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Facultad de Ingeniería
Departamento de Ingeniería Eléctrica
Curso
2001
Eduardo Wiechmann Fernández
email: ep.wiechmann@ieee.org
Indice
1. EQUIPOS DE RECTIFICACIÓN....................................................................... 4
1.1 Introducción ....................................................................................................................................... 4
2
Eduardo Wiechmann Fernández
email: ep.wiechmann@ieee.org
2.2.1 Introducción................................................................................................................................. 54
2.2.2 Rectificación................................................................................................................................. 55
2.2.3 Rectificación en Altas Potencias................................................................................................. 62
2.2.4 Tendencias en rectificación de altas potencias.......................................................................... 64
2.2.5 Conclusión.................................................................................................................................... 67
2.3 Referencias........................................................................................................................................ 67
3
Eduardo Wiechmann Fernández
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Capítulo 1
1. Equipos de Rectificación.
1.1 Introducción
4
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respetar. Esto también es un estándar ANSI (American National Standard Institute). Una
particularidad del estándar es que los niveles máximos de inyección de armónicas dependen
del tamaño relativo entre el sistema eléctrico y el cliente. Para determinar esto, se calcula la
razón entre la corriente de cortocircuito y la corriente nominal (Isc/IL) en el Punto de
Contacto Común (PCC) o empalme.
∑I
n=2
2
n
THD =
IL
Nota: Los armónicos pares se limitan al 25[%] de los impares y la Distorsión Armónica
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circuitos rectificadores, con sus nombres aprobados (estandarizados) y los diagramas de las
distintas topologías. Otro aspecto muy importante que cubre este estándar, en el punto 5,
son los requerimientos generales que debe cumplir cualquier equipo rectificador,
estableciendo así una norma para fabricantes, instaladores y usuarios de estos equipos. Con
esta norma se puede establecer condiciones en los contratos de compra e instalación, ya que
se definen los requerimientos que debe cumplir un rectificador para asegurar que trabaja en
condiciones normales, por ejemplo la temperatura a la cual debe trabajar, factor de
potencia, análisis armónico y pérdidas. También en este punto se plantean las pruebas que
se deben aplicar al equipo, como por ejemplo para determinar los límites de desbalance en
las corrientes entre diodos, o unidades paralelas.
1 3 5
+
vdc
4 6 2 -
8
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Las formas de onda más importantes que se pueden observar en el rectificador Puente
de Diodos, se muestran en la Figura 1-2:
Va Vb Vc
D3 D5
ia
D1 D1
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383 0.04
D6 D2 D4 D6
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383
ib
Vo 0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383 0.04
ic
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383 0.04
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383
Io
D1 D1
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383
D2 D2
VD1
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383
D3 D3 0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383 0.04
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383
D4 D4
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383
D5 D5 D5
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383
VD3
D6 D6 D6
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383 0.04
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383
El Rectificador Doble Puente de Diodos esta formado por la conexión paralela de dos
Puentes de Diodos de 6p con la ayuda de un reactor de interfase, lo que permite aumentar la
capacidad de corriente de salida idc y disminuir la distorsión armónica inyectada a la red. En
la Figura 1-3 se muestra la configuración de este rectificador de 12 pulsos. El voltaje medio
de salida sigue siendo el voltaje medio de salida del rectificador puente mencionado en el
punto anterior. La corriente idc se distribuye en los dos rectificadores aportando a la
corriente de cada secundario del transformador. Finalmente la corriente del primario es la
resultante de la interacción que producen las corrientes de una pierna del transformador
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trifásico. Los secundarios están desfasados 30º entre sí, lo que permite formar un sistema de
12 pulsos, por lo tanto, la corriente de entrada al primario tendrá las frecuencias armónicas
dominantes en valores mas altos.
i dc
1: a
+
vdc
2 Secundarios -
Primario
1: a Reactor de
3 Interfase
Vo ia
Puente A
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383 0.04
Vo 0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383 0.04
Puente B
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383 0.04
ica
Vo
Rectificador de 12p
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383 0.04 0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383 0.04
Vreactor ip
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383 0.04 0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02 0.0217 0.0233 0.025 0.0267 0.0283 0.03 0.0317 0.0333 0.035 0.0367 0.0383 0.04
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voltaje de salida 3⋅ 2
Vdc = ⋅ VLL = 1.35 ⋅ v LL
π
corriente rms por diodo 1 I dc
idiodo = ⋅
3 2
corriente rms de alimentación 1
iLL = ⋅ I dc
6
potencia aparente por secundario del π
VA = 3 ⋅ v f ⋅ i f = ⋅ Vdc ⋅ I dc = 0.5235 ⋅ Vdc ⋅ I dc
transformador 6
potencia aparente del primario π ( 3 + 1)
VA = 3 ⋅ v fp ⋅ i fp = ⋅ Vdc ⋅ I dc = 1.01 ⋅ Vdc ⋅ I dc
6 2
1.4.1 Introducción
En este punto se presentan los rectificadores de alta-corriente de actual uso en
procesos de electro-obtención de cobre. Estos son el rectificador Doble Puente de Graetz
(DPG) y el rectificador Cuádruple Estrella con reactor de Interfase (CEI) [1]. Tanto el DPG
como el CEI son estructuras de rectificación de 12 pulsos. De éstas se derivan los
rectificadores de 24 pulsos DPG-24 y CEI-24, realizados mediante la conexión paralela de
los convertidores DPG y CEI respectivamente. Esta conexión permite incrementar la
capacidad de corriente y mejorar la distorsión armónica con que operan estos equipos.
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[v1]rst [i1]rst
idc
+vdc
1: a
[v2]rst [i2]rst
R
L
1: a
C 3
5a 7a 11a 13a 17a
1.4.2.1 DPG
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En particular la Figura 1-5 muestra cinco bancos sintonizados a la 5a, 7a, 11a, 13a, y
a
17 armónicas. La Tabla 1-7 muestra los principales parámetros de diseño del DPG. Con el
propósito de mostrar las principales características de operación del convertidor, se ha
simulado una planta de electro-obtención con los parámetros mostrados en la Tabla 1-8. En
la Figura 1-6 se muestran las formas de onda de las tensiones y corrientes de alimentación
vsr e isr (Figura 1-6a), y la tensión y corrientes dc vdc e idc (Figura 1-6b). La Figura
1-7 muestra las tensiones y corrientes en los secundarios del transformador. En la Figura
1-7a) se muestra el voltaje v1rs y la corriente i1rs del secundario en delta, y en la Figura
1-7b) el voltaje v2r y la corriente i2r del secundario conectado en estrella. Finalmente, en la
Figura 1-8 se muestran las curvas características de la operación del convertidor en función
de la corriente de carga dc. La Figura 1-8a) muestra el consumo de potencia reactiva y la
Figura 1-8b) muestra la distorsión armónica total de corriente (THD).
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a) 1000
500 vsr/13
-500
-1000
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Tiempo [ms]
b) 300
vdc
200
[V] / [A]
100 idc/200
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Tiempo [ms]
Figura 1-6.- Formas de onda características de rectificador DPG operando a 88% de la tensión nominal. a)
Voltaje y corriente de alimentación vsr e isr. b) Voltaje y corriente dc, vdc e idc.
a) 300
200
v1rs
100
i1rs/100
[V] / [A]
0
-100
-200
-300
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Tiempo [ms]
b) 300
200
100 i2r/100
[V] / [A]
0 v2r
-100
-200
-300
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Tiempo [ms]
Figura 1-7.- Formas de onda características de rectificador DPG operando a 88% de la tensión nominal. a)
Voltaje y corriente de secundario en delta v1rs e i1rs. b) Voltaje y corriente de secundario en estrella v2r e i2r.
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a) 3.5 b) 9
8
3
2 5
1.5 4
3
1
2
0.5
1
0 0
10 20 30 40 10 20 30 40
Corriente dc [kA] Corriente dc [kA]
Figura 1-8.- Curvas características de rectificador DPG operando en planta de electro-obtención (Tabla
1-8). a) Consumo de potencia reactiva en Mvar; b) distorsión armónica total de corriente (THD).
