Curs 8

Exemple de circuite logice

1
 1. Poarta logică NAND (ȘI‐NU) în tehnologie CMOS
A , B, Y = variabile logice;
A B Y = variabile logice;
A, B = intrari
Y = iesire  +VDD

A
PMOSA                             PMOSB Y
B
NAND
Y

NMOSB
B A       B        NMOSA     PMOSA  NMOSB   PMOSB       vO Y
0       0             OFF           ON           OFF          ON           VDD       1
0       1             OFF           ON           ON           OFF VDD       1
1       0             ON            OFF          OFF          ON           VDD 1
1       1             ON            OFF          ON           OFF              0         0      
A NMOSA

• ON = tranzistorul MOS lucreaza in regim de trioda
• vGSN > VTH       vDSN  0   NMOS
• vSGP > VTH       
TH vSDP  0   PMOS
• OFF = tranzistorul MOS lucreaza in regim de blocare
• vGSN < VTH       NMOS
• vSGP <  VTH       PMOS

2
 2. Circuite basculante – definiții, clasificare
Caracteristici generale: Reactia in circuite:
• circuite cu reacție; 
circuite cu reacție; • iesirea circ. este conectata la intrarea sa; 
iesirea circ. este conectata la intrarea sa;
• circuitele cu reacție sunt caracterizate de stări și au memorie; traseul care conecteaza iesirea la intrarea 
circuitului se numeste bucla de reactie;
• Circuitele basculante sunt caracterizate de 2 stări posibile; bucla de reactie
• tranziția circuitului între stări poate fi:
ț p
• autonomă, 
• comandată prin intermediul unei comenzi externe;  circuit 
electronic
 starea comandată se poate menține și după  intrare                                                                iesire
îndepărtarea comenzii;
p ;
•  circ. cu reactie = caracterizat prin faptul 
• Circuitele basculante au memorie: ca iesirea își influenteaza propria sa 
• aceasta proprietate se manifesta prin faptul ca valorile iesirilor  valoare (si implicit, functionarea 
depind de valorile intrarilor, dar si de starea anterioara in care s‐a 
p , circuitului);
);
aflat circuitul. Tipuri de reactie:
• reactie pozitiva: daca se introduce o 
Clasificarea circuitelor basculante: perturbatie pe bucla de reactie, iar aceasta 
• Circuite basculante bistabile (CBB): sunt caracterizare de 2 stari  are ca efect amplificarea perturbatiei 
p p
stabile; respective, reactia se numeste reactie 
pozitiva; (dacă răspunsul la perturbație, pe 
• Circuite basculante monostabile (CBM): sunt caracterizare de 1  bucla de reacție, determinat în punctul în 
stare stabila; sub actiunea unei comenzi externe, circuitul poate  care aceasta a fost introdusă, are același 
, ș
trece din starea stabila intr‐o stare instabila; ulterior, circuitul  sens de variație ca și perturbația respectivă 
revine autonom din starea instabila, in starea stabila, dupa un   reacție pozitivă)
interval de timp care depinde de stractura circuitului; • reactie negativa: bucla de reactie are ca 
efect eliminarea perturbatiei introduse pe 
p p
• Circuite basculante astabile (CBA): sunt caracterizate de 2 stari  bucla de reacție (perturbația și răspunsul 
instabile; tranzitia intre stari se face autonom; viteza de tranzitie  în punctul în care s‐a introdus perturbația 
intre stari depinde de structura circuitului. au sensuri opuse). 3
 3. Circuitul latch (circuitul de zăvorâre) – circuit de memorie

