Universitatea "Politehnica" din Bucureşti

Facultatea de Inginerie Mecanică si Mecatronică

Departamentul de Mecatronică si Mecanică de Precizie

(FOTO)LITOGRAFIA

Prof. Dr. Ing. Georgeta Ionaşcu

Curs MNT
 Litografia este procesul de transfer al configuraţiilor
geometrice de pe o mască intr-un un strat subţire (~1µm
grosime) de material sensibil la radiaţii (numit rezist) care
acoperă suprafaţa unei plachete.
Litografia este una dintre cele mai importante etape de
lucru, atât în microelectronică cât şi în micromecanică,
indiferent dacă este vorba de prelucrarea Si, de corodare cu
ioni reactivi sau de procedeul LIGA. Ea prezintă marele
avantaj al structurarii la dimensiuni de ordinul micrometrilor
sau submicrometrilor, cu ajutorul fasciculelor de lumină
(radiatia UV) sau de particule (electroni, ioni, raze X). Alt
avantaj deosebit de important este preţul de cost scăzut
pentru producţia de masă.

Curs MNT
Este necesar ca toate procesele litografice să fie realizate într-
un mediu foarte curat. Se folosesc aşa numitele camere “albe”.
Necesitatea lor a apărut datorită faptului că particulele de praf
din aer se pot aseza pe plachetele şi pe măştile litografice,
cauzând defecte. Într-o cameră albă trebuie să fie foarte bine
controlat numarul total de particule de praf pe unitatea de
volum, împreună cu temperatura şi umiditatea.
O cameră albă de “clasă 100” este aceea care are un numar
maxim de 100 de particule de praf / picior cub (3500 m³) cu
diametrul > 0,5 µm si maxim 10 particule / picior cub cu
diametrul > 1,5 µm . Pentru majoritatea etapelor de fabricaţie a
circuitelor integrate este suficientă o cameră albă de “clasă
100”, în timp ce pentru etapa litografică este necesară una de
“clasa 10”.
Curs MNT

acoperirea plachetelor
cu un strat uniform de rezist
/etalare sau depunere rezist
(a);

expunere la acel tip de
radiaţie la care este sensibil
rezistul (b);

developare într-o soluţie
(developant) care dizolvă fie
zonele expuse (rezist pozitiv),
fie pe cele neexpuse (rezist
negativ) (c)

Procesul tehnologic litografic

Curs MNT
Procedee de modificare a zonei de sub rezist (substratul):
oxidare (a), eroziune chimică umedă (b) eroziune chimică
uscată (c), depuneri galvanice sau de alt tip (depunere
straturi subtiri, implantare ionica)

Curs MNT
 Reprezentarea procesului
de transfer al configuratiilor
prin litografie si gravare –
proces substractiv (a) si
prin litografie si metoda
lift-off – proces aditiv (b)
- o bună aderenţă la diferite
substraturi ; - o bună rezistenţă
la corodare, faţă de substantele
de atac folosite pentru
materialul straturilor;
- o înlăturare uşoară după
realizarea corodării; - o bună
stabilitate în timp; - o bună
reproductibilitate de la plachetă
la plachetă şi de la un lot de
rezist la altul.
Curs MNT
 Etapele principale ale unui proces de
litografie (a) si diferite variante de expunere (b)
Curs MNT
 Caracteristici de
expunere (grosimea
stratului de fotorezist in
functie de energia de
expunere) (a) si
profile obtinute dupa
developare (b), in cazul
fotorezistilor pozitivi si
negativi

Curs MNT
Fotoreziştii pozitivi au trei componente: una fotosensibilă, o
răşină de bază (novolac) şi un solvent organic ce controlează
vâscozitatea fotorezistului.
Înaintea expunerii, componenta fotosensibilă este insolubilă în
soluţia de developare.
După expunere, componenta fotosensibilă absoarbe radiaţia
în zonele expuse, îşi schimbă structura chimică şi devine
solubilă în soluţia de developare. Prin developare sunt
îndepartate zonele expuse.
Developarea fotoreziştilor pozitivi se realizează în soluţii
apoase alcaline (NaOH sau KOH). Procesul de developare
constă într-o dizolvare simplă a fotorezistului expus, care nu
afectează regiunile neexpuse.

