversă (polaritatea din paranteze) cele două câmpuri electrice se
adună şi grosimea regiunii de sarcină spaţială creşte.
Deci, diferenţa de potenţial aplicată regiunii de sarcină spaţială este întotdeauna
(ψ 0 − V ).
I = I S (e kT
− 1) (1.4.1)
unde : IS este curentul de saturaţie al diodei, care se mai numeşte curent invers sau curent
rezidual, I, V- curentul prin dioda, respectiv tensiunea pe dioda, k si T- constanta lui Boltzman,
respectiv temperatura in grade Kelvin, kT/q- potentialul termic, care la temperatura de 290K are
valoarea de 25mV.
Asa cum am aratat mai sus dioda poate fi polarizată direct sau invers.
In polarizare directă exponentiala este mult mai mare decât unu și ecuatia diodei devine :
qV
I = I S e kT (1.4.2)
In polarizare inversă exponențiala este mult mai mica decât unu și ecuatia diodei devine :
I = −I S (1.4.3)
5
kT I + I S
V= ln
q IS
(1.4.4)
Din relatia (1.4.4), neglijand curentul invers fata de curentul direct prin dioda se obtine
căderea de tensiune pe diodă în polarizare directă :
kT I
V= ln (1.4.5)
q IS
V = 25 ⋅ 10 − 3 ln 10 − 2 / 10 − 9 ≅ 0 ,4V .
În realitate, căderea de tensiune directă tipică pe o diodă cu siliciu de mică putere este de
(0,6V÷0,7V). Diferenţa între căderea de tensiune calculată ( V ≅ 0 ,4V ) şi căderea de tensiune
tipică (0,6V÷0,7V) se datorează în principal căderilor de tensiune pe rezistenţele regiunilor neutre
şi pe contactul metal-semiconductor. De aceea, membrul drept al relaţiei (1.4.5) se înmulţeşte cu
un coeficient m ∈ [1; 2] , adică :
kT I
V =m ln (1.4.6)
q IS
I = I S (e − 1)
m⋅k ⋅T
(1.4.7)
unde m este un coeficient cu valori între 1 şi 2.
Din relatia (1.4.7), neglijand curentul invers fata de curentul direct prin dioda se obtine ecuatia
diodei în polarizare directă :
q ⋅V
I = ISe m⋅k ⋅T
(1.4.8)
6
Pentru polarizare directa (v>0), se reprezinta ecuatia (1.4.2), iar pentru polarizare
inversa (v<0) ecuatia (1.4.3).
În fig. 1.4.2 a) căderea de tensiune pe diodă este zero în polarizare directă, iar în
polarizare inversă curentul de saturaţie este nul. Circuitul echivalent al diodei este un comutator
ideal. Acest model se aplică mai ales atunci când tensiunile şi curenţii în circuit sunt mari faţă de
căderea de tensiune directă pe diodă şi respectiv curentul invers al acesteia.
În fig. 1.4.2 b) căderea de tensiune pe diodă este constantă în polarizare directă, iar
curentul prin diodă este nul până când diodaFig. 1.4.2. conduce. Circuitul echivalent este
format dintr-un comutator ideal k înseriat cu un generator de tensiune VA. Modelul se aplică
mai ales atunci când căderea de tensiune directă pe diodă este comparabilă cu tensiunile din
circuit.
În fig 1.4.2 c) până la tensiunea VA0 curentul prin diodă este nul, şi începând de aici
curentul prin diodă creşte liniar cu creşterea tensiunii. Acest lucru este pus în evidenţă de
rezistenţa internă echivalentă în curent continuu rd , care pentru un punct P oarecare de pe
caracteristică are valoarea:
V − V A0
rd = P (1.4.9)
IP
unde: VP , IP reprezintă tensiunea, respectiv curentul în punctul P. Circuitul electric echivalent
este format din comutatorul k, generatorul de tensiune VA0 şi rezistenţa rd. Modelul se aplică
atunci când rezistenţele din circuit sunt mici având valori comparabile cu rezistenţa internă
echivalentă a diodei.
7
Fig. 1.5.1a) este un exemplu simplu de polarizare directă a diodei. Rezistenţa R conectată
în serie cu dioda D contribuie la stabilirea curentului prin circuit.