1 Q Q
VY
bucla de  1                           2 Q
reactie
bucla de 
reactie
punct sectiune pozitiva

2 Q VX X VZ
Schema circuitului latch perturbatie                                       raspuns la perturbatie

VY Analiza comportamentului circuitului se realizeaza 
Analiza comportamentului circuitului se realizeaza
caracteristica de transfer  prin sectionarea buclei de reactie in punctul X, 
VDD a inversorului 1
introducerea unei perturbatii VX in punctul de 
sectiune si monitorizarea efectului acesteia pe bucla 
de reactie până la revenirea in punctul de sectiune 
de reactie, până la revenirea in punctul de sectiune
X;
VDD  VDD VX VZ Identificarea tipului reactiei:
2 Se presupune ca la un moment dat perturbatia VX
VZ
VDD creste  VY scade (datorita inversorului 1)
creste  scade (datorita inversorului 1)  VZ 
caracteristica de transfer 
a inversorului 2
creste (datorita inversorului 2)  VX creste în 
VDD VDD continuare,  reactia este pozitiva deoarece sensul 
2 de variație al raspunsului la perturbatia introdusă, 
VDD  VDD VX determinat în punctul de secțiune X, este același cu 
determinat în punctul de secțiune X este același cu
sensul de variație al perturbației (efectul produs de 
VDD  VDD VY 2 către perturbație este amplificat de către bucla de 
caracteristica de transfer pe bucla de reactie 4
2 reacție).
 VZ
• Tranzitia intre starile circuitului este realizata datorita 
buclei de reactie pozitiva. Pentru analiza 
comportamentului circuitului, se sectioneaza bucla de 
t t l i i it l i ti b l d
reactie in punctul X, apoi se introduce o perturbatie VX si 
se urmareste efectul acesteia pe bucla de reactie, până la 
revenirea in punctul de sectiune X. 
VDD 2 • D
Daca circuitul nu se afla in niciuna din starile stabile, 
i it l fl i i i di t il t bil
atunci, acesta va tranzita automat in una din cele 2 stari 
stabile, datorită reacției pozitive:
Vy = VX • daca circuitul se află in starea instabila 3 si 
VDD 3 perturbatia V
t b ti VX creste t VY scade 
d VZ = V
VX creste, 
t
deci perturbatia VX crește prin intermediul reacției 
2
si in final, prin acest mecanism, VX atinge valoarea 
VDD, care corespunde starii stabile 2.
1 • daca circuitul se afla in starea instabila 3 si 
d i it l fl i t i t bil 3 i
VX perturbatia VX scade  VY creste  VZ = VX scade, 
VDD VDD deci perturbatia VX scade în continuare si in final, 
VX ajunge la valoarea 0, care corespunde starii 
• Starile circuitului sunt indicate de catre punctele 
p
stabile 1.
t bil 1
de intersectie ale caracteristicii de transfer pe 
• daca, VX sufera o usoară modificare în jurul valorii 0, care 
bucla de reactie, cu dreapta de ecuatie VY = VX
nu este suficient de puternica incât circuitul sa ajunga in 
• punctele 1 si 2 indica starile stabile, iar punctul 3 starea instabila 3,  VY ramane in nivelul logic 1,  VZ = 
indica starea instabila a circuitului, in care acesta 
d bl l 0  VX = 0 0 deci circuitul ramane in starea stabila 1; 
d i i it l i t t bil 1
ajunge la tranzitia dintr‐o stare stabila in cealalta; analog, daca VX sufera o usoara modificare in jurul valorii 
VDD, circuitul ramane in starea stabila 2; 
• in starile stabile 1 si 2, tranzistoarele celor 2  • circuitul comuta intre cele 2 stari stabile (1  2 sau 2 
inversoare se afla fie in regiunea de blocare fie in 
fl f d bl f 1) numai sub actiunea unei comenzi externe suficient de
1) numai sub actiunea unei comenzi externe suficient de 
regiunea de trioda, iar in starea instabila 3 toate  puternice, care forteaza circuitul sa ajunga in regiunea de 
tranzistoarele sunt active. tranzitie 3 a caracteristicii de transfer. 5
 > 2×tP
4. a. Circuit basculant bistabil de tip SR cu porți logice NOR ‐ circuit de 
memorie

R
Q R , S, Q, Q = variabile logice

R S intrari
R, S = intrari
bucla de 
reactie Q, Q = iesire 
> 2×tP

S Q

• comanda trebuie menținuta pentru o durată de timp cel puțin egală cu 2×t
comanda trebuie menținuta pentru o durată de timp cel puțin egală cu 2×tP, ttP  P = timpul de propagare prin poarta 
timpul de propagare prin poarta
logică NOR.
• element de circuit sensibil la modificările accidentale ale valorilor variabilelor de intrare S, R, care pot fi generate 
de către circuitele conectate la intrările respective  informația memorată în circuit poate fi alterată de variațiile 
accidentale ale valorilor semnalelor de intrare (circuitul este transparent la aceste variații)
accidentale ale valorilor semnalelor de intrare (circuitul este transparent la aceste variații).

Tabelul de adevar al circuitului
stare circuit S R Qn+1 Qn+1
memorare 0       0              Qn Qn
reset 0       1              0                1    stare interzisă: 
dacă ambele intrări au valori 1, R = S = 1 Qn+1
set 1
1       0             
0 1
1                0   
0 = Qn+1 = 0, iar după încetarea comenzii nu se 
1       1              ‐ ‐ poate anticipa spre ce stare evoluează circuitul.

6
 b. Circuit basculant bistabil de tip SR cu porți logice NOR si semnal de 
control (gated SR Flip‐Flop) ‐ circuit de memorie
R
Q EN = intrare de control a activării 
circuitului 

EN bucla de reactie R, S = intrari de date

Q, Q = iesiri de date

Q
S

• prin introducerea unui semnal 
suplimentar de control – semnalul de 
activare EN, transparența circuitului  Tabelul de adevar al circuitului
basculant SR la modificările valorilor 
basculant SR la modificările valorilor EN R       S          Qn+1 Qn+1 stare circuit
intărilor de date S și R este controlată;
• circuitul este transparent la intrările  0         X       X            Qn Qn
memorare
de date dacă semnalul EN = 1; dacă 1         0       0
EN 0 circuitul memorează
EN = 0, circuitul memorează  1
1         0       1             0                1   
0 1 0 1 reset
informația, indiferent de variațiile  1         1       0             1                0    set
valorilor intrărilor de date S și R 1         1       1               ‐ ‐
stare interzisă
(circuitul nu mai este transparent);

7
c. Exemplu de circuit basculant bistabil de tip SR cu semnal de ceas implementat în 
tehnologie CMOS

+VDD +VDD

Q
PMOS1 PMOS2

Q
NMOS1 NMOS2

NMOS NMOS
S R

EN NMOS NMOS

8
Amplificatoare 
Amplificatoare

9
 5. Comportarea cu frecvența a amplificatoarelor electronice – parametri și caracteristici 
de regim permanent pentru amplificatoarele electronice
sursa alimentare
borne alimentare

C1 borne borne
C2
intrare iesire
sarcina
iI(t) iO(t)

