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Capítulo 7. Fenómenos de transporte.
7. Fenómenos de transporte
____________________________________________________________________________
7.1. Introducción
En los capítulos precedentes, la mayoría de las ecuaciones y análisis efectuados se han llevado a
cabo en condiciones de equilibrio o cercanas a ellas. El cálculo de n y p se hizo suponiendo
condiciones de equilibrio térmico. Los semiconductores pueden presentar dos clases de
equilibrio, el equilibrio estático en el cual un objeto permanece indefinidamente en la misma
posición o condición a menos que sea perturbado (semiconductor a 0 ºK) y el equilibrio
dinámico, en el cual se mantienen unas condiciones constantes a pesar de haber perturbaciones.
Esa condición estable se logra por el balance entre el flujo que entra y el flujo que sale de un
sistema, por ejemplo, el flujo de moléculas de agua que se evaporan de la superficie de un
líquido se encuentra en equilibrio dinámico con el de las moléculas que se condensan del mismo
vapor.
En equilibrio térmico, un semiconductor tiene la misma temperatura del ambiente. El único

intercambio existente entre el ambiente y el semiconductor es energía térmica. Así, en un
semiconductor, los electrones de la banda de conducción y los huecos de la banda de valencia se
hallarán en equilibrio dinámico si los pares de electrón-hueco generados al saltar un electrón a la
banda de conducción son anulados por la recombinación de otros electrones.
El transporte de carga en un semiconductor no se hace solamente por corriente de arrastre

producida por la presencia de un campo eléctrico, sino también por difusión, o sea por la
presencia de un gradiente de concentración de portadores en el semiconductor, que hace que
fluyan cargas del silicio de mayor concentración al de menos concentración.
En este capítulo se estudiarán los tres fenómenos de transporte que se presentan en los
semiconductores fuera de condiciones de equilibrio térmico. Se trata de los fenómenos debidos a
la presencia de campos eléctricos externos, a la existencia de un gradiente de concentración de
portadores, -lo cual origina un flujo de cargas de la región de mayor concentración de portadores
a aquella de menor concentración-, y a los procesos de generación y recombinación.
173
Encontraremos las expresiones de corriente para cada caso, lo que nos permitirá obtener una
ecuación generalizada de la corriente cuando las tres situaciones estén presentes.
Estos tres fenómenos estudian los cambios de la densidad de portadores móviles en un

semiconductor, lo cual es también conocido como inyección de portadores. Adicionalmente, el
tiempo que le toma al semiconductor volver a su condición de equilibrio una vez haya
desaparecido la perturbación, para determinar la máxima velocidad de conmutación de un
dispositivo. Finalmente, también se busca determinar la distancia recorrida por los portadores
móviles dentro del semiconductor o sea la longitud de difusión. Esta propiedad define las
máximas dimensiones físicas de ciertos dispositivos.
7.2. Arrastre del portador en un campo eléctrico
Como es conocido, portadores bajo el efecto de un campo eléctrico origina un desplazamiento

de la carga dando origen a una corriente que llamamos de desplazamiento o arrastre. Para
campos eléctricos no muy intensos, la velocidad con que se desplazan los portadores es
proporcional a la magnitud del campo eléctrico y se denomina velocidad de arrastre VD. Esa
proporcionalidad puede ser expresada de la forma:
VD =E [7.1]
Donde  es una constante de proporcionalidad que llamaremos movilidad.
La velocidad media de desplazamiento converge aun valor constante finito, llamado


velocidad media de arrastre. VD es proporcional al campo E hasta un valor aproximado de

3.106 cm/seg correspondiendo a un valor de E = l03 V/cm. La movilidad se expresa en las
unidades =cm2/(volt-seg). Ver figura 7.1. Si se tiene un semiconductor sometido a la acción de
un campo eléctrico, el electrón estará sometido a una fuerza:
dv [7.2]
F = me *
dt
174
Figura 7.1. Velocidad de arrastre.
El electrón tiende a acelerarse, pero choques le hacen perder energía. La ecuación también
puede escribirse de la forma:
dv [7.3]
− qE = me *  −q Etc = me *vd
dt
Entonces:
− q Et c [7.4]
vd = *
me
Donde tc es el tiempo libre medio del electrón y representa el tiempo que transcurre entre cada
colisión y la siguiente. De la expresión anterior obtenemos una cantidad dada por la ecuación
7.5, que denominaremos movilidad. La movilidad es afectada por el tiempo medio libre, el cual
a su vez varía con la temperatura. Entonces:
qt c [7.5]
n = *
me
La movilidad tanto para electrones como para huecos se denota como n y p respectivamente.
La movilidad presenta una variación con la temperatura de la forma  = (m*)-3/2T1/2. Esta cantidad
describe la facilidad con la que el electrón se desplaza en el material.
7.2.1. Intensidad y resistencia
Estudiemos la densidad de corriente resultante de unos electrones desplazándose con una

velocidad media de arrastre v. Recordemos que la intensidad de corriente que atraviesa un área
175
se define como la carga neta que fluye a través de dicha área por unidad de tiempo. Así, si
denotamos como dQ el valor de la carga neta que fluye a través de una superficie en un tiempo
dt, tenemos que la intensidad de corriente se expresa como:
dQ [7.6]
I=
dt
Ahora la intensidad de la corriente que atraviesa un área específica puede también expresarse en
términos de la velocidad media de arrastre de las partículas cargadas, la cual es causada por las
colisiones entre las partículas mismas y las partículas con aquellas que componen la red
cristalina.
Si consideramos una porción de conductor de sección A, que se encuentra bajo el influjo de un


campo eléctrico E dirigido de derecha a izquierda, observaremos un movimiento de partículas
libres cargadas positivamente en el mismo sentido del campo, en tanto que las partículas libres
cargadas negativamente se moverán en sentido contrario. En la figura 7.2, si suponemos que
existen n1 número de partículas por unidad de volumen moviéndose con velocidad de arrastre
v1, en un diferencial de tiempo dt, cada partícula recorrerá una distancia equivalente a v1dt.
Figura 7.2. Sección de conductor bajo el influjo de un campo eléctrico.
Por tanto, sólo las partículas que se encuentran dentro de la región sombreada de longitud v1dt
lograrán atravesar la base del cilindro en un tiempo dt. El volumen del cilindro viene dado por
Av1dt y el número de partículas contenidas en el interior es n1Av1dt. Si la carga de cada partícula
es q1, el diferencial de carga que fluye a través de la base del cilindro durante el diferencial de
tiempo dt vendría dado por la expresión 7.7.
dQ1 = qn1Av1dt [7.7]
De forma que la intensidad de corriente transportada por las partículas cargadas positivamente
es
176
dQ1 [7.8]
I1 = = n1 q1v1 A
dt
Ahora, si existen n2 partículas por unidad de volumen cargadas negativamente con una carga
igual a q2, desplazándose de derecha a izquierda a la velocidad v2, la intensidad transportada es
de forma equivalente
dQ2 [7.9]
I2 = = n2 q 2 v 2 A
dt
La intensidad total de corriente entonces es la suma de las corrientes anteriores.

I = A(n1q1v1 + n2 q2 v2 ) [7.10]
En general si un conductor contiene un cierto número de partículas diversas con diferentes

densidades da carga, la intensidad viene dada por
I = A nqv [7.11]
Como la intensidad de corriente por unidad de sección se denomina densidad de corriente y se


denota como J entonces
I [7.12]
J= =  nqv
A
En términos vectoriales, el vector densidad de corriente se define como

 
J =  nqv [7.13]
Ejemplo 1
Encuentre que la densidad corriente que atraviesa un sector de semiconductor de longitud L y


J = qNn E
área transversal A está dada por la expresión: LA considerando que n es el número
de electrones atravesando la sección.
Solución
177
Sea t, el tiempo medido en segundos que tardan los N electrones en recorrer la distancia L
medida en metros. Así, n/t es el número de electrones que atraviesan la sección A por unidad de
tiempo. La carga asociada al número de electrones es qN, luego la corriente estaría dada por
qN
i=
t .
qNv
i=
Si la velocidad de desplazamiento de los electrones es v = L tenemos L
t
 

J = qNv  
La densidad de corriente entonces LA , como v = E entonces J = qNE
LA
Ahora definiendo n = N como el número de electrones por unidad de volumen obtenemos

LA

que J = qnE
7.2.1.1. Resistividad
La resistividad se define como la constante de proporcionalidad entre el campo eléctrico y la

densidad de corriente:
E= J [7.14]
El valor recíproco es llamado conductividad
J =E [7.15]
Ahora si consideramos el caso de la densidad de corriente resultante de unos electrones

desplazándose con una velocidad media de arrastre vd, -fenómeno que ocurre en los
semiconductores-, tenemos que la densidad de corriente debida a los electrones sería
 
J n = −qnvd [7.16]
Luego, reemplazando vd por su equivalente dado en la ecuación 7.4
178
nq 2 t c [7.17]
Jn = *
E
me
Pero como
 
