FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

ELECTRÓNICA DE POTENCIA

EXPERIENCIA: RESPUESTA ESTATICA DEL DIODO

SECCION: 90-G
INTEGRANTES:
 DIONICIO MELCHOR, GUSTAVO 1623125881
 SANTIAGO VALERIO MARCO 1623125692
 INGA DELGADO FREIDER 1623125926
 MALPARTIDA MAYTA JORGE 1623125074

PROFESOR: ING. EDGAR DEL AGUILA

CALLAO - PERÚ

2019
 RESPUESTA ESTATICA DEL DIODO
INTRODUCCION:
En esta práctica se pretende, en primer lugar, medir la característica estática de
los diodos de potencia, obtenida punto a punto en un circuito rectificador simple
(R-D). Se comparan los resultados obtenidos de la simulación con las medidas
realizadas en el laboratorio con los diodos led, diodo de germanio, diodo Zener,
diodo de silicio respectivamente.
Como sabemos, el diodo es la pieza básica en electrónica de estado sólido y está
basado en una sola unión p-n. A partir de combinaciones de más capas p o n
podremos obtener los demás componentes electrónicos conocidos, como son los
transistores, tiristores, etc. Debido a su composición a partir de material
semiconductor su comportamiento es no lineal y por tanto su utilización es más
compleja que la de los componentes lineales más habituales (resistencias,
condensadores e inductores). Recordemos asimismo que su característica
esencial es la de ser un rectificador como veremos más adelante.
En esta experiencia comprobaremos la respuesta estática de los diodos frente a
una fuente de voltaje continua para diferente tipos de diodos de esta manera
obtener información acerca del comportamiento del diodo.
No se ha de olvidar añadir una resistencia en serie con el diodo en la práctica al
realizar estas medidas para limitar la corriente, si no tenemos una fuente de
alimentación de precisión, ya que la corriente crece de forma exponencial con la
tensión y por tanto tomará rápidamente valores que destruirán el diodo.
Objetivos:

I. Objetivo General:
Al analizar el experimento, el estudiante estará en capacidad de describir
en términos de sus características eléctricas, el funcionamiento de los
diodos de silicio, germanio, diodos Zener y los diodos emisores de luz
(LEDs). Estará también capacitado para establecer las diferencias entre
todos ellos.
II. Objetivo Especifico:
 Comprobar el estado de los diodos de silicio y germanio utilizando el
multímetro digital y/o analógico.
 Utilizar diferentes métodos para obtener la curva característica de los
diodos desde el punto de vista estático.

Cuestionario Previo:

1) En varios laboratorios del presente curso deberán aislarse las tierras

entre generadores/fuentes y el osciloscopio. Investigue porque este
aislamiento es necesario.
El propósito es que si hay un peligroso contacto accidental de la línea con la masa,
la corriente en lugar de regresar al transformador por el neutro, lo haga por la
conducción entre ambas tierras, con lo que se disparan los protectores
diferenciales, que interrumpen el servicio hasta que la falla de aislamiento ha sido
solventada.
En los aparatos electrónicos que lleven una fuente de alimentación provista de un
transformador (bien sea un transformador convencional, o el de una fuente de
alimentación conmutada) que establece un aislamiento galvánico entre primario y
secundario, las tensiones de salida de las mismas, junto con el cuerpo metálico del
aparato se conectan a tierra.
2) Investigue el comportamiento de un diodo real y uno real, el
funcionamiento de un diodo de unión pn, y el origen de las curvas
características de los últimos. ¿Qué significa que un diodo este
polarizado en forma directas o en inversa?
Si se toma una pastilla de material semiconductor tipo "N" y la unimos con una tipo
"P" se forma lo que en electrónica se conoce como JUNTURA o UNION.

POLARIZACIÓN INVERSA: Cuando la capa tipo N se conecta al positivo de la

batería y la capa P al negativo se dice que es una polarización inversa, y ocurre lo
siguiente a través de la juntura: Los electrones que salen del negativo de la batería
corren a llenar los vacíos o espacios de la capa P, completando todos los átomos
de esta pastilla los 8 electrones (compartidos con el visitante); a partir de este
momento no reciben más corriente, dado que presentan alta resistencia.