Generator
semnal vI(t) AMPLIFICATOR vO(t) RL
(informația)

vI = tensiune de intrare vO = tensiune de ieșire

iI = curent de intrare iO = curent de ieșire
ș

Sursa de alimentare = furnizează energie electrică circuitului;

Generatorul
G t l de
d semnall = furnizează
f i ă informația
i f ți îîn circuit
i it - reprezentată
t tă sub
b fforma uneii mărimi
ă i i electrice
l t i (t (tensiune/curent);
i / t)
pentru amplificatoarele de semnal, conectarea generatorului de semnal se realizează de obicei prin intermediul unui
condensator;

Amplificatorul - amplifică informația; nu modifică forma de undă a mărimii electrice variabile care reprezintă informația;

Sarcina = preia informația amplificată de către amplificator; pentru amplificatoarele de semnal, conectarea sarcinii la
amplificator se realizează de regulă prin intermediul unui condensator;
10
 Expresia generală a factorului de amplificare

AX 
xO

   X o  exp j  
X o  exp j   xO

  xI 
Xo
 exp  j    x = curent
X i  exp  j   x  X i
x
xI O
Xi sau tensiune
I

AX  j     AX  j     exp j  

• modulul amplificarii = numar • defazajul dintre cele 2 mărimi

real;
• graficul variației modulului
factorului de amplificare cu
frecvența/pulsația de lucru a
amplificatorului reprezintă
caracteristica de frecvența
a acestuia.
t i
implicate în raport (xO şi xI);
• graficul variației defazajului dintre
mărimea electrică de ieșire si
mărimea electrică de intrare, cu
frecvența/pulsația de lucru a
amplificatorului reprezintă
caracteristica
t i ti de d fază
f ă a acestuia.
t i

11
 Caracteristica de frecventa
= graficul variatiei modulului factorului de amplificare (câştigului) in functie de 
f
frecventa de lucru a amplificatorului
d l lifi l i

AX  j     AX  j     exp j  

Amplificatoare de bandă largă Amplificatoare de bandă îngustă

Exprimarea
p valorii modulului factorului de amplificare
p în Decibeli:

AX  j    dB  20 log  AX  j    

câștigul amplificatorului
12
 Caracteristica de frecvență pentru amplificatoare de bandă largă

Amplificarea in banda = amplificarea in mijlocul benzii de frecventa

fO fO

Reprezentarea caracteristicii de
domeniull
domeni domeniul domeniul
d i l frecvență în scara logaritmica
frecvențelor frecvențelor frecvențelor
joase medii înalte

13
 Parametrii caracteristicii de frecventa a amplificatorului

f
frecventa
t limita
li it inferioara
i f i f
frecventa
t limita
li it superioara
i

• frecvențele caracteristice definesc limitele benzii de frecvență (benzii de trecere) a amplificatorului, unde
banda de frecvență reprezintă domeniul de valori a frecvenței de lucru a amplificatorului în care se
consideră
id ă că
ă acesta
t amplifică;
lifi ă
• prin convenție, frecvențele caracteristice ale amplificatorului sunt frecvențele de lucru ale acestuia la care
modulul amplificării scade de 1/2 ori fata de valoarea sa maximă (valoarea din mijlocul benzii), respectiv,
atunci când reprezentarea se face în scară logaritmică, frecvențele de lucru la care câștigul
amplificatorului
lifi t l i scade
d cu 3dB fațăf ță d
de valoarea
l sa maximă;
i ă
• amplificatoarele au o frecvență limită inferioară notată fJ, respectiv o frecvență limită superioară, notată fS;
• banda de frecvență (banda de trecere) a amplificatorului, notată cu B, reprezintă diferența dintre cele
două frecvențe limită:

def
B  fS  f J 14
 Clasificare amplificatoare în funcție de valoarea frecvenței inferioare fJ

amplificatoare de curent continuu: fJ = 0[Hz];

amplificatoare de semnal: fJ > 0[Hz];

15
 Caracteristica de faza 
= graficul variatiei defazajului dintre semnalul de iesire si cel de intrare, in functie de 
frecvența de lucru a amplificatorului

AX  j     AX  j     exp j   Semnal intrare

+ +
0  _ 2 _

Defazajul
de  + +
 2
0 _ _

Semnal ieşire

16
• Specificarea răspunsului la înaltă frecvență 
p p ț
pentru TBJ și TECMOS
• ‐ prezentat la tablă.

17
 Curs 9
Analiza amplificatoarelor pe domenii de 
f
frecvență, utilizând scheme echivalente, 
ță tili â d h hi l t
valabile în fiecare domeniu de frecvență
valabile în fiecare domeniu de frecvență

18
În cazul amplificatoarelor de bandă largă, d.p.d.v a frecvenței de funcționare, se pot scoate în evidență 3 
p g , p ț ț , p ț
domenii de frecvență:
• domeniul frecvențelor joase
• domeniul frecvențelor medii
• domeniul frecvențelor înalte
d i lf ț l î lt

Amplificarea in mijloc de banda

fO
fO

Reprezentarea caracteristicii de
domeniul domeniul domeniul frecvență în Decibeli:
frecvențelor frecvențelor frecvențelor
joase medii înalte