1.4.2.2 CEI
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idc
+v dc
1: a
3
[i1]rst [-i1]rst
[vs]rst [is]rst [vf]rst [ii]rst
Ls [v1]rst [-v1]rst _
[if5]rst [if7]rst [i ] [i ] [i ]
f11 rst f13 rst f17 rst
1: a
3
R
L
C
[i2]rst [-i2]rst
5a 7a 11 a 13 a 17 a
[v2]rst [-v2]rst
16
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a) 1000
vsr/13
500
[V] / [A] isr
0
-500
-1000
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Tiempo [ms]
b) 300
vdc
200
[V] / [A]
100
idc/200
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Tiempo [ms]
Figura 1-10.- Formas de onda características de rectificador CEI operando a 88% de la tensión nominal. a)
Voltaje y corriente de alimentación vsr e isr. b) Voltaje y corriente dc, vdc e idc.
a) 400
v1r
200 i1r/100
[V] / [A]
-200
-400
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Tiempo [ms]
b) 400
-v1r
200
[V] / [A]
-200 -i1r/100
-400
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Tiempo [ms]
Figura 1-11.- Formas de onda características de rectificador CEI operando a 88% de la tensión nominal. a)
Voltaje y corriente del secundario positivo v1rs e i1rs. b) Voltaje y corriente del secundario desfasado en 180º -
v1r e -i1r.
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a) 3.5 b) 9
7
2.5
Potencia Reactiva [MVar]
2 5
1.5 4
3
1
2
0.5
1
0 0
10 20 30 40 10 20 30 40
Corriente dc [kA] Corriente dc [kA]
Figura 1-12.- Curvas características de rectificador CEI operando en planta de electro-obtención (Tabla
1-9). a) Consumo de potencia reactiva en Mvar; b) distorsión armónica total de corriente (THD).
1.4.3.1 DPG-24
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VA Secundarios π
V dc I dc
3
VA Primarios π
(1 + k1 + k 2 )Vdc I dc
6
Tabla 1-10.- Parámetros de diseño rectificador DPG-24
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[v1]rst [i1]rst
1: a
[v3]rst [i3]rst
R 1: a
L
C
5a 7a 11a 13a 17a
[v4]rst [i4]rst
1: a
3
20
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a) 1500
1000
500 vsr/8
[V] / [A]
isr
0
-500
-1000
-1500
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Tiempo [ms]
b) 250
150 vdc
[V] / [A]
idc/400
50
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Tiempo [ms]
Figura 1-14.- Formas de onda características de rectificador DPG-24 operando a 88% de la tensión
nominal. a) Voltaje y corriente de alimentación vsr e isr. b) Voltaje y corriente dc, vdc e idc.
a) 6 b) 5
4.5
Distorsion Armonica Total de Corriente [%]
5
4
3.5
Potencia Reactiva [MVar]
4
3
3 2.5
2
2
1.5
1
1
0.5
0 0
10 20 30 40 50 60 70 10 20 30 40 50 60 70
Corriente dc [kA] Corriente dc [kA]
Figura 1-15.- Curvas características de rectificador DPG operando en planta de electro-obtención (Tabla
1-8). a) Consumo de potencia reactiva en Mvar; b) distorsión armónica total de corriente (THD).
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1.4.3.2 CEI-24
Figura 1-16 muestra el esquemático del convertidor. Tal como el DPG-24, el fin de esta
conexión es duplicar la capacidad de corriente del rectificador, con lo que además se logra
mejorar la distorsión armónica del convertidor. El reactor de interfase tiene como función
absorber la diferencia instantánea de tensión entre los terminales dc de los rectificadores
CEI, filtrando las armónicas 12.k, en que k es par. Como se muestra en la
Figura 1-16, los dos secundarios en estrella de cada rectificador CEI son alimentados desde
primarios individuales, formando un transformador con cuatro devanados primarios y ocho
devanados secundarios. La conexión de los devanados secundarios de cada rectificador
doble estrella en los CEI sigue siendo estrella, y el desfase entre los primarios en polígono
de cada CEI es de 30º, existiendo un desfase de 15º entre los devanados de los dos CEI. De
esta manera se tiene que los cuatro primarios se encuentran desfasados en 15º, generando
un sistema equivalente de 24-pulsos. La Tabla 1-12 muestra los principales parámetros de
diseño de este rectificador.
3
Voltaje dc V dc = aV rms
π 2
Corriente dc Idc
Corriente Media por tiristor I dc 24
I dc 8 3
Corriente rms por tiristor
2π
VA Secundarios V dc I dc
3
π 6
VA Primario 1 + ∑ k j V dc I dc
12 j =1
Tabla 1-12.- Parámetros de diseño rectificador CEI-24
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1: a
3
[i1]rst [-i1]rst
[v1]rst [-v1]rst
idc
+vdc
1: a
3
[i2]rst [-i2]rst
[v2]rst [-v2]rst
[vs]rst [is]rst [vf]rst [ii]rst
Ls _
[if5]rst [if7]rst [i ] [i ] [i ]
f11 rst f13 rst f17 rst
R
L 1: a
3
C
5a 7a 11a 13a 17a
[i3]rst [-i3]rst
[v3]rst [-v3]rst
1: a
3
[i4]rst [-i4]rst
[v4]rst [-v4]rst
23
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a) 1500
1000 vsr/8
[V] / [A] 500
0 isr
-500
-1000
-1500
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Tiempo [ms]
b) 250
150 vdc
[V] / [A]
idc/400
50
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Tiempo [ms]
Figura 1-17.- Formas de onda características de rectificador CEI-24 operando a 88% de la tensión nominal.
a) Voltaje y corriente de alimentación vsr e isr. b) Voltaje y corriente dc, vdc e idc.
a) 6 b) 5
4.5
5
Distorsion Armonica Total de Corriente [%]
3.5
Potencia Reactiva [MVar]
4
3
3 2.5
2
2
1.5
1
1
0.5
0 0
10 20 30 40 50 60 70 10 20 30 40 50 60 70
Corriente dc [kA] Corriente dc [kA]
Figura 1-18.- Curvas características de rectificador CEI operando en planta de electro-obtención (Tabla
1-8). a) Consumo de potencia reactiva en Mvar; b) distorsión armónica total de corriente (THD).
24
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1.4.4 Discusión
El nivel de producción de las industrias de electroobtención ha requerido el manejo
de niveles de corriente en exceso de 30 kA. En consecuencia las configuraciones preferidas
son los rectificadores de 24 pulsos DPG-24 y CEI-24, que permiten operar con el doble de
corriente dc empleando los mismos semiconductores que los DPG y CEI de 12-pulsos. La
generación del sistema de 24-pulsos se realiza como se mostró en las secciones anteriores
empleando primarios de conexión poligonal. Los desfases se introducen en el primario
porque el nivel de corriente en media tensión es alrededor de 70 veces menor que en el
secundario. Esto facilita y reduce los costos de la construcción del transformador del
rectificador.
1.4.5 Conclusión
En este capítulo se han presentado las principales estructuras de rectificación de
alta-corriente en actual uso industrial. En particular se presentó el DPG y el CEI en
rectificación de 12-pulsos, y los rectificadores DPG-24 y CEI-24 en rectificación de 24-
pulsos. Se describió la operación de los convertidores, así como se especificaron los
principales componentes y parámetros de diseño. Finalmente, se presentaron resultados de
simulación mostrando la operación de los rectificadores en una planta de electroobtención
de cobre.
