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Informe 3- Configuraciones con diodos

Lisseth Tatiana Herrera Rosero - ltherreraro@unal.edu.co
Brayam Santiago Velandia Castillo - bsvelandiac@unal.edu.co
.
Departamento de Ingenierı́a Eléctrica y Electrónica
Universidad Nacional de Colombia.
Bogotá. Marzo 7 de 2017.

RESUMEN—La función principal de un diodo en un circuito pero cuando la corriente que atraviesa el diodo es la parte
de corriente alterna es rectificar la señal para obtener una negativa el diodo no conduce como se ve en la figura 1.
corriente continua, pero tiene otras aplicaciones como son los
seguidores, sujetadores y re cortadores, que modifican la señal
para aplicaciones determinadas.
En esta práctica se busca entender el comportamiento de las
diferentes configuraciones de diodos e intentar diseñar circuitos
que usen este tipo de configuraciones.
PALABRAS CLAVE—Diodo, recortadores, seguidores, sujeta-
dores, multiplicadores.
ABSTRACT—The main function of a diode in an alternating
current circuit is to rectify the signal to obtain a direct current
but has other applications such as the followers, fasteners and
trimmers, which modify the signal for certain applications.
In this practice it is sought to understand the behavior of the
different diode configurations and to try to design circuits that
use this type of configurations.

I. INTRODUCCI ÓN

E N la electrónica es importante trabajar con corriente

continua para poder controlar adecuadamente los com-
ponentes del circuito, si la corriente varia con el tiempo este Fig. 1: Rectificador de media onda [1]
proceso es más complicado, por eso la aplicación de los diodos
es rectificar la corriente alterna, pero también tienen otras
aplicaciones como recortar un pedazo de la señal también Por otro lado están los circuitos rectificadores de onda
se conoce como limitadores y eliminan una parte de tensión completa, hay varias configuraciones para lograr esto, la mas
que este por encima de una tensión de referencia, sirve para común y eficiente es con un puente de diodos como se ve en
proteger sobre tensiones en un dispositivo. la figura 2 en la parte izquierda se ve la señal de entrada y en
Otra aplicación de los diodos es sujetar la señal es decir la parte derecha el esquema del circuito.
desplaza la señal a cierto nivel de tensión puede ser necesario
cuando las variaciones de corriente alterna deben producirse
en torno a un nivel concreto de corriente continua. También,
están los multiplicadores, un multiplicador de tensión es un
circuito eléctrico que convierte tensión desde una fuente de
corriente alterna a otra de corriente continua de mayor voltaje
mediante etapas de diodos y condensadores.

II. MARCO TE ÓRICO

A. Rectificador
Un circuito rectificador, puede ser de media onda o de Fig. 2: Rectificador onda completa [1]
onda completa; para rectificar media onda de una señal de
corriente alterna se necesita un diodo, una resistencia y fuente
de corriente alterna, la fuente de corriente alterna varia en el La corriente alterna varia en el tiempo, cuando la corriente
tiempo de voltaje positivo a voltaje negativo, cuando por el esta en su ciclo positivo el circuito se comporta como se
diodo pasa el voltaje positivo de la señal el diodo conduce observa en la figura 3 los diodos 1 y 4 quedan conectados
 2

en inverso por lo cual se comportan como un circuito abierto

y la corriente fluye como se muestre en la imagen 3 En el
lado izquierdo se ve la señal de entrada y en el lado derecho
la señal de salida, es la misma ya que como se menciono pasa
toda la parte positiva de la señal con la resistencia R.

Fig. 5: Recortador en serie [1]

Cuando la señal cambia al ciclo negativo Con voltajes

Fig. 3: Corriente alterna ciclo positivo Rectificador onda
completa [1]
menores que la fuente DC el diodo se encuentra en el estado
de circuito abierto y la salida es de 0 V, como se muestra en
el trazo de vo en la figura 6 . Otra cosa que se debe tener
en cuenta es que cuando el diodo está encendido y se estable
corriente a través de él, el voltaje de salida será el siguiente,
según la ley de voltajes de Kirchhoff: vo = vi + V.