Curs MNT
Fotoreziştii negativi sunt polimeri (organici) combinaţi cu o
componentă fotosensibilă (fotoinitiator).
După expunere, componenta fotosensibilă absoarbe energia
optică şi o converteşte în energie chimică pentru iniţializarea
unei reacţii în lanţ. Această reacţie determină legarea
transversală a moleculelor de polimer. Polimerii cu legături
transversale au o greutate moleculară mai mare şi devin
insolubili în soluţia de developare. Prin developare sunt
îndepărtate zonele neexpuse.
Pentru developare se folosesc solvenţi aromatici (benzen,
toluen sau xilen). În timpul developării solvenţii pătrund în
zonele expuse, umflând stratul de fotorezist.

Curs MNT
 Fotoreziştii negativi au energia de prag (sensibilitatea) mult mai mică. De
aceea, pentru un sistem optic litografic, cu o putere de expunere dată
(mW/cm²), sunt necesari timpi mult mai mici de expunere dacă se utilizează
fotorezişti negativi obţinându-se astfel o eficienţă mare de expunere.
Totuşi, fotoreziştii negativi se umflă după developare, rezultând o rezoluţie
scăzută. Fotoreziştii pozitivi nu se umflă, astfel încât se pot obţine rezoluţii mai
bune. Dar ei necesită energii de expunere mult mai mari şi, în consecinţă, timpi
de expunere mai mari, rezultând o eficienţă mai scăzută.
De asemenea, fotoreziştii pozitivi sunt mai pretenţioşi decât cei negativi, în
ceea ce priveşte aderenţa la substrat. Tot un dezavantaj este şi acela că
ferestrele developate în fotorezistul pozitiv au tendinţa de mărire a
dimensiunilor în comparaţie cu cele de pe mască, iar corodarea laterală
ulterioară amplifică această diferenţă. În cazul fotoreziştilor negativi, ferestrele
tind să fie mai mici ceea ce compensează atacul lateral. Totuşi, se pot obţine
performanţe foarte bune şi în cazul fotoreziştilor pozitivi, dacă se aleg corect
parametrii procesului fotolitografic.

