Mihai DOGARIU

ELECTRONICĂ APLICATĂ

Suport teoretic

An IV – AR FR, semestrul VIII

2011 – 2012
 Unitatea de învăţare I.1.1 REZISTORUL
Cuprins
1.1. Introducere ............................................................................................................... 1
1.2. Competenţe .............................................................................................................. 2
1.3. Proprietăţi generale ............................................................................................. 3
1.4 Clasificarea rezistoarelor ..................................................................................... 4
1.5 Elemente de tehnologie a rezistoarelor ................................................................. 5
1.5.1 Tehnologia rezistoarelor fixe .......................................................................... 5
1.5.2 Tehnologia rezistoarelor peliculare ................................................................ 5
1.5.3 Tehnologia suportului izolant ......................................................................... 6
1.5.4 Realizarea terminalelor................................................................................... 7
1.5.5 Realizarea protecției ....................................................................................... 7
1.6 Aplicaţiile rezistoarelor......................................................................................... 7
1.6.1 Rezistoare variabile......................................................................................... 7
1.6.2 Reglarea sau limitarea curentului printr-un dispozitiv electronic.................. 8
1.6.3 Reglarea turaţiei unui motor electric .............................................................. 8
1.6.4 Atenuarea ........................................................................................................ 8
1.7 Rezistorul ca parte a unui circuit electric ............................................................. 9
1.7.1 Prima lege a lui Kirchhoff ............................................................................... 9
1.7.2 A doua lege a lui Kirchhoff ........................................................................... 10
1.7.3 Conexiunea serie ........................................................................................... 10
1.7.4 Conexiunea paralel ....................................................................................... 10
1.7.5 Reţeaua de rezistoare .................................................................................... 11
1.7.6 Puntea rezistivă de măsură ........................................................................... 11
1.8 Rezistoare dependente de temperatură ............................................................... 12
1.8.1 Rezistoare semiconductoare .......................................................................... 13
1.9 Rezistoare dependente de tensiune ...................................................................... 13
1.10 Rezistoare dependente de lumină ...................................................................... 14

1
1.1 Introducere
Rezistorul este probabil, cea mai simplă şi cel mai des utilizată componentă
în circuitele electronice.
Cursul prezintă principalele caracteristici funcţionale ale rezistorului, modurile de
conectare în circuitele electrice şi electronice, tipurile reprezentative.
Se vor prezenta relaţiile de dependenţă faţă de diverşi factori care influenţează
parametrii funcţionali, precum şiprincipalele aplicaţii ale rezistorului.

1.2 Competenţele unităţii de învăţare

După parcurgerea cursului studentul va fi capabil să:
• Definească principalele caracteristici ale diverselor rezistoare;
• Să recunoască legile care descriu matematic comportamentul rezistorului în
circuitele elctrice;
• Să aleagă un rezistor care să corespundă cerinţelor de proiectare a unui
circuit.

Durata medie de parcurgere a primei unităţi de învăţare este de 3 ore.

2
 REZISTORUL

Rezistorul este un dispozitiv electric care opune o rezistenţă trecerii curentului electric
prin el, ceea ce va produce o cădere de tensiune între cele două borne ale sale. Conform legii lui
Ohmm, aplicată circuitului simplu ilustrat în figura 1.1, rezistenţa electrică este egală cu tensiunea
pe rezistor V împărţită la curentul ce-l străbate I (relaţia 1.1).

Fig. 1.1Circuit rezistiv.

R=
V
[Ω] , (1.1)
I
În reprezentările grafice, rezistorul se simbolizează după cum se arată în figura 1.2:

Fig. 1.2 a, b – rezistor fix; c, d – rezistor cu rezistență variabilă; e – fotorezistor.

Rezistorul este un element pasiv de circuit ce primește energie electrica și o transformă

ireversibil în caldură, adică este un element disipativ. Ecuația caracteristică a rezistorului este de
forma:

u = u(i(t),t) sau i = i(u(t),t)

iar curba caracteristică în planul (U,I) se numește caracteristica tensiune – curent, sau curent –
tensiune. Caracteristica curent – tensiune (efect dependent de cauza i=i(u)) asociază tensiunii
variabila independentă, iar curentului variabila dependentă.
Fizic, tensiunea este cauza, iar curentul este efectul, deoarece tensiunea produce un câmp
electric E sub acțiunea căruia purtătorii de sarcină se pot deplasa. În planul caracteristicii i – u
curba caracteristică poate avea orice formă.

1.3 Proprietăţi generale

În general, rezistorul este utilizat pentru a crea un raport binecunoscut tensiune – curent
într-un circuit electric, astfel dacă este cunoscut curentul ce trece prin porţiunea de circuit,
rezistorul se foloseşte pentru a realiza o cădere prestabilită de tensiune, proporţională cu acest
curent. De asemenea, dacă este cunoscută diferenţa de potenţial la bornele rezistorului, se poate
prestabili un curent proporţional cu această tensiune.

3
 Rezistoarele sunt componentele electronice pasive cel mai des utilizate în aparatura
electronică, reprezentând aproximativ 30-40% din totalul componentelor unui aparat.
Din punct de vedere tehnologic, rezistoarele reprezintă utilizări ale materialelor
conductoare în scopul controlului şi limitării curentului electric, bazate în general pe relaţia:

R=ρ
l
[Ω] (1.2)
S
unde:
- ρ – rezistivitatea materialului conductor, care este caracteristică de material
[Ωm];
- l – lungimea conductorului [m];
- S – aria secţiunii conductorului [m2].
Figura 1.3 exemplifică relaţia 1.2, cu observaţia că practic şi uzual tehnologic datorită
dimensiunilor mari ale lungimii, conductorul se bobinează pe un suport izolator.