De manera similar cuando la corriente de entrada es del

ciclo negativo de la señal los diodos 2 y 3 quedan conectados
en inverso y se comportan como un circuito abierto, la
corriente fluye como se ve en la figura 4 donde la señal llega
a la resistencia R por el mismo lado que llegaba anteriormente
es decir positiva mente como se ve en en lado derecho de la
figura. De esta manera el resultado es que el circuito rectifica
la onda completa de la señal a través de todo el periodo. Fig. 6: Recortador en serie (entrada y salida) [1]

2) Recortador en paralelo: El análisis se hace de manera

Fig. 4: Corriente alterna ciclo negativo Rectificador onda
completa [1]
similar a como se hizo en el recortador en serie, pero en este
caso el esquema general esta dado por la figura 7, en este
caso la polaridad de la fuente de DC y la dirección del diodo
indican que el diodo conduce durante una buena parte de la
región negativa de la señal de entrada. Cuando el diodo actúa
como cortocircuito es decir conduce la salida será de V DC.
Por otra parte, cuando el diodo actúa como circuito abierto, la
corriente a través de la red en serie será de 0 mA y la caı́da
de voltaje a través del resistor será de 0 V. Eso ocasiona que
vo = vi siempre que el diodo deje de conducir.

B. Recortadores

Los recortadores como su nombre lo indican recortan parte

de la señal de corriente entrante, en esta categorı́a también
podrı́an entrar los rectificadores de media onda pues recortan
la parte negativa de la señal.
Existen varias configuraciones de recortadores según la
Fig. 7: Recortador en paralelo [1]
aplicación que se requiera, las configuraciones mas comunes
son en serie o paralelo.
1) Recortador en serie: Un esquema general se puede ver El resultado es un cambio de estado cuando Vi = V, el nivel
en la figura 5, cuando el voltaje de entrada esta en el ciclo de transición se traza junto con vo = V cuando el diodo está
positivo de la señal el diodo esta en directo pasa corriente por encendido. Para Vi ≤ V, vo = V, y la forma de onda se repite
él. en la gráfica de salida, como se ve en la figura 8.
 3

Fig. 8: Recortador en paralelo salida y entrada [1]

Fig. 10: Rectificador de onda completa [1]

C. Sujetador
Un sujetador es una red compuesta de un diodo, un resistor
y un capacitor que desplaza una forma de onda a un nivel
de cd diferente sin cambiar la apariencia de la señal aplicada
Al simularlo se tiene la figura 11 donde amplitud de tensión
[1]. Para este tipo de circuitos se debe tener en cuenta que el
de salida es 3.59V y el periodo es de 25ms.
resistor y el capacitor de la red deben ser elegidos de modo
que la constante determinada T=RC sea bastante grande para
garantizar que el voltaje a través del capacitor no se descargue
significativamente durante el intervalo en que el diodo no
conduce, en la figura 9 se puede ver de manera general el
esquema de este tipo de circuitos.

Fig. 9: Sujetador [1]

Cuando el diodo esta en directo y esta conduciendo corriente

y el condensador se carga en ese tiempo, cuando el diodo
deja de conducir y se comporta como circuito abierto el
condensador sigue cargado, aplicando la ley de voltajes de
Kirchhoff alrededor de la malla de entrada se obtiene que -V-
V-Vo=0 es decir V0=-2V la señal de salida esta mostrada en
la figura
III. SIMULACIONES Y CALCULOS
A. Rectificador de onda completa
El ejercicio propuesto es diseñar un circuito que rectifique
la onda completa y tenga una amplitud de aproximadamente
3,6 V y un perı́odo de 25 ms, teniendo en cuenta lo que se
aprendió en el marco teórico y lo aprendido en clase se opto
por un circuito como se ve en la figura 10
Fig. 11: Rectificador de onda completa simulación
Para analizar el circuito y tomando el diodo con el modelo
ideal se tiene que cuando la señal de entrada esta en el ciclo
positivo el diodo 1 no conduce (se comporta como circuito
abierto) y el diodo 2 si conduce (se porta como corto circuito)
como se ve en el esquema 12 de esta manera por leyes de de
tension se tiene que V0 = 1/2 Vi, en este caso como el voltaje
de entrada es 7.8 el V0 de salida seria 3.9 pero esto en el
modelo ideal, pero si tenemos en cuenta el modelo aproximado
que indica que cuando conduce el diodo de silicio se comporta
como una fuente de 0.7V, entonces el voltaje de salida seria
V0=(7.8-0.7)/2 = 3.55V.

