Universitatea Valahia, Târgoviste

Facultatea de Inginerie Electrică, Electronică și Tehnologia Informației

LUCRAREA 8

TRADUCTOARE TENSOMETRICE DE DEFORMAŢIE.

MARCA TENSOMETICĂ

1. MARCA TENSOMETRICĂ. GENERALITĂŢI

Mărcile tensometrice reprezintă o categorie foarte importantă de senzori parametrici, fiind utilizate
la măsurarea forţei, presiunii, cuplului, acceleraţiei. Principiul de funcţionare constă în modificarea
rezistenţei unui conductor (sau semiconductor) sub acţiunea unor forţe care-i determină deformarea
(pentru măsurarea presiunii se recurge la dispozitive care convertesc presiunea într-o forţă de deformare).

Cunoaşterea solicitărilor si deformărilor mecanice la care este supusă o structură în condiţii date este un
element esenţial pentru estimarea siguranţei în exploatare a structurii. Solicitările mecanice produc
deformaţii şi legătura între ele, solicitare-deformare, este în principiu cunoscută din teoria rezistenţei
materialelor. Măsurarea deformărilor în zone judicios alese, permite calcularea solicitărilor care le dau
naştere.

Mărcile tensometrice se lipesc cu adezivi speciali pe structura studiată, în zona de măsură dorită şi,
datorită dimensiunilor reduse (milimetri sau centimetri), permit măsurători cvasi-punctuale.

2. MĂRIMI MECANICE SPECIFICE

Pentru studiul traductoarelor tensometrice de deformaţie se definesc următoarele mărimi:

1. Deformaţia (alungirea relativă, “strain”) : reprezintă alungirea relativă a obiectului măsurat, fiind
raportul între variaţia lungimii, dl, şi lungimea sa iniţială l
Δl
ε=
l (1)
2. Efortul unitar (solicitarea, stressul) : se defineşte ca fiind forţa exercitată pe unitatea de suprafaţă.
F
σ=
S (2)
3. Deformaţia elastică. deformaţia care încetează să mai existe o dată cu dispariţia cauzei care a produs-o.
4. Limita de elasticitate. se defineşte ca fiind solicitarea care nu produce deformaţii permanente mai mari
de 0.2%.
5. Legea 1ui Hooke: în domeniul solicitărilor elastice, deformaţiile sunt proporţionale cu eforturile care
le-au generat.
6. Modulul lul Young E: este numeric egal cu forţa care acţionând asupra unei bare cu secţiunea egală cu
unitatea îi dublează lungimea. Modulul lui Young stabileşte legătura între deformaţia || care se produce în
aceeaşi direcţie şi efortul || care a produs-o:
1
ε||= ⋅σ||
E (3)

1
Universitatea Valahia, Târgoviste
Facultatea de Inginerie Electrică, Electronică și Tehnologia Informației

7. Coeficientul lui Poisson : determină deformaţia  în plan normal cu solicitarea (perpendicular pe

direcţia efortului):
ε ¿ =−μ⋅ε|| (4)
Semnul minus din expresia (4) provine de la faptul că deformaţia transversală  a unui corp este opusă ca
sens deformaţiei longitudinale ||. În domeniul solicitărilor elastice coeficientul lui Poisson  este cuprins
între 0 şi 0,5 , la metale luând valori în jurul lui 0,3.
3. PRINCIPIUL DE FUNCŢIONARE

In cazul unui conductor metalic oarecare se observă şi trebuie luată in calcul variaţia volumului cu
deformarea. Prin diferenţierea expresiei rezistenţei electrice se obţine:
l ρ ρ⋅l
dR= ⋅dl− 2 ⋅dS+ ⋅dρ
l
R= ρ⋅
S  S S S (5)
dR dl dS dρ
= − +
 R l S ρ (6)
ţinând cont că:
dS dl
=2⋅ε ¿ =−2 μ
S l (7)
unde  este coeficientul lui Poisson (raportul între contracţia transversală şi alungirea longitudinală),
înlocuind în relaţia (6) rezultă:

dR dl dρ
=(1+2 μ) +
R l ρ , (8)