Fig. 1.3 Rezistenţa unui fir conducător.

1.4 Clasificarea rezistoarelor

Clasificarea rezistoarelor se poate face după diferite criterii, din care se prezintă următoarele:
a) După construcţie:
- rezistoare fixe, a căror rezistenţă electrică este constantă, fără posibilităţi de
reglare;
- rezistoare variabile, a căror rezistenţă este variabilă între zero şi valoarea
nominală, avînd o construcţie adecvată reglării, formând două mari clase:
potenţiometre şi potenţiometre semireglabile.
b) După tehnologia de realizare a părţii rezistive a rezistorului:
- rezistoare bobinate, realizate prin bobinarea unui conductor filiform de mare
rezistivitate pe un suport izolator;
- rezistoare de volum, unde elementul rezistiv ocupă întregul volum al
rezistenţei situat între terminale;
- rezistoare peliculare, unde elementul rezistiv este depus sub forma unei
pelicule subţiri (sub 100 µm grosime) pe un suport izolator.
c) După caracteristica tensiune-curent a rezistorului:
- rezistoare liniare;
- rezistoare neliniare, care au o caracteristică neliniară, R fiind dependent de
diferiţi factori ( tensiunea – la variatoare, temperatura – la termistoare,
intensitatea fluxului luminos – la fotoreziatoare).
d) După modul de încapsulare şi utilizare:
- rezistoare singulare (obişnuite);
- reţele rezistive, formate din mai multe rezistoare în aceeaşi capsulă, de regulă
interconectate într-un mod cerut de aplicații tipice.

4
1.5 Elemente de tehnologie a rezistoarelor

1.5.1 Tehnologia rezistoarelor fixe

Un rezistor fix are o structură tipică, indiferent de modul de realizare și anume:

- partea rezistivă;
- suportul izolant;
- terminalele;
- protecţia faţă de mediul exterior.

Partea rezistivă constituie elementul esenţial al rezistorului, înglobând principalele

eforturi tehnologice şi determinând performanţele acestuia; ea se realizează din conductoare
metalice, care trebuie să răspundă următoarelor cerințe:

- rezistivitate ridicată, pentru a se folosi cât mai puţine spire, în special pentru
rezistenţe cu valori mari;
- coeficient mic de temperatură al rezistivităţii;
- tensiune electromotoare de contact în raport cu cuprul mică (deoarece
terminalele se realizează, de regulă din Cu sau aliajele ale acestuia);
- temperatură de topire ridicată (la rezistoarele de mare putere).
Principalele caracteristici ale materialelor conductoare sunt prezentate în tabelul 1.1.

Tab. 1.1
Aliaj
Manganin Constantan Kanthal Nicrothal Nicrom
Ni=4% Ni=45% Fe=75% Ni=75% Ni=80%
Caracteristici
Cu=84% Cu=55% Cr=20% Cr=17% Cr=20%
Mn=12% Al=4,5% Mg,Si=8%
Co=0,5%
Rezistivitate [Ωmm2/m] 0.42 0.5 1.35 1.33 1.15
Coeficient de temperatură
±15 ±20 ±20 ±20 130
[10-6/oC]
Temperatura maximă de utilizare
100 535 150 230 1000
[oC]
T.e.m. de contact faţă de cupru
2 43 3,5 2
[µV/oC]
Rezistenţa la tracţiune [kgf/mm2] 40….55 40…50 80…100 110..140 92
Densitate [g/cm2] 8.4 8.9 7.2 8.1 8.4

1.5.2 Tehnologia rezistoarelor peliculare

La rezistoarele peliculare, elementul rezistiv se realizează din pelicule cu grosimi cuprinse

între 0,001 şi 100 µm.
Aceste pelicule pot fi:
- pelicule rezistive de carbon aglomerat;
- pelicule rezistive de bor – carbon;

5
 - pelicule rezistive de carbon cristalin;
- pelicule metalice;
- pelicule din oxizi metalici;
- pelicule obţinute prin tehnologia straturilor subţiri sau groase.

Peliculele rezistive din carbon aglomerat rezultă din amestecul a două materiale: unul cu
rezistivitate mică (pe bază de negru de fum sau grafit), iar celălalt cu rezistivitate mare (pe bază
da oxizi metalici semiconductori). Amestecul se consolidează printr-un liant pe bază de răşini
fenolformaldehidice.
Rezistoarele construite pe baza acestor pelicule au avantajul unei tehnologii simple, cu
preţ de cost redus, rezistenţă la suprasarcini, dar şi dezavantajul unui zgomot intern şi unui
coeficient de înbătrânire mari.
Peliculele rezistive din carbon cristalin sunt fabricate prin descompunerea termică
(piroliza) a hidrocarburilor saturate (metan, benzen etc.) în vid sau în atmosferă inertă. Grosimea
peliculelor obţinute astfel este de aproximatir 0,1µm. Aceste pelicule cu structură cristalină, au o
mai bună stabilitate în timp, faţă de cele cu carbon aglomerat.

