2.

4 Calcule cu utilizarea metodei grafice pentru etajul de amplificare

Problema 1(pentru asimetric).

Conform caracteristicilor curent-tensiune (CCT) ale tranzistorului bipolar (vezi
anexele respective) să se efectueze următoarele calcule cu utilizarea metodei
grafice pentru etajul de amplificare:

- să se traseze dreapta de sarcină;

- să se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenţilor şi
tensiunilor în timp şi să se determine dacă pot apărea distorsiuni neliniare
ale semnalului amplificat;
- pentru regimul liniar de amplificare (distorsiunile sunt excluse) să se
calculeze rezistenţa de intrare şi ieşire a etajului, coeficientul de

amplificare după curent K I , tensiune KU şi putere K P . Să se

PR ~
determine puterea utilă debitată sarcinii şi puterea împrăştiată pe
colectorul tranzistorului.
Se dă:
EC=60 V; RS=2 kΩ; IB=0,75µA; IBm=0,75 µA.
Rezolvare:
1.Coordonatele dreptei de sarcină:
I C=60/2*103=30mA și U C =60V

Conform acestor coordonate trasăm dreapta de sarcină.

2.Conform caracteristicilor statice trasate determinăm amplitudinile curenţilor şi
tensiunilor.
U mBE=( 575−545 ) /2=15 mV ;

U mCE =(45−28)/2=8,5 V ;

I mC =(17−8) /2=4 ,5 mA ;

3.Determinarea valorilor parametrilor de funcţionare pentru etajul de amplificare

analizat.
Rintr .=¿U m
/ I mB ¿ =¿=200 Ω;
BE
K U =U mCE /U mBE=¿=566;

K I =I mC / I mB =¿=60;

K P= K I K U =60*566=33960;

P❑R =¿=[(4,5∗10−3 )2∗2∗10 3 ] /2 =405 (mW);

PC = I ¿C U ¿CE =10−2∗405=0,4(W);

I B=f ( U BE )|U
Fig.– Caracteristica de iesire CE=10 V pentru tranzistorul bipolar
KT601A
 I C =f ( U CE )|I
Fig. –. Caracteristica de intrare B=const pentru tranzistorul bipolar
KT601A
 Problema 2

Conform caracteristicilor curent-tensiune (CCT) ale tranzistorului bipolar (vezi

anexele respective) să se efectueze următoarele calcule cu utilizarea metodei
grafice pentru etajul de amplificare:

- să se traseze dreapta de sarcină;

- să se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenţilor şi
tensiunilor în timp şi să se determine dacă pot apărea distorsiuni neliniare
ale semnalului amplificat;
- pentru regimul liniar de amplificare (distorsiunile sunt excluse) să se
calculeze rezistenţa de intrare şi ieşire a etajului, coeficientul de

amplificare după curent K I , tensiune KU şi putere K P . Să se

PR ~
determine puterea utilă debitată sarcinii şi puterea împrăştiată pe
colectorul tranzistorului.
Se dă:
I ¿B=75 μA U ¿CE=50 V

∆ I =0,2 ∙ I ¿B=15 μA
∆ U CE=0,2∙ U ¿Ce=10 V

∆ U BE (555−540)∙ 10−3
E
h =
11
∆IB U
¿
|
CE=const
=
15 ∙10 −6 U
¿ =100 Ω
|
CE=50 V

∆ IC −3
E
h21 = | ¿ = (9−6)∙10
∆ I B U CE=const 15 ∙ 10−6 | U
¿ =200
CE=50 V

∆ I C1 (7−6)∙ 10−3
E
h22 =
| ¿
∆ U CE U CE=const
=
|¿ =0,08 mSm
51−39 I B =75 μA
 I B=f ( U BE )|U =10 V
Fig.2.4.3 Caracteristica de intrare CE pentru tranzistorul bipolar
KT601A
 I C =f ( U CE )|I
Fig. – Caracteristica de ieşire B
=const
pentru tranzistorul bipolar
KT601A
 Rezolvarea problemei nr. 3
Regimul de funcţionare al tranzistorului ca cheie electronică poate fi analizat cu
1
ajutorul caracteristicilor prezentate mai sus. Plasarea punctului O corespunde
regimului tranzistor deschis. Tensiunea de rest respectivă,U rest =5 V sau
5
Rcupl= =185 Ω
27 ∙ 10−3

valori pentru K sat .=4

cupl I cupl
C 27
I B =4 = =0,54 mA
K I 200

𝑃𝑐𝑢𝑝𝑙 = 𝐼𝐶 𝑐𝑢𝑝𝑙 × 𝑈𝑟𝑒𝑠𝑡 = 27∙10-3 ∙ 5𝑉 = 0,135𝑊

𝑃𝑖𝑛𝑡𝑟 = 𝐼𝐵𝑐𝑢𝑝𝑙 × 𝑈𝐵𝐶𝑢𝑝𝑙 = 0,54∙10-3 ∙ 0,640𝑉 = 0,345mW
Tranzistorul cuplat se află în regim de saturaţie, adică putem afirma că
U CE =U rest=0 . Tensiunea de intrare cu corespunde curentului de cuplare I cupl.
B se

determină conform caracteristicilor de intrare pentru valori U CE=0 . În exemplul

dat tensiunea. U cupl
BE =0,640V .Respectiv vom obţine pentru
P∫ ¿=0,345 mW ¿, iar.

