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ESCUELA COLOMBIANA
DE INGENIERÍA
JULIO GARAVITO
TRANSFERENCIA DE
CALOR-TCAL
SIMULACIÓN DE LA ANALOGÍA
TÉRMICO ELÉCTRICA EN PARED PLANA
DE CAPAS MÚLTIPLES
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I. INTRODUCCIÓN
II. OBJETIVOS
Con el desarrollo de la guía se busca ampliar el conocimiento de los estudiantes a la hora de manejar
un programa CAD de modelamiento y simulación, además de ofrecer distintas herramientas para
aterrizar conceptos vistos en clase y otras alternativas de verificar procedimientos.
OBJETIVO GENERAL
Simular y resolver de manera exitosa los ejercicios ejemplo de conducción de calor en paredes
compuestas con la ayuda de Inventor Nastran.
OBJETIVOS ESPECÍFICOS
• Comprender y aprender a usar las herramientas prestadas por Inventor Nastran para estos
tipos de simulaciones.
• Afianzar los conocimientos aprendidos en la asignatura con la ayuda de la simulación de
mecanismos combinados de transferencia de calor.
• Relacionar y concluir acerca de los resultados de la simulación con los resultados obtenidos
realizando los cálculos a mano.
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III. ASIGNACIÓN DE TIEMPOS
Analogía térmico-eléctrica
La transferencia de calor se puede comparar con los principios eléctricos de corriente (I), voltaje (V) y
resistencia (R) como se muestra en la Tabla 1. Debido a que la relación que tiene la corriente con el
voltaje y la resistencia en un circuito es igual a la relación que tiene la transferencia de calor (𝑄), la
diferencia de temperatura (∆𝑇) y la resistencia térmica que ejerce el medio (𝑅𝑡 ). Expresados en las
ecuaciones (1) y (2) respectivamente.
𝑉
𝐼= (1)
𝑅
∆𝑇
𝑄̇ = (2)
𝑅𝑡
∆𝑇 ∆𝑇 𝐿
𝑄̇ = 𝐾𝐴 = → 𝑅𝑡𝑐 = (3)
𝐿 𝑅𝑡𝑐 𝐾𝐴
3
𝑊
Donde K= conductividad térmica del material [ ], A=Área de contacto [𝑚2 ], L= Espesor de la placa
𝑚℃
℃
[m], 𝑅𝑡𝑐 = Resistencia térmica por conducción [𝑊].
∆𝑇 1
𝑄̇ = ℎ𝐴𝑠 ∆𝑇 = → 𝑅𝑡𝑣 = (4)
𝑅𝑡𝑣 ℎ𝐴𝑠
𝑊
Donde h= coeficiente de transferencia de calor por convección [𝑚2 ], 𝐴𝑠 =Área superficial [𝑚2 ], 𝑅𝑡𝑣 =
℃
Resistencia térmica por convección [ ].
𝑊
𝑊
Donde ∈ = emisividad de la superficie, 𝜎= Constante de Stefan-Boltzmann = 5,67 𝑥10−8 𝑚2 𝐾4 , 𝑇𝑎𝑙𝑟𝑒𝑑 =
temperatura del medio [K], 𝑇𝑠 = temperatura de la superficie[K].
Redes eléctricas.
Resistencia equivalente en paralelo.
1 1 1 1
= + +
𝑅𝐸 𝑅1 𝑅2 𝑅𝑁
4
𝑅𝐸 = 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3
V. PROCEDIMIENTO
Problema: “Seis transistores de potencia idénticos con caja de aluminio están sujetos a uno de los lados
de una placa de cobre (k=390 W/m · °C) de 20 cmx30 cm y 1.2 cm de espesor, por medio de tornillos que
ejercen una presión promedio de 10 MPa. El área de la base de cada transistor es de 9 𝑐𝑚2 y cada uno
de ellos está colocado en el centro de una sección de 10 cm x10 cm de la placa. La aspereza de la
interfase se estima que es de alrededor de 1.4 mm. Todos los transistores están cubiertos por una capa
gruesa de plexiglas, el cual es un mal conductor del calor y, por consiguiente, todo el calor generado en
la unión del transistor debe disiparse hacia el ambiente, que está a 23°C, a través de la superficie
posterior de la placa de cobre. El coeficiente combinado de transferencia de calor por convección/
𝑊
radiación en la superficie posterior se puede tomar como 30 𝑚2 ℃. Si la temperatura de la caja del
transistor no debe sobrepasar 75°C, determine la potencia máxima que cada transistor puede disipar
con seguridad y el salto de temperatura en la interfase caja-placa. Respuesta: 15,5 W”
Pasos a seguir:
• Primero se realiza la placa de cobre, debido a que se pide la potencia máxima de cada transistor,
solo se realiza una placa de un transistor, es decir la sección de 10cm x 10cm y de espesor 1,2cm.