În tabelul 1.2 se prezintă câteva din principalele caracterisici ale unor materiale folosite la
fabricarea rezistoarelor peliculare.
Tabelul 1.2
Materialul
Caracteristici
CrSiO SnO 2 Ta Cermet
R 0 [Ω] 1000 25..1000 50…500 1…10000
Coeficient. de temperatură
100 500 ±200…±5000 -200…+500
[10-6/oC]

1.5.3 Tehnologia suportului izolant

Suportul izolant trebuie să satisfacă unele calități, cum ar fi:

- rezistenţă electrică şi mecanică mare;
- conductibilitate termică bună;
- să nu fie higroscopic;
- să fie stabil din punct de vedere chimic faţă de elementul resistiv;
- să aibă permeabilitate magnetică şi permitivitate dielectrică, mică;
- pierderi dielectrice şi magnetice reduse, într-o gamă largă de frecvenţe.
În funcţie de tipul de rezistor, suportul izolant se realizează cu suprafețe uniforme, fără a fi
nevoie de prelucrări ulterioare.
a) Pentru rezistoarele bobinate se utilizează următoarele materiale:
- sticlă sau fibre de sticlă, pentru temperaturi de lucru ce pot depăşi 100°C;
- ceramică, pentru temperaturi de lucru până la 360°C;
- mica, pentru rezistoare speciale.
b) Pentru rezistoarele peliculare, suportul izolant se realizează din ceramică, selectată să
aibă coeficientul de dilatare termic apropiat de cel al elementului rezistiv. Suporţii necesită
prelucrări mecanice (finisare) şi chimice (degresare) înainte de depunerea peliculelor.

6
1.5.4 Realizarea terminalelor

La marea majoritatea tipurilor de rezistoare, terminalele se realizează din conductoare

filare având diametrele de 0,4; 0,5; 0,6 ; 0,8 sau l mm, în funcție de puterea şi tipul rezistorului.
În cazul rezistoarelor bobinate cu puteri mari, terminalele pot fi de tip colier, realizate din
lamele strînse cu şuruburi.
Terminalele filiforme, mai rar lamelare, se fixează fie prin sudura unor capace, de corpul
rezistorului, fie prin lipire directă (suportul are în acest caz capetele metalizate) sau prin
încastrare. ( operațiune specifică rezistoarelor de volum ).
Orientarea terminalelor poate să fie axială sau radială. Un caz aparte este reprezentat de
rezistoarele de tip plachetă, la care terminalele se sudează în zonele metalizate ale plachetei.
Materialele utilizate de obicei pentru realizarea acestor terminale sunt cuprul (cositorit),
alama, alte aliaje ale Cu.

1.5.5 Realizarea protecției

Protecția trebuie să satisfacă cerinţe similare cu cele impuse suportului izolant. La

rezistoarele bobinate, în funcţie de putere, respectiv temperatura de lucru, se pot aplica
următoarele tipuri de protecţie:
- lăcuire, pentru temperaturi de lucru sub 125°C;
- cimentare cu ciment siliconic (max. 360°C);
- vitrificare, prin strat protector vitrifiant în cuptor la max. 400°C;
- introducerea într-un corp ceramic, care devine şi radiator;
- tropicalizare, prin introducerea într-un tub de sticlă sau porţelan şi ermetizare.
La rezistoarele peliculare se aplică de regulă lăcuirea şi mai rar, cimentarea, sau răşini termodure
şi un strat de ceară.

1.6 Aplicaţiile rezistoarelor

1.6.1 Rezistoare variabile

Rezistoarele variabile numite şi potenţiometre sau rezistoare ajustabile sunt larg folosite
în circuitele electronice ca dispozitive de stabilire şi reglare a unor parametri ai circuitului. Ele se
pot realiza în forme, dimensiuni, valori etc. foarte variate. Principalele caracteristici ale
potenţiometrelor sunt:
- legea de variaţie a rezistenţei (liniară, logaritmică etc.);
- valorile minimă şi maximă de reglaj;
- puterea disipată;
- materialul rezistiv şi proprietăţile acestuia;
- modul de încapsulare şi numărul de rezistoare care pot fi reglate simultan;
- modul de reglaj şi precizia reglării (cu ax, cu cursor, cu şurub etc.).

În figura 1.4 se prezintă un potențiometru care va prestabili o tensiune U 2 , care va avea o

valoare dependentă de poziția cursorului, anume:

U 2 = k ⋅ U 1 , unde k = 0...1 (1.3)

7
 Fig. 1.4 Divizor potențiometric de tensiune.

1.6.2 Reglarea sau limitarea curentului printr-un dispozitiv electronic

Montarea în seie a rezistorului cu o altă componentă electronică, de exmplu o dioda

luminiscentă ( LED – Light Emitting Diode ), face ca prin acest circuit, să poată fi menţinut şi
controlat curentul la o valoare sigură pentru o bună funcţionare a diodei.
Această simplă aplicaţie, în care rezistorul are rol de limitator de curent este reprezentată în
figura 1.5.

Fig. 1.5 Rezistenţa utilizată ca limitator de curent.

1.6.3 Reglarea turaţiei unui motor electric

Turaţia unui motor electric de curent continu poate fi controlată prin intercalarea unei
rezistenţe reglabile (reostat) în serie cu indusul motorului, cum se putea întâlni la controlul vitezei
de deplasare ale tramvaielor electrice sau ale troleibuzelor urbane (figura 1.6).

Fig. 1.6 Rezistenţa utilizată la reglarea turaţiei unui motor.