VLS V VNl
= Ns =
sin(120º ) sin(φ ) sin(60º −φ )
2
Voltaje mayor del polígono: VNl = VLS sin(60º −φ )
3
2
Voltaje menor del polígono: VNs = VLS sin(φ )
3
25
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VNs sin(60º )
tan φ =
VNl + VNs cos(60º )
De esta forma el radio entre las vueltas del transformador poligonal esta dado por:
VNl
n=
V Ns
3
φ = tan −1
(1 + 2n)
i1m − i3m = i1
i2 m − i1m = i2
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N Ns
i1in = i1 l + + i2 N s
N p N
p
N
p
Ejemplo
i1 +
+15º
+
vdc
-
i1 −
-15º
Aplicando las ecuaciones para obtener el voltaje mayor y menor de cada polígono, se tiene:
2 2
V Nl = VLS sin(60º −φ ) = ⋅ 380 ⋅ sin(60º −15) = 310[V ]
3 3
2 2
VNs = VLS sin(φ ) = ⋅ 380 ⋅ sin(15) = 113[V ]
3 3
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+15º
0º
-15º
Vo
Puente A
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183
Vo
Puente B
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183
Vo
Rectificador de 12p
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183
28
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más un voltaje ac (que produce el ripple). El reactor se diseña para limitar la corriente que
circulará por causa de esta señal ac. La corriente dc que circula por el reactor es siempre la
mitad de la corriente que sale del reactor y su dirección cambia para cada mitad del reactor
como se puede observar en la Figura 1-23. Por criterio de diseño el ripple de corriente que
se permite es aproximadamente un 5% de la corriente dc que circula por el reactor.
idc /2 idc /2
idc
Figura 1-23.- Corrientes en el reactor de interfase.
Ejemplo de diseño.
i dc /2 idc /2
idc
+
vdc
-
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Figura 1-25.- Variación de la Amplitud de las armónicas presentes en el voltaje dc en función del ángulo de
disparo para convertidores de dos cuadrantes con conducción continua.
L L
3⋅ 2
Vdc = ⋅ VLL = 1.35 ⋅ v LL = 1.35 ⋅ 380 = 514.8[V ]
π
30
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87.5
V6 h ,max = K ⋅ Vdc ,nom = 0.17 ⋅ 514.8 = 87.5[V ], V6 h ,rms = = 61.9[V ]
2
f 6 h = 6 ⋅ f in = 6 ⋅ 50 = 300[Hz ]
i6 h = 5% de 5000[A] ⇒ 250[ A]
V = w ⋅ L ⋅ i ó 2 ⋅ V6 h ,rms = wL ⋅ i6 h
• Proveer los pulsos de disparo con amplitud y pendiente apropiado a cada tiristor cada
vez que un SCR se entre en conducción (circuito de amplificación y aislación).
• Coordinar el tiempo exacto entre los disparos de los SCR’s de las diferentes fases y
además un disparo simultaneo para SCR’s en paralelo.
31
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Red
Circuito de Excitación
Circuito de
Sincronismo
Circuito de Convertidor
+ Controlador Circuito de Amplificación
Ref. Generación Estático
de Pulsos Distribución y Aislación
-
Realimentación
Carga
Existen varios métodos de sincronismo para lograr el desfase correcto de los pulsos
de disparo respecto al punto α = 0º del circuito de potencia, entre los cuales se encuentran
el método del coseno, método rampa, método integral y otros.
Este método no es autorregulado. Se opera en lazo cerrado para obtener una función
de transferencia lineal.
Vc
α α α
32
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El método rampa genera un pulso para cada SCR (una señal de sincronismo por
SCR). En la configuración punte de tiristores, no basta disparar con un único pulso, ya que
la corriente circula por dos tiristores. Esto obliga a distribuir los pulsos de forma tal, que
cada pulso dispare a dos tiristores en forma simultánea.
El pulso al gate debe cumplir los requerimientos de éste, que en general exceden las
capacidades de los circuitos integrados utilizados. Por ello se requiere una amplificación
utilizando transistores. Cada pulso de corriente debe estar referido al cátodo del tiristor. Ya
sea para que la tensión del circuito de potencia no esté referida en el circuito de control y
porque los distintos cátodos están a un potencial distinto, es que los pulsos deben ser
aislados galvánicamente. Para cumplir este propósito se utilizan transformadores de pulso.
33
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34
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1.8.1 Armónicos ac
Va
ia
0 0.0017 0.0033 0.005 0.0067 0.0083 0.01 0.0117 0.0133 0.015 0.0167 0.0183 0.02
Figura 1-31.- Forma de onda del Voltaje y corriente de entrada a un rectificador tipo puente de diodos.
Utilizando las Series de Fourier, se puede representar cualquier señal periódica como
una suma de componentes senoidales de distintas frecuencias. Cada una de estas señales
representa el contenido armónico de una forma de onda específica. La Serie de Fourier se
definió como:
∞
f(t) = a0 an .cos ( w .n .t ) bn .sin( w .n .t ) Donde n=1, 2, 3, 4, ….
n =1
con,
T T
1. 1.
a0 = f ( t ) dt an= f ( t ) .cos ( w .n .t ) d t
T 0 T 0
,
T
1.
bn = f ( t ) .sin( w .n .t ) d t
T 0
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20
2 .A . 1 5. .
f(t) = cos .n .π cos nπ .sin( w .n .t )
( π .n ) 6 6
n =1
A . . 2. A . . 2. A . .
f ( t ) = 2. 3 sin( w .t ) 3 sin( 5 .w .t ) 3 sin( 7 .w .t ) ...
π 5 π 7 π
2.A . .
3 sin( 19 .w .t )
19 π
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P
fp =
S
Cuando un convertidor funciona conectado a una red débil, es decir, la potencia real
es superior al 1% de la potencia de cortocircuito de la red, el cálculo de la potencia activa P
debe considerar no solamente la forma de onda no senoidal de la corriente, sino también la
forma de onda no senoidal de la tensión. El factor de potencia fp es entonces:
1
P T∫
v(t ) ⋅ i (t )dt
fp = =
S V ⋅I
I1
fp = Gi ⋅ cos(φ1 ) = ⋅ cos(φ1 )
I
donde I1 es la componente fundamental de la corriente I y φ1 es el desfase entre las ondas
fundamentales de la tensión y la corriente.
Para corrientes de red no senoidales (esto es con armónicos), el factor de potencia fp
es siempre inferior al factor de desfase cos(φ1 ) . Sólo en aquellos casos en los que la tensión
y la corriente por el lado de la red tienen forma senoidal (hecho que no se presenta nunca en
un convertidor), coinciden el factor de potencia y el factor de desfase fp = cos(φ1 ) . Este
punto se revisará con más detalle en el capítulo 4.
37
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Capítulo 2
2. Rectificación Secuencial y Modulada.
2.1.1 Introducción
Sin lugar a dudas, el convertidor más empleado a nivel industrial ha sido el
rectificador de fase controlada. Este convertidor se ha utilizado en las más variadas
aplicaciones, entre las cuales destacan los accionamientos dc, accionamientos ac tipo fuente
de corriente, y distintos procesos metalúrgicos [4-8]. Aún cuando su uso ha disminuido
últimamente como consecuencia de la introducción de rectificadores PWM y el cambio en
la tecnología de accionamientos dc a ac, sigue siendo irremplazable en aplicaciones que
operen con altos niveles de corriente [2-3], esto es sobre 10 kA.
De los procesos de altas corriente la electroobtención de cobre y aluminio ha sido
una de las principales aplicaciones para rectificadores de fase controlada. En estos procesos
se utilizan rectificadores de 12 y 24 pulsos dependiendo del nivel de corriente de la planta.
Dada la actual estructura y control de los rectificadores multipulso, estos producen los
mismos problemas que los rectificadores de seis pulsos, con la excepción de una mejor
distorsión armónica de corriente. Estos problemas se refieren principalmente al excesivo
consumo de potencia reactiva, que se traduce en un bajo factor de potencia y baja eficiencia
del sistema de distribución. Hasta ahora la solución adoptada a estos problemas ha sido la
utilización de bancos de filtros pasivos sintonizados. Estos filtros pueden ser de operación
fija, sin embargo, para obtener una buena regulación de voltaje se requiere utilizar bancos
de filtros de conexión automatizada. Estos bancos son conectados y desconectados según
los requerimientos de la carga por un controlador de reactivos. Naturalmente, esta solución
es costosa al requerirse equipo de maniobra para un número de secciones de filtro de
acuerdo a la máxima potencia que permite el sistema de distribución para que el transiente
de voltaje durante el inrush de corriente sea tolerable. Esto significa para filtros de
rectificación de altas corrientes 3 a 4 secciones de condensadores sintonizados.
