Universitatea "Politehnica" din Bucureşti

Facultatea de Inginerie Mecanică si Mecatronică

Departamentul de Mecatronică si Mecanică de Precizie

(FOTO)LITOGRAFIA

Prof. Dr. Ing. Georgeta Ionaşcu

Curs MNT
 lm = λ g
a) si b)

λ
lm =
A
c) si d)

A = n ⋅ sin θ
Principii de expunere optica : (a) prin contact, (b) in
proximitate, (c) prin proiectie 1 : 1, (d) prin proiectie
cu reducere si repetare directa pe placheta/substrat
Curs MNT
Reprezentare a sistemului optic al unei masini de aliniere-
expunere prin proiectie 1 : 1 cu baleiaj (a) si a unui
fotorepetor pe placheta 10 : 1 (b)

Curs MNT
 l /2 l /2 nλ
∆z = m ≈ m =
tgθ sin θ 2(A)2
Liniile spectrale ale
lămpilor cu vapori de
mercur:
λG=436nm, λH=405nm,
λI =365nm
Sistem simplu de formare a imaginii
Pentru o lungime de undă λ=248nm şi o apertură numerică de 0,35, ∆z este
de aproximativ 2µm. Datorită abaterii de la planitate a plachetei, topografiei
ei, grosimii fotorezistului, ca şi erorilor sistemului optic, apar cu uşurinţă
iluminări în afara planului focal. Este necesar, deci, un compromis între
rezoluţia înaltă şi adâncimea mare de focalizare.

Curs MNT
 Rezoluţia sistemelor de expunere
clasice este limitată, în principal, de
difracţia luminii pe configuraţia măştii.
În cazul expunerii prin umbrire
apare difracţia la distanţe apropiate, de
tip Fresnel, din teoria căreia a fost
dedusă şi lăţimea minimă a liniei.
Sistemele de expunere prin
proiecţie au elemente optice atât de
performante încât rezoluţia nu este
limitată de aberaţii, ci tot de fenomenul
de difracţie. Acestea sunt însă
fenomene de difracţie la distanţă, de tip
Fraunhoffer.
Transferul intensitatii luminoase in
cazul expunerii prin umbrire (prin
contact, in proximitate) (a) si prin
proiectie (b)

Curs MNT
Functia de transfer de modulatie a
unui sistem optic limitat de difractie (a)
si distributia intensitatii imaginii unei
Distributia intensitatii de expunere intr-un
linii de 1 µm, proiectata printr-un
strat de fotorezist situat peste un strat de
sistem cu NA = 0.45, cu o lungime de SiO2 pe siliciu, in urma expunerii prin
unda de 4358 Å (b) proiectie a unei linii de 1 µm (a) ; profile
obtinute in fotorezist dupa developare
timp de 70 s si respectiv 120 s (b)
Curs MNT
 Pentru îmbunătăţirea rezoluţiei unei
imagini în fotorezist trebuie ca
grosimea acestuia să fie cât mai
mică. Totusi, sunt necesare uneori
straturi de fotorezist mai groase,
pentru a acoperi structurile deja
formate. Se utilizează metoda
rezistilor multistrat, care are rolul de a
separa funcţia de formare a imaginii
de cea de acoperire a structurii deja
formate.
Etapele de lucru pt. metoda celor trei
straturi : a - configurarea stratului de rezist ;
b - corodarea stratului ajutator, prin
pulverizare cu ioni de argon ; c- corodarea
stratului de fotorezist gros, prin pulverizare cu
ioni de oxigen
Curs MNT

Principiul mastii de faza : - distributia
intensitatii campului electric la nivelul
mastii (EM)(a) si la nivelul fotorezistului
(EFR) (b) - distributia intensitatii
luminoase la nivelul fotorezistului (I FR ~
EFR) (c)
Curs MNT
Masca de fază are, pe lângă
structura absorbantă, complet
opacă la radiatie, şi un strat
transparent la radiaţie, dar care
defazează radiaţia care trece
prin el.
Prin modificarea raportului de
fază în planul mastii, se pot
influenţa contrastul, adâncimea
de focalizare şi rezoluţia.
Metoda este recomandată
pentru formarea structurilor
foarte apropiate, care ar putea
fi deformate de interferenţele
care apar în spaţiul intermediar.
Masca de fază diminuează
aceste interferenţe.
Etapele de lucru ale metodelor de
formare superficiala a imaginii :
a - metoda UTF ; b - metoda
fotorezistului gros
Curs MNT
 Metode de formare superficială a imaginii
(TSI = Top Surface Imaging)
Într-un proces TSI numai stratul monomolecular, situat la
suprafaţă, suferă o transformare datorată expunerii, care conduce
la formarea imaginii.
O primă metodă (a) utilizează un proces TSI în UV îndepărtat
pe un strat monomolecular, de configurare, împreună cu o peliculă
subţire, metalică utilizată ca mască de corodare. Metoda este
cunoscută sub numele de UTF (Ultra-Thin Film Imaging
Metallization - configurare cu peliculă metalică ultrasubţire).
Cea de-a doua metoda (b) constă în expunerea superficială şi
metalizarea selectivă a unui fotorezist pozitiv. Spre deosebire de
metoda UTF, fotorezistul pe bază de novolac are grosimi de
1÷2µm.
Curs MNT
 Schema de principiu
a unei instalatii de
expunere prin
baleiere cu fascicul
de electroni
(λ = 0.01 Å)

Curs MNT
Tehnici de baleiere: a) liniara (raster-scan);
b) vectoriala (vector-scan)

Curs MNT
 Principiul expunerii cu un
fascicul de electroni de
sectiune variabila, in
"pete"

Curs MNT
 Distributia energiei
electronilor in stratul de
electrono-rezist (efectul
de «imprastiere de
patrundere» sau «de
inaintare» a electronilor

«Imprastierea de
revenire» a
electronilor sau
«efectul de
proximitate»
Curs MNT
 Schema unei
instalatii litografice
cu raze X (λ = 5 Å)

Curs MNT
 Structura unei
masti pt. raze X
(detaliu) si efectele
geometrice in
litografia cu raze X

Curs MNT