POLARIZACIÓN DIRECTA: El terminal negativo de la batería introduce más

electrones libres a la capa N, lo que hace que muchos pasen a través de la
JUNTURA de las 2 capas y llenen los espacios de la capa P. Este flujo será
permanente debido a que el terminal positivo de la batería continuamente toma
electrones de allí, dejando espacios para llenar por los electrones que pasen por la
unión.
 3) Investigue que función matemática describe el comportamiento de un
diodo de unión pn y como esta afectado por la temperatura.
El modelo matemático del diodo de unión P-N fue desarrollado por
Shockley(Tyagi, 1991) y es el que se utiliza con mayor frecuencia. Para estudiar el
modelo por simplificación inicialmente consideraremos que la resistencia serie en
el diodo (rs) es igual a cero. Bajo esta consideración, el voltaje aplicado a las
terminales del diodo será igual al voltaje en la unión P-N, por lo que la corriente del
diodo de unión se describe como una función del voltaje aplicado Vd
Cuya representación matemática es la siguiente

Efectos de la temperatura en el
diodo

La temperatura afecta a:

 la corriente de pérdidas inversa

 la caída de tensión directa
4) Investigue que diferencia hay entre el comportamiento del diodo de
germanio y el de silicio.
 Diodos de silicio:
La construcción de un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada lado
del diodo se implanta con impurezas (boro en el lado del ánodo y arsénico o
fósforo en el lado del cátodo), y la articulación donde las impurezas se unen se
llama la "unión pn". Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarización directa
de 0,7 voltios. Una vez que el diferencial de voltaje entre el ánodo y el cátodo
alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezará a conducir la corriente eléctrica a través
de su unión pn. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios, la
unión pn detendrá la conducción de la corriente eléctrica, y el diodo dejará de
funcionar como una vía eléctrica. Debido a que el silicio es relativamente fácil y
barato de obtener y procesar, los diodos de silicio son más frecuentes que los
diodos de germanio.
Diodos de germanio
Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio.
Los diodos de germanio también utilizan una unión pn y se implantan con las
mismas impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio,
tienen una tensión de polarización directa de 0,3 voltios. El germanio es un
material poco común que se encuentra generalmente junto con depósitos de
cobre, de plomo o de plata. Debido a su rareza, el germanio es más caro, por lo
que los diodos de germanio son más difíciles de encontrar (y a veces más caros)
que los diodos de silicio.
5) Investigue el comportamiento y funcionamiento de los diodos
emisores de luz
El funcionamiento es muy sencillo. Cuando conectamos con polarización directa el
diodo led el semiconductor de la parte de arriba permite el paso de la corriente que
circulará por las patillas (cátodo y ánodo) y al pasar por el semiconductor, este
semiconductor emite luz.
  En la figura de arriba puedes ver un led polarizado directamente e inversamente
en serie con una bombilla. Lo mismo ocurre con el led, lo que pasa que no hace
falta la bombilla por que el ya emite luz por si solo en polarización directa.

  Dependiendo del material que este hecho el semiconductor, este emitirá una luz
de un color diferente. Así podemos obtener diodos led que emitan luces de colores
diferentes (aluminio, galio, indio, fosforo, etc).

6) Busque los datos del fabricante de diodos empleados en este

experimento.

Epistar/Samsung
Se trata sin duda de dos de las marcas más vanguardistas en la fabricación de
iluminación LED. Global Product Trader ha apostado fuertemente por esta marca en sus
módulos LED ya que ofrece una garantía de calidad indiscutible, y una inmejorable
intensidad lumínica. Nuestros clientes pueden solicitar sus pedidos de Módulos LED en
diferentes modelos: 2835, 5050 y 5730 optando por una u otra marca. El precio y la
intensidad lumínica no varía independientemente de la marca escogida.