CAZ PARTICULAR:
Cel mai simplu senzor de forţă este un tub de cauciuc elastic, umplut cu mercur. Când tubul
este întins lungimea sa (l) creşte, iar secţiunea (S) scade. Cum rezistenţa tubului este
l
R= ρ⋅
S , ( este rezistivitatea), (9)
pentru un volum considerat apriori constant (V= l S), rezultă :
l2
R= ρ⋅
V (10)
Considerând rezistivitatea  constantă, prin derivarea expresiei de mai sus se poate scrie:
dR 2⋅ρ⋅l dR dl
= =2
dl V  R l (11)
ceea ce arată că variaţia rezistenţei mercurului din tub este proporţională cu alungirea. Expresia de
mai sus reprezintă o expresie idealizată.

Pentru cele mai multe dintre metale rezistivitatea descreşte dacă presiunea mecanică la care sunt supuse
creşte. De fapt, micşorarea volumului şi deci a distanţelor interatomice, generată de presiunea la care este
supus obiectul stă la originea descreşterii rezistivităţii electrice. Conductivitatea electrică a unui metal se
datorează în principal prezenţei electronilor liberi printre atomii reţelei. Probabilitatea ca electronii să
migreze printre atomii reţelei este cu atât mai mică cu cât amplitudinea de vibraţie a atomilor este mai
mare. O micşorare a distanţelor interatomice a reţelei metalice cristaline, apropiind atomii, diminuează
amplitudinea oscilaţiilor lor; atunci probabilitatea de migrare a electronilor liberi printre atomii reţelei

2
Universitatea Valahia, Târgoviste
Facultatea de Inginerie Electrică, Electronică și Tehnologia Informației

creşte, fenomen tradus la scară macroscopică prin creşterea conductivităţii, deci scăderea rezistivităţii
electrice.

Presupunând o variaţie liniară a rezistivităţii cu volumul şi folosind (10) se deduce:

dρ dV dl dS dl
ρ
=c⋅ =c⋅ +
V l S ( )
=c⋅( 1−2 μ )
l (12)
în care c este o constantă de material numită constanta lui Bridgman, care la metale ia valori apropiate de
unitate. Înlocuind în (11) rezultă:
dR dl dl
=[ 1+2 μ+c⋅( 1−2 μ ) ] =k
R l l (13)

unde k =[ 1+2 μ+c⋅(1−2 μ ) ] (14)

este constanta de proporţionalitate între variaţia rezistenţei şi alungire, şi depinde de materialul din care se
realizează senzorul. Se observă că k are semnificaţia sensibilităţii mărcii tensometrice (numită şi factor
de marcă), care este practic aceeaşi pentru alungire şi pentru comprimare. In tabelul de mai jos sunt
prezentate câteva materiale utilizate la construcţia mărcilor tensometrice metalice şi principalele lor
caracteristici.

Tabelul 1. Materiale folosite la construcţia mărcilor tensometrice

Material Compoziţie Factor de marca Coef. termic
Manganină Cu-Mn-Ni 0,5 10-5 (1/°C)
Constantan Cu-Ni 2...2,1 3. 10-5 (1/°C)
Nichel Ni 2,1 6,7 10-5 (1/°C)
Nicrom Ni-Cr 2,1...2,5 10-4 (1/°C)
Elinvar Fe-Ni-Cr-Mo 3,6 2 10-4 (1/°C)

Mărcile tensometrice se realizează şi din materiale semiconductoare, pentru care sensibilitatea

creşte cu până la două ordine de mărime faţă de metale (valorile uzuale sunt cuprinse între 50...200).
Factorul de marcă poate fi pozitiv sau negativ, mărimea sa fiind dependentă de forma şi natura
materialului, gradul de dopare cu impurităţi, şi orientarea cristalografică. Din acest motiv nu mai putem
spune că acesta este constant, ceea ce determină o caracteristică neliniară a senzorului tensometric cu
semiconductor, necesitând o liniarizare ulterioară.