19
Deducerea caracteristicii de frecvență într‐o singură expresie, valabilă pentru întreg domeniul 
ț g p , p g
de frecvență, presupune determinarea unei funcții de transfer de ordin superior. Mai jos se 
consideră un exemplu de funcție de transfer a unui amplificator:

s  s   z1   s   z 2 
A j     A( s )  k 
( s   p1 )  ( s   p 2 )  ( s   p 3 )  ( s   p 4 )

unde Z1, Z2  reprezintă zerourile funcției de transfer, iar P1, P2 , P3, P4 reprezintă polii 
acesteia. 
acesteia
Pentru analiza comportamentului amplificatorului în diferite domenii de frecvență este 
preferabilă utilizarea unor funcții de transfer de ordin redus, valabile numai pentru domeniul 
de frecvență în care comportamentul amplificatorului este analizat
de frecvență în care comportamentul amplificatorului este analizat.
Pentru a exemplifica modul în care funcția de transfer se poate simplifica în funcție de 
domeniul de frecvență considerat pentru analiză, se presupune că polii și zerourile funcției de 
transfer se grupează pe domeniile de frecvență considerate astfel
transfer se grupează pe domeniile de frecvență considerate astfel
‐ în domeniul frecvențelor joase: Z1, P1, P2 
‐ în domeniul frecvențelor înalte: Z2, P3, P3

20
În ipoteza că polii și zerourile sunt grupate așa cum s‐a stabilit anterior, separarea 
expresiei funcției de transfer în variante mai simple, valabile pentru diferite domenii de 
f
frecvență, se poate realiza astfel:
ă l f l
‐ în domeniul frecvențelor medii (MB): Z1, P1, P1 <<  |s| <<  Z2, P3, P4 
|AMB(s)|

s  s z2  z 2 not A0
AMB ( s )  k  k  Ao
s  s   p3   p 4  p3   p 4

0
‐ în domeniul frecvențelor joase: |s| << Z2, P3, P4 
s  s   z1    z 2 |AJF(s)|
AJF ( s )  k 
( s   p1 )  ( s   p 2 )   p 3   p 4 A0

s  s   z1  
AJF ( s )  A0  0 z1 p1 p2
( s   p1 )  ( s   p 2 )

‐ în domeniul frecvențelor inalte: |s| >> Z1, P1, P1 
s  s  s   z 2 
|AIF(s)|
AIF ( s )  k  A0
s  s  ( s   p3 )  ( s   p 4 )

s  z2 
AIF ( s )  k  0 p3 p4 z2
( s   p3 )  (s   p 4 ) 21
Analiza comportamentului în frecvență a amplificatoarelor se realizează în 2 etape:

1. Se analizează comportamentul amplificatorului în regim de curent continuu; scopul analizei constă în 
determinarea Punctului Static de Funcționare al tranzistoarelor amplificatorului; pentru ca 
amplificatorul să nu introducă distrosiuni, TBJ trebuie să lucreze în R.A.N, iar TEC‐MOS trebuie să 
lucreze în regiunea de saturație
lucreze în regiunea de saturație.
• analiza amplificatorului în regim de curent continuu se realizează pe baza unui circuit 
echivalent, valabil în regim de curent continuu, determinat astfel:
• se pasivizează sursele independente de tensiune, sau de curent, variabile (generatoarele 
de semnal) 
• sursele independente de tensiune variabilă se înlocuiesc între borne cu un 
scurtcircuit;
• sursele independente de curent
sursele independente de curent variabil se înlocuiesc între borne cu un gol (circuit 
variabil se înlocuiesc între borne cu un gol (circuit
întrerupt).
• condensatoarele se înlocuiesc între terminale cu un gol (în regim de curent continuu, 
curentul electric prin condensator este nul)  se elimină din circuitul inițial toate ramurile 
de circuit care conțin condensatoare.

2. Se analizează comportamentul amplificatorului în regim variabil de semnal mic – continuare pe slide‐ul 
următor.
următor