Variados trabajos han buscado mejorar las características del rectificador de fase
controlada. Stefanovic presentó una estructura tipo puente con una cuarta pierna con
tiristores [9]. Esto le permitió mejorar el factor de potencia pero aumentó la distorsión
armónica al permitir circulación de 3a armónica. Esta misma estructura fue posteriormente
utilizada con éxito en un convertidor multipulso, con lo que se cancelaron los problemas de
armónicas [10]. April y Oliviere lograron mejorar la división de corrientes entre tiristores
conectados en paralelo, sin embargo no mejoraron ni la distorsión armónica ni el factor de
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1 : a1 R1
3
_
[i1]rst [-i1]rst
Rdc
[vs]rst [is]rst [vf]rst [ii]rst
[v1]rst [-v1]rst
Ls [if5]rst [if7]rst [i ] [i ] [i ] Ldc
f11 rst f13 rst f17 rst
R2 +vR2
a
1: 2
3 Vce
R
L
C [i2]rst _ [-i2]rst
5a 7a 11a 13a 17a _
[v2]rst [-v2]rst
Figura 2-1.- Rectificador de altas corrientes con control secuencial optimizado (RSO).
40
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Este tiristor permite operar al convertidor sólo con R1, ya que provee de un camino
alternativo a la corriente de carga cuando R2 se encuentra apagado. De esta manera es
posible operar el convertidor como dos rectificadores con control de fase secuencial.
Primero se controla R1 hasta alcanzar su tensión nominal, y luego se conecta R2 hasta
alcanzar la tensión nominal del convertidor completo. La razón de potencia de los
primarios, así como el ángulo de desfase de estos se determinan mediante la utilización de
algoritmos genéticos. El uso de esta técnica permite optimizar el diseño para minimizar el
consumo de potencia reactiva y minimizar la distorsión armónica inyectada por el
convertidor.
Aplicar control secuencial optimizado en este convertidor resulta natural y evidente
al conocer el tipo de carga que representan las celdas de electroobtención. Éstas se modelan
generalmente como una carga activa tipo R-L-V, donde V es el potencial de reacción de las
celdas (Vce en Figura 2-1). Este potencial evita que circule corriente en el rectificador antes
de superar el 60% de su tensión nominal. Lo que permite en forma inmediata pensar en un
rectificador que simplemente iguale el potencial de reacción de las celdas. De esta manera
se reduciría el consumo global de reactivos, ya que la potencia reactiva consumida sería
una fracción de la potencia consumida por el segundo rectificador conectado en serie que
aportaría el 40% restante de la tensión nominal.
El tercer elemento de este convertidor es el filtro de entrada. Como se muestra en la
Figura 2-1 el filtro consiste de cinco filtros sintonizados a la 5a, 7a, 11a, 13a y 17a
armónicas. La característica principal es que este banco es de operación fija, y no requiere
de conectores automáticos ni de un controlador de reactivos con sus respectivos sensores
para su operación. Esto es posible gracias al reducido y prácticamente constante consumo
de potencia reactiva que presenta el convertidor. Como se aprecia, el filtro de este
convertidor actúa básicamente para filtrar corrientes armónicas. La compensación de
reactivos pasa a ser un objetivo secundario. Esto es al contrario de los rectificadores de
altas corrientes industriales, que al presentar un consumo elevado y fuertemente variante de
reactivos requieren de múltiples secciones de filtros para mantener un nivel de reactivos
constante.
| En la Tabla 2-1 se indican los principales parámetros de diseño del rectificador
propuesto. Nótese que la tensión producida por R2 e indicada en la Tabla 2-1 es válida sólo
cuando éste está conectado, lo que ocurre cuando el voltaje de carga requerido es mayor
que KvrVdc. En caso contrario la tensión de R2 es cero.
41
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2π
Vdc I dc
VA Secundarios 3
π
{K vr + (1 − K vr )(k t1 + k t 2 )}Vdc I dc
VA Primario 3
Tabla 2-1.- PARÁMETROS DE DISEÑO RECTIFICADOR PROPUESTO
[ ]
v dc = h p T − [hn ]T ⋅ [vt ]rst 2 ,
rst rst
42
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LM
- -
Figura 2-2.- Modelo equivalente de fase empleado para modelar el transformador.
donde [ip]rst es el vector de corrientes de línea [ipr ips ipt]T del secundario positivo o en fase
con las tensiones del primario, [in]rst es el vector de corrientes de línea [inr ins int]T del
secundario negativo o en contra-fase con las tensiones del primario, [vt]rst es el vector de
voltajes de fase [vtr vts vtt]T del secundario positivo, y la Función de Transferencia
Generalizada (FTG) de los rectificadores de media onda positivos y negativos ([hp]rst y
[hn]rst) son los vectores [hpr hps hpt]T y [hnr hns hnt]T respectivamente.
Con las primera ecuaciones y el modelo equivalente por fase del transformador
mostrado en la Figura 2-2 (considera impedancias de fuga y de magnetización), es
posible escribir las ecuaciones que modelan el rectificador de la Figura 2-1 como se
muestra continuación.
d [i s ]rst
[vs ]rst = Rs [i s ]rst + Ls
dt
[ ]
+ vf
rst
[ ]rst
d i fk t
[v f ]rst = R fk [i fk ]rst + L fk dt
+
1
C fk ∫ [i fk ]rst dτ
o
d [it 2 ]lrst
[v f ]rst − [v f ]str = [ ]
Rt 2 it 2 lrst + Lt 2
dt
+ [vt 2 ]lrst
d [it1 ] rstl
[vt1 ]l
rst
= Lm1
dt
− Lm1
d
dt
{([ ]
h1 p rst
− [h1n ]rst idc ) }2a 3 1
d [it 2 ]lrst
[vt 2 ] rst
l
= Lm 2 −
dt
Lm 2
d
dt
{([ ]
h2 p
rst
)
− [h2n ]rst k t1i dc − h2 p
trs
([ ]
− [h2n ]trs k t 2 i dc ) }2a23
([ ]
[vt1 ]lrst h1 p rst − [h1n ]rst a1 +
T
)
2 3
lT lT
([ ]
k t1 [vt 2 ]rst − k t 2 [vt 2 ]str h2 p rst − [h2n ]rst
a2
2 3
)
= R dc idc + Ldc
didc
dt
+ Vce
Donde [vs]rst es el vector de voltajes de fase de alimentación [vsr vss vst]T, [is]rst es el
vector de corrientes de línea de alimentación [isr iss ist]T, [ifk]rst es el vector de corrientes de
43
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fase [ifkr ifks ifkt]T en cada uno de los bancos de filtros sintonizados (k = 5, 7, 11, 13, y 17),
[vf]rst es el vector de voltajes de fase [vfr vfs vft]T del banco de filtros, y el subíndice str indica
un cambio en el ordenamiento del vector, [it1]lrst es el vector de corrientes de fase [it1rs it1st
it1tr]T del primario del transformador de R1, [it2]lrst es el vector de corrientes de fase [it2rs it2st
it2tr]T del primario del transformador de R2, [vt1]lrst es el vector de voltajes de línea [vt1rs vt1st
vt1tr]lT del primario del transformador de R1, [vt2]lrst es el vector de voltajes de línea [vt2rs vt2st
vt2tr]lT del primario del transformador de R2, [hp1]rst y [hn1]rst son los vectores [hp1r hp1s hp1t] y
[hn1r hn1s hn1t] de la FTG del rectificador R1, [hp2]rst y [hn2]rst son los vectores [hp2r hp2s hp2t] y
[hn2r hn2s hn2t] de la FTG del rectificador R2, y el subíndice trs indica un cambio en el
ordenamiento del vector, idc es la corriente de carga del bus dc, y Vce es el voltaje de
reacción de las celdas de electro-obtención. Las constantes a1 y a2 son las razones de
transformación de los respectivos primarios de R1 y R2, y las constantes kt1 y kt2 son las
razones de vueltas de los devanados del primario en conexión polígono para lograr el
desfase de 5º (Tabla 2-1).
Voltaje R1
K vr = . PS = desfase entre devandos (grados)
Vdc
0.7 ≤ K vr ≤ 0.9 0 ≤ PS ≤ 30
44
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constantes de los devanados kt1 y kt2 que determinan el desfase de los devanados. Estos
parámetros son función de Kvr y PS, como se muestra a continuación.