4. PRINCIPIUL CONSTRUCTIV:

Mărcile tensometrice sunt traductoare pasive care convertesc propria lor deformare în variaţii ale
rezistenţei, variaţie în general proporţională cu deformarea studiată.
In cazul general, o marcă este constituită dintr-o reţea conductoare, filiformă, având rezistivitatea
electrică , secţiunea S şi lungimea nl , l fiind lungimea unei spire, iar n numărul de spire. In general n ia
valori cuprinse între 10 până la 20 pentru mărci tensometrice metalice şi este egal cu 1 pentru mărci
tensometrice semiconductoare.
Materialul conductor este fixat pe un suport izolant (hârtie sau plastic) care la rândul său se lipeşte pe
structura a cărei deformaţie se studiază.

3
Universitatea Valahia, Târgoviste
Facultatea de Inginerie Electrică, Electronică și Tehnologia Informației

Rezultă că marca tensometrică suportă o deformaţie identică celei suferite de structura studiată, în direcţie
paralelă cu spirele rezistive.
Cele două tipuri constructive de mărci tensometrice sunt reprezentate în figurile 1.a şi 1.b.
Rezistenţele electrice R ale mărcilor tensometrice metalice şi semiconductoare au valori cuprinse
între (100 ... 5000) . Factorul de marcă poate varia între 0,5 şi 200 funcţie de natura materialului.
Domeniul de deformaţii măsurabile  cu o precizie satisfăcătoare (de circa 0,1%) este cuprins în
intervalul  ( ±10-5... ± 210~1). Limita inferioară este dată de zgomote parazite care ţin de construcţia
mărcii tensometrice şi a circuitelor de măsură asociate; limita superioară este impusă de elasticitatea
mărcii şi calităţile adezivului folosit.
Cea mai importantă sursă de erori, care afectează măsurătorile cu mărci tensometrice, este variaţia
temperaturii care produce atât modificarea rezistivităţii, cât şi dilatări sau comprimări nedorite ale mărcii
şi piesei măsurate. De aceea, alegerea materialelor, amplasarea fizică şi circuitele de măsură au o
importanţă majoră în aplicaţiile practice.

Figura 1.a. Marcă tensometrică metalică. b. Marcă tensometrică semiconductoare.

Mărcile metalice au o sensibilitate scăzută dar o bună liniaritate pe domenii extinse de variaţie a
deformării elastice şi temperaturii.
Mărcile semiconductoare sunt în mod special destinate măsurării deformaţiilor foarte mici; în
raport cu mărcile metalice ele au o liniaritate inferioară şi o sensibilitate termică ridicată. Mărcile
semiconductoare se folosesc în special la construcţia traductoarelor unde o etalonare prealabilă permite să
se stabilească plaja de variaţie a răspunsului.

5. METODE DE MĂSURĂ

Eliminarea influenţei temperaturii şi creşterea sensibilităţii se pot realiza cu ajutorul punţii

Wheatstone. Plasarea mărcilor tensometrice pe obiectul de măsură trebuie să fie făcută de aşa manieră
încât efectele utile să se însumeze, iar cele perturbatoare să se anuleze. In Figura 2 este ilustrată
dispunerea a patru senzori tensometrici pe o bară supusă la încovoiere. Ţinând cont că mărcile plasate pe
partea superioară a barei sunt supuse la întindere (creşterea rezistenţei), iar cele plasate pe partea
inferioară sunt supuse la compresie (scăderea rezistenţei), le vom aşeza în punte astfel încât mărcile cu
variaţie de acelaşi semn să se afle în braţe opuse. Putem scrie:
Um R1 +ΔR 1 R 2 + ΔR 2
= −
U ex R1 + ΔR 1 + R 4 + ΔR4 R3 + ΔR3 + R2 + ΔR2 (15)