J n = E
Obtenemos que la expresión 7.18 reproduce el valor para la conductividad
nq 2tc [7.18]
 = *
me
Sustituyendo la ecuación 7.5 de la movilidad en esta expresión obtenemos que la conductividad

 es de la forma:
 = qn n [7.19]
Entonces encontramos nuevamente la expresión para densidad de corriente:
[7.20]
Para un semiconductor donde tanto los huecos como los electrones son responsables de la
conductividad tenemos:
= q( n  n+ p p ) = 
[7.21]
Donde
 = qn n + qp p [7.22]
7.3. Difusión de portadores.
Hemos visto que la presencia de un campo eléctrico origina una corriente en el material, es
posible también la existencia de una corriente sin la presencia de un campo eléctrico. La
existencia de un gradiente de concentración de portadores, origina un flujo de cargas del
179
semiconductor de la región de mayor concentración de portadores a aquella de menor

concentración, esta corriente se llama corriente de difusión. La difusión es el mecanismo por el
cual la materia penetra aleatoriamente la materia, es un fenómeno estadístico similar al de los
gases neutros, este fenómeno no ocurre en los metales. Los portadores en el semiconductor se
difunden en un gradiente de portadores con movimiento térmico aleatorio. Si no hay
uniformidad en la concentración de cargas en un semiconductor, habrá gradientes de
concentración de portadores en función de la distancia. El movimiento de portadores debido a
ese gradiente origina la corriente de difusión.
La densidad de corriente de difusión es proporcional a la variación de la concentración de

partículas respecto a la posición. Sí denotamos con c la concentración de partículas, la
proporcionalidad se establece
c [7.23]
J  −
t
La igualdad se obtiene usando dos constantes de proporcionalidad para cada tipo de portador,
así, las ecuaciones 7.24 y 7.25 describen el valor de las corrientes para huecos y electrones. El
signo menos considera que los portadores van de regiones de alta concentración a las de baja
concentraciones, es decir la concentración disminuye con incrementos en la posición.
p [7.24]
J h = − Dp q
x
n [7.25]
J n = Dn q
x
Siendo Dn y Dp las constantes de difusión para electrones y huecos respectivamente y tienen como
unidades cm2/seg.
7.3.1. Análisis de la difusión
A partir de una curva que describa la concentración de partículas dependiente de la posición.,

obtendremos la expresión para la corriente de difusión. Los electrones pueden moverse en
180
cualquier dirección, esto nos indica que en un tiempo t equivalente al tiempo de vida, existirá un
flujo de electrones entre las regiones 1 y 2 a través de xo, como podemos observar en la figura
7.3. El movimiento de electrones debido a energía térmica es aleatorio y los electrones
atraviesan la superficie en ambos sentidos. En un intervalo dado habrá más electrones
circulando en un sentido que en el otro, dando paso una concentración más elevada y a un flujo
neto de cargas negativas. De aquí que se presente una corriente debida al fenómeno estadístico y
no al de repulsión o atracción de cargas.
Figura 7.3. Concentración variable de portadores.
El número neto de electrones que pasa a través de xo es:

1 1 [7.26]
M  ( xo ) = (n1LA) − (n2 LA)
2 2
Donde A es el área perpendicular a x, o también:
1  L 1  L [7.27]
M ( xo ) = L  n xo −  − L  n xo + 
2  2 2  2
L2   L  L  [7.28]
M ( xo ) =  n xo −  − n xo + 
2L   2  2 
Donde M(xo) corresponde al número de partículas por unidad de área. Pero recordemos que
 L  L [7.29]
n xo −  − n xo + 
n n( x) − n( x + x)
= 
dn 2  2
= lim =
dx x→0 x limx →0 x x
181
Luego la rata del flujo de electrones o mejor la densidad del flujo de electrones por unidad de
área, viene dado por:
L  L  L 
 n xo −  − n xo + 
2  2  2  M ( xo )
n ( xo ) =  =
[7.30]
t t
  L  L  
 n xo −  − n xo +  
 2  2  
2
n ( xo ) =  
L [7.31]
2t  L 
 
 
L2 dn( x)
n ( xo ) = − [7.32]
2t dx
dn
n ( xo ) = − Dn [7.33]
dx
  L  L  
 n x −  − n x +  
L2    2  
o o [7.34]
2 
n ( xo ) =
2t  L 
 
 
El signo menos en la expresión 7.32 indica una tasa de cambio negativa debido a que los
portadores van de regiones de alta concentración a las de baja concentración y Dn se denomina
el coeficiente de difusión.
Entonces la corriente de difusión atravesando una unidad de área, lo cual definimos como la
densidad de corriente, es la densidad de flujo multiplicado por la carga electrónica. Luego a
partir de las expresiones para los flujos, dadas por las ecuaciones 7.35 y 7.36.
dn
n ( x) = − Dn [7.35]
dx
dp
 p ( x) = − Dp
dx
[7.36]
Obtenemos las expresiones de corriente tanto para electrones como para huecos
dn [7.37]
J n = −(−q) Dn
dx
182
dp [7.38]
J p = (−q) Dp
dx
Las expresiones finales para la corriente de difusión para huecos y electrones son
dp [7.39]
J p (dif ) = −qDp
dx
dn
J n (dif ) = qDn [7.40]
dx
En el caso que se presentan corrientes de difusión simultáneamente con corrientes de arrastre

debidas a la presencia de un campo eléctrico, las expresiones para la densidad de corriente
contendrían ambas componentes, así, para cada portador las ecuaciones serían
dn( x)
J n ( x) = qn n( x) E ( x) + qDn [7.41]
dx
dp( x)
J p ( x) = q p p( x) E ( x) − qDp [7.42]
dx
Y la densidad de corriente total en consecuencia viene dada por:
J (x ) = J p (x ) + J n (x ) [7.43]
Si los mecanismos de difusión y arrastre son fenómenos termodinámicos estadísticos, las

constantes Dn, Dn, μp y μn no son independientes.
7.4. Fenómeno de Generación – Recombinación.
El tercer fenómeno de conducción es el de generación – recombinación. Se denomina

generación al proceso de creación de un par electrón-hueco, al pasar un electrón de la banda de
valencia a la banda de conducción. El proceso contrario se denomina recombinación y es la
destrucción de un par electrón-hueco, cuando el electrón pierde energía en la banda de
conducción y regresa a la banda de valencia, restableciéndose el par electrón-hueco.
La generación - recombinación puede presentarse de forma directa o indirecta: la recombinación

de forma directa ocurre cuando un electrón de la banda de conducción cae espontáneamente en
183
un hueco de la banda de valencia. La energía correspondiente a la banda prohibida es cedida por

el electrón en forma de fotón con su frecuencia característica. El Arseniuro de Galio y
semiconductores que tengan la posibilidad de emitir luz se caracterizan por tener un proceso
rápido de recombinación. La recombinación directa es exactamente el proceso inverso de la
generación de pares electrón-hueco por absorción de fotones. Existen varias formas de
recombinación directa, entre ellas podemos mencionar:
• El sistema absorbe energía ganando temperatura (genera un fonón).
• La energía puede ser emitida, produciendo un fotón (recombinación radioactiva).
• La energía puede ser transferida a otro portador (Recombinación AUGER).
En la recombinación indirecta, el objetivo también es que el electrón llegue a la banda de

valencia, pero en un proceso más lento y por etapas. La existencia de estados intermedios
conocidos como trampas o centros de recombinación, hace que los electrones pasen por esos
centros de recombinación antes de alcanzar la banda de valencia. Los centros discretos en la
banda prohibida pueden ser aceptadores de un electrón de la banda de conducción. Estos centros
son niveles de energía localizados dentro de la banda prohibida y son introducidos por átomos
de impurezas. La existencia de estos niveles se debe a defectos por la contaminación de átomos
de carbono primordialmente, oxigeno o elementos como el oro. Estos defectos en la red
cristalina pueden servir para controlar la vida media de los portadores móviles. Los materiales
semiconductores comunes como Si y Ge, son materiales llamados de brecha indirecta.
Si se asume que inicialmente un estado intermedio está vacante, un electrón al decaer

permanecería allí por un tiempo y en seguida caerá a un hueco en la banda de valencia. Mientras
permanezca el electrón en la trampa, interactuará fuertemente con las vibraciones térmicas
(fotones) del cristal y cederá su energía poco a poco en lugar de hacerlo en un quantum o
paquete de luz. Los materiales semiconductores comunes como Si y Ge, son materiales
llamados de recombinación indirecta.
La recombinación se denoto como R y representa el número de pares electrón-huecos que se

están recombinando por segundo y por unidad de volumen [(cm3 – seg)-1]. La generación
térmica se denota como G y representa el número de electrón-huecos que se están generando
por segundo y por unidad de volumen.
184
Tenemos entonces que la recombinación debe ser proporcional tanto al número de huecos como
al número de electrones. La igualdad se establece usando una constante de proporcionalidad r.
R = rnp R = R (n,p,T) => Para materiales fuera de equilibrio.