Fig. 12: Análisis del circuito 10
B. Sujetadores
El ejercicio propuesto es diseñar un circuito que tenga
una señal de entrada v(t) = 5sin(wt) con frecuencia de 1
kHz y su salida sea una señal cuyo voltaje maximo sera
7V y su voltaje mı́nimo sera -3V, el diseño propuesto se ve
en el esquema 13. Para hacer este esquema se baso en lo
investigado en el marco teórico en la parte de sujetadores, el
valor de T=200000*0.000001=0.2, el tiempo que se requiere
para garantizar que el capacitor no se descargue.
Fig. 13: Esquema del circuito propuesto
Al simular este circuito se obtuvo la señal pedida como se
ve en la figura 14
Fig. 14: simulación del circuito 13
4
El siguiente ejercicio propuesto era algo similar con una
señal de entrada de v(t) = 5sin(wt) con frecuencia de 1 kHz
pero valor máximo 1V y valor mı́nimo -9V, en este caso se
intento usar el esquema de los sujetadores pero no funcionaba
muy bien, para poder estabilizar la señal se tuvo que poner dos
condensadores y dos resistencias, si no se ponı́an la señal de
salida era de forma cuadrada, en cambio ası́ los condensadores
se cargan y la señal se desplaza como se pide y se mantiene
sujete en ese rango de valores.
Fig. 15: Esquema del circuito propuesto
Al simular este circuito se obtuvo la señal pedida como se
ve en la figura 16
Fig. 16: simulación del circuito 15
C. Recortador y sujetador
se pedı́a diseñar un circuito cuya señal de entrada era V(t)=
de 8sin(wt) a frecuencia de 1 kHz, se recorte en 3V hacia
arriba y 3V hacia abajo, se utilizo el esquema general de
recortadores, pero para que se recortara el ciclo positivo y
el ciclo negativo se puso un diodo de forma inversa al otro
para que de esta forma se asegurara de recortar las dos partes
de la onda el resultado es el esquema 17.

Fig. 17: Esquema del circuito propuesto
Al simular este circuito se obtuvo la señal pedida como se
ve en la figura 18
Fig. 18: simulación del circuito 17
IV. AN ÁLISIS DE RESULTADOS
A. Circuitos diseñados
1) Rectificador de onda completa: En la figura 19 se puede
ver la señal de entrada para probar el circuito diseñado de la
figura 10.
Fig. 19: Señal de entrada rectificador de onda completa
La señal de salida se muestra en la figura 23 se puede ver
que las dos señales no se pueden mostrar juntas porque al
conectar el osciloscopio las dos sondas como el osciloscopio
comparte la tierra de las sondas distorsiona la salida por eso
fue necesario conectar una sola sonda y mostrar por separado
las señales.
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Fig. 20: Señal de salida rectificador de onda completa
Este circuito si bien rectifico la onda de forma aproximada
a como se esperaba, se puede ver que en un periodo de tiempo
la tension es mayor que en otra parte del periodo esto se debe
a que las resistencias reales no son de exactamente 2KΩ y
esto hace que varié la tension como se explico en los cálculos
que se realizaron. Otra cosa que se debe tener en cuenta en
este circuito es que no es eficiente pues se necesita el doble
del voltaje deseado para el voltaje de entrada, cosa que no
ocurre en el puente de diodos como se explico en el marco
teórico.
2) Sujetadores: Se tomo verifico en el oscilospio el circuito
diseñado en el esquema figura 13 se comprobó que la señal
si se desplaza hacia arriba y se sujete a ese rango de valores,
hay algunas diferencias ya que el generador de señales era
con perillas y era difı́cil poner el valor exacto de voltaje pico
requerido.
Fig. 21: Señal de salida sujetador figura 13
Se tomo verifico en el oscilospio el circuito diseñado en el
esquema figura 15 en este caso ocurrió lo que se esperaba
mientras los condensadores cargaban la señal si bien se
desplazaba hacia abajo no estaba en el rango esperado, pero
una vez los condensadores cargaban se obtenı́a una señal como
la mostrada en la figura 21.