Pcupl
C =0,135W
Fig. – Caracteristicile de intrare și ieșire a tranzistorului cuplat în regim de cheie
 2.5 Calcului electric al unui etaj de amplificare în audiofrecvență în baza
tranzistorului bipolar

Fig 2.5.1 Schema electrică principială a etajului de amplificare în audiofrecvență în

baza tranzistorului bipolar cuplat emitor-comun

Uieş. max = 3,4V; RS = 550 Ω ; Fj = 140Hz; Mj = 1,20; EC = 12 V;

1. Alegem tipul tranzistorului ţinînd cont de următoarele condiţii:

 UCE admis≥(1,1...1,3)EC ¿ (1.1.....1.3)12 V=(13,2...15,6)V

 UCE adm –valoarea maximă admisibilă a tensiunii între colector şi
emitor
 IC adm ≥2Is max =2Uieş max/Rs,
 Is max – amplitudinea maximă admisibilă a curentului sarcinii
 IC adm – curentul colectorului maxim admisibil
 IC admis≥2IS.max ¿ 2Uieş max/RS ¿ 6,8V/550 Ω ¿ 12,3 mA
 IC adm=12,3 mA ;
Pmax Ucb, max Uce, Ueb, max Ic,max T, max, F, max Cc pF Hfe
max C
500mW 30V 30V 3V 300m 175 200MHz 15 60..
A 120
 Tabelul – Caracteristicile tranzistorului KT603I la temp. T= 25 C

Fig. – Parametrii de bază și caracteristicele de intrare și iesire ale tranzistorului

KT603I

Dreapta de sarcină este construită în baza a 2 puncte: punctul de repaus P şi

punctul 1 care este determinat de valoarea tensiunii de alimentare Ec depusă pe axa
absciselor (tensiunilor). Punctul P, la rândul său, are coordonatele: UCE0 şi curentul
de repaus IC0 (adică tensiunea şi curentul ce corespund tensiunii de intrare la relația
Uint=0). Aceste coordonate pot fi determinate de relaţiile IC0=(1,05...1,20)
Iieş=(1,05...1,20)Ismax , însă cu condiţia că IC0≥1mA, şi IC0=(1,05...1,20)
3,4/550=(6,49...7,41)mA

Calculăm tensunea de rest:

Urest= (EC-2Uieş max)/2=(12 –23,4)/2=2,6V

UCE0=Uieş max +Urest =3,4+2,6=6V

În concluzie avem extremităţile dreptei de sarcină,care sunt:

P( 6 V; 6,49mA) şi 1 (12 V; 0)

a) Prelungim dreapta de sarcină astfel ca la intersecţia ei cu axa ordonatelor

(curenţilor) să se obţină valoarea curentului maxim de lucru I. El este
caracterizat de punctul de intersecţie 4 dintre dreapta de sarcină şi dreapta
UCE=0 (axa ordonatelor), care, observând din grafic, are coordonatele: 4(0;
12,3mA).
b) Depunem valoarea Urest pe axa absciselor a graficului. Ducând o perpendiculară
prin acest punct pe axa dată, în intersecţia ei cu dreapta de sarcină, obţinem
coordonatele punctului 3:
3(Urest; Ic max), adică 3(2,6V 10 mA).

Este bine de menţionat este faptul că ordonata acestui punct reprezintă

curentul maxim de funcţionare alternativă al colectorului.

c) Determinăm amplitudinea tensiunii alternative de lucru, urmărind după datele

deja existente pe graficul respectiv.Astfel avem
Ucm=UCE0-Urest= 6V-2,6V=3,4 V.

d) Analog subpunctului (d) se determină şi amplitudinea curentului alternativ de

lucru:
Icm=Ic max-Ico=12,3 mA-6,49 mA=5,81mA.

e) Depunem amplitudinile maximă şi, respectiv, minimă ale tensiunii, respectiv,

curentului pe axele absciselor, respectiv, ordonatelor ale graficului.Astfel se
determină coordonatele punctului 5. Prin urmare avem:
5(x;y) <=> 5( 9,4V; .0,68mA), unde

x=UCE0+Ucm=6V+3,4V=9,4V

y=Ico- Icm=6,49mA-5,81mA=0,68mA

g)Graficul puterii admisibile (graficul puterii de iesire) se determină din

următoarea formulă Pc adm=ICadmis*UCE admis dînd valori pentru UCE admis de exemplu
şi căpatând valori pentru ICadmis ca mai apoi găsind punctele cu aceste coordonate
pe grafic să construim graficul puterii de ieşire. Puterea Pc adm se dă în datele
găsite P= 500mW pentru tranzistorul KT603I .
 I C =f ( U CE )|I
Fig. – Caracteristica de ieşire B=const pentru tranzistorul bipolar KT603I

3. Determinăm valorile rezistenţelor Rc şi RE, folosind rezistenţa comună în

circuitul colector-emitor Rcom. În baza caracteristicilor de ieşire găsim Rcom, care
satisface relaţia

Rcom=Rc+RE.