Prin punct static de funcţionare (PSF) al diodei se înţelege perechea de valori formată din
tensiunea continuă pe diodă şi curentul continuu prin diodă. PSF este soluţia sistemului V=VA şi
I=IA format din ecuaţia neliniară a diodei dată de relaţia (1.4.7) şi dreapta de sarcină, obţinută
din teorema lui Kirchhoff pentru tensiuni aplicată circuitului din fig. 1.5.1 a).
qV
I = I S e mkT (1.5.1)
E = R ⋅ I + V
A
Sistemul de ecuaţii (1.5.1) se poate rezolva prin două metode si anume prin metoda grafică
sau prin metoda iterativă.
• Metoda iterativă constă în rezolvarea sistemului (1.5.1) prin mai multe iteraţii (pas cu
pas). Pentru aceasta se rescriu ecuaţiile sistemului (1.5.1) astfel:
E −V
I= A (1.5.2 a)
R
kT I
V =m ln (1.5.2.b)
q IS
E kT I 1
Pasul 1: V = 0 ; din (1.5.2 a ), I 1 = A ; din (1.5.2 b ), V1 = m ln ;
R q IS
E A − V1 kT I 2
Pasul 2: I 2 = ; V2 = m ln ;
R q IS
8
E A − V2 kT I 3
Pasul 3: I 3 = ; V3 = m ln ;
R q IS
ş.a.m.d.
Precizia de calcul a PSF creşte odată cu creşterea numărului de iteraţii.
9
siliciu). De aceea, se spune că dioda nu conduce sau că dioda este blocată. Căderea de tensiune
pe dioda blocată este impusă de circuitul exterior, curentul prin diodă fiind practic neglijabil.
Fig. 2.6
Fig. 1.5.2. Polarizarea inversa a diodei
Fig. 1.5.2 este un exemplu de polarizare inversă a diodei. Neglijând curentul prin diodă,
care este curentul de saturaţie I S , căderea de tensiune pe rezistenţa R este nulă şi pentru circuitul
din fig. 1.5.2 sistemul de ecuaţii este:
I ≅ − I S
V = − E A
În polarizare inversă, valoarea absolută a tensiunii pe diodă este practic egală cu tensiunea
sursei de polarizare.
1.6. Aplicatii
1.6.1. Să se determine curenţii şi tensiunile pe diodele identice D si D0, din fig. 1.6.1,
utilizând caracteristicile liniarizate din fig. 1.4.2. a) şi b).
Se dau: E A = 15 V ; R = 5 kΩ şi V A = 0 ,6 V pentru caracteristica din fig. 1.4.2.b).
Fig. 1.6.1
Rezolvare:
Ţinând cont că dioda D este polarizată direct şi dioda D0 este polarizată invers,
schema electrică echivalentă, utilizând caracteristica liniarizată a diodei din fig. 1.4.2.a), este
prezentată în fig. 1.6.2.a).
10
a) b)
Fig. 1.6.2
Din fig. 1.6.2.a) şi ţinând cont de caracteristica liniarizată a diodei din fig.1.4.2.a), rezultă:
E 15
V D = 0 ; V D0 = −15 V ; I D0 = 0 ; I D = A = = 3 mA.
R 5 ⋅ 10 3
Schema electrică echivalentă, utilizând caracteristica liniarizată a diodei din fig. 1.4.2.b) este
prezentată în fig. 1.6.2.b).
Din fig. 1.6.2.b) şi ţinând cont de caracteristica liniarizată a diodei din fig. 1.4.2.b),
rezultă:
V D = V A = O ,6 V ; V D0 = −14 ,4 V ; I D0 = 0 ;
E A − V D 15 − 0 ,6
ID = = = 2 ,88 mA.
R 5 ⋅ 10 3
1.6.2. Să se calculeze curenţii şi tensiunile pe diodele identice din fig. 1.6.1, utilizând
caracteristica liniarizată din fig. 1.4.2.c).
Se dau: E A = 5 V ; R = 10 Ω ; V A0 = 0 ,5 V ; rd = 0 ,5Ω .
Rezolvare:
Ţinând cont că dioda D este polarizată direct şi dioda D0 este polarizată invers, schema
electrică echivalentă utilizând caracteristica liniarizată a diodei din fig. 1.4.2.c), este prezentată în
fig. 1.6.3.