2π K vr ⋅ Vdc
a1 =
3 Vl
2π (1 − K vr ) ⋅Vdc
a2 =
3 Vl
(
k t1 = cos PS ⋅ π
180
) (
+ k t 2 cos − 2π
3
)
(
− sin PS ⋅ π
180
)
kt2 =
(
sin − 2π
3
)
Una vez que el modelo del convertidor se encuentra determinado para el punto de
operación en cuestión se procede a determinar la máxima demanda de potencia reactiva y la
máxima distorsión armónica. Esto se hace en forma reitaritiva para cada punto de diseño
del espacio de soluciones, y se hace mediante la simulación del convertidor en todo el
rango de operación, esto es de potencia cero a nominal. La demanda de potencia reactiva y
distorsión armónicas se determinan según las siguientes expresiones.
2 2
1T
Q(I dc ) =
∑ V sk ⋅ I sk − ∫ ∑ v sk (t ) ⋅ i sk (t )dt
T
k =r ,s,t 0 k =r , s,t
1 30
THD(I dc ) = ∑ ∑I2
3 ⋅ I N k =r , s ,t h = 2 skh
Donde Idc fija el punto de operación, Vs e Is son los valores rms del voltaje y
corrientes de alimentación, y donde vs e is son los valores instantáneos de estas mismas
variables.
45
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a)
b)
Superficies de optimización en función de los parámetros ángulo de desfase (PS) y razón de voltaje (Kvr). a)
Superficie de demanda máxima de potencia reactiva. b) Superficie de máxima distorsión armónica de
corriente (THDS).
c)Superficie Optima (OS) obtenida mediante la unión ponderada de las superficies de optimazación QS y
THDS.
Figura 2-3
46
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QS (K vr , PS )
OS (K vr , PS ) = k p ⋅ +
max{QS (K vr , PS )}
(K vr , PS )
(1 − k p )⋅ maxTHDS
{THDS (K , PS )}
vr
min {OS (K vr , PS )} .
La optimización realizada arrojó como resultado una razón de voltajes Kvr de 0.85, y
un desfase PS de 5°.
2.1.5 Resultados
2.1.5.1 Simulaciones
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300
a)
200
[V] / [A]
vdc
100
idc/1000
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Tiempo [ms]
b) 300
vdc
200
vR1
[V]
100
vR2
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Tiempo [ms]
c) 1000
vr/13
500
ir
[V] / [A]
-500
-1000
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Tiempo [ms]
Figura 2-4.- Formas de onda de convertidor operando a 88% de potencia nominal. a) Voltaje y corriente de
carga dc (vdc, idc). b) Voltaje de rectificadores R1 y R2 (vR1, vR2) y voltaje de carga. c) Voltaje de fase y
corriente de línea de alimentación (vr, ir).
48
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a) vdc b)
vdc
TT
vR1
TT TT
idc
vR2
4> TT
TT
3> 4>
1> 6>
c) d) vr
vr1
TT
8>
vr2 TT
1>
TT
7>
ir2
3> ir
TT
ir1
4> TT
TT
2>
Figura 2-5.- Formas de onda experimentales del prototipo de laboratorio operando a 88% de potencia
nominal. a) Voltaje de carga vdc (4> 50 V/div, 2 ms/div) y voltaje de rectificadores R1 y R2, vR1 (3> 50 V/div, 2
ms/div)y vR2 (1> 50 V/div, 2 ms/div). b) Voltaje y corriente de carga dc vdc (4> 50 V/div, 2 ms/div), idc (6> 5
A/div, 2 ms/div). c) Voltajes de fase vr1 (8> 100 V/div, 5 ms/div), vr2 (7> 100 V/div, 5 ms/div) y corrientes de
línea ir1 (2> 10 A/div, 5 ms/div) ir2 (3> 10 A/div, 5 ms/div) de los rectificadores R1 y R2. d) Voltaje de fase vr
(1> 200 V/div, 5 ms/div) y corriente de línea de alimentación ir (4> 10 A/div, 5 ms/div).
2.1.5.2 Experimentales
49
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RSO
0.95
0.9
Factor de Potencia
DPG
0.85
CEI
0.8
0.75
5 10 15 20 25 30 35 40
Corriente dc [kA]
Figura 2-6.- Factor de potencia de rectificadores RSO, DPG, y CEI en función de la corriente de carga de la
planta de electro-obtención en evaluación.
2.1.6 Evaluación
50
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3.5
CEI
DPG
2.5
Potencia Reactiva [MVar]
1.5
RSO
0.5
0
5 10 15 20 25 30 35 40
Corriente dc [kA]
Figura 2-7.- Consumo de potencia reactiva de rectificadores RSO, DPG, y CEI en función de la corriente de
carga de la planta de electro-obtención en evaluación.
51
Eduardo Wiechmann Fernández
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8
Distorsió n Armó nica Total de Corriente [%] CEI
7
DPG
RSO
5
0
5 10 15 20 25 30 35 40
Corriente dc [kA]
Figura 2-8.- Distorsión armónica total (THD) de corriente de rectificadores RSO, DPG, y CEI en función de
la corriente de carga de la planta de electro-obtención en evaluación.
2.1.7 Discusión
El nivel de corriente con que trabajan los rectificadores de electroobtención (>10
KA) requiere que la operación multipulso de los rectificadores se realice introduciendo el
desfase de las tensiones en los primarios de los transformadores. Estos son generalmente
de conexión delta-polígono, como se muestra en la Figura 2-1 y Figura 2-4 para los
rectificadores DPG y CEI. Este también es el caso del convertidor propuesto, por lo que la
estructura del transformador no aumenta los requerimientos de VA en el primario del
convertidor. Los VA del primario del transformador de los rectificadores DPG y CEI se
encuentran definidos por
π
(1 + k1 + k2 )Vdc I dc ,
6
en que k1 y k2 son las constantes del desfase de los devanados. Para el DPG el valor de k1 y
k2 es 0.5, para el CEI es 0.58. En el RSO los VA del primario se encuentran definidos por
52
Eduardo Wiechmann Fernández
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π
(K vr + (k1 + k 2 )(1 − K vr ))Vdc I dc ,
3
donde k1 y k2 valen 0.95 y 0.1 respectivamente. Luego, los VA de los primarios de los
rectificadores DPG, CEI y RSO son respectivamente 1.05.VdcIdc, 1.13.VdcIdc, y 1.06.VdcIdc.
Por otro lado, los VA requeridos en devanados secundarios por los mismos rectificadores
se encuentran definidos por
ks ⋅ π
Vdc I dc .
3
Donde ks es una constante unitaria para el DPG, y 2 para el CEI y RSO. En
consecuencia, el convertidor propuesto representa una solución intermedia en relación al
tamaño del transformador del convertidor.
Otro fenómeno importante observado es la distorsión armónica que presenta el RSO
con respecto a los rectificadores DPG y CEI operando con un banco fijo de filtros
sintonizados. Mientras el RSO opera con R1 (hasta 84% de carga nominal), el convertidor
presenta una distorsión levemente superior (<1%) a los DPG y CEI. Al conectarse R2 la
situación se invierte, y el convertidor RSO inyecta una distorsión armónica cerca de un 1%
inferior a los rectificadores DPG y CEI.
La menor distorsión lograda por el RSO se explica haciendo una expansión en serie
de Fourier de las corrientes de los convertidores. Esto permite apreciar como las corrientes
armónicas de los rectificadores DPG y CEI de orden 6k±1 (k par) se suman en fase al pasar
por el transformador con desfase de 30º. En consecuencia duplican sus amplitudes
haciendo más difícil su filtrado. Por otro lado, el RSO opera con un desfase de 5º, por lo
que las corrientes armónicas de orden 6k±1 (k entero) del convertidor se suman desfasadas,
evitando que se dupliquen en amplitud. Esto se traduce en que el convertidor propuesto
requiere de un filtro de menor tamaño que los requeridos por los rectificadores DPG y CEI,
particularmente reduce la potencia del filtro en un 62%.