Fig. 22: Señal de salida sujetador figura 15
3) Recortador y sujetador: Al comprobar el diseño del
esquema de la figura 17 se puede ver que si el circuito si
recorta la señal como se esperaba aunque tiene una forma no
tan recta en las puntas debido al condensador que seguramente
no se mantiene en voltaje esperado y se alcanza a descargar
ligeramente
Fig. 23: Señal de salida rectificador de onda completa
B. Circuitos propuestos
1) Circuito 1 (Recortador) : Según el montaje, cuando la
señal de entrada es positiva el D1 conduce, ya que lo polariza
en directo. Pero para que conduzca la señal debe superar los
3 v de la fuente DC. Por esta razón, el osciloscopio muestra
un corte cuando Vout se aproxima a 3 v.
La misma situación se repite para la parte negativa, pero en
este caso es D2 es el que se polariza en directo. En cambio
D1 se aproxima a un circuito abierto.
Fig. 24: Montaje: Circuito re cortador.
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Fig. 25: Señal de salida circuito 1
En la función de transferencia, que en la imagen quedó
desplazada a la derecha, se deduce que en el semi-ciclo
positivo, Vi va a ser igual Vout hasta que llega a 3v, donde se
vuelve continua. Y en el semi-ciclo negativo, se repite esto,
pero en -3v.
Fig. 26: Función de transferencia circuito 1
2) Circuito 2 (Recortador) : Este montaje es similar al del
circuito 1. En este caso se recorta la señal de la misma forma
en el semi-ciclo positivo, pero en el negativo se recorta todo.
Esto es porque en la rama de D1 no hay ninguna fuente DC,
ası́ que el voltaje de salida es 0 v.
Fig. 27: Montaje: Circuito recortador 2

Fig. 28: Señal de salida circuito 2
Ası́ mismo, si se desplaza la gráfica de la función de
transferencia en el oscilospio, hacia la derecha; se verá que
en el semi-ciclo negativa V out es cero y en el positivo V out
es igual a V i, hasta que llega a 3v.
Fig. 29: Función de transferencia circuito 2
3) Circuito 3 (Sujetador) : El análisis de los siguientes
montajes, puede resultar más fácil con una señal cuadrada.
Cuando Vi es positivo y menor a 5 v, el diodo disipa la señal de
entrada. Cuando es mayor a 5v se polariza en directo, entonces
Vout es no supera los 5 v y C1 se carga a 5v. La diferencia de
voltaje del condensador se consigue aplicando la ley tensiones.
Luego, cuando Vi es negativo el diodo se comporta como
circuito abierto, disipando los 5 v de la fuente que lo conecta
en serie. Es importante resaltar, que el valor de la resistencia es
fundamental; si se tuviera un valor más bajo no podrı́a disipar
el voltaje de la fuente y el condensador cuando el diodo se
abre.
Fig. 30: Montaje: Circuito sujetador
7
Fig. 31: Señal de salida circuito 3
En la función de transferencia, se tiene una recta con
pendiente mayor, donde el eje vertical es Vi y el horizontal
Vout .
Fig. 32: Función de transferencia circuito 3
4) Circuito 4 (Multiplicador) : Cuando Vi es mayor a 0 y
menor o igual a 2v, el D1 conduce y C1 se carga. Se puede
ignorar el resto del circuito, puesto que está en paralelo con
un corto.
En el momento en que Vi comienza a bajar, menor a 2v, C2
se comienza a cargar, hasta que finalmente queda con el doble
de diferencia de potencial de la fuente,llegando al semi-ciclo
negativo.
Esto se repite para C3. Si la constante τ en el circuito fuera
muy pequeña no se podrı́a obtener este comportamiento.
Fig. 33: Montaje: Circuito multiplicador