R = rni2 R = R (no,po,T) => Para materiales en equilibrio.
Adicionalmente la generación térmica solo depende de la temperatura y de las propiedades del

material extrínseco G = G(T)
En equilibrio térmico la recombinación y generación térmica deben ser iguales, o sea
G(T ) = R(no , po , T ) = rno po = rni [7.44]

2
En situación de no equilibrio, por ejemplo, al hacer incidir luz en el material se produce un

exceso de pares electrón-huecos. La iluminación uniforme -que penetra uniformemente- en el
material, causa que los fotones rompan los enlaces en todo el cristal. Al iluminarse la muestra
habrá un excedente de portadores respecto al valor de equilibrio. Tanto n o como po aumenta en
cantidades absolutas iguales pues los enlaces rotos proveen pares electrón-huecos.
En estado estacionario se tiene un índice de generación de exceso Gop donde se tiene

G op +G(T ) = R(n, p, T ) [7.45]
O también
U = R(n, p, T ) − Gi [7.46]
Siendo U la tasa neta de recombinación en el caso en que R > Gi, o la tasa neta de generación si
se presenta que Gi > R. Cuando el estímulo externo es suspendido, se presenta la condición Gop
= 0 y los electrones de no-equilibrio tienden a sus valores de equilibrio. El índice de
disminución es determinado por el índice de recombinación de los portadores en exceso
n p
R(n, p, T ) − G (T) = U = − =−
t t [7.47]
185
Los nuevos valores de la concentración de portadores se definirán por las expresiones 7.48 y
7.49, después de que se logra el equilibrio dinámico. La concentración de portadores debido al
estímulo sería de la forma
n = no + n´ [7.48]
p = po + p´ [7.49]
Donde n’ y p’ representan las concentraciones de portadores en exceso (electrones y huecos

respectivamente). Si los portadores se generan y recombinan por pares tenemos que p´= n´ y
luego:
p − p o = n − n0 [7.50]
Si el material es tipo n podemos asumir que n = n0 y que los portadores en exceso n´ son
despreciables. Sin embargo, no podemos afirmar lo mismo de los huecos ya que los huecos en
exceso pueden llegar a ser significativos respecto al valor de los mismos en condiciones de
equilibrio, es decir p = po + p´ . Análogo razonamiento podemos realizar para un material tipo
p. En ese caso p = p 0 y los electrones minoritarios n = no + n´ .
Para cualquier tipo de semiconductor la luz inyecta portadores de ambos signos en cantidades
iguales, pero solo la presencia de minoritarios es significativa en términos porcentuales respecto
al valor original comparado con la generación porcentual de mayoritarios. Es por ello, que a
este fenómeno se le llama inyección de portadores minoritarios, pero no se debe olvidar que
siempre que se inyectan o generan minoritarios también se están inyectando mayoritarios para
mantener la neutralidad eléctrica del material.
Luego las variaciones de estos equivalen a las variaciones del número total de portadores. Al
iluminar una muestra de semiconductor la densidad de portadores minoritarios es notablemente
más afectada que la de los mayoritarios. Por esto nos interesa estudiar el comportamiento de los
minoritarios con el tiempo una vez la iluminación ha cesado y el material que asumimos tipo n,
tiende a volver al equilibrio. A partir del instante de t = 0 lo que ocurre con los minoritarios en
un material tipo n sería:
186
n n´ p p´ [7.50]

= y =
t t t t
Entonces:
n' p' [7.51]
r (no + n' )( po + p' ) − G (T ) = − =−
t t
n' p'
rno po + rno p'+ po n'+ n' p' − rno po = − =− [7.52]
t t
p'
− = r ( no + p o + p ' ) p ' Asumiendo p' = n' [7.53]
t
Entonces:
p' [7.54]
t dt t
t
0 (no + po + p' ) p' = −r 0 dt
Resolviendo:
187
1  p'  t
ln  = −rt [7.55]
no + po  no + po + p'  0
1  p' (t ) p' (0)  [7.56]

ln − ln  = −rt
no + po  no + po + p' (t ) no + po + p' (0) 
1  p' (t )[no + po + p' (0)]  [7.57]

ln  = −rt
no + po  p' (0)[no + po + p' (t )] 
p' (t )[no + po + p' (0)] = p' (0)[no + po + p' (t )]e− r ( no + po )t [7.58]
p' (t )[no + po + p' (0)] = [ p' (0)(no + po ) + p' (0) p' (t )]e− r ( no + po )t [7.59]
p' (t )[no + po + p' (0) − p' (0)e − r ( no + po )t ] = p' (0)(no + po )e − r ( no + po )t [7.60]
p' (0)(no + po )e − r ( no + po ) t
p' (t ) = [7.61]
no + po + p' (0) − p' (0)e − r ( no + po )t
p' (0)(no + po ) [7.62]

p' (t ) =
[no + po + p' (0)]e r ( no + po ) t − p' (0)
En las ecuaciones, p´(0) sería la densidad de huecos en exceso en t=0. Recordemos que son
portadores minoritarios para material tipo n, El anterior resultado es válido para cualquier valor
no, po, y p’. En la fase posterior a la eliminación de la perturbación lumínica la tasa de
generación de huecos es menor que la recombinación de los mismos y por ese motivo la
concentración de minoritarios debe decaer.
7.4.1. Baja inyección
En el caso del estímulo óptico, la luz inyectó portadores de ambos signos en cantidades iguales,
pero solo la presencia de minoritarios es significativa en términos porcentuales respecto al valor
original y comparado con la generación porcentual de mayoritarios. Es por ello, que a este
fenómeno se le llama inyección de portadores minoritarios, pero no se debe olvidar que siempre
188
que se inyectan o generan minoritarios también se están inyectando mayoritarios para mantener
la neutralidad eléctrica del material.
Cuando el número de portadores inyectados es despreciable respecto a aquellos mayoritarios en

equilibrio térmico, hablamos de condiciones de baja inyección. No obstante, si los mayoritarios
no se ven afectados por los portadores en exceso, los minoritarios sí, ya que una cantidad
pequeña de portadores minoritarios en exceso puede afectar la concentración de ellos en
equilibrio térmico. Ahora, baja inyección, significa que n’ << no o p’ << po para materiales tipo
n o p respectivamente. De la ecuación 8,62 vemos que p´(0) sería despreciable, de tal forma que
p´(0)  0 y además n0 + p0 + p´(0)  n0 + p0 , luego la ecuación general se simplificaría en la
ecuación 7.63
[7.63]
p' (t ) = p' (0)e − r ( no + po )t
t
−
p
p' (t ) = p' (0)e
[7.64]
Siendo:
1
p = [7.65]
r (no + po )
p = tiempo de vida de los portadores en exceso. Es el tiempo que demoran en recombinarse los
huecos (p) o los electrones (n), desde que fueron generados hasta que fueron recombinados,
también es llamado tiempo de recombinación. El rango va desde los nanosegundos o menos
hasta los milisegundos. Ahora como:
p' (t ) = p(t ) − po [7.66]
Entonces
− t [7.67]
p
p(t ) − po = p' (0)e
− t [7.68]
p
p(t ) = po + p' (0)e
189
Entonces la concentración en exceso de portadores minoritarios -en este caso huecos-, decrece
exponencialmente con el tiempo y depende del tiempo de vida medio. Se considera que el
equilibrio se alcanza cuando la concentración ha decaído entre el 10% y el 1% de su valor
inicial, que toma entre 2.3τp y 4.6τp, respectivamente. Los valores τp y τn son importantes dado
que ellos controlan la rata a la cual las densidades de portadores minoritarios en exceso retoman
a sus valores de equilibrio a través de la recombinación. La figura 7.4 ilustra este
comportamiento
Figura 7.4.Comportamiento de los minoritarios con el tiempo.
De esta forma la recombinación de los portadores en exceso para una inyección débil es:
p' (t ) 1 [7.69]
R= = − p' (t )
t p
Tanto para semiconductores de brecha directa como para los de brecha indirecta la rata de
recombinación de portadores en exceso R, es función del número de minoritarios en exceso y de
su tiempo de vida media. R ahora varía con el tiempo.
En un intervalo de tiempo infinitesimal dt, el número de portadores minoritarios en exceso, en

este caso huecos, anulados por unidad de tiempo es:
p' (t ) p(t ) − p o [7.70]
R= =−
t p
El signo menos significa que los minoritarios en exceso se reduce en un intervalo dt. En la
figura 7.5, se muestra el comportamiento de la función válida para la recombinación de
portadores en exceso.
190
Figura 7.5.Comportamiento de la función de recombinación.
La vida media de los portadores minoritarios en un semiconductor de brecha directa como el