Fig. 1.6.3
11
Pe circuitul din fig. 1.6.3 se poate scrie succesiv:
V D = V A0 + rd I D = 0 ,5 + 0 ,5 I D
E A = RI D + VD = RI D + V A0 + rd I D
5 = 10 I D + 0 ,5 + 0 ,5 I D ;
4 ,5
ID = = 0 ,43 A
10 ,5
V D = V A0 + rd I D = 0 ,5 + 0 ,5 ⋅ 0 ,43 = 0 ,715 V
I D0 = 0
1.6.3. În polarizare directă căderea de tensiune pe dioda D din fig. 1.6.4 este 0,7V. De asemenea,
valorile surselor de tensiune sunt: E1 = 9V şi E 2 = 18V . Să se calculeze valoarea sursei
de tensiune Ex în următoarele situaţii: a) R1 = R2 şi b) R2 = 2 R1 .
Fig. 1.6.4
Rezolvare:
Pe circuitul din fig.1.6.4, aplicând principiul suprapunerii efectelor, rezultă:
R2 R1
V0 = E1 + E2 (1.6.1)
R1 + R2 R1 + R2
De asemenea, cu notaţiile din fig. 1.6.4, se poate scrie:
V0 = VA + E x (1.6.2)
Din relaţiile (1.6.1) şi (1.6.2) rezultă:
R2 R1
Ex = E1 + E2 − V A (1.6.3)
R1 + R2 R1 + R2
a) Pentru: R1 = R2 = R , din relaţia (1.6.3) se obţine:
E1 + E2
Ex = − VA
2
12
Înlocuind valorile numerice, avem:
9 + 18
Ex = − 0, 7 = 12,8V
2
b) Pentru: R2 = 2 R1 relaţia (1.6.3) devine:
2 1
Ex = E1 + E2 − VA
3 3
Înlocuind valorile numerice, avem:
2 1
Ex = ⋅ 9 + ⋅18 − 0, 7 = 11,3V
3 3
Se constată că valoarea lui E x nu depinde de valorile rezistenţelor R1 şi R2 , ci numai
de raportul lor.
1.6.4. Se consideră circuitul cu diode din fig. 1.6.5. Să se calculeze valoarea rezistenţei R pentru
ca pe rând diodele D1 şiD2 să fie polarizate direct cu o tensiune de 0,5V. Se ştie că
E1 = E2 = 10 V şi R0 = 2 kΩ .
Fig. 1.6.5
Rezolvare:
Aplicând principiul suprapunerii efectelor pe circuitul din fig. 1.6.5, se obţine:
R0 R
V0 = E1 − E2 (1.6.4)
R0 + R R0 + R
Din relaţia (1.6.4) rezultă expresia pentru calculul rezistenţei R:
E1 − V0
R = R0 (1.6.5)
E2 + V0
13
1.7. Străpungerea diodei si dioda Zener
14
a)
b)
Fig. 1.7.3. a) Circuit cu diode Zener.
b) Caracteristica diodei Zener
De unde:
− E A −Vz
Iz = .
R
Aplicatie:
O diodă Zener având tensiunea Vz = 10 V şi curentul minim la care dioda stabilizează
I z min = 5 mA este utilizată în circuitul din fig.1.7.4. Tensiunea de alimentare En este
nestabilizată şi variază între 15 şi 20V.
Fig. 1.7.4
Rezolvare:
Tinand cont ca dioda Zener se utilizeaza in polarizare inversa sensul curentului si al
tensiunii prin /pe dioda au fost inversate fata de diode normal. Pe circuitul din fig. 1.7.4, se
poate scrie:
15
En = RI + Vz (1.7.1)
I = Iz + IL (1.7.2)
Din relaţiile (1.7.1) şi (1.7.2) rezultă:
En − Vz
R= (1.7.3)
Iz + IL
Emin − Vz 15 − 10
R= = ≅ 91 Ω (1.7.4)
I z min + I L max (5 + 50) ⋅10−3
Curentul maxim prin dioda Zener se calculează pentru valoarea maximă a tensiunii de
(
alimentare ( Emax = 20V ) şi valoarea minimă a curentului prin sarcină I L min = 20 mA . În )
aceste condiţii, din relaţia (1.7.1) valoarea maximă a curentului I este:
E − Vz 20 − 10
I max = max = ≅ 0,11 A (1.7.5)
R 91
Curentul maxim prin dioda Zener se obţine din relaţia (1.7.2), astfel:
I z max = I max − I L min = 110 − 20 = 90 mA
16
În fig.1.8.2 este ilustrată deplasarea PSF la cresterea temperaturii. Din această figură, rezultă că
la creşterea temperaturii căderea de tensiune directă scade ( V A < V A ) şi curentul direct prin
2 1
diodă creşte ( I A > I A ).