4
Universitatea Valahia, Târgoviste
Facultatea de Inginerie Electrică, Electronică și Tehnologia Informației

Figura 2. Punte tensometrică (a) şi plasarea mărcilor pe un

element elastic solicitat la încovoiere (b)

relaţie în care am presupus că toate braţele punţii sunt active. Se observă că influenţa temperaturii
produce modificări în acelaşi sens pe toate braţele punţii, ce îşi anulează practic efectele dacă iniţial
R1 =R2 =R3 =R4 =R .
Presupunând că, iniţial, puntea este echilibrată, adică U m=0 , şi dezvoltând relaţia (15) în serie Taylor
numai pentru termenii de ordinul 1, rezultă:
Um R1 R2 R4 R1 R2 R3
≃ − + 2
⋅ΔR1 − 2
⋅ΔR 4 + 2
⋅ΔR3 − ⋅ΔR 2
U ex R1 + R 4 R 3 + R2 ( R1 + R 4 ) ( R1 + R 4 ) ( R3 + R 2 ) ( R3 + R2 )2
(16)
Ştiind că R1 =R2 =R3 =R4 =R şi ţinând cont de (16), se poate scrie imediat:
Um 1 ΔR 1 ΔR 2 ΔR3 ΔR 4 1
= ⋅
U ex 4 R
−
R[ +
R
−
R 4 ]
= ⋅k⋅(ε 1 −ε 2 + ε 3 −ε 4 )
(17)

unde am notat ε i =Δl i /li . Ecuaţia de mai sus s.n. modelul liniarizat al punţii tensometrice cu toate
braţele active.
In continuare vom presupune că mărcile sunt identice şi că sunt supuse aceloraşi deformaţii
(|ε 1|=|ε 2|=|ε3|=|ε 4|=ε )
egale în valoare absolută, dar de sensuri convenabil alese.
 Puntea cu un singur braţ activ (sfert de punte) unde R3 =R+ΔR şi R1 =R2 =R4 =R .

Din rel. (17) rezultă imediat:

U m 1 ΔR k
= ⋅ = ⋅ε
U ex 4 R 4 (18)
 Puntea cu are două braţe active (jumătate de punte)
Dacă braţele active sunt adiacente (R1 şi R4), atunci (+ε 1=−ε 4 =ε) şi înlocuind în (17):
Um k k⋅ε
= ⋅( ε −ε )=
U ex 4 1 4 2 (19)
Dacă braţele active sunt opuse (R1 şi R3), atunci (+ε 1 =+ ε 3 =ε ) şi înlocuind în (17):
Um k k⋅ε
= ⋅( ε + ε )=
U ex 4 1 3 2 (20)
 Puntea cu toate braţele active
In acest caz, (+ε 1=−ε 2 =+ ε 3 =−ε 4 =ε) şi înlocuind în (17) rezultă:
Um k
= ⋅( ε −ε + ε −ε )=k⋅ε
U ex 4 1 2 3 4 (21)

6. BARA SUPUSĂ LA ÎNCOVOIERE

Determinarea deformaţiilor barelor metalice, solicitate în domeniul elastic la încovoiere

prezintă interes în situaţia în care se impun condiţii la deformaţii. De exemplu un arbore sau o grindă, sub
acţiunea încărcărilor nu trebuie să prezinte deformaţii care să depăşească anumite valori prescrise de
norme si standarde. În cazul unei grinzi metalice, în funcţie de destinaţia acesteia, deformaţia maximă

5
Universitatea Valahia, Târgoviste
Facultatea de Inginerie Electrică, Electronică și Tehnologia Informației

admisibilă este cuprinsă în intervalul

(10001 ÷2001 )
din lungimea (l) a barei respective. În cazul
solicitării la încovoiere punctul A din poziţia nedeformată din figura 3.a ajunge în punctul A’ pe forma
deformată din figura 3.c, deplasându-se perpendicular pe direcţia Oy. Această deplasare AA’ se notează
cu  şi se numeşte săgeată si este dependentă de momentul de inerţie Io, forţa F şi modulul Young E:
Fl 3
ν (0 )=ν max =
3 EI 0 (22)

Figura 3.
a) Bara incastrată la un capăt şi
supusă la încovoiere după forţa F
b) Modulul momentului încovoietor
de-a lungul barei încastrate
c) Săgeata  şi rotirea  a barei
încastrate
d) Montajul experimental.