San’an
Sanan Optoelectrónica Co., Ltd. es una compañía asiática que se centra principalmente
en  I + D, producción y comercialización de productos de color. Fue en el año 2014
cuando la compañía inició un fuerte desarrollo en la industria del LED lo que le permitió
convertirse en una de las primeras empresas a nivel mundial en fabricación y
comercialización de estos productos. Esta marca de diodo Sanan se está convirtiendo
poco a poco en una clara apuesta por parte de los profesionales del sector de la
iluminación ya que su calidad lumínica es hoy por hoy indiscutible en lo que se refiere a la
fabricación de Tiras LED. Este Diodo Sanan es el utilizado en las Tiras de LED ofertadas
por Global Product Trader ya que además ofrece un precio altamente competitivo. Otros
son principales son :
  Bridgelux
 OSRAM
 PHILIPS
 NICHIA
 SEOUL SEMICONDUCTOR
 Toyoda Gosei
 Agilent

7) Investigue como funciona un multímetro digital en su escala de

medición de diodos.

Hoy en día existen multímetros (VOM) digitales que permiten probar con mucha facilidad
un diodo, pues ya vienen con esta opción listos de fábrica. El método de prueba que se
presenta aquí es el método típico de medición de un diodo con un multímetro
analógico (el que tiene una aguja). Para empezar, se coloca el selector para
medir resistencias (ohmios / ohms), sin importar de momento la escala. Se realizan las
dos pruebas siguientes:
1 – Se coloca el cable de color rojo en el ánodo de diodo (el lado de diodo que no tiene la
franja) y el cable de color negro en el cátodo (este lado tiene la franja). El propósito es que
el multímetro inyecte una corriente continua en el diodo (este es el proceso que se hace
cuando se miden resistores).
 – Si la resistencia que se lee es baja indica que el diodo, cuando está polarizado
en directo, funciona bien y circula corriente a través de él (como debe de ser).
 – Si esta resistencia es muy alta, puede ser una indicación de que el diodo esté
“abierto” y deba que ser reemplazado.
8) Simule ultilizando el workbench o multisim el circuito de la figura 1.
SIMULACION DEL CIRCUITO DE LA FIGURA 1
PARA EL DIODO DE SILICIO: Con voltajes de -15v , -12v, -9v, -5v ,0v
0.00

0.00
Volts

Volts

R1 R3
1k 1k

BAT1 D1 D2 -12.0
15V DIODE -15.0 BAT3 DIODE Volts
Volts 12V
-0.15

-0.12
µA

µA
0.00

0.00
Volts

Volts

R2 R4
0.00
Volts

1k 1k

D3 R2 -9.00 D4 -5.00
DIODE Volts BAT4 DIODE Volts
BAT2 1k
5V
9V
BAT2 D4 0.00
-0.09

-0.05

0V DIODE Volts
µA

µA
0.00
mA
PARA EL DIODO DE GERMANIO:
PARA EL DIODO ZENER 3V: 0.00
Volts

R2
1k

BAT2 D4 0.00
0V AA119 Volts
0.00
mA
SIMULACION PARA EL DIODO LED ROJO:
0.00
Volts

R2
1k

BAT2 D4 0.00
0V 1N4372A Volts
0.00
Volts

0.00
mA

R4
1k

BAT4 D3 0.00
0V LED-RED Volts
0.00
mA
 9) ¿Qué funciones desempeña la resistencia R en el circuito de la figura
1?
La resistencia en serie con el diodo en la práctica sirve para limitar la
corriente, ya que la corriente crece de forma exponencial con la tensión y
por tanto tomará rápidamente valores que destruirán el diodo.

En esta práctica se caracteriza el comportamiento estático y dinámico de

diferentes diodos de potencia. Comparando los resultados se podrán obtener
conclusiones en cuanto a los rangos de funcionamiento para polarizaciones
directa e inversa, así como del tiempo de respuesta de cada uno de los
dispositivos.

Materiales y Equipo:

1 Multimetro digital y/o analogico.

1 Voltimetro de corriente continua.

1 Amperimetro de corriente continua.

1 Fuente de alimentación de corriente continua variable.

1 Juego de cable conectores

1 Protoboard

1 Resistencia de 1k

1 Diodo de silicio
1 Diodo de germanio(1N4001,ECG116) u otro

1 Diodo de germanio (ECG109) u otro.

1 LED rojo, verde o amarillo ( verifique que no tenga resistencia en serie)

1 Diodo Zener de 3V o de 2,7V o de 6V.

Procedimiento:

1. Mida el valor real de la resistencia R utilizada en el circuito de la figura 1.

2. Compruebe el estado de los diodos empleando un multímetro digital o
analogico .

Conecte el terminal positivo del instrumento al anodo del diodo y el terminal

negativo al catodo. A esto se le denomina polarización en directa. Mida y tome
nota de los resultados en la Tabla 1. Invierta ahopra las conexiones antes
descritas. A esto se le denomina polarización inversa.