2 1
Fig. 1.9.a. Joncţiunea pn la semnal Fig. 1.9.b. PSF în regim variabil de semnal mic
mic
17
reprezintă condiţia de semnal mic pentru joncţiunea pn. Pentru cazul particular
v a ( t ) = Va sin ωt , condiţia de semnal mic devine Va << kT q , unde Va este amplitudinea
maximă a tensiunii sinusoidale va ( t ) . Pentru temperatura T=290K, amplitudinea maximă
trebuie şă îndeplinească condiţia Va <<25mV.
dv A kT 1 Is dv A ∆v A kT 1
= ; = = ⋅ (1.9.2)
di A q ( iA + I S ) / I S di A ∆i A q iA + I S
∆v A = v a ; ∆i A = i a ; i A ≅ I A
va kT 1
= (1.9.3)
ia q I A + IS
18
Fig.1.9.1. Interpretarea geometrică a rezistenţei interne
19
Din relaţia (1.9.9) rezultă că în polarizare directă capacitatea de difuzie are valori mari
deoarece ri este mică, iar în polarizare inversă capacitatea de difuzie are valori foarte mici (tinde
la zero), deoarece ri este foarte mare.
b) c)
a)
Fig.1.9.2. Circuitul echivalent al diodei
20
• Dioda varicap este folosită drept condensator cu capacitate variabilă şi este utilizată în
circuite acordate, oscilatoare, filtre etc. Pentru a servi unui astfel de scop dioda este polarizată
invers. Schema echivalentă a joncţiunii cuprinde atunci doar capacitatea de barieră, a cărei
valoare este controlată prin valoarea tensiunii inverse aplicate.
• Dioda stabilizatoare (Zener) foloseşte regiunea de străpungere (polarizare inversă) a
caracteristicii statice de exemplu pentru stabilizatoare de tensiune, aşa cum s-a arătat în
paragraful 1.7, circuite de limitare şi alte aplicaţii.
• Dioda tunel are o caracteristică electrică în polarizare directă în formă de N. Pe porţiunea PV
(fig.1.10.1) are o rezistenţă internă negativă, utilizată de exemplu în generatoare de semnal.
+ +
Constructiv, este o diodă p n cu concentraţii mari de impurităţi în ambele regiuni.
a) b)
Fig.1.10.2. Fotodioda
a) structură internă; b) simbol
Ecuaţia fotodiodei:
( )
i A = I S e qv A kT − 1 − I (φ ) ,
unde φ este fluxul luminos, iar I este un curent a cărui mărime depinde de φ .
În absenţa luminii: I( φ ) = 0 și fotodioda se comportă ca o diodă obişnuită caracteristica sa
trecând prin origine.
În prezenţa luminii: I( φ )>0, caracteristica nu mai trece prin origine, ci traversează cadranul
IV. La funcţionarea în cadranul IV fotodioda se comportă ca un generator de energie pentru
că v A > 0 iar i A < 0 .
• Dioda luminiscentă (LED) este dioda care în polarizare directă emite lumină de diferite
culori: roşu, verde, galben, portocaliu. Simbolul diodei luminiscente este prezentat în
fig.1.10.3. Se folosesc, de exemplu, pentru semnalizări: prezenţa tensiunii de alimentare,
depăşire curent maxim, depăşire tensiune maximă etc.
21
Fig.1.10.3. Simbolul diodei luminiscente
b)
a)
Fig.1.11.1. Redresor monoalternanţă
a) schema electrică; b) forme de undă
22
a) b)
a) cu diode Zener
Schema din fig. 1.11.3a) se utilizează de obicei când se doreşte limitarea tensiunii
variabile de intrare vi ( t ) la tensiuni inegale pe cele două polarităţi, pozitivă şi negativă.
