Electronica Analogica

Noţiuni de electronica corpului solid

Purtători de sarcină în semiconductoare
- după conductibilitatea electrică corpurile solide sunt:
• conductoare - σ > 103/Ωcm la tamb
22 3
` - ne~ 10 /cm (electroni liberi)
- conductibilitatea scade cu temperatura
(în jurul ionilor pozitivi care nu participă la conducţie se mişcă electroni
mobili)
• semiconductoare - σ ~ 10-10÷103 / Ωcm (la temperatura ambiantă)
- pentru T<1000K rezultă σ < 10-10 / Ωcm
- σ depinde pronunţat de temperatură
• izolante - nici la temperaturi foarte mari nu prezintă o
conductibilitate electrică importantă

Comportarea materialelor este determinată de tipul legăturii chimice dintre

atomi:
• la metale (conductoare) există legătura metalică, foarte slabă în care
electronii formează un nor electronic şi pot participa uşor la conducţie;
• la izolatoare (materiale izolante) este specifică legătura ionică, foarte
stabilă până la temperaturi foarte mari; poate să apară, eventual, o
conducţie ionică;
• semiconductoarele pot fi constituite:
- dintr-un singur tip de atomi din grupa a patra (Ge sau Si)
- din tipuri de atomi din grupe apropiate (de exemplu, din grupele
III, V, exemplul tipic fiind semiconductorul GaAs);
Între aceste tipuri de atomi se pot stabili legături covalente care
constau din punerea în comun a unuia dintre electronii de valenţă.
Pentru a se elibera un electron din legătura covalentă este necesar
un surplus de energie.
La temperaturi mai mari de 1000K, datorită agitaţiei termice,
electronii din stratul de valenţă devin electroni liberi şi formează o sarcină
electronică reală mobilă.
În aceste condiţii, la aplicarea unui câmp electric, electronii liberi
se deplasează ordonat şi formează un curent electric de natură electronică ;
Dar, un electron de valenţă vecin, de pe altă legătură covalentă,
poate efectua o tranziţie (tot datorită agitaţiei termice) şi ocupă locul rămas
liber; sub influenţa câmpului electric, se constată că are loc o deplasare de
sarcină pozitivă în sensul câmpului electric, adică un electron devenit liber
determină efectuarea mai multor tranziţii ca şi când locurile libere s-ar

1
 deplasa. Se asociază acestei deplasări a unei sarcini pozitive noţiunea de gol,
adică un purtător de sarcină pozitivă care determina o componentă a
curentului electric. De remarcat că golul nu este o particulă elementară ci este
un concept care simulează deplasarea locurilor goale din structura
semiconductorului prin ocuparea lor de către electroni care se află deja pe
alte nivele energetice.

O altă explicaţie a celor două componente ale curentului electric dintr-un

semiconductor se poate da folosind teoria benzilor energetice dintr-un corp
solid.

metale izolatoare-semiconductoare

conductoare: la temperatura absolută 00 Kelvin toate nivelele din BV

sunt ocupate şi cele din BC sunt libere; nivelul Fermi separă cele două benzi;
dacă T creşte, apar electroni de conducţie care pot participa la conducţie.

semiconductoare (izolatoare): la temperatura absolută 00 Kelvin toate

nivelele din BV sunt ocupate şi cele din BC sunt libere; poziţia nivelului
2
 Fermi nu este precizată; electronii nu pot ocupa nivele din BI; la energie
termică suficient de mare (foarte mare) este posibil ca unii electroni să treacă
din BV în BC.
Numărul acestora depinde de ΔW:
- la germaniu: ΔW = 0,67 eV
- la siliciu: ΔW = 1,1 eV