GaAs puede ser usualmente de 1nseg o menos, mientras que para un semiconductor de brecha
indirecta puede llegar a ser de hasta 100μseg (Si) o aun varios milisegundos (Ge).
Si se dopa el silicio con oro, introduciendo trampas en la banda prohibida se reducirá el tiempo
τp a alrededor de 1nseg. A mayor cantidad de átomos de oro, mayor la cantidad de trampas y
más bajo el tiempo medio. La desventaja radica en la liberación de portadores minoritarios

extras y en algunos dispositivos usados para bloquear corriente aparecerán con corrientes de
fuga considerables.
Ejemplo 2.
Supóngase un semiconductor tipo n, excitado por una fuente luminosa que es suspendida en un
tiempo t = 0. Evaluemos el comportamiento de los portadores minoritarios con el tiempo,
asumiendo que la densidad de huecos en exceso - portadores minoritarios en el material tipo n-,
inicia la fase de recombinación en t = 0, dado que la generación de huecos es menor que la
recombinación debido a que ya no hay excitación lumínica.
Consideremos entonces un semiconductor de Germanio tipo n con valores de concentración

intrínseca ni = 2.5*1019 mt-3 y ND= 1022 m-3. Consideremos también que la incidencia del haz
191
luminoso duplicó la densidad de huecos. Calculemos el tiempo tomado por la densidad de

huecos para decaer a una concentración de 8*1016 m-3 si p = 3 mseg.
Calculemos la concentración de huecos en equilibrio po.
ni2 (2.5 x1019 mt −3 ) 2

p0 = = 22 −3
= 6.25 x1016 m − 3
ND 10 mt
Ahora como en t = 0 se duplica el número de huecos tenemos que:
p(0) = 2 p0 = p´(0) + p0 = 12,5x1016 m −3
Luego, p´(0) = p(0) − p0 = 6,25x1016 m −3
Al decaer la concentración al valor mencionado, p(t) = 8*1016 m-3
Entonces: p´(t)= 8x10 16 m -3 - 6.25x10 16 m-3 = 1.75x10 16 m -3
De la ecuación 7.68, el tiempo tomado en decaer a ese valor es
p´()  
t =  p ln   = x − seg ln ( ) = ms
p´(t ) 
7.4.2. Comportamiento de los portadores minoritarios con la distancia
Una inyección de bajo nivel de pares electrón-huecos en un semiconductor, adiciona una baja
concentración de cargas extras en cada banda. De esta manera es más fuertemente afectada la
densidad de minoritarios en comparación con la de mayoritarios. En este ítem analizaremos
como es el comportamiento de los portadores minoritarios en función de la distancia.
Consideremos una barra de material tipo p, iluminada en un extremo. La inyección de bajo
nivel, ya sea por luz u otro tipo de excitación, mantiene la densidad de minoritarios en exceso
constante en una posición x = 0 dentro del material. Ver figura 7.6.
192
Figura 7.6. Portadores minoritarios en función de la distancia
Para valores de x positivos, hay solo generación de equilibrio de pares electrón-huecos. Los
portadores minoritarios en exceso tenderán a difundirse hacia la región no afectada donde la
densidad de minoritarios es más baja. Al difundirse se recombinarán a cierta distancia
permaneciendo cercanos al equilibrio.
Para evaluar el comportamiento de los minoritarios que se difunden y anulan por recombinación
con la distancia, consideremos un diferencial de volumen dentro del semiconductor dv = Adx y
efectuemos un balance de pérdidas y ganancias de portadores minoritarios en exceso. Se debe
tener en cuenta que en condiciones de equilibrio los procesos de generación y recombinación de
portadores se presentan, pero sus efectos se anulan entre sí.
Para el análisis consideramos la difusión de minoritarios en exceso (electrones) entrando al

diferencial de volumen. La densidad n de estos electrones en exceso variará con la posición x de
la forma:
dn´
− ADn Expresión que describe el número de electrones difundiéndose en x por segundo
dx
De igual forma el número de minoritarios en exceso que se recombinan en el interior del

dx
volumen sería n´ A electrones/seg. Donde la densidad (número de electrones por unidad de
n
volumen) se ha multiplicado por el volumen para dar la cantidad de electrones en exceso. La
división por τn da el número de electrones perdidos por segundo.
193
Finalmente, en relación con la difusión de minoritarios en exceso fuera del volumen, es

necesario encontrar el valor del flujo de difusión en la posición ( x + x) ). Una función y(x) que
tiene el valor y en la posición x toma el valor:
y
y( x + x) = y + x En la posición (x + dx).
x [7.71]
La cantidad de electrones difundiéndose hacia afuera del volumen en x + dx, estaría dada por la
expresión 7.72.
 n´  2 n´ 
− ADn  + 2 x  electrones/seg [7.72]
 x x 
El balance quedaría:
dn´ dx dn´ d 2 n´
− ADn = n´ A − ADn − ADn x [7.73]
dx x dx dx 2
De esta forma:
 2 n´ n´
− =0 [7.74]
x 2
Dn P
La solución tendrá como constantes arbitrarias k1 y k2:
x x
− +
n´(x) = k1e Ln
+ k2e Ln
[7.75]
Siendo Ln la longitud de difusión de los electrones, y nos indica la distancia recorrida por estos
antes de recombinarse. La longitud de difusión está dada por la ecuación 7.76
Ln = 2 Dn n [7.76]
Si n´= n´0 en x = 0 entonces k1 = n´0
Y si n´= 0 en x →  entonces k2 = 0
x
−
Entonces: n´(x) = n´0 e Ln
[7.77]
194
La cantidad de portadores minoritarios en exceso decae exponencialmente con la distancia a la

superficie perturbada. Igual resultado se obtendrá para los huecos en exceso en materiales tipo n,
con una longitud de difusión L p = 2 D p p
El valor de Ln es típicamente de 3 mm para el Germanio, de 0.3 mm para el Silicio y de 2 m

para el Arseniuro de Galio. Esto es de suma importancia en la tecnología de transistores
bipolares donde importan las dimensiones de los dispositivos menores que Ln o Lp. En el
Germanio se han logrado tales dimensiones desde que ese semiconductor dominó el mercado. El
silicio presenta otras ventajas y es actualmente el de más demanda.
7.4.3. Relacion de Einstein.
En el movimiento de portadores en un campo eléctrico, el efecto del campo sobre las energías
de los electrones se ve en los diagramas de bandas. Así, para un campo en la dirección x, el
potencial debe dibujarse inclinado. La energía potencial de los electrones se incrementa en la
dirección del campo, tal como se muestra en la figura 7.7. El campo está relacionado con el
potencial mediante la relación:
d ( x )
E ( x) = − [7.78]
dx
Figura 7.7. Efecto del campo eléctrico en el diagrama de bandas
195
E ( x)
Y el potencial está relacionado con la energía por:  ( x) = Entonces:
−q
d ( x ) d  E ( x) 
E ( x) = − =−
dx dx  −q  [7.79]
La relación de energía potencial, con el campo en el diagrama de bandas requiere de un punto de

referencia. Podemos considerar EC, que sería la energía necesaria para liberar un electrón del
material, pero también serviría EV o EFI. Escogiendo EFi como referencia tendremos:
E ( x) =
1 dEFi [7.80]
q dx
En equilibrio térmico no existe flujo neto de corriente en el semiconductor. Cualquier

fluctuación que origine corrientes de difusión genera un campo que redistribuye los portadores
de la ecuación de densidad de corriente. En equilibrio térmico tenemos:
[7.81]
dp( x)
J p ( x) = q p p( x) E ( x) − qDp =0
dx
Obteniendo que el campo sería:
Dp 1 dp( x)
E ( x) =
p p( x) dx [7.82]
Recordemos la expresión para los huecos (7.83), reemplazando en 7.82:

EFi − EF [7.83]
p( x) = ni e KT
Dp 1 dp( x)
E ( x) = [7.84]
p EFi − EF
KT
dx
ni e
EFi − EF
1 d
D p ni e
KT
  EFi − EF  [7.85]
E ( x) = KT dx
p EFi − EF
KT
ni e
Dp 1  dEFi dEF  [7.86]

E ( x) = −
p KT  dx dx 
196
En equilibrio el nivel de Fermi no varía con x. Sustituyendo dEFi /dx obtenemos:
Dp 1 [7.87]
E ( x) = qE ( x)
p KT
KT Dp
Entonces : =
q p [7.88]
Expresión conocida como la Relación de Einstein o Ecuación de Einstein, en general:

KT D p Dn
VT = = =
q  p n
Donde VT conocido como el potencial térmico y es función de la temperatura f(T).
K es la constante de Boltzmann dada en julios/oK

VT ≈ 0.026 V a 300oK
Si los mecanismos de difusión y arrastre son fenómenos termodinámicos estadísticos, las

constantes D y µ no son independientes. En la tabla 7.1, son presentados los valores de los
resistividad, coeficientes de difusión y movilidad de electrones y huecos para algunos
semiconductores a 300 ºK.
Tabla 7.1. Valores de coeficientes de difusión y movilidad

Material  Dn[cm2/seg] Dp[cm2/seg] n[cm2/v-seg] p[cm2/v-seg]
Ge 48-cm 100 50 3900 1900
Si 316K-cm 35 12.5 1350 480
GaAs 100M-cm 220 10 8500 400
Ejemplo 2
La densidad de huecos es elevada a 1014 m-3 en la superficie de un semiconductor de silicio tipo

n, la concentración intrínseca del material a temperatura ambiente es de ni = 1.45x1016 m-3. La
concentración de impurezas donadoras es de ND=1020m-3, la movilidad del silicio
197
cm 2
 p = 480 y  p = 3seg . Si no ocurre generación de portadores en exceso lejos de la
v − seg
superficie, encuentre la profundidad a la cual la densidad de huecos decae a 1013 m-3
Solución
ni2 (1,45 x1016 )

