Sunteți pe pagina 1din 5

Tiristoare cu blocare pe poartă

Tiristorul este un element semiconductor format din patru straturi pnpn,


având în afară de anod şi catod încă un electrod denumit poartă sau grilă. Tiristorul
prezintă proprietatea de a bloca tensiunea in ambele sensuri, intrând în conducţie numai in
cazul unei polarizări directe şi aplicării unei tensiuni pe grilă. Odată cu trecerea în conducţie
a tiristorului grila sa nu mai are nici un rol.

Tiristorul cu blocare pe poartă (GTO) este un dispozitiv cu structura pnpn,


amorsabil cu semnal pozitiv pe poartă şi care poate fi blocat cu semnal negativ
aplicat pe poartă chiar fără inversarea polarităţii tensiunii externe anod-catod.
Acest tiristor combină proprietăţile unui tiristor obişnuit (capabilitate ridicată
de blocare a tensiunii directe şi inverse, sensibilitate ridicată la semnalul de
aprindere aplicat pe poartă) cu cele ale unui tranzistor (capabilitate de stingere
prin aplicarea unui semnal pe terminalul de comandă).Prezintă avantaje certe faţă
de tiristoarele de putere (puterea relativ redusă consumată de poartă pe durata
funcţionării).
Aprinderea GTO se realizează prin aplicarea unui impuls pozitiv pe poartă,
comutarea din stare blocată în stare de conducţie realizându-se ca la un tiristor
obişnuit.
La aplicarea pe poartă a unui semnal negativ de amplitudine I GRM şi durată
tgq se declanşează procesul de blocare a tiristorului GTO.
Principalele componente ale timpului de blocare a tiristorului GTO sunt
prezentate în fig.1.

Fig.1. Variaţia curenţilor şi tensiunii la blocarea tiristorului GTO


Componentele timpului de blocare sunt:
- ts- timpul de stocare (timpul până când curentul anodic scade la
90% din valoarea sa în stare de conducţie);
- tf- timpul de descreştere (intervalul în care curentul scade la 0 %
din valoarea sa iniţială);
- tt- timpul de încheiere sau revenire (perioada de timp necesara
pentru scăderea curentului de la 10% la 2% din valoarea iniţială).
Obţinerea impulsurilor de comandă se realizează prin utilizarea
transformatoarelor de impuls cu prize mediane în primar şi secundar, pentru
transmiterea unui tren de impulsuri necesar amorsării. Acest tren de impulsuri se
obţine prin comanda alternativă a două tranzistoare MOSFET. Pentru blocare se
comandă tirisrtorul T prin care se descarcă condensatorul, (vezi fig.2). Impulsul
pentru intrarea în conducţie se obţine prin descărcarea condensatorului C.

Fig.2. Schemă de comandă a tiristoarelor GTO

Pentru protecţia tiristorului GTO se foloseşte circuitul prezentat in fig.3


Elementele circuitului de protecţie se dimensionează pornind de la
relaţiile:
Fig 3. Circuit de protectie pentru tiristorul GTO