Luego, se crea la caja, la cual va a tener la misma sección y se extruye 0,5 cm (el valor a extruir
no importa, ya que no se toma en cuenta para la simulación). (Fig.3)
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Fig. 3 Extrusión del transistor.
𝑊
• A continuación, se seleccionan los materiales para cada pieza, cobre para la placa (390𝑚2 ℃) y
para la capa gruesa de plexiglás se escoge PMMA (aunque el material escogido para esta parte
no afecta la simulación).
• Se realiza el ensamble, entre ambas piezas. (Fig.4)
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• Tras realizar el ensamblaje se procede a iniciar la simulación dando clic en “Autodesk Inventor
Nastran” y a continuación se selecciona el estudio térmico correspondiente. (Fig.5)
• Para obtener la conductancia, esta se puede representar como una resistencia térmica por
contacto, donde el coeficiente de transferencia de calor por convección se puede hallar a partir
de los materiales en uso (cobre y aluminio), de la presión promedio y aspereza del transistor,
con la tabla 3.2 del libro de Transferencia de calor de Cengel, la cual muestra la conductancia
térmica por contacto [1]. (Tabla 2.)
Tabla 2. Conductancia térmica por contacto de algunas superficies metálicas en aire [2]
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Fig. 6 Asignación de parámetros para la transferencia de calor por convección.
• Luego de haber calculado la resistencia térmica por contacto con la ayuda de la Tabla 2., se
ingresa este valor, por medio de la opción en conexiones de contactos que se encuentra en el
asesor de conexiones, y luego se ingresa el valor de la resistencia térmica calculada. Tener
cuidado con las unidades. (Fig.7)
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Fig. 7 Resistencia térmica por contacto.
• El ultimo parámetro es la temperatura máxima que no debe sobrepasar los transistores (75°C),
para hallar la potencia máxima o límite para suministrar, con el fin de no sobrepasar este valor
(Fig.8). Se pone éste valor en la otra cara de la placa de cobre.
• Por último, se crea la malla para este ensamble, donde se da clic derecho a malla y luego en
crear malla.
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• Se ejecuta la simulación.
• Es necesario definir otro trazado térmico, puesto que el resultado por defecto es la temperatura,
por lo que se da clic derecho en resultados y luego en “definir trazado térmico”, se abrirá otra
ventana donde saldrán diferentes opciones y en la pestaña visualizar, se busca la opción para
mostrar HFLUXN, flujo de calor resultante, donde se obtiene en unidades de w/m2 y se da clic
en aceptar para mostrar dicho trazado. (Fig.9)
• Se obtendrá el resultado observado en la Fig. 10, donde se toma el valor obtenido en la placa
de cobre que corresponde a un valor de 1559 W/𝑚2 y se multiplica por 0.01 𝑚2 para hallar la
razón de transferencia de calor que da un valor de 15,59W.
Preguntas y análisis
Después de ejecutar la simulación, revisar la veracidad de los datos obtenidos por Inventor Nastran y
compararlos con sus cálculos teóricos, responda a las siguientes preguntas.
1. Realice el cálculo analítico y compárelo con el resultado obtenido por la simulación. Realice esta
comparación de manera porcentual.
2. ¿Qué pasaría con el flujo de calor si los transistores estuvieran cubiertos por un material
superconductor cómo el oro? ¿Qué efecto tendría esto sobre los transistores?
3. ¿Qué efectos puede tener las altas temperaturas en los transistores?
4. Además del plexiglás. ¿Qué otros materiales se utilizan para cubrir los transistores y de cuanto
es su coeficiente de conductividad térmica?
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5. ¿Qué efectos tendría en la resistencia térmica tener un material con mayor conductividad de
calor? ¿Aumenta o disminuye? Argumente.
6. ¿En qué difiere la red de resistencias térmicas asociada con una pared plana de una sola capa
con respecto a una asociada con una pared compuesta de cinco capas?
VI. INFORME
BIBLIOGRAFÍA
[1] Incropera, F. P.; DeWitt, D. P. Fundamentos de transferencia de calor. Pearson Prentice Hall 1999.
Clasificación: 621.4022 I527f
[2] Çengel, Y.A; Ghajar, A. J. Heat and mass transfer: fundamentals & applications. McGraw-Hill, 2011.
Clasificación: 621.4022 C3
[3] Fraser, S. M.; Hill, R. S.; MacLaren, J. F. T.; Probert, S. D. Experimentation for students of engineering:
fluid mechanics, thermodynamics and heat transfer. Heineman 1972.
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Clasificación: 620.028 F842e
[5] Pitts, D. R.; Sissom, L. E. Theory and problems of heat transfer. McGraw Hill 1977.
Clasificación: 536.2 P688t
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