La suprafaţa superioară, respectiv inferioară, deformarea barei la diferite puncte x este:

h 3   max x
 x1,2   
2 l3 (23)
Din relaţiale de mai sus reiese că deformaţia longitudinală a barei incastrată la un capăt şi
supusă acţiunii unei forţe punctuale F la celălalt capăt variază liniar de la zero (0 = 0) în punctul de
aplicaţie al forţei până la o valoare maximă max in capătul încastrat (x = l):
3⋅h⋅ν max
ε max1,2 =±
2⋅l 2 (24)
care reprezintă expresia deformaţiei maxime pe cele două feţe laterale funcţie de forţa aplicată F.

7. AMPLIFICATORUL DE INSTRUMENTAŢIE CU TREI AMPLIFICATOARE

OPERAŢIONALE

Amplificatoarele de instrumentaţie sunt circuite electronice de precizie care satisfac urmatoarele

conditii:
1.au intrari diferentiale;
2.impedante foarte mari de intrare pe modul diferential;
3.impedante foarte mari pe mod comun;
4.amplificare reglabila cu ajutorul unei singure rezistente;
5.impedante mici de iesire;
6.curentii si tensiunile de offset foarte mici;
7.drifturi mai mici cu timpul si temperaturile ale acestor parametri;
8.liniaritate foarte bună.

6
Universitatea Valahia, Târgoviste
Facultatea de Inginerie Electrică, Electronică și Tehnologia Informației

Specificaţiile mentionate anterior au condus la realizarea unor amplificatoare de instrumentatie cu

trei amplificatoare operationale. Pentru un amplificator de instrumentatie cu 3 amplificatoare operationale
conectat la o punte Wheastone nu este perturbata amplificarea diferentială sau factorului de rejectie de
mod comun. Avantajul este ca este posibil să se modifice numai amplificarea diferentială numai prin

varierea unei singure rezistente (R2), fara sa afecteze factorul de rejectie de mod comun.

Figura 4. Amplificatorul de instrumentaţie cu trei amplificatoare operaţionale

Analiza acestui circuit conduce la relaţiile:

V A −E1 E 1−E 2 E 2 −V B
= =
R1 R2 R3 (25)
V A−V C V C −V 0 V B−V c V C
= =
R4 R5 R6 R7 (26), (27)
din care rezultă:
R3 R7 R 4 + R 5 R 1 + R 2 R5 R R +R R +R R R
V 0 =−E1 ( + )+ E2 ( 7 2 3 4 5 + 1 5 )
R2 R 7 + R 6 R 4 R2 R4 R2 R 7 + R6 R 4 R 2 R4 (28)
E 2−E 1
E -E =E =EC
Notând 2 1 d 2 (29), (30)
se obţine expresia generală a tensiunii de ieşire V0:
(1+R5 )/ R4 R3 1 R5 1 R1 1−R 6 R5 /( R7 R 4 )
V 0 =−Ed
[ ( + )+ ( + ) +EC
(1+R5 )/ R7 R 2 2 R 4 2 R2 ]
1+
R6
R7[ ]
=Gd Ed +EC G C

(31)
unde Gd este factorul de amplificare pe modul diferential iar GC este factorul de amplificare de mod
comun
Gd - poate lua valori oricat de mari (aplicaţiile uzuale cer amplificări cuprinse între 1 şi 1000)
GC - trebuie sa fie cat mai mic astfel încât factorul de rejecţie pe modul comun:
G
FRMC= d
GC (32)
sa fie maxim, adică GC=0  factorul de rejectie este  
R R R5 R 7
1− 6 5 =0 = =k AO
R7 R 4  R 4 R6 (33)
care este condiţia de proporţionalitate a între rezistenţele R4, R5, R6, şi R7 pentru pentru obţinerea unei
amplificări de mod comun GC nule.
Relaţia finală a factorului de amplificare pe modul diferential Gd se simplifică substanţial dacă se
realizează egalitatea între rezistenţele R1 şi R3.
Dacă notăm

