Ministerul Educaţiei, Culturii și Cercetării

Universitatea Tehnică a Moldovei

Facultatea Calculatoare Informatică şi Microelectronică
Departamentul Ingineria Software şi Automatică

Raport
privind efectuarea
lucrării de laborator nr.5

Disciplina: Circuite și Dispozitive Electronice

Tema: STUDIEREA TRANZISTOARELOR BIPOLARE

A efectuat: Crîșmaru Ion

A verificat: Nicolae Magariu

Chișinău – 2018
Tema: Studierea caracteristicilor i a parametrilor diodelor semiconductoare
Scopul lucrării: Determinarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar în conexiunea cu baza
comună (BC) și cu emitorul comun (EC) și calcularea parametrilor “h” pentru semnale mici.

Efectuarea lucrării
Tabelele cu datele experimentale:
Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului bipolar în
conexiune BC:

UEB, mV 20 4 60 80 10 12 14 16 20 240 28
0 0 0 0 0 0 0
UCB = 0 0 0 0, 0, 0, 0,2 0,4 0, 3, 7,8 15,
IE, V 02 05 11 3 8 97 08 1 2
mA 0
UCB = -5 0 0, 0, 0, 0, 0,6 1, 3, 10, 18,
,
V 03 07 15 3 1 22 81 96 9
0
1

Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de ieșire ale tranzistorului bipolar în

conexiune BC:

UCB, 0 2 4 6 8 10 12 14
V
IE = 5 mA 4, 4, 4, 4, 4, 4, 4, 4,
IC, mA 83 87 89 9 91 92 92 93
IE = 10 mA 9, 9, 9, 9, 9, 9, 9, 9,
80 81 82 83 83 84 84 85

Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului bipolar în

conexiune EC:

UBE, mV 20 40 60 80 10 12 14 160 20 24 28
0 0 0 0 0 0
UCE
0 0 0, 0,0 0. 0.0 0.1 0.2 0. 1.1 1.9
IE =0 V
01 02 04 8 4 5 58 3 4
, UCB - -1.1* -0.4* 0.4 2.5 6.3 13
m 1.7* * * * * 0.0 0. 0, 0.
= -5 10
−3
10
−3
A 03 05 1 3
V 10
−3
10
−3
10
−
10
−
10
−
3 3 3

Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de ieșire ale tranzistorului bipolar în

conexiune EC:

1
 UCE, 0 0,5 1 1,5 2 3 4 6 8 10
V
IB = 0,2 - 10, 11, 11, 12,2 13 13 13 15 15
IC, mA mA 0,1 9 18 72 3 ,5 ,7 ,7
IB = 0,3 - 15, 16, 16, 17, 18 19 21 23 29
mA 0,0 6 3 8 1 ,3 ,7 ,1 ,8
2

2
Caracteristicile tranzistoarelor:
1. Tranzistorul bipolar în conexiune BC

Figura 2 – Caracteristica de intrare a tranzistorului în conexiune BC

Figura 3 – Caracteristica de ieșire a tranzistorului în conexiune BC

Parametrii semnalelor mici:

h = ΔU EB = 280−256 = 24 = 6 Ω
11BΔIE15,4−114

ΔU EB
h12B = = 4,
U CB1−U CB2 8
= 24
0+5

= ΔIC = 9.85−4.93 = 4.92 = 0, 98

5 h
21BΔIE15,4−5

ΔI′C ΔU CB
22B = h= 9.85−9.80
14−2
= 0.05
12
= 0, 004 Ω

2. Tranzistorul bipolar în conexiune EC

Figura 4 – Caracteristica de intrare a tranzistorului în conexiune EC

 Figura 5 – Caracteristica de ieșire a tranzistorului în conexiune EC

Parametrii semnalelor mici:

h11E = ΔU BE = =280−220
300 Ω= 60
ΔIB0,3−0,10,02

ΔU BE
12E = = CE2
U CE1 −U 12 = 60h
0+5

= ΔIC = 23−14
h = 9 = 8, 74
21E ΔIB1,031,03

ΔI′C = 29−21,1 = 7,9 = 2Ω

h22B = ΔU CE10−64
Concluzie
În urma decurgerii lucrării de laborator nr.5, la tema tranzistoarelor bipolare, am cunoscut multe
lucruri noi privind funcționarea și caracteristicile acestora, în dependență de conexiunea sa(cu bază
comuna/cu emitor comun).

Pe parcursul efectuării lucrării de laborator am efectuat măsurări pentru fiecare caz în parte: pentru
ridicarea caracteristicilor de intrare/ieșire în cazul tranzistoarelor cu baza comună, și pentru ridicarea
caracteristicilor de intrare/ieșire în cazul tranzistoarelor cu ecmitor comun.

Astfel, pot afirma cu certitudine că am studiat lucruri noi și interesante la lucrarea de laborator.