22
Analiza comportamentului în frecvență a amplificatoarelor se realizează astfel:
2. Se analizează comportamentul amplificatorului în regim variabil de semnal mic; comportamentul amplificatorului în 
fiecare domeniu de frecvență este realizat pe baza unui circuit echivalent de semnal mic, valabil în domeniul respectiv:
a circuitul echivalent de semnal mic, valabil în domeniul frecvențelor joase, se obține astfel:
a. circuitul echivalent de semnal mic valabil în domeniul frecvențelor joase se obține astfel:
• se pasivizează sursele independente de tensiune, sau de curent continuu (sursele de alimentare) 
• sursele independente de tensiune continuă = scurtcircuit;
• sursele independente de curent continuu = gol.
• tranzistoarele se înlocuiesc cu circuitele echivalente valabile în regim de semnal mic în domeniul
tranzistoarele se înlocuiesc cu circuitele echivalente, valabile în regim de semnal mic, în domeniul 
frecvențelor joase și medii (nu includ și capacitățile parazite).
• condensatoarele amplificatorului se păstrează în circuitul echivalent, deoarece influențează 
comportamentul amplificatorului (condensatoarele păstrate în circuitul echivalent sunt condensatoarele 
de decuplare/cuplare ale amplificatorului care au capacități electrice de valori mari de regulă, minim de 
de decuplare/cuplare ale amplificatorului, care au capacități electrice de valori mari – de regulă minim de
ordinul zecilor de µF).
b. circuitul echivalent de semnal mic, valabil în domeniul frecvențelor medii, se obține astfel:
• se pasivizează sursele independente de tensiune, sau de curent continuu (sursele de alimentare) 
• sursele independente de tensiune continuă = scurtcircuit;
sursele independente de tensiune continuă = scurtcircuit;
• sursele independente de curent continuu = gol.
• tranzistoarele se înlocuiesc cu circuitele echivalente valabile în regim de semnal mic, în domeniul 
frecvențelor joase și medii (nu includ și capacitățile parazite).
• condensatoarele de decuplare/cuplare ale amplificatorului se înlocuiesc între terminale cu scurtcircuite, 
de decuplare/cuplare ale amplificatorului se înlocuiesc între terminale cu scurtcircuite
deoarece reactanța acestora tinde la 0 ohmi, în domeniul frecvențelor medii, capacitatea electrică a 
acestora condensatoare fiind mare (zeci – sute de microfarazi).
c. circuitul echivalent de semnal mic, valabil în domeniul frecvențelor înalte, se obține astfel:
• se pasivizează sursele independente de tensiune sau de curent continuu (sursele de alimentare) 
se pasivizează sursele independente de tensiune, sau de curent continuu (sursele de alimentare) 
• sursele independente de tensiune continuă = scurtcircuit;
• sursele independente de curent continuu = gol.
• tranzistoarele se înlocuiesc cu circuitele echivalente valabile în regim de semnal mic, în domeniul 
frecvențelor înalte ‐ includ și capacitățile parazite ‐
frecvențelor înalte ‐ includ și capacitățile parazite ‐ influențează comportamentul amplificatorului.
influențează comportamentul amplificatorului
• condensatoarele de decuplare/cuplare ale amplificatorului se înlocuiesc între terminale cu scurtcircuite, 
deoarece reactanța acestora tinde la 0 ohmi, în domeniul frecvențelor înalte, capacitatea electrică a 
23
acestora condensatoare fiind mare (zeci – sute de microfarazi).
Amplificator elementar cu tranzistor MOS  în conexiunea sursă comună

+VDD

RD
CL
sarcina
Rg CG
RL vo
+
vg RG
‐
I CS

generator  ‐VSS
semnal

24
 Analiza comportamentului amplificatorului în regim de curent continuu
Se realizează pe baza unui circuit echivalent, valabil în regim de curent continuu, determinat prin înlocuirea fiecărui condensator între 
terminalele sale cu un gol (în regim de curent continuu curentul electric prin condensator este nul)  se elimină din circuitul inițial toate 
terminalele sale cu un gol (în regim de curent continuu, curentul electric prin condensator este nul)  se elimină din circuitul inițial toate
ramurile care conțin condensatoare:

+VDD +VDD

RD RD
CL
sarcina
Rg ID
CG IG = 0
RL vo VDS
+ VGS
vg RG RG
‐
I CS I

generator  ‐VSS se elimină ‐VSS

semnal
se elimină

Scopul analizei este de a determina Punctul 
p ID  I
Static de Functionare al tranzistorului = (ID,  V DD  I D  R D  V DS  V GS  I G  R G  0
VDS); pentru ca amplificatorul să nu introducă  
distrosiuni este necesar ca tranzistorul MOS să  V DS  V DD  V GS  I  R D 0
lucreze în regiunea de saturație.
ID I
Calcul PSF:
Calcul PSF:  V GS  V TH   V TH 
k k
I
V DS  V DD  V TH   I RD 25
k
 Analiza comportamentului amplificatorului în regim variabil de semnal mic
Se realizează pe baza unui circuit echivalent,  Analiza comportamentului în regim variabil de 
valabil în regim variabil de semnal mic
valabil în regim variabil de semnal mic,  semnal mic, în domeniul frecvențelor medii
semnal mic, în domeniul frecvențelor medii
particularizat pe domeniul de frecvență  Analiza se efectuează pe baza unui circuit 
considerat pentru analiză. echivalent, valabil în acest domeniu de frecvență, 
RD care se obține astfel:
CL • se pasivizează sursele independente de 
D sarcina
tensiune continuă VDD și VSS, care se 
tensiune continuă VDD și VSS care se
Rg CG
gmvgs
G înlocuiesc între terminale cu un scurtcircuit și 
sursa de curent continuu I, care se înlocuiește 
vgs RL vo între terminale cu un gol.
+ • tranzistoarele se înlocuiesc cu circuitele 
vg RG
S
echivalente valabile în regim de semnal mic, în 
‐ CS domeniul frecvențelor joase și medii (nu 
includ și capacitățile parazite)
• condensatoarele amplificatorului se înlocuiesc 
Rg G D între terminale cu scurtcircuite, deoarece 
,
reactanța acestora tinde la 0 ohmi în domeniul 
frecvențelor medii, capacitatea electrică a 
+
vg RG vgs gmvgs RD RL vo
acestor condensatoare fiind mare (zeci – sute 
de microfarazi).
‐ Scopul analizei: determinarea  vo
S amplificării in tensiune A VG0:
Avg0 
vg
legea lui Ohm pentru RDL
R R
RDL  D L R R
RD  RL vo  gm  vgs  RDL  gm  vgs  D L
Rg G D RD  RL
RG‐Rg = divizor de tensiune pentru vg