Curs MNT
 Principalii parametri care caracterizează un proces litografic
sunt: rezoluţia, controlul dimensional, precizia de aliniere şi
eficienţa.
Rezoluţia este o măsură a dimensiunii minime ce poate fi
transmisă cu fidelitate maxima, în mod reproductibil în rezist.
Rezoluţia globală a procesului litografic depinde de rezoluţia
sistemului optic de aliniere şi de rezolutia rezistului folosit.
În urma controlului dimensional rezultă în ce măsură
dimensiunile configuraţiilor de pe mască sunt copiate/ transmise
identic în rezist. Forma geometriilor din rezist nu este identică cu
cea a geometriilor de pe mască, zonele developate având tendinţa
să se modifice prin ”supraexpunere” (atacul lateral la expunere).
Controlul dimensional statistic este o operaţie obligatorie în cadrul
procesului de litografie. Acesta se execută imediat după
developare, iar plachetelor care nu se încadrează în limitele
impuse li se îndepărtează stratul de rezist şi sunt procesate din
nou.
Curs MNT
 Proiectarea microstructurilor complexe implică o serie
de etape, care se realizează cu ajutorul calculatorului.
Toate etapele de simulare şi verificare implică
existenţa unor baze de date şi a unor programe dedicate.
În final, se realizează trecerea de la schema simbolică la
planul măştii (layout-ul) şi, din punct de vedere tehnologic,
se definesc configuraţiile pe fiecare nivel de mascare.
Între aceste configuraţii există legături spaţiale stricte.
Precizia de aliniere (superpoziţie) se defineşte ca o
măsură a alinierii precise a configuraţiilor de măşti
succesive. Alinierea se realizează faţă de configuraţiile
definite anterior pe plachetă.
Eficienţa reprezintă numarul de plachete care poate fi
expus pe oră, pentru un nivel de mascare dat.
Curs MNT
 FOTOLITOGRAFIA
Cea mai veche şi, în acelaşi timp, cea mai răspândită dintre
tehnicile litografice este litografia optică sau fotolitografia. Ea
utilizează ca radiaţie lumina ultravioletă (UV), cu lungimi de undă λ ≈
0,2÷0,4µm.
Deşi se părea că litografia optică n-ar avea aplicaţii în domeniul
dimensiunilor mici, datorită cercetărilor făcute, în special pentru
obţinerea măştilor, s-a ajuns la dimensiuni sub 0,5µm.
Procesul fotolitografic urmăreşte mai multe etape:
1.etalarea fotorezistului, cand în centrul substratului se aplică
aproximativ 1cm³ de rezist lichid; acesta se uniformizează prin
centrifugare, timp de aproximativ 30s, obtinându-se o grosime a
stratului de: c ⋅η
gR = 1/ 2
n
- c este concentraţia componentei solide din rezist, η este
vâscozitatea fotorezistului, iar n este turaţia (1000-10.000 rot/min pt.
o grosime de strat de 1...0.5 µm).
Curs MNT
 2.uscare sau precoacere (în general la 80÷1000C)
pentru a îndepărta solventul din stratul de fotorezist şi a
îmbunătăţi aderenţa acestuia la substrat.
3.alinierea plachetei în raport cu masca într-un
echipament fotolitografic si expunerea fotorezistului la
lumină ultravioletă (UV);
4.developarea fotorezistului prin pulverizarea
developantului pe plachetă. Apoi, placheta este clătită şi
uscată.
5.se realizează un tratament de postcoacere, prin
încălzire până la 100÷1800C pentru a creşte aderenţa
rezistului la substrat.
După corodare (de exemplu) prin ferestrele obţinute în
fotorezist, urmează îndepartarea acestuia. Aceasta se
poate realiza utilizând un solvent sau pulverizarea în
plasmă de oxigen. Curs MNT
FOTOMASTILE
Fotomăştile sunt realizate din lame plan-paralele de sticlă de
cuart cu grosimea de 1,5÷3 mm, de formă pătrată cu latura
de 4, 5 sau 6 inch. Pentru dimensiunile configuraţiilor
geometrice de ordinul a 5 µm sau mai mari, lamele de sticla
sunt acoperite cu o emulsie fotografică de grosime de 0,5÷1
µm. Pentru dimensiunile configuraţiilor geometrice mai mici,
lamele de sticla sunt acoperite cu crom, oxid de crom sau oxid
de fier. Cromul, de exemplu, se depune prin evaporare in vid
sau pulverizare catodică, iar pentru a deveni complet opac,
este suficient să aibă 0,1 µm grosime. Configurarea lui se
realizează, în cazul microstructurilor cu densitate mică pe
unitatea de suprafaţă, prin corodare (eroziune chimica) umedă
sau uscată, cu protecţie foto.

Curs MNT
 O problemă importantă la măşti este densitatea de defecte. Defectele
măştii pot fi introduse în timpul realizării acesteia sau în timpul proceselor
litografice.
Controlul măştilor se poate face cu programe costisitoare, cu optică de
înaltă rezoluţie şi mese cu deplasări foarte precise. Dacă pe mască este
realizată aceaşi structură care se repetă, controlul se poate face
comparând structurile două câte două. Dacă se face compararea structurii
cu cea originala, generată de CAD, pot fi depistate erorile sistematice (care
se repetă). De ex. pot fi detectate erori cu dimensiuni de 0,35 µm, cu o
probabilitate de 95 %.
La măştile de crom pot fi definite două tipuri de defecte: opace (când
cromul rămâne sub formă de pete, adâncituri, ”punti” între două linii) şi
transparente (când apar pori, exfolieri, întreruperi ale filmului de crom).
Pentru corectarea defectelor opace, cromul este îndepărtat cu radiaţie
laser sau cu fascicul de ioni. Corectarea defectelor transparente este mai
costisitoare. Ea constă în acoperirea locală printr-un procedeu de depunere
în stare gazoasă şi structurarea locală cu un laser a cărui energie este
riguros controlată.
Curs MNT