2
La concentración de minoritarios en equilibrio térmico es p0 = = 20

= 2,1x1012 m −3
ND 10
Luego la densidad de portadores minoritarios en exceso:
p´(0) = p( x) − p0 = 1014 − 2,1x1012 = 9,78x1013 m −3
La longitud de difusión L p = D p p
KT D p KT cm 2 cm 2
Dado que = Entonces D p =  p = 480 x0,026v  12,5
q p q v − seg seg
cm 2 cm 2
Luego L p = 12,5 3seg = 12,5 3x10 −3 seg = 0,0375cm 2 = 0,19cm
seg seg
x x
− −
0,19 x10− 2 m
p´(x) = p´0 e = 9,78 x1013 e = 1013 m −3
Lp
x = 4,3m
7.5. Ecuaciones de continuidad.
Para realizar el análisis de la difusión de portadores en exceso, consideremos la variación neta de la

p
concentración de huecos por unidad de tiempo , esta variación puede ser calculada mediante la
t
diferencia entre el flujo de huecos por unidad de volumen entrando y saliendo de un volumen
determinado como se puede observar en la figura 7.8.
198
Figura 7.8. Análisis de la difusión de portadores.

Dado que
I ( x) qp( x)
Jp ( x) = = [7.89]
A tA
1 1 p ( x)
Entonces Jp ( x) = [7.90]
q x tAx
Así, 1  Jp ( x) − Jp ( x + x)  [7.91]

q x 
La ecuación 7.91, representa la variación de portadores por unidad de volumen que ocurre en el
volumen x.A por unidad de tiempo. Entonces el incremento neto en la concentración de huecos por
unidad de tiempo viene dado por:
p 1 ( Jp ( x) − Jp ( x + x))
= −U
t q x [7.92]
p
Siendo la variación de huecos, el primer término del segundo miembro de la igualdad es el
t
incremento de la concentración de huecos y el segundo representa la tasa de recombinación. La
ecuación puede escribirse de la forma: (para x ==> 0)
p 1 Jp
=− − R + g (T )
t q x [7.93]
Con g(T) = G(T). Entonces las ecuaciones de continuidad en tres dimensiones pueden ser
representadas de la forma:
199
n 1 [7.94]
= Gn − Rn + .Jn
t q
p 1
= G p − Rn − .Jp
t q [7.95]
Considerando una sola dimensión y en condiciones de baja inyección y con presencia simultánea de
los tres fenómenos de transporte, tenemos las expresiones 7.89 y 7.90, para describir la variación de
los portadores minoritarios con el tiempo. Expresiones conocidas como ecuaciones de continuidad.
n p np − np0 E n p  2np [7.96]

= Gn − + n p n + n E + Dn
t n x x x 2
pn p − pn 0 E p  2 pn
= Gp − n − pn  p −  p E n + Dp [7.97]
t p x x x 2
Estas ecuaciones son útiles para resolver problemas transitorios de difusión con procesos de
recombinación presentes, como es el caso del estudio de los dispositivos electrónicos. En la
tabla 7.2 se presenta una síntesis de las principales propiedades para el silicio y el germanio.
Tabla 7.2. Propiedades del Silicio y el Germanio

Ge Si
Número atómico 32 14
Masa atómica (g/mol) 72,6 28,08
Radio atómico (nm) 0,137 0,132
Estructura electrónica ....4s23d104p2 ..3s23p2
Densidad (kg/m3) 5323 2330
Concentración atómica (at/m3) 4,42x1028 4,96x1028
Concentración intrínseca a 300 K 2,5x1019 m-3 1,45x1016 m-3
Constante A (m-3·K-3/2) 1,91x1021 4,92x1021
Anchura banda prohibida a 300 K 0,67 eV 1,1 eV
2
Movilidad electrones a 300 K 0,39 m /V-s 0,135 m2/V-s
Movilidad huecos a 300 K 0,19 m2/V-s 0,048 m2/V-s
Resistividad intrínseca a 300 K 0,48 -m 2300 -m
-2 2
Difusividad electrones 1x10 m /s 3,5x10-3 m2/s
200
Difusividad huecos 5x10-3 m2/s 1,25x10-3 m2/s

Permitividad eléctrica 16 12
Masa efectiva electrones 0,5m0 1,1m0
Masa efectiva huecos 0,37m0 0,59m0
201
7.6. Ejercicios.
1. Una lámina de Ge de espesor 10-2 cm es dopado con átomos de fósforo. Entre sus caras se
aplica una diferencia de potencial de 2 V, a temperatura ambiente la resistividad y la
movilidad medidas entre sus caras es de =10 -cm y µn = 3900 cm2/V-seg. Calcule: a) El
tiempo que emplea un electrón en atravesar la lámina, b) Concentración de donadores.
2. Un cristal de silicio es dopado con fósforo con una concentración igual a N D=1,4x1016 cm-3.
Determinar: a) La concentración de huecos p, b) La conductividad .
3. Cuando un semiconductor de ancho de banda prohibida EG = 1,1 eV se calienta desde una

temperatura de 27 ºC hasta una temperatura T se duplica su conductividad, ¿Cuál es el valor
de T?
4. Calcular la resistividad del germanio intrínseco a 300ºK.
5. Una región de silicio intrínseco es utilizada como resistencia y se le da forma de barra de 4

mm de longitud y una sección rectangular de 1250x20000 micras. Calcular su resistencia a
300 K.
6. Si la temperatura de un cristal de Ge intrínseco pasa de 20 a 30º Celsius, su conductividad

se incrementa un 50%. Determinar: a) La anchura de su banda prohibida, b) en el caso del
silicio, ¿cuál es el porcentaje de cambio de su conductividad para el mismo cambio de
temperatura?
7. Un semiconductor está dopado negativamente, ND = 1,4x1022 m-3. Su concentración

intrínseca de portadores es ni = pi = 1,4x1016 m-3 y la movilidad de los electrones en su
banda de conducción es µn = 0,4 m2/V-seg. Determinar a) la concentración de huecos p, b)
la conductividad
8. Una muestra de Ge se impurifica con 1014 átomos donadores/cm3 y 7x1013 átomos
202
aceptadores/cm3. A la temperatura de la muestra la resistividad del Ge puro intrínseco es 60

-cm Si se aplica un campo eléctrico de 2 V/cm. Calcular la densidad de corriente total de
conducción.
9. Un semiconductor intrínseco contiene 1020 pares electrón–hueco por m3. Calcula la

resistividad.
10. A una barra de germanio de 2 cm2 de sección y longitud 10 cm se le aplica una diferencia
de potencial de 10 V entre sus extremos. Calcule a 300 ºK a) la resistividad de la muestra,
b) resistencia de la barra, c) velocidad de arrastre de electrones y huecos, d) intensidad de
corriente.
11. Para alcanzar una corriente de 1mA con un voltaje aplicado de 1V, cuál debe ser el nivel de
dopado de un semiconductor a 300o K. Considere L / A = 1x104 m−1 .
12. Asumiendo que la conductividad del cobre 58x106 (-m)-1 es enteramente debida a los
electrones libres cuya movilidad es de 3.5x10-3 m2/v-seg. (a) Calcule la densidad de
electrones libres del cobre a temperatura ambiente, b) Calcule la velocidad de
desplazamiento de los electrones libres en el cobre para un campo eléctrico de 0.5 V/cm.
203
Capítulo 8. Materiales cristalinos.
8. Materiales cristalinos.
_____________________________________________________________________________
8.1. Introducción.
Los sólidos pueden clasificarse de acuerdo a la regularidad como los átomos se acomodan unos
respecto a otros. Un material cristalino es aquel que presenta un arreglo periódico de átomos en
grandes distancias atómicas, considerando como distancia atómica la separación entre dos
átomos adyacentes. En general, todos los metales, los materiales cerámicos, el vidrio y algunos
polímeros forman estructuras cristalinas. Los elementos considerados de estado sólido y sus
componentes se clasifican dependiendo del arreglo de los átomos dentro del material como:
Monocristalinos: aquellos que presentan un arreglo regular con periodicidad tridimensional en

todo el volumen, tal como se muestra en la figura 8.1(a).
Policristalinos: presentan un arreglo cuya periodicidad es interrumpida aleatoriamente a través
de secciones bidimensionales que se interceptan, dividiendo el volumen del
sólido en varias regiones monocristalinas pequeñas también denominadas
granos. Ver figura 8.1(b).
Amorfos: cuando no existe ninguna periodicidad en el arreglo de los átomos. O sea, la
periodicidad es del mismo tamaño que el espaciamiento atómico, este caso es
ilustrado en la figura 8.1(c).
Generalmente a los materiales que no forman estructuras periódicas de largo alcance se les
denomina no-cristalinos a más específicamente materiales amorfos.
(a) Monocristalino. b) Policristalino. (c) Amorfo