+ RG
vgs   vg
vg RG vgs gmvgs RDL vo RG  Rg
‐ RG R R Amplificarea in 
S Avg0  gm  D L tensiune in 
RG  Rg RD  RL domeniul 
26
frecvențelor medii
Analiza comportamentului în regim variabil de semnal mic, în domeniul frecvențelor joase

Analiza se efectuează pe baza unui circuit echivalent, valabil în acest domeniu de frecvență, care se obține astfel:
Analiza se efectuează pe baza unui circuit echivalent valabil în acest domeniu de frecvență care se obține astfel:
• se pasivizează sursele independente de tensiune continuă VDD și VSS, care se înlocuiesc între terminale cu un 
scurtcircuit și sursa de curent continuu I, care se înlocuiește între terminale cu un gol.
• tranzistoarele se înlocuiesc cu circuitele echivalente valabile în regim de semnal mic, în domeniul frecvențelor 
joase și medii (nu includ și capacitățile parazite)
joase și medii (nu includ și capacitățile parazite).
• condensatoarele circuitului se pastreaza in circuitul echivalent deoarece influenteaza comportamentul 
amplificatorului.

RD
CL

Rg CG D
G gmvgs
vgs
RL vo
+
vg RG S
‐ CS

Scopul analizei: determinarea amplificării in tensiune în domeniul frecvențelor joase

Scopul analizei: determinarea amplificării in tensiune în domeniul frecvențelor joase A vgJF:

vo
AvgJF 
vg

27
 Circuitul echivalent poate fi aranjat sub forma indicată mai jos, utilizată în calcule; în circuitul de mai jos s‐a notat prin vX tensiunea pe RG.

Rg CG vgs S CL
G D
io vo vo v gs v x
+ gmvgs AvgJF    
vg v gs v x v g
vg RG vx CS RD RL vo
‐
Rapoartele utilizate în calculul 
amplificării A vgJF se pot determina 
divizor de tensiune: vg se  divizor de curent: gmvgs separat.
divide pe Rg ‐
p g CG si RG se divide pe RD, CL ‐
p RL

1. Divizor de tensiune: 3. Divizor de curent:
RG RD
vx   vg io   gm  vgs
1 1
RG  Rg  RD  RL 
s  CG s  CL
vx RG s RG s
    Legea lui Ohm pentru RL:
vg RG  Rg s  1 RG  Rg s  P1
RD  RL
( RG  Rg )  CG vo  io  RL    gm  vgs
  1
P1 RD  RL 
s  CL
vo R R s
2 S
2. Se aplică TK2 pe bucla vx, vgs, CS:
li ă TK2 b l CS   gm  D L
1 vgs RD  RL s  1
vx  vgs  gm  vgs  ( RD  RL )  CL
s  CS  
vgs P 3
s s
  vo R R
vx s  gm s  P2   gm  D L
s
CS vgs RD  RL s  P3

P 2 28
vx RG s
 
vg RG  Rg s  P1

vgs s RG R R s s s
 AvgJF ( s)   g m   D L   
vx s  P 2 RG  Rg RD  RL s  P1 s  P 2 s  P3

vo R R s
Avg 0
  gm  D L
vgs RD  RL s  P3 amplificarea in tensiune in 
medie frecventa

s3
AvgJF (s)  Avg 0 
( s  P1)  (s  P 2 )  ( s  P3 )
amplificarea in tensiune in joasă frecventa

Funcția de transfer are 3 zerouri în origine, iar P1, P2, P3 reprezintă polii funcției de transfer a 
amplificatorului în domeniul frecvențelor joase. 

1 gm 1
P1  P2   P3 
( RG  Rg )  CG CS ( RD  RL )  CL

Deoarece panta g
Deoarece panta gm a tranzistorului are o valoare supraunitară, iar RG, RD și RL au de regulă valori minime 
a tranzistorului are o valoare supraunitară, iar RG, RD și RL au de regulă valori minime
de ordinul kiloohmilor, se poate considera că P2  >> P1, P3. Polul P2 se numește pol dominant și 
domină comportamentul amplificatorului în domeniul frecvențelor joase, așa cum se poate observa din 
diagrama Bode a amplificatorului în joasă frecvență.

29
 |AJF(s)|
Diagrama Bode a amplificatorului în joasă frecvență

Avg0

p1 p3 p2 

0

Cele 3 zerouri din origine ale funcției de transfer determină o creștere cu 3×20dB/dec = +60dB/dec, de la 
valori ale pulsației de lucru a amplificatorului  = 0, iar fiecare pol P1, P3, P2 determină a reducere a 
creșterii respective cu ‐20db/dec.

Polul dominant P2 
P2 reprezintă polul de la care amplificarea în tensiune scade de la valoarea maximă, 
p p p ,
valabilă în domeniul frecvențelor medii, cu ‐20dB/dec.
gm 2  k  I D
P2  
CS CS

Valoarea polului dominant P2 este stabilită de către valoarea capacității electrice a condensatorului 
conectat în sursa tranzistorului și a curentului de drenă, stabilit în punctul static de funcționare. Pentru 
extinderea benzii de frecvență a amplificatorului se recomandă utilizarea unor condensatoare în sursa
extinderea benzii de frecvență a amplificatorului se recomandă utilizarea unor condensatoare în sursa 
tranzistorului MOS de capacitate electrică mare (uzual, sute de microfarazi) și reducerea curentului 
continuu în drena acestuia. 30
 Curs 10