2.1.8 Conclusión
53
Eduardo Wiechmann Fernández
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2.2.1 Introducción
En este capítulo se presentan los principios fundamentales de la rectificación PWM,
tanto en convertidores fuente de corriente (RFC) como en convertidores fuente de voltaje
(RFV). Se presentan las principales aplicaciones para cada tipo de convertidor, y se discute
el futuro de los mismos. En esta discusión se presentan además las tendencias industriales
tanto en estructuras como en tecnologías a emplear en rectificadores estáticos de potencia.
Como se aprecia, las ventajas de la rectificación PWM son innumerables por sobre
la rectificación tiristorizada. Hasta ahora sin embargo su utilización se ha limitado a
aplicaciones de bajas y medias potencias (<1 MVA), como consecuencia de las pérdidas
energéticas producidas por la conmutación de los semiconductores y por la clase de
semiconductores empleados. Estos han sido generalmente transistores del tipo BJT,
MOSFET, y recientemente IGBT. Semiconductores controlados del tipo tiristor como el
GTO han visto limitada su utilización por su baja frecuencia de operación y elevadas
pérdidas de conmutación como consecuencia de complicados circuitos auxiliares. Sólo
recientemente se ha podido elevar los niveles de potencia y frecuencias de conmutación
gracias al desarrollo del IGBT de alta potencia y del IGCT, el tiristor controlado con driver
integrado. Este semiconductor ha revolucionado la industria desde sus comienzos gracias a
sus reducidas pérdidas de conmutación (no requiere circuitos snubbers), reducidas pérdidas
de conducción (caída de tensión < 2V), y a su capacidad para operar a altas frecuencias de
conmutación (> kHz). Es así como se vislumbra que el IGCT en altas potencias y el IGBT
para bajas potencias serán los principales semiconductores a emplearse en el futuro
cercano.
54
Eduardo Wiechmann Fernández
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2.2.2 Rectificación
El rectificador de fase controlada utiliza semiconductores del tipo tiristor, por lo que
la conmutación del convertidor es del tipo natural o de línea. A los tiristores sólo se les
puede controlar su encendido, el apagado es por acción de los voltajes de alimentación.
Este tipo de control naturalmente limita el control del convertidor, ya que es el encendido y
apagado de los semiconductores lo que permite alcanzar todas las ventajas ya descritas de
la modulación PWM. A continuación se mostrará la operación de rectificadores con
semiconductores controlados.
55
Eduardo Wiechmann Fernández
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Figura 2-9.- Rectificador trifásico de fase controlada con carga fuente de corriente.
400
200
[V] / [A]
-200
-400
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Time [ms]
600
400
[V] / [A]
200
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Time [ms]
Figura 2-10.- Formas de onda alternas y continuas de rectificador tiristorizada de fase controlada
operanado con ángulo de disparo 0°.
56
Eduardo Wiechmann Fernández
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400
200
[V] / [A]
0
-200
-400
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Time [ms]
600
400
[V] / [A]
200
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Time [ms]
Figura 2-11.- Formas de onda alternas y continuas de rectificador tiristorizada de fase controlada
operanado con ángulo de disparo 30°.
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a)
b)
Figura 2-12.- Rectificadores con factor de desplazamiento cero. a) Puente de diodo con chopper dc, y b)
rectificador fuente de corriente (RFC) PWM.
La Figura 2-12 también muestra que el RFC requiere de un filtro de segundo orden
en sus terminales ac. Este filtro es de reducido tamaño debido a la frecuencia de
conmutación del convertidor, y tiene como fin presentar una característica de fuente de
voltaje en los terminales ac del convertidor, además de filtrar las armónicas de alta
frecuencia producidas por la conmutación. Los reactores del filtro sólo se utilizan para fijar
la frecuencia de resonancia del filtro y evitar así posibles resonancias entre los
condensadores y otros elementos reactivos del sistema.
58
Eduardo Wiechmann Fernández
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a) 500
[V] / [A]
0
-500
0 5 10 15 20 25 30 35 40
500
[V] / [A]
-500
0 5 10 15 20 25 30 35 40
600
[V] / [A]
400
200
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Time [ms]
b)
500
[V] / [A]
-500
0 5 10 15 20 25 30 35 40
500
[V] / [A]
-500
0 5 10 15 20 25 30 35 40
600
[V] / [A]
400
200
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Time [ms]
Figura 2-13.- Formas de onda de RFC-PWM operando con factor de potencia unitario (a), y con factor de
potencia capacitivo (b) para compensación de reactivos. Las formas de onda mostradas son tensión y
corriente de alimentación, tensión y corriente PWM de los terminales alternos del convertidor, y voltaje
PWM y corriente continua de los terminales continuos del convertidor.
59
Eduardo Wiechmann Fernández
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Figura 2-14.- Accionamiento de alterna fuente de voltaje con inversor (PWM-VSI) y rectificador fuente de
voltaje (RFV) modulados (PWM-VSR).
La rectificación PWM con RFV nace del desarrollo del inversor fuente de voltaje.
El RFV corresponde simplemente a la conexión del VSI a los terminales de alimentación en
vez de los terminales de la máquina. En consecuencia la operación como rectificador
requiere de la utilización de reactores de línea para suplir las inductancias de la máquina.
En este convertidor lo que se regula son los voltajes ac, lo que permite controlar la corriente
ac y en consecuencia el flujo de potencia activa hacia los terminales dc del convertidor, lo
que permite finalmente controlar el voltaje dc del RFV.
60
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a)
500
[V] / [A]
0
-500
0 5 10 15 20 25 30 35 40
1000
[V] / [A]
-1000
0 5 10 15 20 25 30 35 40
1000
[V] / [A]
500
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
b) Time [ms]
500
[v] / [A]
-500
0 5 10 15 20 25 30 35 40
1000
[v] / [A]
-1000
0 5 10 15 20 25 30 35 40
800
600
[v] / [A]
400
200
0
-200
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Time [ms]
Figura 2-15.- Formas de onda de RFV-PWM operando con factor de potencia unitario (a), y con factor de
potencia capacitivo (b) para compensación de reactivos. Las formas de onda mostradas son tensión y
corriente de alimentación, tensión PWM y corriente en los terminales alternos del convertidor, y corriente
PWM y voltaje continuo de los terminales continuos del convertidor.
61
Eduardo Wiechmann Fernández
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Power Supply Transformer Active Front End DC-Link PWM Inverter Load
Converter
PWM PWM
CSR CSI
Por otro lado se han desarrollado los IGBT de alta potencia, alcanzando tensiones
superiores a los 4 kV, y corrientes sobre 1 kA. Estos semiconductores sin embargo poseen
elevadas pérdidas de conducción a estos niveles de potencia, por lo que su uso se ha
limitado también para accionamientos. Recientemente ABB ha propuesto un nuevo tipo de
convertidor resonante donde se logran reducir las pérdidas de conmutación del IGBT hasta
en un 80% comparado con conmutación forzada, sin embargo el semiconductor sigue
62
Eduardo Wiechmann Fernández
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Figura 2-17.- Semiconductor del tipo IGCT, tiristor controlado con gate-drive integrado.
teniendo una alta caída de tensión en conducción. Por otro lado, el IGBT es un
semiconductor de la familia de los transistores, por lo que su comportamiento general con
altos niveles de tensión no es adecuado, especialmente en cuanto al bloqueo de tensiones
inversas. Tomando estas restricciones en consideraciones la empresa suiza ABB decidió a
comienzos de la década de los 90 desarrollar un nuevo semiconductor de la familia de los
tiristores, que se adecuase perfectamente a la operación en altas potencias. Así fue como
nació el IGCT, mostrado en la Figura 2-17.
63
Eduardo Wiechmann Fernández
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Figura 2-18.- Integración de dispositivos semiconductors de potencia en Power Electronics Building Blocks
(PEBB).
64
Eduardo Wiechmann Fernández
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Figura 2-19.- Accionamiento fuente de voltaje en media tensión del tipo multinivel para máquinas de
inducción.
65
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a)
MODULO
RFC-PWM
MODULO
MODULO
RFC-PWM
RFC-PWM
MODULO
RFC-PWM
MODULO
RFC-PWM
MODULO
RFC-PWM
b)
Figura 2-20.- (a) Concepto de rectificador PWM de altas corrientes empleando PEBB de convertidores (b) y
de semiconductores con tecnología IGCT simétrica.