Astfel rezistenţa Rcom o determinăm conform expresiei

Rcom=Ec/I,

unde

I - curentul ce reprezintă ordonata punctului 4 din CVA de ieşire, adică punctul

de intersecţie dintre dreapta de sarcină şi axa curenţilor (ordonatelor).În
consecinţă avem

I=12,3mA şi Ec=12V , iar

Rcom=Ec/I=12/12,310-3=975Ω
 Dacă RE=(0,15…0,25)Rc , deducem că

Rcom=Rc+RE=Rc+(0,15…0,25)Rc=(1,15…1,25)Rc ,=>

=> Rc=Rcom/(1,15...1,25),iar RE=Rcom-Rc.

Considerăm că valoarea coeficientului de la numitorul Rc al raportului dat este1,15.

R com 975
RC = = =¿ 847
1,15 1,15

iar RE=Rcom – Rc=975-847=128 Ω.

4. De asemenea în baza datelor din CVA de ieşire determinăm valorile

maximale ale curentului şi tensiunii semnalului de intrare Iint max şi Uint max
necesare atât pentru asigurarea tensiunii de ieşire maximale Uieş max , cât şi pentru
construcţia graficului CVA de intrare şi compararea lor cu valorile
corespunzătoare din CVA de ieşire; de asemenea determinăm şi valorile
respective minimale:
I C max 10
I ∫ max =I B max = = =0.083 mA
2 β min 120

I C min 3
I ∫ min =I B min = = =0.025 mA
2 β min 120

Atunci:
I B max−I B min 0,083−0,025
I ∫ m=I B m= = =0,029 mA=29 μA
2 2

Din caracteristica de intrare pentru schema emitor comun la tensiunea UCE = 5V şi

valorile găsite IB min şi IB max , determinăm UBE min şi, respectiv, UBE max .Ca urmare a
diferenţei acestor două valori din urmă determinăm 2Uint m:

2Uint m=0.104V.
 I B=f ( U BE )|U
Fig.2.5.4– Caracteristica de intrare CE=10 V pentru tranzistorul bipolar
KT603I

5. Determinăm rezistenţa de intrare Rint a etajului după curent alternativ (fără

divizorul de tensiune compus din rezistenţele R1 şi R2):

R 2U
∫ ¿≈= 2 I ∫
m
=
0.104
58 ∙10
−6
=1,79 K Ω ≈1,8 K Ω ¿ (E24)
∫m

6. Găsim rezistenţa divizorului de tensiune R1 şi R2:

R1 R2
R 1-2=
întrucît R1-2≥(4...6)Rint≈, unde R 1 +R 2 ─ rezistenţa divizorului

Avem R1-2=7,16 KΩ. În aşa caz obţinem;

 EC R1−2 EC R1−2 12 ∙7,16 ∙ 103
R 1= = =103,42 K Ω ≈ 100 KΩ
R E −I E R E I C 0 128∙ 6,49 ∙10−3

R1 R 1−2 103,42∙ 7,16

R 1= = =7,69 K Ω ≈7,5 KΩ
R1−R 1−2 103,42−7,16

8. Calculăm capacitatea condensatorului C2:

1 R ieş T Rc
C 2= R ieş =
2
√
2 π fR ieş M −1
, unde
R ieş T + R c
, pentru care

Rieş T ─ rezistenţa de ieşire a tranzistorului găsită după caracteristicile de

ieşire pentru schema emitor comun. În majoritatea cazurilor Rieş T>>Rc , din care
cauză putem scrie

Rieş≈Rc+Rs=847+550=1397 Ω.

Atunci
1 1
C 2= = =1,23 μF ≈1 μF
2 π ∙ FR ies ∙ √ M −1 2 ∙ 3.14 ∙140 ∙ 1397 √ 1,202 −1
2

9. Determinăm capacitatea condensatorului CE:

10 10
CE= = =88,85 μF ≈ 100 μF
2 πF R E 2∙ 3,14 ∙140 ∙ 128

10. Găsim coeficientul de amplificare după tensiune:

U ies m 3,4
K u= = =65
U∫ m 0,052
Fig. – Schema cablajului imprimant a amplificatorului în audiofrecvență în baza
tranzistorului bipolar KT603I cuplat emitor-comun.