Prin impurificare (procedee tehnologice), proprietăţile electrice ale

semiconductoarelor se modifică foarte mult fiind două posibilităţi:
• impurificare cu substanţe pentavalente (Bi, Sb, As) - donoare
- al 5-lea electron trece uşor în BC – apar electroni de conducţie
- la temp. camerei – toate impurităţile sunt ionizate
- procesul de generare de perechi nesemnificativ (încă)
semiconductor extrinsec
- purtătorii majoritari – electronii – semic de tip N
- purtătorii minoritari – golurile n >> p

donoare acceptoare

• impurificare cu substanţe trivalente (Al, In, Ga) - acceptoare

- apare uşor un gol în BV – pot participa la conducţie
- la temp. camerei – toate impurităţile sunt ionizate
- procesul de generare de perechi nesemnificativ (încă)
semiconductor extrinsec
- purtătorii majoritari –– golurile - semic de tip P
- purtătorii minoritari – electronii n << p

Observatie: fără impurificare – semiconductor intrinsec

- numărul golurilor egal cu al electronilor n = p = ni

În fizica corpului solid se calculează concentraţiile de electroni şi de goluri în

funcţie de poziţia nivelului Fermi:
Wc −WF WF −Wv
− −
n0 = ν n e kT p0 = ν p e kT

3 3
⎛ 2π mn kT ⎞ 2 ⎛ 2π m p kT ⎞ 2
ν n = 2⎜ 2 ⎟ ν p = 2⎜⎜ 2
⎟⎟
⎝ h ⎠ ⎝ h ⎠

3
 2
cu n0 p0 = ni (independent de WF)
( k-constanta lui Boltzman, h- constanta lui Plank)
Semiconductor intrinsec
Wc −WF WF −Wv
− −
n0 = p 0 → νn e kT =ν p e kT
→

Wc + Wv 3 kT m p
WF = + ln
2 2 q mn
o W + Wv
la 0 K → WF = c ;
2

T creşte → WF scade (m p < mn )

concentraţia intrinsecă de purtători ni :
Wc −WF ΔW
− −
ni2 = n0 p0 = ν nν p e kT
= ν nν p e kT

ΔW 3 ΔW
− −
n 2 = const . T 3 e kT → n = const. T 2 e 2kT
i i

ni ( Si ) ≅ 1.5 ⋅ 1010 / cm 3 ni (Ge) ≅ 2.5 ⋅ 1013 / cm 3

Se observa ca ni ( Si ) << ni (Ge) si sunt functie de temperatură
+
Pentru un semiconductor extrinsec de tip N : n0 = p0 + N d
- proveniţi prin generare de perechi
- proveniţi prin ionizarea impurităţilor donoare
la temperatură ambiantă n0 ≅ N d+
la temperatură mare n0 ≅ p0

Analog pentru semiconductor extrinsec de tip P

Observaţie: poziţia nivelului Fermi depinde de concentraţiile de impurităţi.

4
 Dacă semiconductorul este dotat neuniform cu impurităţi, la echilibru termic
poziţia nivelului Fermi rămâne fixă şi se modifică fundul BC şi vârful BV.

Conductibilitatea electrică a semiconductoarelor

• T mic – număr mic de purtători – nu este curent electric

• T ambiantă – numărul de purtători mobili de sarcină creşte prin
ionizarea impurităţilor obţinuţi datorită agitaţiei termice
Se aplică şi câmp electric → peste mişcarea de agitaţie termică dezordonată
se suprapune o mişcare dirijată a purtătorilor mobili de sarcină căreia îi
corespunde o viteză medie de deplasare. Se constată proporţionalitatea cu
câmpul electric:
v=μ E
v -viteza medie , E câmp electric aplicat
⎡ m2 ⎤
μ mobilitate ⎢ ⎥ – mărime de material:
V
⎣ ⎦ s
1 1
μ ≅ μ (Ge ); μ < μ (Si )
p 2 n p 2 n
depinde de: - temperatură (scade)
- defectele structurii cristaline (scade)
- concentraţia purtătorilor liberi

Din vitezele medii → curentul de câmp:

5
 j n camp = qnμ n E ; j p camp = qpμ p E
j = qnμ n E + qpμ p E = q (nμ n + pμ p )E = σ E
σ = qnμ n + qpμ p
- semiconductor intrinsec: σ i = qni (μ n + μ p )
- semiconductor de tip N: σ ≅ qnμ n ≅ qN d μ n
- semiconductor de tip P: σ ≅ qpμ p ≅ qN a μ p