Schema se poate utiliza şi pentru limitări la tensiuni egale în valoare absolută dacă V Z ,
1
tensiunea pe dioda Zener DZ 1 în valoare absolută, este egală cu V Z , tensiunea pe dioda
2
Zener DZ 2 în valoare absolută. În fig. 1.11.3b) sunt prezentate formele de undă ale tensiunilor
de intrare vi ( t ) şi de ieşire v0 ( t ) pentru cazul particular al tensiunii vi ( t ) sinusoidale. La
valorile limitate, s-a neglijat căderea de tensiune pe dioda în polarizare directă. Dioda DZ
1
limitează polaritatea pozitivă a semnalului, iar DZ limitează polaritatea negativă. La oricare
2
dintre polarităţi, ambele diode sunt deschise, una dintre acestea funcţionând ca diodă Zener şi
cealaltă ca diodă normală. Rezistenţa R asigură curentul prin diodele Zener şi curentul de sarcină:
v − v0
R= i , (1.11.1)
IZ
unde v0 = V Z + V A , V z fiind max( VZ1 , VZ2 ) şi V A căderea de tensiune pe dioda deschisă
ca diodă normală în polarizare directă.
23
a) b)
c) cu divizor rezistiv
Schema electrică principială a circuitului de limitare cu divizor rezistiv este prezentată în
fig. 1.11.5. V1 şi V 2 sunt două surse de tensiune continuă care asigură limitarea la ( V1 + V A )
1
pe polaritatea pozitivă şi la ( V2 + V A ) pe polaritatea negativă, unde V A şi V A sunt căderile
2 1 2
24
de tensiune în polarizare directă pe diodele D1 şi respectiv D2 . Rezistenţa R include şi
rezistenţa internă a generatorului de semnal vi ( t ) şi limitează curentul în circuit.
a)
b)
25
Conform teoremei lui Thévenin, un divizor de tensiune R1 , R2 alimentat la tensiunea
EA (fig. 1.11.6a) este echivalent cu o sursă de tensiune cu valoarea
V1 = R1 ⋅ E A /( R1 + R2 ) şi o rezistenţă internă egală cu R1 // R 2 . Aplicând teorema
Thévenin circuitului din fig. 1.11.6a), se obţine circuitul echivalent din fig. 1.11.7.
26
D1 este polarizată direct, conduce şi potenţialul catodului diodei D2 devine mai pozitiv
decât potenţialul anodului ( D2 este polarizată invers);
- dacă semnalele v1 şi v2 sunt negative, la ieşire se obţine semnalul cel mai mare negativ,
adică cel mai mic în valoare absolută. De exemplu, pentru v1 = −10V şi v 2 = −5V , la
ieşire se măsoară v0 = −5V deoarece, în mod analog, dioda D 2 conduce şi polarizează
invers dioda D1 . Tensiunea de alimentare E A trebuie aleasă de valoare mai mică decât
minimul tensiunilor v1 şi v2 cu cel puţin căderea de tensiune directă pe o diodă (de
exemplu, -15V) pentru a asigura funcţionarea circuitului.
27
1.11.6. Detector de valoare de vârf
Schema electrică a detectorului de valoare de vârf este prezentată în fig. 1.11.10a), în care
rezistenţa R include şi rezistenţa internă a generatorului de semnal vi ( t ) . Rolul rezistenţei R este
de a limita curentul de încărcare al condensatorului.
Se consideră că la momentul t=0 se închide comutatorul k (fig. 1.11.10b), moment în care
semnalul sinusoidal trece prin zero şi tensiunea iniţială pe condensator este, de asemenea, zero.
a)
b)
Dioda D conduce pe alternanţele pozitive ale semnalului de intrare vi ( t ) , atata vreme cat
dioda este polarizata direct. Condensatorul C se încarcă treptat în funcţie de constanta de timp
τ = RC a circuitului până la valoarea de vârf pozitivă a semnalului, când dioda D se blochează
şi condensatorul rămâne încărcat la această valoare. Pornind din origine in alternanta pozitiva
condensatorul C incepe sa se încarce. In momentul cand intersecteaza sinusoida, dioda D se
blocheaza fiind polarizata invers si tensiunea pe condensator ramane constanta. In cea dea doua
alternanta pozitiva din momentul in care dioda este polarizata direct condensatorul incepe sa se
incarce din nou si procesul se repeta pana cand se atinge valoarea de vârf pozitivă a semnalului,
când dioda D se blochează şi condensatorul rămâne încărcat la această valoare. Tensiunea de
polarizare inversă maximă a diodei este 2Vi .
28