1.6.4 Atenuarea

O reţea formată din două sau mai multe rezistoare formează un divizor de tensiune şi este
utilizată pentru reglarea nivelului de tensiune dorit, cum se arată în figura 1.7:

8
 Fig. 1.7 Divizorul de tensiune.

Relaţia de calcul a tensiunii divizate este:

U2 =
R2
⋅U1 [V ] (1.4)
R1 + R2

1.7 Rezistorul ca parte a unui circuit electric

Prin plasarea unui rezistor într-un circuit electric, acesta se supune celor două legi ale lui
Kirchhoff ( descrise prima dată în 1845 de Gustav Kirchhoff ), care sunt aplicaţii ale principiului
conservării sarcinii electrice şi a energiei şi ale cărora forme simplificate sunt următoarele:

1.7.1 Prima lege a lui Kirchhoff (sau legea nodurilor )

Ca aplicaţie a principiului conservării sarcinii electrice, care nu se schimbă în timp, suma

curenţilor luaţi cu semnele lor este nulă, sau suma curenţilor care intră într-un nod este egală cu
suma curenţilor care ies din acel nod, după cum se arată în figura 1.8:

Fig. 1.8 Reprezentarea legii lui Kirchhoff pentru noduri.

Astfel, se poate scrie:

i1 + i4 = i2 + i3 , sau, în general pentru nodul considerat: ∑I = 0 (1.5)

9
1.7.2 A doua lege a lui Kirchhoff (sau legea buclelor )

Această lege este o implicaţie a principiului conservării energiei, care stipulează că suma
diferenţelor de potenţial într-un circuit electric trebuie să fie nulă.
În figura 1.9 este reprezentat un circuit electric sub forma unei bucle ce conţine şi o sursă
de tensiune v 4 , iar relaţia matematică a legii este:

∑V = 0 , adică v + v
1 2 + v3 + v 4 = 0 (1.6)

Fig. 1.9 Reprezentarea legii lui Kirchhoff pentru bucle.

1.7.3 Conexiunea serie

Curentul electric ce străbate rezistenţele legate în serie rămâne acelaşi, dar căderea de
tensiune pe fiecare rezistor în parte are o valoare impusă de valoarea reistenţei respective, astfel
încât suma acestor căderi de tensiune egalează tensiunea de alimentare a reţelei. Pentru aflarea
rezistenţei echivalente Req a circuitului serie arătat în figura 1.10, se utilizează relaţia:
Req = R1 + R2 + ... + Rn (1.7)

Fig. 1.10 Conectarea rezistoarelor în serie.

1.7.4 Conexiunea paralel

Prin conectarea în paralel a mai multor rezistoare, fiecare dintre acestea suportă aceeaşi
cădere de tensiune, după cum se arată în figura 1.11, iar pentru aflarea rezistenţei echivalente
Req se foloseşte relaţia:
1 1 1 1
= + + ... + (1.8)
Req R1 R2 Rn

10
 Fig. 1.11 Conectarea rezistoarelor în paralel.

1.7.5 Reţeaua de rezistoare

O combinaţie de rezistoare conectate atât în serie cât şi în paralel constituie o reţea

rezistivă.
Pentru exemplificare, se prezintă în figura 1.12 o reţea simplă formată dintr-un rezistor
legat în serie cu o conexiune în paralel formată din alte două rezistoare, a cărei rezistenţă
echivalentă Req este dată de:
R1 ⋅ R2
Req = (R1 R2 ) + R3 = + R3 (1.9)
R1 + R2

Fig. 1.12 Conectarea rezistoarelor în reţea.

1.7.6 Puntea rezistivă de măsură (Wheatston)

Principiul de funcționare este sugerat de modul de amplasare a celor patru rezistenţe,

anume două câte două opozite, analog jucătorilor de Bridge, de unde şi numele. Acest circuit
special are două diagonale – una de alimentare cu energie electrică, alta de măsură, unde este
plasat un indicator, el este arătat în figura 1.13.
Tensiunea dată de indicator (U ind ) este:

  R3 R1
  −
 1 1  R x R2
U ind = U bat − = U bat (1.10)
 R1 R3   R   R 
1+ 1+  1 + 1  ⋅ 1 + 3 
 R2 Rx   R2   R x 

11
de unde rezultă condiția de echilibru a punții de măsură, anume:

R1 R3
= , ceeace sugerează modul de a afla o rezistență necunoscută R x , adică:
R2 R x
R ⋅R
Rx = 2 3 (1.11)
R1

Fig. 1.13 Puntea Wheatston.

1.8 Rezistoare dependente de temperatură

Rezistoarele dependente de temperatură au la baza funcţionării lor variaţia rezistivităţii

unor materiale semiconductoare sau de alt tip, atunci când se modifică temperatura acestora.
Termistoarele cu coeficient de temperatură negativ (NTC – Negative Temperature
Coefficient) se realizează din materiale semiconductoare a căror rezistivitate scade cu creşterea
temperaturii, fenomen specific majorităţii semiconductoarelor. În acest scop se utilizează de
regulă oxizi de Cr, Mn, Fe, Ni etc. impurificaţi cu ioni străini pentru a-şi spori proprietăţile
semiconductoare.
Dependenţa de temperatură a rezistenţei termistorului este
RT = Ae − B / T (1.12)
unde,
A = R∞ este valoarea limită a rezistenţei când T → ∞ , iar B este o constantă de material şi de
tehnologie şi are valori între 2000 şi 5000 oC.
Coeficientul de temperatură este:
1 dRT B
αR = =− 2 <0 (1.13)
RT dT T
Termistoarele cu coeficient de temperatură pozitiv (PTC – Positive Temperature
Coefficient) se realizează din materiale pe bază de titanat de bariu (BaTiO 3 ) cu o tehnologie
tipică materialelor ceramice, urmărindu-se ca prin tratamentul termic să se substituie ionii de
Ba2+ cu ioni de impurificare, devenind astfel materiale semiconductoare.
Dependenţa de temperatură a rezistenţei termistorului este dată de relația:
RT = A + Ce BT , iar
coeficientul de temperatură al rezistenţei este:

12
 1 dRT BC × e − BT
αR = = >0 (1.14)
RT dT A + Ce − BT
Aceste rezistoare se utilizează ca senzori de temperatură (traductoare termice) în sistemele de
urmărire a temperaturii şi de reglare automată a acesteia.

1.8.1 Rezistoare semiconductoare (Termistoare)

Prin utilizarea materialelor semiconductoare, cel mai des fiind siliciu, se realizează
rezistoare puternic dependente de temperatură, cu aplicaţii primordial în domeniul măsurării
temperaturilor.
Termistoarele au o sensibilitate la variaţii de temperatură cu câteva ordine de mărime mai
mare decât rezistoarele metalice, iar rezistenţa lor este dată de o expresie exponenţială de forma:

RT = RT0 exp± K (T − T0 ) [Ω] (1.15)

Figura 1. 14 prezintă comparativ evoluţia rezistenţei cu temperatura a termistoarelor şi
termorezistenţelor.

Fig. 1. 14 Comparaţie între variaţia rezistenţei cu temperatura a unui termistor şi a unei

rezistenţe din platină.

1.9 Rezistoare dependente de tensiune (varistoare)

Varistorele se produc din materiale pe bază de carbură de Si, ZnO sau alţi oxizi.
Dependenţa de tensiune a rezistenţei se explică prin fenomenele ce au loc la suprafaţa granulelor
ce compun materialul la diferite tensiuni. Prin sinterizare, între două granule vecine se formează
o dublă jonţiune, echivalentă cu două diode în serie. Suprapunerea efectelor în întregul volum
semiconductor conduce la o caracteristică curent – tensiune de forma:

I = k1U + k 2U n −1 (1.14)

unde, k1, k2 şi n sunt constante de material.

Diferenţiind ecuaţia de mai sus se obţine ecuaţia dependenţei rezistenţei de tensiune:

13
 dU 1
RU = = (1.15)
dI k1 + k 2U n −1

Aplicaţiile varistoarelor sunt legate de sistemele de monitorizare şi control automat al

tensiunilor electrice, traductoare de tensiune, modulaţia semnalelor electrice, realizarea de funcţii
electrice neliniare etc.

1.10 Rezistoare dependente de lumină (fotorezistoare)

Fotorezistoarele, simbolizate ca în figura 1.14, au la baza funcţionării lor efectul
fotoelectric, care constă în modificarea conductivităţii electrice a unui semiconductor în urma
recepţiei unui flux luminos. Absorbţia fotonilor modifică concentraţia de purtători liberi din
semiconductor şi prin aceasta conductivitatea sa, în sensul reducerii acesteia.

Figura 1.14 Simbolizarea fotorezistorului.

Fotorezistorul în circuit (figura 1.15) formează un divizor de tensiune, iar informația dată de
fluxul luminos este dată de relația:

Rf
V = ⋅ Vcc (1.16)
R + Rf

în acest caz, tensiunea de ieșire V scade odată cu creșterea intensității luminoase.

Figura 1.15 Utilizarea fotorezistorului într-un Figura 1.16 Fotorezistor CdS

circuit electric

Fotorezistoarele se construiesc după domeniul de utilizare; astfel pentru spectru vizibil se

utilizează ca material sulfura de cadmiu, pentru domeniul infraroșu apropiat – sulfuri de plumb
sau compuși de indiu-antimoniu, iar pentru domeniul infraroșu îndepărtat – germaniu dopat cu
cupru.
Fotorezistoarele au o largă arie de aplicații, începând de la controlul camerelor de luat
vederi, comanda iluminatului, până la fotospectrometre, iar fizic, fotorezistorul este ilustrat în
figura 1.16.

14
Exemple
Legea lui Ohmm poate determina una dintre necunoscute, când se cunosc doi
parametri de circuit; astfel dacă pentru o aplicaţie dată se cunosc tensiunea şi
curentul, se poate determina rezistenţa.
Conectarea mai multor rezistenţe se analizează din aproape în aproape, astfel se
poate determina o schemă echivalentă simplificată, din care se pot trage concluzii
privind nivelul tensiunilor şi circulaţia curentului.

Scrieţi relaţia unui divizor de tensiune: pentru o tensiune de intrare de 12

V, să se afle valoarea rezistenţelor pentru o tensiune de ieşire de 6 V.
Aflaţi valoarea rezistenţei pentru a limita curentul dintr-un circuit
alimentat la 12 V la 0.5 A.

Să ne reamintim...
Rezistoarele se supun legii lui Ohmm, care pune în relaţie curentul ca fiind efectul
tensiunii, care este cauza.
Comportarea lor în circuit este coordonată de legile specifice circuitului electric.
Rezistoarele se fabrică într-o largă varietate tipo-dimensională; fiecare aplicaţie cere
un anumit tip constructiv, care să corespundă cerinţelor de tensiune şi putere maxim
admisibilă.