Difuzia purtătorilor de sarcină

- semic. dopat neuniform cu impurităţi, fără câmp electric din exterior

a) tendinţa de uniformizare (ca la gaze) prin proces de difuzie → curent
de difuzie;
b) apare câmp electric sarcini electrice pozitive fixe (stânga) şi sarcini
electrice negative mobile (dreapta) care are tendinţa de a aduce înapoi electronii
spre stânga → curent de câmp.
c) rezultă proces de uniformizare dinamică
d) regim staţionar (de echilibru) când transportul de purtători prin difuzie
= transportul de purtători prin câmp.
Curentul de difuzie este proporţional cu gradientul concentraţiei de
purtători:
j n dif = qDn ∇n; j p dif = − qD p ∇p
⎡ cm 2 ⎤
Dn , D p → constante de difuzie, ⎢ ⎥ (depind de material)
⎣ s ⎦

Ecuaţiile de transport

j n = j n camp + j n dif = qnμ n E + qDn ∇n

j p = j p camp + j p dif = qpμ p E − qD p ∇p
j = jn + j p

La echilibru termic: j n = j p = 0

6
 Ecuaţiile de continuitate

- variaţia în timp a concentraţiei de purtători:

- generare de purtători (termic, iradiere, etc.) – Gn, Gp
- recombinare de purtători (gol + electron → dispar + foton) – Rp, Rn
- deplasare de purtători (div j ≠ 0)
∂p div j p div j p
= Gp − Rp − = Sp −
∂t q q
∂n div j n div j n
= Gn − Rn − = Sn −
∂t −q −q
S p = G p − R p viteza efectivă de creştere
Recombinare: - directă
- indirectă: - centri de recombinare
Sp va fi proporţională cu concentraţia de purtători în exces, p − p0 , de forma:
p − p0
Sp = −
τp
τ p este durata efectivă de viaţă a purtătorilor în exces
∂p p − p0 div j p
=− −
∂t τp q
∂n n − n0 div j n
=− +
∂t τn q

Dioda semiconductoare
Procese fizice

- cele mai multe dispozitive conţin joncţiuni pn

- joncţiunea pn este un semiconductor eterogen format din două regiuni distincte
dintre care una este dopată cu impurităţi acceptoare iar cealaltă cu impurităţi
donoare; cele două regiuni formează o singură reţea cristalină – doparea diferită
se realizează prin procedee tehnologice adecvate.
a) faptul că cele două regiuni de tip diferit sunt una lângă alta face ca în
dreptul joncţiunii golurile din zona P să difuzeze în zona N; golurile pătrunse în
zona N se recombină rapid cu electronii care sunt majoritari; acelaşi lucru se

7
întâmplă cu electronii din zona N care difuzează în zona P; rezultă că apare un
curent de difuzie;
b) prin plecarea golurilor din zona P în zona N, în imediata vecinătate a
joncţiunii apare o zonă cu sarcină negativă care este sarcina ionilor acceptori
pentru neutralizarea cărora nu mai sunt suficiente goluri; la fel, în zona N;
această sarcină spaţială fixă creează un câmp electric care duce la apariţia unui
curent de câmp ce se opune curentului de difuzie. Deci, in dreptul joncţiunii
apare o barieră de potenţial care duce, prin curentul de câmp, la starea de
echilibru; deci, prin joncţiune, la echilibru termodinamic, nu există un transport
net de purtători;
c) în regiunile neutre există purtători mobili de sarcină în număr mare, iar
conductibilităţile electrice vor fi:
- în regiunea p: σ p ≅ qμ p p p
- în regiunea n: σ ≅ qμ n
n n n
valori suficient de mari pentru a considera conducţia curentului foarte bună. În
primă aproximaţie, se presupune că rezistenţa electrică a acestor zone este
suficient de mică astfel încât pot fi neglijate căderile de tensiune
corespunzătoare. În aceste condiţii, limitarea curentului prin joncţiune va fi
determinată de regiunea de trecere în care numărul de purtători mobili de sarcină
este mai mic.