Fig. 34: Señal de salida circuito 4
La gráfica de transferencia, muestra que para la señal de
entrada Vi se tiene una salida de -4 v, duplicando la señal
que recibe el circuito. El condensador C3 tarda más tiempo
en cargarse.
Fig. 35: Función de transferencia circuito 4
V. PREGUNTAS
• ¿Qué dificultades encuentra en la realización de las
mediciones?
• ¿Encuentra diferencias entre las mediciones, los cálculos
de diseño y los resultados de simulación? ¿A que atribuye
las diferencias si las hay?
• ¿Cómo se puede identificar si el tipo de circuito es
un recortador, multiplicador, sujetador, limitador o un
rectificador?
• ¿Qué ocurre cuando se incrementa la frecuencia de la
fuente de alimentación?
• ¿Cómo se afecta el comportamiento de cada circuito si
se cambia la forma de la señal de entrada o su amplitud?
VI. RESPUESTA A LAS PREGUNTAS
• La dificultad de las mediciones era la puesta a tierra por
ejemplo en el caso del circuito 1 diseñado como se ve en
la figura la tierra de entrada y salida son diferentes pero
al medir las dos señales juntas se distorsiona la señal
porque el osciloscopio comparte la tierra para sus dos
salidas, cuando se conectada el osciloscopio a la entrada
y salida el circuito quedaba como si salida compartiera
tierra con la entrada y esto es incorrecto por lo cual se
alteraba la medición.
8
• Si hay diferencias ya que el simulador no tiene en cuenta
factores como la temperatura o la variación que tienen las
resistencias, por ejemplo en la figura se ve que a pesar de
que se esta rectificando la señal hay una diferencia entre
la rectificación del ciclo positivo de la señal y del ciclo
negativo pues las resistencias en teorı́a son de 200Ω pero
en la realidad tienen una incertidumbre del 10% que hace
variar su valor en ese rango y afecta la rectificación.
• El tipo de circuito se identifica por la configuración que
tiene, en el caso del rectificador hay 3 configuraciones,
puente de diodos, usando un transformador o con 3
resistencias del mismo valor y dos diodos, en el caso de
los sujetadores su configuración se explico en el marco
teórico y la caracterı́stica es que tienen condensadores
que mantienen cierto voltaje para que el diodo siga con-
duciendo y finalmente los recortadores tiene una fuente
DC como caracterı́stica.
• Cuando se incrementa la frecuencia solo se modifica el
periodo de la señal mas no afecta el comportamiento del
circuito
• Cuando se cambia la forma de la señal o la amplitud
ahı́ si cambia completamente la señal de salida, ya que
puede ocasionar que el diodo no conduzca sobre todo
en el caso de los sujetadores y recortadores, ya que se
calculan valores para los cuales el condensador se carga y
diodo conduzca si se cambia la amplitud de entrada este
valor sera diferente y en el caso de los recortadores se
calcula un voltaje para la fuente DC y si cambia el valor
de entrada por ejemplo que sea menor al de la fuente el
diodo siempre conducirá solo esta influido por el valor
de la fuente DC.
VII. CONCLUSIONES
Las configuraciones con diodos son de utilidad para proteger
los circuitos, y demás, pero es necesario tener cuidado al
realizar los cálculos para determinar el valor adecuado de las
resistencias y el condensador, siempre teniendo en cuenta que
el valor de las resistencias real puede variar y esto afectara el
comportamiento de la señal como en el caso del rectificador
de onda completa que se diseño y no se tuvo en cuenta esa
variación de las resistencias reales.
Se debe tener precaución con las tierras y como conectar
el circuito ya que esto también afecta significativamente el
funcionamiento del mismo, y la frecuencia no juega un factor
importante en estas configuraciones pero si la forma de la
señal y la amplitud ya que cualquier variación en estos afectos
pueden cambiar completamente el funcionamiento del circuito
ya que los cálculos se dan para cierto valores de entrada y
ciertas formas de señal.
R EFERENCIAS
[1] R. Boylestad, Boylestad and Nashelsky’s electronic devices and circuit
theory, 1st ed. Toronto: Prentice Hall, 2001, pp. 77-114.
[2] A. Sedra and K. ”Señales”Smith, Microelectronic circuits, 4th ed. Oxford:
Toronto pp. 2-6.
[3] M. Sadiku, C. Alexander and S. Musa, Applied circuit analysis, 1st ed.
New York, NY: McGraw-Hill, 2013, pp. 457-483.
 TRANSISTOR MOSFET

• MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

• Tipos: Canal n y canal p.

Uno y otro son complementarios: simétricos y opuestos en cuanto a la polaridad de las tensiones

• Estructura física y símbolo de un nMOSFET:

L Óxido (tox) Operación
S G D
W G (a GND)
S D
n+ n+ Metales
Contactos óhmicos
Canal
n+ n+
p- B

W: anchura p- B
L: Longitud
D
GND
D(Drain): Drenador D
G(Gate): Puerta
S(Source): Fuente G B
IDS VGS>VT: crea canal de conducción
B(Body): Cuerpo o sustrato G
n+: dopado n fuerte +
p-: dopado p débil S VGS VDS>0: crea corriente de conducción IDS
VT: Umbral (Threshold) S

Dpto. Tecnología Electrónica SISTEMAS DIGITALES AVANZADOS Caracterización temporal - 53

 TRANSISTOR MOSFET: ECUACIONES ELÉCTRICAS

• Tensión umbral, VT: V T = V T0 + γ ⋅ f ( V SB )