66
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2.2.5 Conclusión
En este capítulo se han presentado las principales características y conceptos de la
rectificación PWM, tanto para estructuras fuente de corriente como para estructuras fuente
de voltaje. Se ha mostrado además el estado del arte en el área de semiconductores de
potencia, dándose hincapié al IGCT, semiconductor que debiera permanecer como el
principal equipo en estas aplicaciones por muchos años, siendo acompañado por el IGBT
para aplicaciones de menor potencia.
2.3 Referencias
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68
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Capítulo 3
3. Barras de Corriente Continua
• 120ºC para barras de corriente DIN 43673 por posible merma de control.
• 160ºC para superficies plateadas a ambos lados o de igual valor de las de barra de
corriente.
Según esto se establece que el límite más bajo para la temperatura de barras de corriente
no dependientes de medios de operación se encuentra a 85ºC, si motivos especiales no
exigen valores menores, como por ejemplo, mínimo requerido por exigencias de menos
costo de inversión y de pérdidas.
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Uno de los aspectos importantes que influyen en la capacidad de corriente de una barra
es su recubrimiento. El recubrimiento de un barra permite el traspaso de calor del metal al
ambiente en forma rápida o lenta, según sea el recubrimiento, por ello se debe tener en
cuenta si las barras que se utilizarán para la instalación del equipo rectificador estarán
pintadas o no, o si el cobre tiene un recubrimiento de oxido, etc.
La Norma DIN establece la corriente máxima que debe circular por una barra de cobre
según sea la sección de ésta. A continuación se muestran las tablas dadas por DIN 43 671
para corrientes continuas que provocan una temperatura de 65ºC en la barra con una
temperatura ambiente a 35ºC.
En la Tabla 3-1 se establecen los límites de corriente para barras de E-Cu con sección
rectangular en interiores a 35ºC de temperatura del aire y 65ºC de temperatura de la barra;
posición vertical del ancho de la barra; paquetes de barras con pequeñas distancias entre las
barras iguales al espesor.
En la Tabla 3-2 se establecen los límites de corriente para barra de E-Cu con sección
rectangular en interiores a 35ºC de temperatura de l aire y 65ºC de temperatura de barra;
posición horizontal del ancho de la barra; paquetes de barras sin separación entre los
conductores parciales.
En la Tabla 3-3 se muestra los limites de corriente para barras de E-Cu con sección
circular en interiores a 35ºC de temperatura del aire y 65ºC de temperatura de la barra; en
corriente alterna la separación media entre conductores principales es mayor o igual a 2
veces el diámetro de la barra.
En la Tabla 3-4 se establecen los límites de corriente para barras de E-Cu con sección
anular circular a 35ºC de temperatura del aire y 65ºC de temperatura de barra; en corriente
alterna la distancia entre conductores principales debe ser mayor o igual a 2.5 veces el
diámetro exterior de la barra.
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Tabla 3-1
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Tabla 3-2
Tabla 3-3
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Tabla 3-4
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X L = 2 ⋅π ⋅ f ⋅ L
donde:
X L : es la reactancia inductiva en Ohms [Ω]
f : es la frecuencia en Hertz [Hz]
L : es la Inductancia en Henrios [H]
Como se pude deducir la reactancia representa valores cada vez más importantes a
medida que se aumenta la frecuencia.
Por otro lado, se sabe que el voltaje de salida de un rectificador tiene armónicas dc de
orden p, donde p es el número de pulsos del rectificador. Por ejemplo, si alimentamos un
rectificador trifásico de 6 pulsos con un voltaje de alimentación de frecuencia 50 [Hz],
tendremos a la salida la armónica dominante en 300 [Hz].
74
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Esta técnica de implementar los reactores de interfase con la reactancia de las barras
se utiliza por ejemplo para construir el reactor que une los dos rectificadores doble estrella
de un cuádruple estrella.
+
vdc
-
75
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Capítulo 4
4. Red Eléctrica y Filtros.
4.1 Introducción
Los sistemas de potencia industrial (SPI) entregan la energía eléctrica a los diversos
procesos productivos. Estos procesos contienen tanto equipamiento de control (PLC, PC,
comunicaciones) como equipamiento de fuerza (Convertidores y motores), los cuales
requieren de una energía de cierta calidad. Diversos factores afectan la calidad de la energía
eléctrica, destacándose entre otros la regulación de voltaje y la distorsión armónica.
Si bien la red eléctrica provee una buena calidad de servicio, debido principalmente
a su robustez, existen equipos que permiten aumentarla, ya sea para prevenir fallas dentro
del propio sistema de potencia como para evitar multas por sobre pasar las normas. Los
filtros sintonizados tienen por finalidad mejorar el factor de potencia en los sistemas de
potencia, como además aminorar algunas de las armónicas de corriente que el sistema
inyecta a la red de distribución / transmisión.
Esta capítulo revisa los aspectos más importantes de los filtros sintonizados y
muestra, a partir de ejemplos reales, los efectos que estos tienen sobre los SPI’s.
76
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En los comienzos de la industrialización, las cargas del sistema eléctrico eran todas
lineales. En efecto, los motores y los convertidores rotatorios casi no generaban corrientes
armónicas. En un sistema de este tipo era aceptable la utilización de condensadores para la
corrección del factor de potencia. Sin embargo, los SPI modernos tienen cada vez un mayor
número de cargas no lineales. Los equipos rectificadores y los variadores de frecuencia
inyectan al suministro corrientes no lineales con elevado contenido armónico. Luego, la
conexión de bancos de condensadores para el mejoramiento del factor de potencia es
inconcebible.
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Una correcta solución para la compensación del factor de potencia lo entregan los
condensadores sintonizados o filtros de armónicas. Estos están conformados por
condensadores conectados en serie con un reactor, normalmente de aire. Ambos elementos
conforman un circuito LC, con una cierta frecuencia de oscilación natural. El ingeniero
especialista diseña y sintoniza el filtro para una cierta frecuencia, la cual es fija y no
depende de la operación del resto del sistema. Al mantener la frecuencia de oscilación fija
es posible compensar el factor de potencia y filtrar el contenido armónico del sistema. Esto
es posible debido a que el filtro se comporta como un condensador para baja frecuencia (50
o 60[Hz]) y como un inductor para frecuencias sobre la de oscilación natural. En la
frecuencia de oscilación natural, el filtro se comporta como una impedancia de un valor
pequeño.
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80
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Ya que las posibles resonancias varían según los filtros conectados, se calcula la
impedancia armónica al conectar los filtros de 5ª, 5ª 7ª, 5ª 7ª 11ª y 5ª 7ª 11ª 13ª armónicas.
Las siguientes figuras muestran como varía la impedancia armónica de la barra principal al
variar los esquemas de filtros conectados a ella.
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82
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Figura 4-9.- Impedancia al conectar filtros de 5ª, 7ª, 11ª y 13ª armónicas.
83
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La siguiente figura compara los espectros del voltaje de la barra principal del
sistema actual, del sistema con condensadores y del sistema con filtros.
8
7
6
5 Actual
4 Condensadores
Filtros
3
2
1
0
3 5 7 11 13 17 19 23 25 29 31 35 37 41 43 47 49
Figura 4-10.- Espectro del voltaje del sistema actual y del sistema con las distintas soluciones.
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45.0
40.0
35.0
30.0
MVA
25.0
MW
20.0
MVAr
15.0
10.0
5.0
0.0
18-1-99
20-1-99
20-1-99
22-1-99
24-1-99
26-1-99
26-1-99
28-1-99
30-1-99
1-2-99
11:30
22:30
16:00
20:30
14:00
1:00
5:00
9:30
3:00
7:30
Figura 4-11.- Consumo de potencia actual.
86
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60.0
50.0
40.0 MVA
30.0 MW
20.0 MVAr
10.0
0.0
18-1-99
20-1-99
22-1-99
22-1-99
24-1-99
26-1-99
28-1-99
30-1-99
30-1-99
11:30
20:30
15:30
10:30
19:30
6:30
1:30
5:30
0:30
Figura 4-12.- Consumo de potencia estimada futuro.
87
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Con las opciones definidas es posible determinar los MVA totales en función de la
potencia reactiva compensada. Esta información se muestra en la Figura 4-13.