Figura 8.1. Diferentes tipos de estructuras atómicas.
204
Algunas de las propiedades de los sólidos cristalinos dependen de la forma como se agrupan
internamente sus átomos, esto quiere decir que dependen de la forma espacial en la cual los
iones, átomos o moléculas se encuentran organizados. Muchas de las más importantes
propiedades de los sólidos son actualmente determinadas por esta periodicidad de los átomos.
Aún cuando, propiedades semiconductoras son observadas en las tres clases de sólidos, la
atención se centrará en materiales semiconductores monocristalinos. El uso de monocristales
simplifica considerablemente el número de etapas de procesamiento usado en la fabricación de
dispositivos semiconductores. Los portadores de carga en mono cristales exhiben propiedades
que son muy útiles en la operación de los dispositivos.
8.2. Redes simples.
El arreglo periódico de los átomos evidencia la existencia de ciertas formas geométricas que
deben repetirse a fin de conformar el arreglo. A esta pequeña unidad que se repite en todas las
direcciones se le conoce como celda unitaria y corresponden en la mayoría de las estructuras a
paralelepípedos o prismas. No obstante, los semiconductores no cristalizan en redes simples,
éstas forman las bases para entender las más complicadas estructuras de los semiconductores.
En los metales el enlace entre los átomos se denomina enlace metálico, estando los iones en
posiciones fijas de la red (sites), mientras los electrones se mueven a lo largo del cristal. Dado
que este tipo de enlace no impone mayores restricciones acerca de la manera como se deben
organizar los átomos, estos cristalizan fundamentalmente en varios tipos de red conocidas como
redes simples.
El concepto más útil para representar las geometrías posibles es el de la Red de Bravais, estas
redes especifican la geometría de una estructura cristalina. La Red de Bravais es una matriz
infinita de puntos donde átomos o moléculas ubicados en esos puntos forman la estructura
cristalina. Matemáticamente la Red de Bravais consiste de todos los puntos generados por los
vectores:
R =  niai i = 1,2,3 Donde: ai corresponde a vectores no co-planares.
ni corresponde a todos los valores enteros.
205
Esta expresión general para la red de Bravais permite mediante diferentes combinaciones
lineales generar una serie de estructuras diferentes, pero siempre se procura escoger aquella que
presente la mayor simetría posible. A continuación se estudian los tipos de redes más frecuentes.
8.2.1. Estructura cúbica simple:
Esta estructura presenta un átomo en cada punto de un cubo de lado a, donde a se denomina la
constante de red o la distancia intersticial del cristal. La Red de Bravais puede ser determinada
por tres vectores mutuamente ortogonales de amplitud a, como se muestra en la figura 8.2.
Figura 8.2. Estructura cúbica simple.
Los vectores de la red de Bravais que describen esta celda: â1 = ax, â2 = ay, â3= az. Siendo
x, y, z los vectores unitarios cartesianos. Este conjunto de vectores evidencia la simetría de la
estructura reproduciendo la Red de Bravais usando la expresión general de la misma. El
conjunto de vectores sin embargo, es sólo uno de los que existen, dado que este tipo de
estructura puede también ser reproducido por los vectores â1 = ax, â 2 = ay y un tercer vector
â4 = a(y + z) que corresponde a una de las diagonales del lado del cubo.
Una característica que se asocia a las redes es el número de átomos equivalentes dentro de la
celda la cual tiene un átomo equivalente interno. En este caso la celda presenta un átomo en
cada uno de los vértices, pero al interior de la celda solo pertenece un octavo del mismo, luego
el número de átomos equivalentes sería:
# At. = 8(1/8) = 1
206
El único metal que cristaliza en esta estructura es el polonio.
8.2.2. Estructura cúbica centrada en cuerpo:
Esta estructura presenta un átomo en cada esquina de un cubo de dimensión a y uno en el punto
determinado por la intersección de las diagonales cúbicas. Los vectores primitivos y la
distribución atómica son presentados en la figura 8.3 y se describen como: â1 = (a/2)(-x+y+z),
â 2 = (a/2)(x-y+z) y â 3= (a/2)(x+y-z)
Figura 8.3. Cúbica centrada en cuerpo.
Esta estructura puede también ser vista como dos estructuras simples ínter penetradas, cada una
de lado a. Como puede observarse tiene 2 átomos internos.
# At. = 8(1/8) + 1 = 2
El conjunto de vectores primitivos presentado conforma el conjunto más simétrico para describir
la red. El radio de los átomos está relacionado con la constante de red mediante la expresión:
4R = a√3, luego a = 4R/√3.
Los siguientes elementos cristalizan en esta estructura: Bario, Cesio, Potasio, Tantalio,
Tungsteno, Titanio. Como puede observarse no son buenos conductores.
8.2.3. Estructura cúbica centrada en cara:
Es la red más importante para las estructuras cristalinas semiconductoras. Consiste en

posiciones de red en las esquinas del cubo, con uno en cada punto determinado por la
intercepción de las diagonales de las caras, como puede ser visto en la figura 8.4.
207
Figura 8.4. Cúbica centrada en cara.
Si el lado del cubo es a y sí asumimos que los átomos sobre las caras se encuentran
suficientemente juntos a través de la diagonal de las mismas (modelo de esferas compactas),
entonces el radio de los átomos está dado por: 4R = a√2 Resultando a = 2R√2.
Si trasladamos una de las esquinas del cubo al centro de uno de los átomos de las caras, la
estructura cristalina sigue siendo descrita por la misma celda ahora centrada en uno de los
átomos de las caras, es por este motivo que se dice que la red es invariante ante una traslación
del vector que une un vértice con uno de los átomos del centro de una de las caras. Muchos
metales solidifican en esta forma periódica. El conjunto de vectores primitivos más simétrico
que reproduce esta red es: â1 = (a/2)(y+z), â 2 = (a/2)(x+z), â 3= (a/2)(x+y)
Por cada celda hay un equivalente de 4 átomos internos, a saber, una octava parte de cada uno
de sus de ocho átomos en sus vértices y la mitad de cada uno de sus seis átomos en sus caras:
#. At. = 8(1/8) + 6(1/2) = 4
A esta estructura pertenecen los buenos conductores: Plata, Aluminio, Oro, Cobre, Iridio,
Níquel, Plomo, Platino, Radio, Argón.
En las mencionadas estructuras y para efectos del cálculo de la interacción de un átomo con los
demás átomos de la red se define el número de átomos vecinos más cercanos como el número de
coordinación o de vecinos más próximos; de tal forma que tendríamos las cifras mostradas en la
tabla 8.1.
208
Tabla 8.1. Números de coordinación.

Estructura No. de coordinación
Cúbica simple 6
Cúbica centrada en cuerpo 8
Cúbica centrada en cara 12
8.2.4. Hexagonal compacta:
Aun cuando no es una red de Bravais, consiste en dos redes hexagonales simples ínter
penetradas. Consiste de seis átomos en los vértices de un hexágono regular en cuyo centro se
encuentra otro átomo. Esta conformación define la base y la cima de un prisma hexagonal, el
cual posee adicionalmente entorno a su centro geométrico otro conjunto de tres átomos en forma
de triángulo equilátero totalmente contenidos dentro del volumen; ver figura 8.5. Las dos redes
hexagonales simples están desplazadas una respecto a otra una distancia dada por:
d = (1/3) â1 + (1/3) â2 + (1/3) â3
Figura 8.5. Hexagonal compacta.
Cada celda contiene un número equivalente de seis átomos constituidos por la sexta parte de
cada uno de los doce átomos posicionados en cada vértice de los hexágonos superior e inferior,
la mitad de cada uno de los átomos ubicados en el cruce de las diagonales de las caras superior e
inferior y los tres átomos internos de la celda ubicados a una distancia d de los vértices cercanos.
# At. = 12(1/6) + 2(1/2) + 3 = 6
209
A esta estructura pertenecen los elementos, Cesio, Cadmio, Helio, Litio, Magnesio. De igual
forma corresponde a metales supremamente duros tales como el titanio a temperatura ambiente,
Cromo, Cobalto, Berilio. Estos metales no son buenos conductores.
8.2.5. Hexagonal simple:
La red hexagonal simple es una red de Bravais que consiste en un triángulo equilátero de lado a
y átomos en cada esquina, con un conjunto adicional de puntos sobre un triángulo a una
distancia c arriba del primero, como se observa en la figura 8.6. Esta estructura es descrita por
los vectores primitivos: â1 = ax, â 2 = (a/2)x + (31/2/2)ay, â 3= cz.
Figura 8.6. Hexagonal simple.
En la tabla 8.2, se presenta el número de coordinación para las dos últimas estructuras. Las
formas más compactas son la cúbica centrada en caras y la hexagonal compacta.
Tabla 8.2. Hexagonal compacta.
Estructura No. de coordinación
Hexagonal simple -
Hexagonal compacta 12
8.3. Factor de empaquetamiento
Otra característica importante para tener en cuenta en cada una de estas estructuras se denomina
el factor de empaquetamiento conocido como APF, el cual se calcula usando el módulo de
esferas compactas de acuerdo con la relación siguiente:
210
APF = Volumen de átomos en una celda unitaria / volumen total de la celda
De esta manera es posible encontrar este factor de empaquetamiento para cada una de las
estructuras analizadas, ver tabla 8.3.
Tabla 8.3. Factor de empaquetamiento.