• Unilateralizarea amplificatoarelor – teorema lui Miller
• Analiza amplificatorului cu TEC în conexiunea Sursă Comună, 
Analiza amplificatorului cu TEC în conexiunea Sursă Comună
în domeniul frecvențelor înalte

31
 Unilateralizarea amplificatoarelor
Teorema lui Miller
Unilateralizarea amplificatorului are drept scop echivalarea unei impedanțe electrice, conectate între ieșirea și intrarea amplificatorului 
p p p p ț , ș ș p
cu efectul acesteia la intrarea, respectiv la ieșirea amplificatorului respectiv  prin unilateralizarea amplificatorului, se obține un circuit 
echivalent în care efectul impedanței Z, conectată între ieșirea și intrarea amplificatorului, este echivalat între bornele de intrare ale 
amplificatorului printr‐o impedanță echivalentă Z1 și între bornele de ieșire ale amplificatorului printr‐o impedanță echivalentă Z2. 
Z
Z

i1 1 i2 2 i1 i2

+ A v Z1 + A v
v1 ‐ V 1 v2 v1 ‐ V 1 v2 Z2

amplificator initial amplificator unilateralizat

v1  v2 v2  v1 v1 v2
i1  i2  v2  AV  v1 i1  i2  v 2  AV  v1
Z Z Z1 Z2

Circuitul obținut prin unilateralizarea i1  i1 v1  v1
amplificatorului este echivalent cu  amplificat or _ initial amplificat or _ unilateral izat amplificat or _ initial amplificat or _ unilateral izat
circuitul inițial, dacă mărimile  
i2 i2 v2  v2
electrice v1, i1, v2, i2 se păstrează 
amplificat or _ initial amplificat or _ unilateral izat amplificat or _ initial amplificat or _ unilateral izat
egale în ambele circuite:

v1  v2 v1 v1  AV  v1 v1 1 v2  v1 v2 AV  v1  v1 AV  v1 AV
  Z1  Z   Z2  Z
Z Z1 Z Z1 1  AV Z Z2 Z Z2 AV 1
32
Analiza comportamentului în regim variabil de semnal mic, în domeniul frecvențelor înalte

Analiza se efectuează pe baza unui circuit echivalent, valabil în acest domeniu de frecvență, care se obține astfel:
Analiza se efectuează pe baza unui circuit echivalent valabil în acest domeniu de frecvență care se obține astfel:
• se pasivizează sursele independente de tensiune continuă VDD și VSS, care se înlocuiesc între terminale cu un 
scurtcircuit și sursa de curent continuu I, care se înlocuiește între terminale cu un gol.
• tranzistoarele se înlocuiesc cu circuitele echivalente valabile în regim de semnal mic, în domeniul frecvențelor 
înalte (includ și capacitățile parazite)
înalte (includ și capacitățile parazite).
• condensatoarele circuitului se înlocuiesc cu scurtcircuite între terminale (deoarece la aceste frecvențe de lucru 
reactanța lor tinde la 0 ohmi).

RD
CL
Cgd D sarcina
Rg G
gmvgs
RL vo
+ Cgs S
vg RG
‐ vgs

Circuitul de mai sus poate fi pus sub o formă mai convenabilă pentru 
calcule, care este indicată în slide‐ul următor

33
 Rg Cgd
G D G D

+
vg RG Cgs vgs gmvgs RD RL vo vi vgs gmvgs RDL vo
‐
S S

R R
RDL  D L Pentru unilateralizarea amplificatorului, este 
RD  RL necesar să se determine amplificarea în tensiune 
AV0 a circuitului în domeniul frecvențelor medii (în 
Unilateralizarea amplificatorului: efectul lui Cgd
Unilateralizarea amplificatorului: efectul lui Cgd circ echivalent nu sunt introduse capacitățile
circ. echivalent nu sunt introduse capacitățile 
este echivalat la grila, respectiv drena tranzistorului  parazite), determinată ca raport între tensiunile 
 un circuit de calcul mai usor de abordat măsurate din nodurile în care este conectată 
impedanța echivalată prin teorema lui Miller 
Rg G D (drenă‐masă, respectiv grilă‐masă):

vo  gm  vgs  RDL
+ AV 0  
vg RG Cgs C1 vgs gmvgs C2 RDL vo
vi vgs

‐ AV 0  gm  RDL
S

Cin  Cgs  C1
1 AV 0
Z1  Z Z2  Z
1  AV 0 AV 0 1
1

1 1 1 1  gm  RDL 1
   
s  C1 1  gm  RDL s  Cgd s  C2  gm  RDL 1 s  Cgd
 
1

C1  1 gm  RDL  Cgd C2  Cgd

34
 Circuitul final, utilizat în calcule
Rg G D
io
+
vg RG Cin vgs gmvgs Cgd RDL vo
‐
S

Cin  Cgs  1 gm  RDL   Cgd

1 Di i or de tensi ne vg se divide pe Rg si gruparea paralel RG, Cin
1. Divizor de tensiune: g se di ide pe Rg si gr parea paralel RG Cin 2 Di i
2. Divizor de curent:
d t gmvgs se divide pe Cgd si RDL
di id C d i RDL

1
RG  1
s  Cin s  Cgd
1 1 io   gm  vgs
RG  RG  1
s  Cin s  Cin  RDL
vgs   vg vgs   vg s  Cgd
RG 
1  1  1
Rg   RG    RG 
s  Cin 
s  Cin 1 1
Rg   s  Cin io   gm  vgs io   gm  vgs
1 1  RDL  Cgd  s s
RG    1
s  Cin 1 P 2 P2