8
 (Na) (Nd)
P N

impuritati

Na -

Nd + x

p(x)

Pp Pn pp ≅ N a

n(x)
np nn nn ≅ N d

ρ(x)

+
- x

u(x)
U0

9
 Joncţiunea pn cu tensiune aplicată

a) regim de echilibru termodinamic:

d ifuzie g o luri
difuzie elec troni
c a m p go luri
c a m p ele c troni

dn
dw

μ q v0
μ
ΔW

qv w
- 4 componente ale curentului
- numărul de purtători care difuzează (purtători care înving bariera de potenţial)
depinde de U 0 ;
iD = i pM − i pm + inM − inm = 0

b) se aplică tensiune inversă:

d ifuzie go luri
difuzie elec troni
c a m p go luri
c a m p ele c troni

dn
dw

ΔW μ
q(v0-u D )
μ
ΔW
q v 0 q(v0-u D) w
-
Fizic: la polarizare inversă, nu există difuzie de purtători, dar în imediata
vecinătate a regiunii de trecere apare o generare termică de perechi de purtători
care sunt antrenaţi de câmpul electric; astfel, curentul invers este un curent de
generare.

iD = i pM − i pm + inM − inm < 0

c) se aplica tensiune directă:

10
 d ifuzie g o luri
difuzie elec troni
c a m p goluri
c a m p ele c troni

dn
dw
q(v0-u D )
ΔW μ μ
ΔW
-
q(v0-u D) q v 0 w
Fizic: la polarizare directă, în imediata vecinătate a regiunii de trecere, în zona
N, va fi un exces de goluri, dar care nu trăiesc mai mult de τ p şi nu pătrund mai
mult de L p . La fel pentru electronii din zona P. Apare o recombinare puternică
în ambele zone şi se obţine curentul direct care este un curent de
recombinare.

iD = i pM − i pm + inM − inm > 0

desene

Caracteristica curent tensiune

AD fiind aria transversală a joncţiunii: i D = Aj D

⎛ qD p pn qDn n p ⎞ qukTD
iD = A⎜⎜ + ⎟(e − 1)
⎟
⎝ L p
L n ⎠
qu D
⎛ qD p pn qDn n p ⎞
i D = I 0 (e kT
− 1) cu : I 0 = A⎜⎜ + ⎟
⎝ Lp Ln ⎟⎠
(curentul de saturaţie)

Reprezentarea grafică:

11
 kT kT
- pentru u D > 0 u D >> ( = 26mV ) la temperatura
q q
qu D

ambiantă, rezultă: iD = I 0 e ; kT

kT
- pentru uD < 0 u D >> , rezultă: iD = − I 0
q
ΔW ΔW
− −
Deoarece: n = ct.T e
i
2 3 kT
, rezultă: I 0 = ct.T e 3 kT

Concluzii:
- I 0 se dublează la fiecare 10 0 C pentru Ge şi la 6 0 C pentru Si.
- I 0 este mult mai mic la Si decât la Ge (circa 3 ordine de mărime).

4. Abateri de la caracteristica ideală

⎛ qu D ⎞
- caracteristica ideală: iD = I 0 ⎜ e kT − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
- caracteristica unei diode reale:

zona I – zona caracteristicii ideale

zona II – zona curenţilor mari - contează rezistenţele zonelor neutre – apare o
tendinţă de liniarizare a caracteristicii
zona III – zona curenţilor direcţi de valoare mică – nu se mai pot neglija
fenomenele de generare-recombinare din regiunea de trecere (care creşte); se
qu D qu D
ηkT
obţine o caracteristică de tipul e 2 kT ; mai corect, e cu valori pentru η
12
de circa 1,2 (pentru Ge) şi, respectiv de 1 - 1.5 (pentru Si)
zona IV – zona tensiunilor inverse mici (normale); curentul invers are mai multe
componente:
- curentul de saturaţie al joncţiunii (constant);
- curentul de generare din regiunea de trecere (creşte odată cu creşterea
valorii inverse a tensiunii aplicate);
- curentul de pierderi la suprafaţă (dependent de tensiunea aplicată)
Ponderile acestor componente sunt diferite în funcţie de material.
zona V – zona tensiunilor inverse mari, în care curentul invers creşte nelimitat
(poate fi limitat numai de circuitul exterior). Sunt 2 fenomene:
- fenomen Zener – smulgerea de purtători din reţea prin câmp electric;
- fenomen de multiplicare în avalanşă – producere de purtători prin
generare sau prin câmp electric, accelerarea acestora, ciocnirea cu reţeaua şi
smulgerea altor purtători.
iinvers = MI 0 coeficient de multiplicare în avalanşă:
1
M= m
⎛u ⎞
1 − ⎜⎜ D ⎟⎟
⎝ U str ⎠
U str tensiune de străpungere – dependentă de concentraţiile de impurităţi;
m exponent dependent de material: 3 pentru Ge tip P+N, 4-7 pentru Ge tip
PN+, Si.

Aproximarea caracteristicilor (modele):

- dioda ideala

- dioda idealizată, cu tensiune de prag, U D cu valori de 0,2-0,3V pentru

Ge şi 0,6V pentru Si (la curenţi relativ mici)

- dioda idealizată cu tensiune de prag şi cu rezistenţă serie

13
 - curentul invers se neglijează, practic, întotdeauna; eventual se ţine seama
de rezistenţa de pierderi, de valoare foarte mare.

4. Regimul dinamic al joncţiunii pn

Circuit de polarizare:

Determinarea PSF: (U D , I D )
Ecuaţii: E = RiD + uD dreapta de funcţionare statică → PSF
iD = iD (u D ) M ( I D ,U D )
Regimul dinamic se aplică peste regimul de curent continuu. Punctul de
funcţionare se deplasează în jurul PSF iar pentru semnale variabile suficient de
mici, comportarea diodei poate fi considerată liniară.

Este necesar un model (o schema echivalentă) valabil pentru regimul dinamic şi

anume pentru determinarea curentului prin circuit şi a tensiunii la bornele
diodei.
a) la frecvenţe joase – se pot neglija fenomenele reactive şi modelul va fi
caracterizat printr-o rezistenţă dinamică.
⎧u D = U D + ud
Fie: ⎨ componente PSF şi componente variabile;
⎩iD = I D + id

14
 ⎛ qu D ⎞ ⎛ q (U D + u d ) ⎞ ⎛ qU D qu d ⎞
iD = I 0 ⎜ e kT − 1⎟ = I 0 ⎜ e kT − 1⎟ = I 0 ⎜ e kT e kT − 1⎟ =
⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
⎛ qU D ⎛ qud ⎞ ⎞ ⎛ qU D ⎞ qu
qU D
= I 0 ⎜ e kT ⎜1 +
⎜ ⎟ − 1⎟⎟ = I 0 ⎜⎜ e kT − 1⎟⎟ + I 0 d e kT
⎝ ⎝ kT ⎠ ⎠ ⎝ ⎠ kT
qU
qud kTD
Rezultă: id = I 0 e
kT
u kT 1 kT
rezistenţa dinamică: rd = d = =
id q qU D
q( I D + I 0 )
I 0e kT
kT
La polarizare directă: U D > 0, U D >> = 0,026 V
q
kT kT vT
rd = ≅ =
q ( I D + I 0 ) qI D I D

rd =
vT 26
= ; [Ω] = [mV ] (zeci de ohmi)
ID ID [mA]
kT
La polarizare inversă: U D < 0, U D >>
q
kT
rf = foarte mare (megaohmi)
qI 0
b) la frecvenţe înalte apar elemente capacitive:
- datorită sarcinilor fixe din regiunea de trecere
- datorită sarcinilor mobile din zonele în care are loc difuzia de
purtători de sarcină

capacitatea de barieră

nn
qN a A l0
Cb 0 nn + p p
Cb = ; Cb 0 =
U 2U 0
1− D
U0
- Cb 0 este proporţional cu aria joncţiunii;
- În funcţie de profilul de impurităţi se obţin relaţii de forma:

15
 Cb 0
Cb = m
cu m având valori cuprinse între 0,3 si 0,5.
⎛ uD ⎞
⎜⎜1 − ⎟⎟
⎝ U 0 ⎠
De regulă, are efect negativ (întârzie răspunsul la frecvenţe înalte)
Se foloseşte sub forma de diodă Varicap.

capacitatea de difuzie
Este determinată de surplusul de sarcină obţinut prin difuzie:
Capacitatea totală de difuzie:
Aq 2 ( pn L p + n p Ln ) qU D
Cd = e kT = ct.I D (din PSF).
kT
q
Cd = τ p ID
kT
Capacitatea de difuzie este proporţională cu curentul direct prin diodă.
Capacitatea de difuzie este mai importantă decât capacitatea de barieră în
conducţie directă şi este neglijabilă la polarizarea inversă a diodei.
Modele simplificate:
- la frecvenţă joasă:

- la blocare:

- la conducţie cu tensiuni directe mici

Variante constructive

1. Diode de semnal mic – diverse utilizări

parametri: - curentul maxim direct admisibil – 50 - 100 mA
- tensiunea invers maxim admisibilă – 20 – 100 V
- putere disipată maxim admisibilă – 150 mW
2. Diode redresoare – utilizare în conversia ca→cc pentru frecvenţe de până
la 400 Hz
- curentul maxim direct admisibil - 10 mA – 100 A
- tensiunea invers maxim admisibilă – 10 – 1000 V
- putere disipată maxim admisibilă – 0,1 – 100 W
(se pot utiliza şi sub forma de punţi redresoare)

16
 3. Diode de detecţie – demodularea semnalelor, funcţionează la frecvenţe
mari şi foarte mari, dar la puteri mici. Pot fi diode cu joncţiuni sau diode
Schottky.
4. Diode varicap – cu utilizare în circuite acordate, oscilatoare, filtre, la care
se foloseşte dependenţa capacităţii de barieră a diodei de tensiunea inversă
aplicată; capacitatea de barieră este proporţională cu aria
Cb 0
joncţiunii: Cb = m
⎛ UD ⎞
⎜⎜1 − ⎟⎟
⎝ U 0 ⎠
5. Diode de comutaţie utilizate în circuite de comutaţie; parametrii principali
îi reprezintă timpii de comutaţie directă şi inversă; de obicei, parametrii
referitori la mărimile maxim admisibile nu sunt limitativi.
6. Diode Zener se bazează pe fenomenul de multiplicare în avalanşă.
tensiunea stabilizată este cuprinsă între 3V şi 100V iar curentul prin diodă
este de ordinul a 10 - 100 mA, în funcţie de puterea diodei.

Caracteristica+simbol

7. Diode Tunel (Esaki) sunt de tipul P+N+ la care surplusul de purtători

trece peste bariera de purtători prin efect tunel; are caracteristica cu rezistenţă
negativă şi se foloseşte în circuite care funcţionează la frecvenţe mari sau în
circuite de comutaţie.
iD

uD

8. Fotodiode (fotoelemente) sunt diode cu joncţiuni sau de tip Schottky la

care radiaţiile luminoase pot pătrunde prin capsulă şi sunt absorbite de
materialul semiconductor – ca urmare se intensifică procesul de generare de
perechi electron-gol şi se modifică curentul de saturaţie al diodei. Se
foloseşte numai cu polarizare inversă.
9. Diode electroluminiscente (LED) sunt realizate din joncţiuni de tipul
GaAs, semiconductor cu banda interzisă de circa 1,6 -1,7 eV. În urma
recombinărilor directe, se emit cuante de lumină în spectrul vizibil, cu
diferite culori. Funcţionează numai la polarizare directă.
10. Diode generatoare şi amplificatoare de microunde (IMPATT,
TRAPATT, BARIT) – funcţionează după alte principii fizice.

17