Estructura APF
Hexagonal simple --
Hexagonal compacta 0.74
Cúbica simple 0.52
Cúbica centrada en cuerpo 0.68
Cúbica centrada en cara 0.74
Ejemplo 1.
Encuentre que el factor de empaquetamiento de una red cúbica centrada en cara es igual a 0.74.
Solución:
En una red cúbica centrada en cara, el átomo más cercano a otro ubicado en uno de los vértices
es aquel que se ubica en el centro de una de las caras adyacentes. La distancia de separación
sería igual a 2R, siendo R el radio atómico. Ahora si a es la distancia intersticial, es decir la
dimensión de las aristas del cubo, dado que existen cuatro átomos equivalentes al interior de la
celda, el volumen máximo que pueden ocupar esas esferas sería:
3
4 3 4  2 
4 R =4  
3 3  4 a
 
Luego el factor de empaquetamiento se calcula según la ecuación

3
4  2 
4  a 
3  4
  = 0.7405
a3
8.4. Celdas primitivas
Se define una celda primitiva como el volumen que trasladado en una red de Bravais llena todo
el espacio de la red. En la figura 8.7, se pueden observar dos celdas primitivas que corresponden
211
a las estructuras cúbica centrada en cuerpo (a) y cúbica centrada en cara (b).
(a) (b)
Figura 8.7. Celdas primitivas.
Toda la posible gama de estructuras cristalinas pueden ser clasificadas en grupos de acuerdo al
tipo de celda unitaria o al arreglo de átomos. Esto se hace asignando a cada geometría un
sistema de coordenadas basado en la geometría de la celda unitaria sin considerar el tipo de
arreglo atómico dentro de la estructura. De esta forma la geometría de cada celda unitaria
quedaría suficientemente definida mediante seis parámetros: tres longitudes axiales (a, b, c) y
tres ángulos axiales (α, β, γ).
Muchos tipos de redes simples se presentan durante el proceso de solidificación de los

elementos, varias de ellas corresponden a celdas unitarias cuya representación geométrica
requiere de diferentes ángulos y longitudes axiales, los nombres de algunas de ellas y sus
definiciones geométricas son presentadas en la figura 8.8.
212
Figura 8.8. Celdas unitarias.
213
8.5. Cálculo de densidades.
La densidad (ρ) de un sólido se puede calcular a través del conocimiento de su estructura

cristalina y del volumen de la celda unitaria que conforma el cristal mediante la siguiente
expresión:
nA
= [8.1]
VC AV
Donde: n - Número de átomos por celda unitaria.

A - Peso atómico [gr/mol]
VC - Volumen de la celda unitaria.
AV - Número de Avogadro
Otro concepto relacionado con la densidad y que nos proporciona el número de átomos por
centímetro cúbico es conocido como la densidad atómica y está dado por la relación 8.2.
n
= [8.2]
a3
Siendo a la arista de la celda unitaria.
8.6. Estructuras cristalinas.
Un cristal ideal en la práctica es descrito por el conjunto de puntos de una red de Bravais,
átomos o moléculas son posicionados en los puntos de la red y son denominados “base”. La
combinación de las redes de Bravais y la “base” conforman lo que se denomina una estructura
cristalina. La estructura cristalina más común se encuentra conformada por dos átomos
diferentes y corresponde a una estructura cúbica centrada en cara, donde un átomo de un
segundo elemento se ubica a una distancia de un cuarto de las diagonales principales del cubo,
tal como es mostrado en la figura 8.9.
214
Figura 8.9. Tetragonal compacta.
Los átomos se posicionan en el valor de la diagonal:

d = (a/2)(x + y + z)
En esta estructura cristalizan los más ampliamente usados semiconductores tales como el silicio,
el germanio y el arseniuro de Galio (AsGa). En el caso del arseniuro de Galio, este último
elemento se ubica en las cuartas partes de las diagonales principales, siendo de arsénico los
restantes. El cubo interno señalizado con línea discontinua muestra la celda cúbica en la que se
incluye la estructura tetragonal propia de algunos semiconductores y elementos como el carbono
y el diamante.
Para el silicio la densidad atómica es igual a 5x1022 at/cm3 , ello puede ser fácilmente explicado
a partir de la ecuación 8.2 y conociendo que el silicio cristaliza en la forma tetragonal compacta
y que a=5.43 Å, luego:
6 8
n = 4+ +
2 8
8 at
= celda = 5 x10 22 at
(5.43x10 −8 cm) 3 cm 3
En las tablas 8.4, 8.5 y 8.6, se clasifican los principales elementos de acuerdo a la forma como
cristalizan en diversas estructuras con su respectiva distancia interatómica.
215
Tabla 8.4. Cúbica centrada en caras Tabla 8.5. Cúbica centrada en cuerpo
Elemento a [Å] Elemento a [Å]
Ag 4.086 Bario 5.025
Al (25 ºC) 4.049 Cesio (-185 ºC) 6.05
Oro 4.078 Hierro 2.86 - 2.94
Cobre 3.61 Potasio (-150 ºC) 5.21
Iridio 3.89 Litio (25 ºC) 3.50
Níquel 3.52 Sodio (25 ºC) 4.29
Plomo 4.95 Rubidio (-185 ºC) 5.63
Platino 3.92 Titanio (900 ºC) 3.30
Radio 3.80 Tántalo 3.30
Argón (-253 ºC) 5.43 Vanadio 3.04
Tungsteno (25 ºC) 3.16
Tabla 8.6. Hexagonal compacto.

Elemento a [Å] c [Å]
Berilio 2.286 3.584
Cadmio 2.978 5.617
Cobalto 2.50 4.066
Cromo 2.72 4.42
Helio (-271 ºC) 3.57 5.83
Litio (-195 ºC) 3.09 4.086
Magnesio 3.20 5.21
Estroncio (248 ºC) 4.32 7.06
Titanio (250 ºC) 2.95 4.68
Zinc 2.66 4.34
Ejemplo 2.
El cobre presenta un radio atónico de 0.128 nm y tiene una estructura cristalina fcc. Su peso
atómico es de 63.5 gr/mol. Calcule su densidad.
Solución:
216
Usamos la ecuación 8.1 para calcular la densidad. Dado que es una estructura fcc sabemos que
el número por unidad de celda es 4 y el volumen en términos del radio (ver problema 11) es
16 R 3 2 , luego:
(4 at )(63.5 gr )
= cel mol = 8.89 gr
 −8 at  cm 3
16 2 (1.28 x10 mol 
 
8.7. Índices de Miller.
Consideremos un vector que describe la red de Bravais:

R = n1â1 + n2â 2 + n3â3 [8.3]
Y consideremos un vector K = hâ1 + kâ 2 + lâ3 tal que:

R.K = 2(n1â1 + n2â 2 + n3â3 ).( hâ1 + kâ 2 + lâ3 ) [8.4]
R.K = 2 ( hn1 + kn2 + ln3 ) [8.5]
R.K = 2N [8.6]
De tal forma que: |K||R|Cosθ = 2N representa la proyección del vector R a lo largo de la
dirección del vector K como se observa en la figura 9 .10.
Figura 8.10. Proyección del vector R
Esta proyección se expresa de la forma:

|R1|Cosθ = 2N/ |K [8.7]
Dado que la red es infinita es posible encontrar otro punto que defina un vector con la misma
proyección, como por ejemplo:
217
R2 = (n1 –pl) â1 + (n2 – pl) â2 + [n3 +p(h +k)] â3 [8.8]

Donde p es un entero para un punto determinado. Si p asume un rango de valores enteros, se
construye un conjunto infinito de puntos en el mismo plano el cual es ortogonal a K, para un
valor fijo de N, ver figura 8.11. Un plano paralelo adyacente podría ser obtenido haciendo:
|R3|Cosθ3 = 2 (N+1)/ |K| [8.9]
Figura 8.11. Plano paralelo.
El conjunto de planos en una red puede ser convenientemente caracterizada por vectores en una
red recíproca o puntos en una red recíproca, con la restricción de que h,k,l no pueden tener
factor común. Los interceptos de un vector R = n1â1 + n2â 2 + n3â3 encontrados a partir de un
vector dado K con los ejes se encuentran mediante las expresiones:
K. n1â1 = 2πhn1 = 2πN luego N

n1 =
h
K. n2â2 = 2πkn2 = 2πN luego N
n2 =
k
K. n3â3 = 2πln3 = 2πN luego N
n3 =
l
Los interceptos del plano son inversamente proporcionales a las componentes del vector
recíproco. La notación usada para definir vectores recíprocos de red (h,k,l) es también usada
para definir planos en la red directa. Si un plano no intercepta un vector de la red directa, el
índice de Miller es cero. Si el plano intercepta en una dirección negativa el índice de Miller es
supra-rayado.
Notación:
• Vectores en la red recíproca y planos en la red directa (h k l)
218
• Vectores en la red directa y planos en la red recíproca [h k l]