Rezumat
Elementul de circuit pe care îl reprezintă rezistorul este supus unor legi care
leagă mărimi tipice de circuit, cum sunt tensiunea şi curentul.
Au fost prezentate diverse feluri de conectare a rezistoarelor, relaţii valabile în
circuitele elctrice, tipologii speciale de circuite rezistive.
Au fost prezentate rezistoare speciale, care pot fi utilizate ca senzori pe un
autovehicul.

15
 Unitatea de învăţare I.2.1 CONDENSATORUL
Cuprins
I.2.1 Introducere ........................................................................................................... 16
I.2.2. Competenţe .......................................................................................................... 16
I.2.3. Capacitatea unui condensator ............................................................................. 17
I.2.4 Tipuri de condensatoare ....................................................................................... 18
I.2.5 Energia înmagazinată........................................................................................... 18
I.2.6 Condensatorul amplasat în circuite electrice ....................................................... 18
I.2.7 Simbolizare ........................................................................................................... 19
I.2.8 Condensatorul în circuite de curent continuu ...................................................... 19
I.2.9 Condensatorul în circuite de curent alternativ..................................................... 20
I.2.9.1 Impedanţa condensatorului ........................................................................... 20
I.2.9.2 Vectorii asociaţi tensiunii şi curentului ......................................................... 20
I.2.10 Reţele de condensatoare ..................................................................................... 21
I.2.10.1 Conectarea condensatoarelor în paralel ..................................................... 21
I.2.10.2 Conectarea condensatoarelor în serie ......................................................... 21
I.2.10.3 Puterea instantanee ..................................................................................... 22
I.2.11 Aplicaţii ale condensatoarelor ........................................................................... 22

I.2.1. Introducere
Condensatorul este o componentă importantă a unui circuit electric prin
calităţile sale specifice: decuplarea surselor de tensiune continuă, comportarea
diferită în circuitele de curent continuu şi în cele de curent alternativ, capacitatea
de a înmagazina energie.
Cursul prezintă principalele moduri de conectare în circuitele electrice,
principalele caracteristici funcţionale şi factorii care influenţează parametrii
funcţionali ai unui condensator.

I.2.2. Competenţele unităţii de învăţare

După parcurgerea cursului studentul va fi capabil să:
• Definească rolul şi locul unui condensator într-un circuit electric;
• Definească noţiunea de impedanţă a condensatorului;
• Descrie fazorial funcţionarea condensatorului în circuite de curent
alternativ.

16
 Durata medie de parcurgere a celei de-a doua unităţi de învăţare este de 3
ore.

CONDENSATORUL

Un condensator este definit ca un dispozitiv electric sau electronic, care poate stoca energie
în câmpul electric format de două plăci conductoare de arie A, separate de un izolator denumit
dielectric, la o anumită distanţă d; o reprezentare intuitivă a unui condensator plan este arătată în
figura 2.1.

Figura 2.1 Condensatorul plan

Atunci când se aplică o tensiune electrică, pe cele doua plăci ale armăturii condensatorului
apare un câmp electric în dielectric, ceea ce duce la apariţia unei încărcări cu sarcini electrice de
polarităţi opuse ±Q.
Mărimea acestor sarcini determină capacitatea unui condensator.

2.3 Capacitatea unui condensator

Atunci când sarcinile electrice se acumulează în cele două plăci ale armăturii, în dielectric
se formează un câmp electric direct proporţional cu mărimea acestora, ceea ce duce la apariţia unei
diferenţe de potenţial între plăci:
V = E ⋅ d [V ] (2.1)

Capacitatea unui condensator C este măsura cantităţii de sarcini electrice Q, stocate în

armături, pentru o diferenţă de potenţial V, aplicate pe acestea:

C=
Q
[F ] (2.2)
V

În sistemul unificat de unităţi SI, condensatorul are capacitatea de un Farad atunci când
sarcina electrică de un Coulomb acumulată pe armături creează o diferenţă de potenţial între
acestea de un Volt.

17
 Capacitatea unui condensator plan, urmărind figura 2.1, este proporţională cu aria
armăturilor A, cu permitivitatea dielectricului ε, care este un material izolator şi invers
proporţională cu distanţa d dintre armături, iar expresia acesteia este dată de relaţia (2.3):

εA
C= ; A»d2 (2.3)
d
2.4 Tipuri de condensatoare

Figura 2.2 Tipuri reprezentative de condensatoare citors: ceramice, cu tantal sau electrolitice,
văzute la scară centimetrică.
2.5 Energia înmagazinată (stocată)

Sarcinile electrice acumulate pe cele două armături dezvoltă un câmp electric, a cărui energie (care
se măsoară în Joule, în SI ) este stocată şi care este dată de:

1 Q2 1
E=
1
CV 2 = = VQ [J ] , (2.4)
2 2 C 2

unde V este tensiunea electrică dintre armături.

Energia maximă ce poate fi acumulată într-un tip oarecare de condensator este limitată de
dimensiunea câmpului electric ce nu-l poate distruge, care se poate defini prin densitatea de
energie pe volumul dielectricului (J / m³ ).

2.6 Condensatorul amplasat în circuite electrice

Condensatorul are comportament diferit, după cum este situat într-un circuit de curent continuu sau
alternativ.