Tabla: 1 Prueba de diodos: L ectura del instrumemto en posición

semiconductor, Conduce / No conduce

Prueba Si Ge LED Zener

Polarización directa conduce conduce Conduce conduce
Polarización inversa No conduce No conduce No conduce conduce

3. Implementar el circuito de la figura 1 con el diodo de silicio y/o germanio.

Ajuste el valor de tensión E y tome lectura a los parámetros del DIODO con
los instrumentos ( Voltimetro para la tensión, y Amperimetro para la
Corriente)
4. Repita el paso anterior con el diodo de germanio, el diodo Zener y el LED.

R=1k

FFF
VR VD
 Figura 1: Circuito de Medición 1.

Valores experimentales para el diodo de Silicio.

1 2 3 4 5 6 7 8 9
VR [V] 0 0 0 0 0 4.17 7.92 10.96 14.02
E [V] -15 -12 -9 -5 0 5 9 12 15
VD [V] -14.87 -11.88 -8.90 -4.93 0 0.66 0.70 0.70 0.71
ID [mA] -0.13 -0.12 -0.10 -0.07 0 4.34 8.30 11.30 14.29

Grafica:

Valores experimentales para el diodo de Germanio

1 2 3 4 5 6 7 8 9
VR [V] 0 0 0 0 0 4.18 7.76 10.78 13.5
E [V] -15 -12 -9 -5 0 5 9 12 15
VD [V] -14.91 -11.94 -8.95 -4.98 0 0.66 0.78 0.91 1.02
ID [mA] -0.09 -0.06 -0.05 -0.02 0 4.41 8.22 11.09 13.98
Valores experimentales para el diodo Zener
1 2 3 4 5 6 7 8 9
VR [V] -8.04 -5.53 -2.62 0 0 3.90 7.70 10.73 13.48
E [V] -15 -12 -9 -5 0 5 9 12 15
VD [V] -6.01 -5.99 -5.98 5.00 0 0.75 0.77 0.78 0.78
ID [mA] -9.00 -6.01 -3.02 0 0 4.25 8.23 11.22 14.22

Evaluación:

1.Analice los datos de la tabla 1, ¿Cómo determina si los diodos funcionan

correctamente?
El método de prueba que se presenta aquí es el método típico de medición de un diodo con
un multímetro analógico (el que tiene una aguja). Para empezar, se coloca el selector para
medir resistencias (ohmios / ohms), sin importar de momento la escala. Se realizan las dos
pruebas siguientes:
1 – Se coloca el cable de color rojo en el ánodo de diodo (el lado de diodo que no tiene la
franja) y el cable de color negro en el cátodo (este lado tiene la franja). El propósito es que
el multímetro inyecte una corriente continua en el diodo (este es el proceso que se hace
cuando se miden resistores).
 Si la resistencia que se lee es baja indica que el diodo, cuando está polarizado en
directo, funciona bien y circula corriente a través de él (como debe de ser).
 Si esta resistencia es muy alta, puede ser una indicación de que el diodo esté “abierto”
y deba que ser reemplazado.
2 – Se coloca el cable de color rojo en el cátodo y el cable negro en el ánodo del diodo. En
este caso como en anterior el propósito es hacer circular corriente a través del diodo, pero
ahora en sentido opuesto a la flecha de éste.
 Si la resistencia leída es muy alta, esto nos indica que el diodo se comporta como se
esperaba, pues un diodo polarizado en inverso casi no conduce corriente.
 Si esta resistencia es muy baja puede se una indicación de que el diodo está en
“corto” y deba ser reemplazado.
Nota: – El cable rojo debe ir conectado al terminal del mismo color en el multímetro – El cable
negro debe ir conectado al terminal del mismo color en el multímetro (el común / common)

VD
k

2.Con los datos obtenidos en la tabla 2 construya la grafica V vs .