En general el vector [h k l] es perpendicular al plano (h k l).
En las figuras 8.12, (a), (b), (c), se presentan algunos ejemplos de planos cristalográficos con su
respectiva notación tanto en la red directa como en la red recíproca. Para redes hexagonales son
requeridos cuatro índices de Miller, uno para cada uno de los tres vectores coplanares
espaciados 120 ºC y otro para la dirección normal al plano, tal como es mostrado en la figura
8.13.
• Planos y vectores recíprocos (h k l m)
• Direcciones en la red directa [h k l m]
(a)
(b)
219
(c)
Figura 8.12. Planos cristalográficos.
Figura 8.13. Planos cristalográficos en redes hexagonales.
8.7.1. Direcciones y planos en los cristales.
La descripción matemática apropiada de una red involucra la identificación de las direcciones de

los vectores y los planos de la red. Para ello se usan los índices de Miller que hemos denotado
como (hkl). Ilustraremos el uso de los índices de Miller en la descripción de los planos mediante
el siguiente ejemplo.
Ejemplo 3.
Encuentre los índices de Miller del plano que se muestra en la figura, corresponden a (323).
220
Solución:
Para obtener los índices de Miller que identifican el plano, inicialmente identificamos los cortes
del plano con los puntos de la red, en este caso lo ilustramos con los cortes en los ejes
cartesianos, que en este caso serían 232. Sin embargo, los índices de Miller que describen el
plano en el cristal son (323). Estos índices se obtienen invirtiendo los interceptos con los ejes
cartesianos, de acuerdo con nuestra definición de los índices de Miller, para posteriormente usar
el mínimo común múltiplo de los denominadores como multiplicador de las fracciones, lo que
permite obtener los enteros que aparecen entre los paréntesis.
Para el plano de un cristal que pasa por el origen de los ejes cartesianos, los índices de Miller se
obtienen haciendo una traslación del plano a lo largo de un vector perteneciente a la red.
8.7.2. Distancia y ángulo entre los planos.
De las ecuaciones que describen los índices de Miller (ecuación 8.5) es posible derivar las
expresiones para el espaciamiento entre dos planos adyacentes y el ángulo que formarían dos
planos que se interceptan. Se ilustra mediante dos ejemplos.
Ejemplo 4.
Encuentre la distancia entre los planos (111) más cercanos entre sí.
Solución
De la ecuación 8.6 se obtiene que la distancia entre dos planos paralelos está dada por la
ecuación 8.10
221
a a
d= = [8.10]
K h + k2 +l2
2
Luego la distancia sería:

a a a
d= = =
K 1 +1 +1
2 2 2
3
Ejemplo 5.
Determine el ángulo entre los planos ABC y ADE de la red cúbica mostrada en la figura.
Solución
El ángulo entre dos planos puede ser hallado mediante la ecuación 8.11.
(h1h2 + k1k 2 + l1l2 )

Cos =
(h )( )
[8.11]
+ k1 + l1 h2 + k 2 + l2
2 2 2 2 2 2
1
En donde (h1k1l1) y (h2k2l2) corresponden a los índices de Miller de los planos en análisis.
Para nuestro caso los índices de Miller del plano ABC son (111), en tanto que para el plano
( )
ADE son. 111 .
Cos =
1x1 + 1x1 + 1x(−1)
(12
)(
+ 12 + 12 12 + 12 + (−1) 2 )
1 1
Cos = =
(3)(3) 3
1 1
Cos = =
(3)(3) 3
1
 = cos −1 = 70.52º
3
222
8.8. Ejercicios.
1. Encuentre que el factor de empaquetamiento para una celda bbc es igual a 0.68.
2. Encuentre que el factor de empaquetamiento para una celda hexagonal compacta es igual a
0.74.
3. Determine: (a) la dirección del vector ubicado en la red que se muestra en la figura (b) los
índices del plano mostrado.
4. Determine el ángulo entre los planos ABC y ABD de la red cúbica.
5. Encuentre la distancia de separación entre los dos planos (111) más cercanos entre sí.
6. Calcule la densidad superficial de átomos en un plano (110) de una celda bcc
7. Encuentra la densidad atómica de una celda bcc que presenta una constante de red a = 5Å
8. Calcule la densidad atómica del Germanio si su constante de red es a = 5.65 Å
9. Si la constante de red del silicio es 5.43 Å, encuentre la distancia que hay entre el centro de
un átomo de silicio y el centro del átomo más cercano.
223
10. La constante de red de una estructura fcc es 4.75 Å, encuentre la densidad superficial de los
planos (100) y (110).
11. Calcule el volumen de una celda fcc en términos del radio atómico R.
224

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Capítulo 7. Fenómenos de transporte.

En equilibrio térmico, un semiconductor tiene la misma temperatura del ambiente. El único

El transporte de carga en un semiconductor no se hace solamente por corriente de arrastre

Estos tres fenómenos estudian los cambios de la densidad de portadores móviles en un

7.2. Arrastre del portador en un campo eléctrico

Como es conocido, portadores bajo el efecto de un campo eléctrico origina un desplazamiento

La velocidad media de desplazamiento converge aun valor constante finito, llamado

Figura 7.1. Velocidad de arrastre.

7.2.1. Intensidad y resistencia

Estudiemos la densidad de corriente resultante de unos electrones desplazándose con una

Si consideramos una porción de conductor de sección A, que se encuentra bajo el influjo de un

Figura 7.2. Sección de conductor bajo el influjo de un campo eléctrico.

dQ1 = qn1Av1dt [7.7]

La intensidad total de corriente entonces es la suma de las corrientes anteriores.

En general si un conductor contiene un cierto número de partículas diversas con diferentes

Como la intensidad de corriente por unidad de sección se denomina densidad de corriente y se

En términos vectoriales, el vector densidad de corriente se define como

Encuentre que la densidad corriente que atraviesa un sector de semiconductor de longitud L y

Ahora definiendo n = N como el número de electrones por unidad de volumen obtenemos

La resistividad se define como la constante de proporcionalidad entre el campo eléctrico y la

El valor recíproco es llamado conductividad

Ahora si consideramos el caso de la densidad de corriente resultante de unos electrones

Luego, reemplazando vd por su equivalente dado en la ecuación 7.4

Obtenemos que la expresión 7.18 reproduce el valor para la conductividad

Sustituyendo la ecuación 7.5 de la movilidad en esta expresión obtenemos que la conductividad

Entonces encontramos nuevamente la expresión para densidad de corriente:

7.3. Difusión de portadores.

semiconductor de la región de mayor concentración de portadores a aquella de menor

La densidad de corriente de difusión es proporcional a la variación de la concentración de

7.3.1. Análisis de la difusión

A partir de una curva que describa la concentración de partículas dependiente de la posición.,

Figura 7.3. Concentración variable de portadores.

El número neto de electrones que pasa a través de xo es:

En el caso que se presentan corrientes de difusión simultáneamente con corrientes de arrastre

Y la densidad de corriente total en consecuencia viene dada por:

Si los mecanismos de difusión y arrastre son fenómenos termodinámicos estadísticos, las

7.4. Fenómeno de Generación – Recombinación.

El tercer fenómeno de conducción es el de generación – recombinación. Se denomina

La generación - recombinación puede presentarse de forma directa o indirecta: la recombinación

un hueco de la banda de valencia. La energía correspondiente a la banda prohibida es cedida por

En la recombinación indirecta, el objetivo también es que el electrón llegue a la banda de

Si se asume que inicialmente un estado intermedio está vacante, un electrón al decaer

La recombinación se denoto como R y representa el número de pares electrón-huecos que se

R = rnp R = R (n,p,T) => Para materiales fuera de equilibrio.

Adicionalmente la generación térmica solo depende de la temperatura y de las propiedades del

En equilibrio térmico la recombinación y generación térmica deben ser iguales, o sea

G(T ) = R(no , po , T ) = rno po = rni [7.44]

En situación de no equilibrio, por ejemplo, al hacer incidir luz en el material se produce un

En estado estacionario se tiene un índice de generación de exceso Gop donde se tiene

Donde n’ y p’ representan las concentraciones de portadores en exceso (electrones y huecos

p. En ese caso p = p 0 y los electrones minoritarios n = no + n´ .

n n´ p p´ [7.50]

1  p' (t ) p' (0)  [7.56]

1  p' (t )[no + po + p' (0)]  [7.57]

p' (t )[no + po + p' (0)] = p' (0)[no + po + p' (t )]e− r ( no + po )t [7.58]

p' (t )[no + po + p' (0) − p' (0)e − r ( no + po )t ] = p' (0)(no + po )e − r ( no + po )t [7.60]

p' (0)(no + po ) [7.62]

7.4.1. Baja inyección

Cuando el número de portadores inyectados es despreciable respecto a aquellos mayoritarios en

p' (t ) = p(t ) − po [7.66]

Figura 7.4.Comportamiento de los minoritarios con el tiempo.

En un intervalo de tiempo infinitesimal dt, el número de portadores minoritarios en exceso, en