Legea lui Ohm pentru RDL:
RG 1
vgs    vg
Rg  RG  Rg  RG  gm  vgs
1  C  s vo  io  RDL    RDL
 Rg  RG  in s
   1
1 P1 P2
vgs vo g R
RG 1  io  RDL   m DL
  vgs s
vg Rg  RG 1  s 1
P1 P2
35
vo g R
 io  RDL   m DL
vgs s
1
P2 RG R R 1 1
IF ( s)   g m 
AvgIF  D L  
vgs RG  Rg RD  RL 1  s 1  s
RG 1
  P1 P 2
vg Rg  RG 1  s
Avg 0
P1
amplificarea in tensiune in 
amplificarea in tensiune in
medie frecventa

1
g ( s)  Avgg 0 
AvgIF
 s   s 
1    1  
  P1    P2 
amplificarea in tensiune in înaltă frecvență

Funcția de transfer exprimată în domeniul frecvențelor înalte are 2 poli: P1, P2. 
1 1 1
P1  P1  P2 
 RG  Rg  G [Cgs  (1  gm  RDL )  Cgdd ]
RGg RDL  Cgd
 C
 RG  Rg  in

RGg

Pentru valorile uzuale utilizate în amplificatorele de tensiune cu tranzistoare MOS, 
P t l il l tili t î lifi t l d t i t it MOS P2  >> 
>> P1.
Polul P1 se numește pol dominant și domină comportamentul amplificatorului în domeniul frecvențelor 
înalte, așa cum se poate observa din diagrama Bode a amplificatorului, reprezentată în domeniul 
frecvențelor înalte.
ț

36
 Diagrama Bode a amplificatorului în înaltă frecvență
|AIF(s)|

Avg0
Fiecare pol al funcției de transfer a 
amplificatorului P1, P2 determină a 
reducere a factorului de amplificare în 
tensiune cu ‐20dB/dec.


0 p1 p2

P l ld i
Polul dominant  P1 determină pulsația limită superioară 
d i ă l i li i ă i ă S a benzii de frecvență a amplificatorului:
b ii d f ă lifi l i
1
S  2    f S 
RGg [Cgs  (1  gm  RDL )  Cgd ]

Valoarea pulsației limită superioară S este redusă din cauza capacității parazite cgd, care este conectată 
între intrarea și ieșirea amplificatorului. Din acest motiv, prin efect Miller, în expresia de calcul a valorii 
pulsației limită superioară 
p ț p S capacitatea c
S, p gd apare la numitorul acesteia, amplificată cu valoarea factorului 
p , p
de amplificare în tensiune gmRDL a amplificatorului neconectat la generatorul de semnal vg. 
Se constată astfel că un etaj de amplificare este caracterizat de un produs amplificare – bandă frecvență 
constant, AVg0fS = constant, relație care este interpretată astfel: un amplificator care are un factor de 
amplificare mare are o frecvență limită superioară redusă (amplifică până la frecvențe superioare relativ 
lifi f ță li ită i ă d ă( lifi ă â ă l f ț i l ti
mici), respectiv invers, un amplificator care are o valoare mare a frecvenței limită superioară (amplifică 
până la frecvențe superioare relativ mari), are un factor de amplificare mic. 37
Valoarea pulsației limită superioară S este invers proporțională cu valoarea rezistenței rezistorului de 
sarcină RL. Din acest motiv, în cazul în care ieșirea amplificatorului se scurtcircuitează RL = 0 (amplificatorul 
lucrează în scurtcircuit), valoarea pulsației limită superioară S își atinge valoarea sa maximă:
1
S max  2    f S max 
RGg [Cgs  Cgd ]

Valoarea maximă a pulsației de lucru a amplificatorului până la care acesta poate amplifica este egală cu 
Valoarea maximă a pulsației de lucru a amplificatorului până la care acesta poate amplifica este egală cu
valoarea minimă dintre valoarea pulsației limită superioară S și valoarea maximă a pulsației până la care 
tranzistorul MOS poate amplifica, dată de către pulsația de tranziție T a acestuia:
 
max  minS max, T  max  min 1
,
gm 
 RGg  [Cgs  Cgd ] Cgs  Cgd ] 
 

Din expresiile pulsațiilor Smax

Din expresiile pulsațiilor  S și T se poate deduce următoarea relație între acestea:
și  se poate deduce următoarea relație între acestea:
T
S max 
gm  RGg
d l ă ă Smax << T. Astfel, pulsația maximă de lucru a amplificatorului, până la care acesta 
din care rezultă că  f l l ăd l lf l â ăl
poate amplifica este
max  S max 1 T
max  2    f max  
RGg [Cgs  Cgd ] gm  RGg

Se constată faptul că, din cauza capacității Cgd conectată între ieșirea și intrarea amplificatorului, care 
prin efect Miller este multiplicată la intrarea cu valoarea amplificării în tensiune în domeniul
prin efect Miller este multiplicată la intrarea cu valoarea amplificării în tensiune în domeniul 
frecvențelor medii, pulsația (frecvența) maximă până la care amplificatorul poate amplifica este mult 
mai mică decât valoarea pulsației (frecvenței) de tranziție a tranzistorului MOS. 38