55,000
50,000
MVA Opción 1
MVA totales
35,000
30,000
3000
6000
9000
12000
15000
18000
21000
24000
27000
30000
33000
36000
39000
0
MVAr compensados
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1.00
0.98
6000
9000
12000
15000
18000
21000
24000
27000
30000
33000
36000
39000
0
MVAr compensados
89
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La frecuencia de esta resonancia depende de los elementos del sistema, por lo que
requiere de un estudio detallado para encontrarla. Además cualquier cambio en el sistema
puede variar la frecuencia de resonancia. La Figura 4-15 muestra la impedancia de la barra
principal al conectar un banco de condensadores de 17MVAr en el sistema en estudio.
50
45
40
35
30
25 Zbarra [Ohms]
20
15
10
5
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650 700
De acuerdo a las mediciones realizadas, la corriente que inyectan las cargas tiene
armónicas 5, 7, 11 y 13, siendo estas dos últimas las de mayor magnitud. Al utilizar filtros
sintonizados en las armónicas anteriores se reduce en forma importante la inyección de
estas corrientes en el filtro, con lo cual se reduce la distorsión de corriente. Al reducir la
90
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distorsión de corriente, el voltaje que entrega el filtro contiene una menor distorsión y
consecuentemente todas las barras disminuyen su distorsión.
Luego de analizar los otros factores que influyen en el diseño de los filtros
sintonizados se decidió utilizar un sistema de filtro de 5 etapas. Cada una de estas se
sintonizó en las armónicas 4, 5, 7, 11 y 13. Consecuentemente se aminoraron las armónicas
predominantes en el sistema, se compensó la potencia reactiva, se doto al sistema de
capacidad de control de la potencia compensada y se limitó la corriente de inrush de cada
etapa. Para esto, la potencia y frecuencia de sintonía de cada etapa es la siguiente;
91
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Se puede apreciar, de la figura anterior, que las corrientes de inrush son menores a
2000[A]. Por su parte el voltaje de la barra se mantiene dentro de los rangos permitidos por
el equipamiento más sensible.
En caso que los bancos anteriores fueran solamente condensadores se producirían una
corrientes de inrush muy superiores. En el caso del primer banco, la corriente de inrush
estaría limitada solamente por la impedancia del sistema (corriente de cortocircuito). Sin
embargo, peores aún son las corrientes al conectar un banco de condensadores en las
cercanías de otro. El banco entrante se comporta como un cortocircuito, mientras que el
banco (o los bancos) conectado son una gran fuente de energía reactiva. Luego ya que la
impedancia entre ellos es mínima las corrientes son tan elevadas que puede, incluso,
destruir los propios condensadores, hacer actuar las protecciones e influir muy
negativamente en la regulación de voltaje.
92
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• Voltaje
• Cambio de voltaje
• Corriente
• Factor de potencia
• Potencia real
• Potencia reactiva
• Temperatura
• Fecha
• Hora
• Día de la semana
93
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Los motores de inducción son equipos relativamente robustos y que están diseñados
para tolerar diferentes regímenes de partida que pueden ser evaluados con la característica
de rotor bloqueado. En el siguiente ejemplo se comparan diferentes condiciones de partida
y se evalúan utilizando la curva característica en por unidad. La siguiente tabla muestra los
resultados que se obtuvieron para diferentes regímenes de partida.
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Se puede apreciar la mejor regulación de voltaje en ambos casos en que los bancos
de filtros se encuentran conectados. Este efecto positivo se debe principalmente a que los
filtros durante la partida de los motores les entregan a estos la energía reactiva necesaria.
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Capítulo 5
5. Celdas Electrolíticas de Conexión
Multicircuital.
5.1 Introducción
Los siguientes puntos son la base del desarrollo de este proyecto de innovación:
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A A A A A A A A
B
K K K K K K K K
A A A A A A A A
B
K K K K K K K K
A A A A A A A A
B
K K K K K K K K
C
Figura 5-1. Actual configuración caracterizada por conexión sólida mediante barras de los electrodos en
celdas electrolíticas.
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La Figura 5-2 muestra una parte de una nave de electroobtención modificada. Los
ánodos A se encuentran aislados entre sí, al igual que los cátodos K. La conexión entre
cátodos de una celda y ánodos de la celda siguiente se realiza mediante las barras B. Desde
el rectificador se inyecta la corriente en los ánodos superiores por el circuito C. La corriente
circula por ánodos, por el electrolito y por los cátodos de la misma celda. Luego los cátodos
entregan la corriente a los ánodos respectivos de la celda siguiente por las barras B
formando los circuitos serie. Este proceso se repite hasta la última celda, la que retorna la
corriente al rectificador desde los cátodos aislados por el circuito C. La innovación
presentada consigue modificar el comportamiento eléctrico de las celdas de
electroobtención sin perturbar el proceso. Específicamente, se minimizan los efectos de
desbalance producto de los contactos eléctricos, de variaciones geométricas y del
electrolito.
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A A A A A A A A
K K K K K K K K
A A A A A A A A
B B B B B B B B
K K K K K K K K
A A A A A A A A
B B B B B B B B
K K K K K K K K
C
Figura 5-2.- . Nueva Conexión de electrodos en celdas electrolíticas caracterizada por la segmentación de
las barras interceldas.
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Al utilizar el modelo interno de cada celda se obtiene el circuito eléctrico total que
caracteriza la operación de una nave de electroobtención o electrorefinación. El resultado es
un gran circuito compuesto por mas de 50.000 elementos. La Figura 5-3 muestra un
esquema del circuito eléctrico de parte de una celda de electroobtención. Se considera cada
ánodo A y cada cátodo K como un punto equipotencial. Las resistencias Rc representan a
las resistencias de contacto de cada electrodo, mientras que las resistencia Rak representan
a la resistencia entre un ánodo y un cátodo contiguo. El voltaje de la reacción
electroquímica se representa por V.
Rc Rc Rc Rc
A A A A
Rak Rak Rak Rak Rak Rak Rak Rak
V V V V V V V V
K K K K
Rc Rc Rc Rc
Para la obtención de resultados se han variado los parámetros internos de las celdas según
la siguiente tabla.
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Por la magnitud del circuito eléctrico involucrado los resultados presentados fueron
obtenidos en un sistema de 33 celdas con 20 cátodos y 21 ánodos cada una. Para la
obtención de resultados con la conexión convencional se utilizaron 10.000[A] totales para
obtener una densidad de corriente de 250[A/m2] por placa. Idealmente cada cátodo debía
conducir 500[A]. Sin embargo, debido a las variaciones antes descritas, la corriente de los
cátodos tuvo una distribución normal con media 500[A] y desviación estándar 26.13[A]. La
Figura 5-4 y Figura 5-5 muestran la corriente de los cátodos en el sistema con la conexión
convencional.
Figura 5-4.- Distribución de corriente catódica en planta de 33 celdas con 20 cátodos por celda, y circuito de
distribución convencional.
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Figura 5-5.- Distribución de corriente catódica en planta de 33 celdas con 20 cátodos por celda, y circuito de
distribución convencional.
Figura 5-6.- Distribución de corriente catódica en planta de 33 celdas con 20 cátodos por celda, y circuito de
distribución multicircuital.
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Figura 5-7.- Distribución de corriente catódica en planta de 33 celdas con 20 cátodos por celda, y circuito de
distribución multicircuital.
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20
16
12 Cantidad de
8 cátodos
600
580
560
540
n 520
c ió
500
480
ova l
460
Inn na
440
c io
420
n
400
nve
Co Corriente [A]
Convencional
Innovación
En la figura anterior, el trazo que presenta una mayor dispersión muestra como se
distribuyen las corrientes al conectar los electrodos en la forma convencional. El otro trazo
con la distribución más concentrada se obtiene con los electrodos conectados según la
innovación. Es evidente el estrechamiento de la dispersión de corrientes en torno al valor
medio. Por lo tanto, si en el proceso convencional son admisibles corrientes catódicas de
560[A], en el caso de la innovación es posible aumentar la corriente media en un 5%
manteniendo el mismo rango admisible. Luego una planta puede producir, con la misma
inversión, un 105%.
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