7
Universitatea Valahia, Târgoviste
Facultatea de Inginerie Electrică, Electronică și Tehnologia Informației

R1 R3
G=2 =2
R2 R2 (34)
atunci se obţine expresia factorului de amplificare pe modul diferential Gd :
G d =k AO (G+1 ) (35)
Valoarea tensiunii de ieşire V0 va fi dată de expresia:
V 0 =( E 2−E 1 )k AO (G+1) (36)
Daca analizam acest circuit în condiţiile date de mai sus, constatam ca amplificarea finală va
depinde exclusiv de rezistenţa R2 care nu intra in componenta amplificatorului de mod comun. Toate
calculele facute pe amplicatorul de instrumentaţie raman valabile pentru cazul in care am conectat puntea
Wheastone la un amplicator diferential.
8. MONTAJUL EXPERIMENTAL ŞI DESFĂŞURAREA LUCRĂRII

Montajul experimental prezentat în figura 3 constă dintr-o bară din oţel inoxidabil de lungime
l = 24 cm, lăţime b = 4 cm şi grosime h = 3 mm încastrată la un capăt într-o structură metalică. De
capătul liber este suspendat un taler cu diferite corpuri de mase cunoscute. Astfel, bara este supusă la
capătul liber l acţiunii unei forţe F, egală cu greutatea corpurilor:
F=G=m⋅g (37)
unde g = 9,81 m/s2 este constanta acceleraţiei gravitaţionale iar m este masa cunoscută a talerului şi
corpurilor.
Tot la capătul liber se află instalat un indicator micrometric care măsoară săgeata maximă max.
La distanţa x = 16 cm de capătul liber sunt două perechi de mărci tensometrice, de factor k
=205, lipite pe feţele laterale ale barei, în montaj punte completă (vezi formula 21). Semnalul este
amplificat într-un circuit electronic cu amplificator de instrumentaţie bazat pe trei amplificatoare
operationale, ca în figura 4. Relaţia de calcul este expresia 36. Tensiunea de alimentare a montajului este
Uex = 5V.
Anterior experimentului propriu-zis se va ajusta potenţiometrul semireglabil pentru eliminarea
tensiunii de decalaj (offset) şi apoi, prin adaugarea unei mase oarecare pe taler şi măsurarea tensiunii de
ieşire Vo şi de intrare Um = E2-E1 se va determina experimental factorul de amplificare
k AO (G+1) = 453 al montajului folosind rel. 36.

Um =
m F max V0 diferenţa
calculat E2-E1 det
(kg) (N) (x 10-3 m) (V) calculat - det
(V)
experimen relaţia 37 experimen relaţia experim relaţia relaţia 21 calcul tabel
t t 23 ent 36
0 0 0 0 0,584 0.001289 7.9525E-09 -7.9525E-09
20 196.2*10−3 2 0.10416 0,600 0.001324 7.7416E-09 0.01041645
40 392.4*10−3 4 0.20833 0,616 0.001359 7.5423E-09 0.20833265
60 588.6*10−3 6 0.3125 0,633 0.001397 7.3371E-09 0.31254256
80 784.8*10−3 8 0.41666 0,653 0.001441 7.1131E-09 0.41666114
100 981*10−3 10 0.52083 0,670 0.001479 6.9303E-09 0.52083024
120 1177.2*10−3 13 0.67708 0,702 0.001549 6.6171E-09 0.67708453
140 1373.4*10−3 15 0.78125 0,723 0.001596 6.4223E-09 0.78125234
160 1569.6*10−3 17 0.88541 0,722 0.001593 6.4344E-09 0.88541225
180 1765.8*10−3 19 0.98958 0,782 0.001726 5.9385E-09 0.98958265
200 1962*10−3 21 1.09375 0,830 0.001832 5.5949E-09 1.09375

8
Universitatea Valahia, Târgoviste
Facultatea de Inginerie Electrică, Electronică și Tehnologia Informației

220 2158.2*10−3 23 1.19791 0,865 0.001909 1.3095E-08 1.19791353

240 2354.4*10−3 25 1.30208 0,906 0.002000 512.500 1.30208154

Se vor reprezenta grafic deformările  în funcţie de forţa F şi se va comenta liniaritatea sistemului.