18
 Figura 2.3 Migraţia sarcinilor electrice
În figura 2.3 se poate observa cum electronii din dielectric care sunt sub influenţa câmpului
electric duc la o rotaţie lentă a moleculelor dielectricului. Condensatorul lasă să treacă curentul
alternativ şi blochează curentul continuu.

2.7 Simbolizare

Condensatoarele sunt figurate simbolic în funcţie de aplicaţia specifică, după cum se

reprezintă în tabelul 2.
Tabelul 2
Condensator Condensator
Condensator
polarizat variabil

2.8 Condensatorul în circuite de curent continuu

Electronii nu pot trece uşor de pe o armătură pe cealaltă prin dielectric, care este ales astfel
încât să fie un foarte bun izolator. Curentul prin condensator rezultă de fapt, mai mult ca urmare a
separării sarcinilor electrice, decât acumulării electronilor lor pe armături. Această separare a
sarcinilor Q creşte cu tensiunea V aplicată plăcilor.
Expresia matematică a curentului I, care reprezintă raportul de forţare a sarcinilor Q prin
dQ dV
condensator este: I= =C , (2.5)
dt dt
Unde,
• I este curentul măsurat în amper [A] ,
• C este capacitatea în farad [F ];

19
 este derivata tensiunii aplicată armăturilor [V / s ] .
dV
•
dt

Pentru circuitele alimentate de la o sursă de curent continuu tensiunea pe condensator nu

poate excede tensiunea sursei, decât în aplicaţii speciale. În acest caz se ajunge la un echilibru
energetic, din care cauză se spune uzual – condensatorul blochează curentul continuu.

2.9 Condensatorul în circuite de curent alternativ

Curentul prin condensator datorat unei tensiuni alternative aplicată pe plăci îşi schimbă
direcţia periodic, astfel încât sarcinile electrice se transferă de pe o placă pe cealaltă, iar curentul
nu se anulează niciodată. De aceea se spune că prin condensator trece curentul alternativ.

2.9.1 Impedanţa condensatorului

Raportul dintre fazorul tensiunii şi fazorul curentului se numeşte impedanţă, iar în cazul
condensatorului aceasta este dată de:
−j
Zc = = − jX C , (2.6)
2πfC
unde
• j = −1 ;
• f este frecvenţa;
• ω = 2πf este pulsaţia sau frecvenţa unghiulară;
1
• XC = se numeşte reactanţa capacitivă.
ωC

Semnul negativ al impedanţei indică faptul că tensiunea (alternativă) este înaintea

curentului cu 900 pentru un semnal sinusoidal. Se observă că reactanţa este invers proporţională cu
capacitatea şi scade o dată cu creşterea frecvenţei, ajungând chiar la un scurtcircuit la frecvenţe
mari.

2.9.2 Vectorii asociaţi tensiunii şi curentului

Descrierea vectorilor este dată de relaţiile (2.7):


u = U 2 sin ( ωt + β )‫۽‬ U : U / β ;
(2.7)

i = I 2 sin(ωt + β + π / 2  I : I / β + π / 2

Vectorul curent I este rotit cu unghiul π/2 în sens trigonometric (înainte) faţă de vectorul
   
tensiunea U aplicată la borne. La un condensator U ⊥ I , iar curentul I este defazat cu unghiul π/2

radian înaintea lui U , cum se arată în figura 2.4, unde se observă că vectorul curentului este
defazat cu π/2 rad înaintea vectorului tensiunii.

20
 a b
Figura 2.4 a – tensiunea este înaintea curentului cu π/2; b - fazorii tensiunii și curentului prin
condensator.

2.10 Reţele de condensatoare

2.10.1 Conectarea condensatoarelor în paralel

Configurarea condensatoarelor în paralel, ilustrată în figura 2.5 conduce la acelaşi potenţial
electric pe fiecare dintre acestea, iar capacitatea echivalentă este dată de relaţia (2.8):

C echivalent = C1 + C 2 +…+ C n (2.8)

Figura 2.5 Conexiunea paralel a condensatoarelor.

Motivul principal de conectare a condensatoarelor în paralel este acela de a mări cantitatea

sarcinilor electrice acumulate, implicit de a mări cantitatea energiei electrice stocate, a cărei
expresie este:
1 2
E stocata = CV (2.9)
2

2.10.2 Conectarea condensatoarelor în serie

Curentul care străbate condensatoarele conectate în serie rămâne acelaşi, dar căderea de
tensiune pe fiecare condensator este diferită, după valoarea capacităţii acestuia, conexiunea în serie
fiind arătată în figura 2.6, astfel încât capacitatea echivalentă este:

1 1 1 … 1
= + + + (2.10)
C echivalent C1 C 2 Cn

21
 Figura 2.6 Conexiunea serie a condensatoarelor.

Practic, legarea în serie a condensatoarelor urmăreşte obţinerea unui capacitor echivalent

capabil să suporte o tensiune înaltă de exemplu, trei condensatoare cu o tensiune suportabilă de
600 V legate în serie vor forma un condensator echivalent capabil să reziste la o tensiune maximă
de 1800 V.

2.10.3 Puterea instantanee

Puterea instantanee pe condensator are expresia:

p = ui = ωCU 2 2 sin(ωt + β ) cos(ωt + β ) = ωCU 2 sin 2(ωt + β ) (2.11)

şi oscilează cu frecvenţa unghiulară 2ω în jurul valorii nule ca şi la o bobină.