Compare con la gráfica para el mismo diodo obtenida en el paso 4 del
ID
procedimiento.
k
3.Explique la diferencias y similitudes en las curvas características de los
diodos de silicio y germanio.
Se observa que las curvas del diodo de germanio y de silicio son similares, aunque el
diodo el diodo de germanio esta un poco mas “pegado” al eje de ordenadas mientras que
la curva del diodo Zener esta notablemente alejado del diodo de silicio.
Este voltaje se encuentra alrededor de 0.7V para diodos de silicio comercialmente
disponibles y de 0.3 V para los diodos de germanio, con los valores redondeados al
décimo de VOLT más cercano. La diferencia mayor para el caso del silicio se debe
principalmente al factor “n” de la ecuación dada. Este factor juega un papel importante en
la determinación de la forma de la curva pero solo para niveles muy bajos de corriente ya
que una vez que la curva inicia su crecimiento, el factor “n” baja a 1 (el valor continuo del
germanio). Esto se demuestra por las similitudes en las curvas una vez que el potencial
de conducción se alcanza. El potencial en el que inicia este crecimiento de la curva se
denomina comúnmente como POTENCIAL DE
CONDUCCION, DE UMBRAL O DE DISPARO. Con
frecuencia, se utiliza la primera letra del término que
describe a una cantidad particular para la notación de
dicha cantidad. Sin embargo, para asegurar un grado
mínimo de confusión con otros términos, como el de
voltaje de salida (V o ) y el de voltaje directo (V f ), se adoptará la notación V t para este
término.
En conclusión el diodo se acercará más a la condición “ideal” mientras más cercano se
encuentre el desplazamiento ascendente, excursión, al eje vertical. Sin embargo, son las
otras características del silicio las que lo hacen ser el elegido entre la mayoría de las
unidades comercialmente disponibles.

4.¿Cómo se puede explicar la ausencia de corriente inversa en ambos

diodos?

5.Investigue que es la resistencia estática Re de un diodo. ¿Cómo se puede

calcular?
RESISTENCIA ESTÁTICA

Si el diodo esta trabajando en DC, en un punto determinado y constante (V,I) de la característica,

el diodo presentara una resistencia también constante llamada resistencia estática.El valor de esta
resistencia será :

R = (V-VD)/I

El valor de esta resistencia varia considerablemente con respecto al punto de trabajo (V,I) del
diodo. Así, si el punto de trabajo es V1, I1, la resistencia estática será:

R1=(V1-VD)/I1

En otras palabras la resistencia estática de un diodo se define como la relación entre la tensión y la
corriente (V/I). En un punto cualquiera de la característica tensión-corriente del diodo, la
resistencia es igual a la inversa de la pendiente de la linea que une el punto de funcionamiento con
el origen.Es decir, que la resistencia estática mide la oposición que presenta el diodo al paso de la
corriente continua.

EJEMPLO . Determine los niveles de resistencia de cd del diodo de la figura 1.24 con
a. ID = 2mA (bajo nivel)
b. ID = 20mA (alto nivel)
c. VD = -10 V (polarizado en inversa)
Solución:
a. Con ID = 2 mA, VD = 0.5 V (en la curva) y
RD = VD/ID = 0.5 V / 2 mA = 250 Ω

b. Con ID 20 mA, VD 0,8 V (en la curva) y

RD = VD/ID = 0.8 V / 20 mA = 40 Ω

c. Con VD=-10V, ID = - Is = -1μA (en la curva) y

RD = VD/ID = 10 V / 1 mA = 10 Ω ,lo que confirma con claridad algunos de los comentarios
anteriores con respecto a los niveles
de resistencia de cd de un diodo.

6.Utilizando los resultados de los puntos 4 y 5 calcule la resistencia estática Re en

polarización directa para los diodos de silicio y
germanio, y en polarización inversa para los diodos
Zener en los puntos de operación indicados en la
Tablas 3.

TABLA 3: Valores de resistencia estática.

VFuente Re (Si)  Re (Ge)  Re (Zener)
= VD/ID = VD/ID = VD/ID
-15 114.34*103 165.66*103 0.66*103
-12 99.00*103 199.00*103 0.99*103
-9 89.00*103 179.00*103 1.98*103
-5 70.42*103 249.00*103 -
0 - - -
5 148.98 150.0 176.47
9 84.33 94.89 93.56
12 61.94 82.05 69.51
15 49.65 73.43 54.85