VT0: depende esencialmente de la tecnología, sobre todo de Cox = εox/tox, no de la geometría

Valores típicos. entre 0.5 y 1.5 volt en nMOSFET de enriquecimiento (enhancement) y entre -1 y -4 volt en
nMOSFET de empobrecimiento (depletion)

γ: coeficiente del efecto sustrato (body effect) VGS=VDS+VT

IDS
• Región de corte (subumbral): ocurre si VGS < VT y en ella, I DS ≅ 0
crece

• Regiones lineal y de transición: ocurre si VGS > VT y VDS < VGS, VGS
lineal, VDS pequeña: I DS = β ⋅ ( V GS – V T ) ⋅ V DS
2
V DS
de transición, VDS mayor: I DS = β ⋅ ( V GS – V T ) + ---------- ⋅ ( 1 + λ ⋅ V DS )
2
λ es la modulación de la longitud de canal Saturación VDS
Lineal
• Región de saturación: ocurre si VGS > VT y VDS > VGS,
2
De transición VGS<VT
( V GS – V T ) Corte
I DS = β ⋅ ------------------------------ ⋅ ( 1 + λ ⋅ V DS )
2

Transconductancia del proceso: k = μ Cox , donde la movilidad es μn≅ 2.5 μp

Transconductancia del dispositivo: β = k W/L

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 TRANSISTORES
• Representación y tensiones umbrales:
nMOSFET (enhancement) nMOSFET (depletion) pMOSFET

VTn > 0 VTn < 0 VTp < 0

• Comparación entre tipos n y p. La conducción es similar si las transconductancias son iguales:

( β n = β p ) ⇒ W p ⁄ L p = 2,5 × W n ⁄ L n

• A veces se utiliza:

K = βn ⁄ βp = μn ⁄ μp × ( Wn ⁄ Ln ) ⁄ ( Wp ⁄ Lp )

• La intensidad crece conforme aumenta W/L

Dpto. Tecnología Electrónica SISTEMAS DIGITALES AVANZADOS Caracterización temporal - 55

 TRANSISTORES: CAPACIDADES

Cgd D

Cdb
B
G

Cgs Csb

Cgb
S

Con buena aproximación, es equivalente a una única capacidad Cg

Cg = Cgs + Cgb + Cgd ≅ W L Cox

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 VALORES DE ALGUNOS PARÁMETROS [Dally98]

* Constantes del Si:

Parámetro Descripción Tipo n Tipo p

εSi Permitividad del Si 104 aF
εSiO2 Permitividad del óxido de Si 34.5 aF
μn Movilidad de electrones 0.135 m2/V·s
μp Movilidad de huecos 0.048 m2/V·s
ni Concentración intrínseca 1.45 · 1016 m-3

* Valores típicos de un proceso CMOS de 0.35 μm:

Parámetro Descripción Tipo n Tipo p

VT Tensión umbral + 0.5 V - 0.5 V

k Transconductancia del proceso 200 μA/V2 50 μA/V2
tox Anchura del óxido de Gate (puerta) 7 nm
λ Modulación de longitud de canal 0.1 V-1
γ Parámetro del efecto Body (cuerpo) 0.3 V1/2

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• Lógicas CMOS

CMOS estáticas

Redes de conmutación

Dinámicas

Otras

Dpto. Tecnología Electrónica SISTEMAS DIGITALES AVANZADOS Caracterización temporal - 58

• El inversor CMOS: Operación Estacionaria

Vdd
I II
Vout
Wp/Lp = 5/1
III
in out

IV
Wn/Ln = 2/1
V
GND Vin
VTn Vdd - VTp
Operación ON/OFF
pMOS
nMOS
Vin = 0 out = 1 out = 0
Vin = 1 Región I: p: óhmica n: corte
Región II: p: óhmica n: saturación
Región III: p: saturación n: saturación
Región IV: p: saturación n: óhmica
Región V: p: corte n: óhmica

Dpto. Tecnología Electrónica SISTEMAS DIGITALES AVANZADOS Caracterización temporal - 59

• Operación: Operación Dinámica
Vdd
out: paso a 1 out: paso a 0

ID in out
in out out out
CL

CL CL

GND
Vout

ID Volt
Vout Vin

Vdd-|VTp|
tPHL tPLH
Vin VTn
VTn Vdd - VTp
t
pMOS pMOS

nMOS nMOS

Dpto. Tecnología Electrónica SISTEMAS DIGITALES AVANZADOS Caracterización temporal - 60

• Formulación de Parámetros Temporales en MOST

En buena parte, los retrasos en puertas CMOS se deben a los tiempos de transi-
ción. Expresiones aproximadas para ellos son [ACOS2000]:

4C L V dd L n 4C L V dd L p
t f = --------------------------------------------------------- t r = ------------------------------------------------------------
2 2
μ n C ox W n ( V dd – V Tn ) μ p C ox W p ( V dd – V Tp )

Observaciones de interés:
* tr,f crecen proporcionalmente con la carga CL
* La subida (tr ) depende de la geometría del pMOST, disminuyendo linealmente
con Wp/Lp
* La bajada (tf ) depende de la geometría del nMOST, disminuyendo linealmente
con Wn/Ln
* Subida y bajada se hacen aproximadamente iguales (tr ∼ tf) al compensar las
transconductancias de los dispositivos, (βn ∼ βp), haciendo la geometría del
pMOS 2.5 veces mayor que la del nMOS: Wp/Lp ~ 2.5 Wn/Ln

Dpto. Tecnología Electrónica SISTEMAS DIGITALES AVANZADOS Caracterización temporal - 61

• Simetrías en los Inversores CMOS
* Son valores típicos en la geometría de un INV estándar simétrico. Se
trata de igualar las transconductancias del nMOS y del pMOS,
Vdd
compensando el que μn = 2.5 μp. Para ello se hace Wp/Lp también 2.5
Wp/Lp = 5/1 mayor que Wn/Ln; así, se obtiene
in out
k = βn/βp ~ 1

Wn/Ln = 2/1

* INV simétrico: umbral en Vdd/2, tr ~ tf, MNH ~ MNL

GND

Vout
También los INV se pueden hacer asímetricos desplazando VT :
k>1 ** K > 1: (Wn/Ln) > (Wp/Lp) permite desplazar VT hacia el 0
k =1
k<1 ** K < 1: (Wn/Ln) < (Wp/Lp) permite desplazar VT hacia el 1

Vin Así pueden variarse los márgenes de ruído y de los niveles lógicos

Dpto. Tecnología Electrónica SISTEMAS DIGITALES AVANZADOS Caracterización temporal - 62

• Potencia Consumida

La potencia (Pw = Energía/Tiempo) se disipa en forma de calor. En general debe ser reducida
1 para evitar los fallos que se producen en los circuitos al aumentar la temperatura
2 para reducir mantenimiento: menos coste y posibilidad de equipos portátiles,
autónomos y bioelectrónicos

La potencia en circuitos CMOS viene dada por una contribución estática (Pleakage) y dos
contribuciones dinámicas (Pshort-circuit y Pswitching):
P Total = P leakage + P short – circuit + P switching

1 La parte estática es debida a las pérdidas a causa de las corrientes de fuga: P leakage = ∑ I leakage ⋅ V dd
dispositivos
2 Pshort-circuit es debida al camino resistivo desde Vdd a GND durante la conmutación.
Depende de la tecnología, de los tiempos de subida/bajada y de las geometrías de los transistores
β 3
P short – circuit = ------ ( ( V dd – ( 2 ⋅ V T ) ) ⋅ t t ⋅ f )
12

(expresión aproximada en un INV simétrico)

2
3 Pswitching es debida a la carga y descarga de la capacidad de carga CL: P switching – media = f ⋅ C L ⋅ V dd

Pleakage es casi despreciable (CMOS no consume en estática) y Pswitching es la más importante

en condiciones normales

Dpto. Tecnología Electrónica SISTEMAS DIGITALES AVANZADOS Caracterización temporal - 63

• PUERTAS CMOS ESTÁTICAS: GENERALIDADES
Estructura general:
* La estructura de transistores del bloque p
es complementaria a la del bloque n:
serie paralelo bloque p
* Mantener características semejantes a la
de un INV con geometría W/L:
1’s
in out
** transistores en paralelo mantienen W/L
** transistores en serie se hacen con 0’s
(k·W)/L bloque n

Para hacer el análisis lógico basta modelar los

transistores como ON/OFF. El bloque p sumi-
nistra los 1’s de salida y el bloque n los 0’s

Pueden construirse Puertas Complejas

Dpto. Tecnología Electrónica SISTEMAS DIGITALES AVANZADOS Caracterización temporal - 64