In concluzie, pentru un condensator :
- puterea activă este nulă;
- puterea reactivă capacitivă definită ca amplitudine a puterii instantanee oscilante ,este :
1 2
QC = U 2 / X C = X C I 2 = − I (2.12)
ωC
2.11 Aplicaţii ale condensatoarelor

Condensatoarele au multiple utilizări în circuitele electrice şi electronice, de la aparatele de

telecomunicaţie până la centralele energetice nucleare.

Stocarea de energie
Un condensator poate înmagazina energie electrică, atunci când este deconectat de la
cicuitul electric, astfel încât el devine o baterie temporară, cu atât mai bună cu cât capacitatea este
mai mare.
De exemplu, la schimbarea bateriei unei plăci de bază a unui calculator, un condensator
menţine tensiunea de alimentare a memoriei, aşa fel încât aceasta să nu-şi piardă informaţia; la un
vehicul hibrid, pornirea motorului termic se face de la un supracondensator etc.

Filtrarea
Datorită proprietăţilor de stocare a sarcinilor electrice, condensatorul netezeşte pulsaţiile
tensiunii redresate. De asemenea prin blocarea tensiunii continue, el separă componenta
alternativă, caz în care se numeşte condensator de cuplaj.
Energia stocată poate fi utilizată ca informaţie memorată, de exemplu în circuitele de
conversie analog – digital, caz în care este denumit condensator de memorare (sample & hold
capacitor).

Circuite acordate
Condensatorul cuplat într-un mod particular cu o inductanţă, formează aşa numitul circuit
de acord, care selectează o anumită frecvenţă de transmisie a unui semnal util, cum se întâmplă la
căutarea unui post de radio.

22
 Relaţia dintre frecvenţă şi valorile condensatorului C şi ale inductanţei L este dată de:

1
f= (2.13)
2π LC

frecvenţă care coincide cu frecvenţa de rezonanţă a circuitului LC.

Alte aplicaţii consideră condensatorul ca un senzor, în care orice modificare a distanţei dintre
armături, a dielectricului sau suprafeţei plăcilor armăturilor conduce la realizarea măsurărilor de
deplasare liniară, unghiulară sau de acceleraţie.

Exemple
Observaţii
În curent continuu curentul prin condensator este nul. Condensatorul reprezintă
deci o întrerupere de circuit.
În curent alternativ, la o tensiune dată aplicată la borne, curentul prin condensator
este determinat de reacţia sa; reactanţa unui condensator ideal este invers
proporţională cu frecvenţa.
De aceea condensatorul ideal blochează trecerea curentului la frecvenţe joase și
prezintă scurt-circuit la frecvenţe înalte.

• Scrieţi expresia capacităţii unui condensator plan;

• Arătaţi cum se poate construi un senzor, utilizând proprietăţile de material
ale dielectricului;
• Calculaţi impedanţa unui condensator la frecvenţele de 50, 500, 1000,
10000 Hz.

Rezumat
Condensatorul este o componentă importantă a unui circuit electric prin
calităţile sale specifice: decuplarea surselor de tensiune continuă, comportarea
diferită în circuitele de curent continuu şi în cele de curent alternativ, capacitatea de
a înmagazina energie.
Cursul prezintă principalele moduri de conectare în circuitele electrice, principalele
caracteristici funcţionale şi factorii care influenţează parametrii funcţionali ai unui
condensator.
Condensatorulu este elementul dual al inductanţei

23
Unitatea de învăţare I.3.1 INDUCTANŢA

Cuprins
I 3.1 Introducere ........................................................................................................... 24
I 3.2 Competenţe ........................................................................................................... 24
I 3.3 Forme constructive ............................................................................................... 25
I 3.4 Energia înmagazinată........................................................................................... 26
I 3.5 Comportarea inductanţei într-un circuit electric ................................................. 26
I 3.6 Inductanţa în circuite de curent alternativ ........................................................... 26
I 3.7 Puterea activă ....................................................................................................... 27
I 3.8 Puterea instantanee .............................................................................................. 27
I 3.9 Reţele de inductanţe.............................................................................................. 29
I 3.10 Factorul de calitate............................................................................................. 30
I 3.11 Formule matematice utile privind inductanţa .................................................... 31
Rezumat ................................................................................................................ 32

I.3.1 Introducere
Cursul elemente specifice componentei pasive de circuit, care este inductanţa.
Sunt abordate caracteristicile funcţionale, comportarea diferită în circuitele de
curent continuu şi în cele de curent alternativ, capacitatea de a înmagazina energie.
Cursul prezintă principalele moduri de conectare în circuitele electrice,
principalele caracteristici funcţionale şi factorii care influenţează parametrii
funcţionali ai unei inductanţe.

I.3.2 Competenţele unităţii de învăţare

• Definească rolul şi locul unei inductanţe într-un circuit electric;
• Definească noţiunea de impedanţă a cinductanţei;
• Descrie fazorial funcţionarea inductanţei în circuite de curent alternativ.

Durata medie de parcurgere a celei de-a treia unităţi de învăţare este de 3 ore.

24
 INDUCTANŢA

Inductanţa este o componentă pasivă de circuit care, constă în esenţă, dintr-o înfăşurare a
unui fir conductor (de regulă – din cupru) pe un suport izolator; ea poate avea sau nu un miez
feros, care ar putea intensifica fluxul magnetic creat la trecerea curentului electric.
Simbolizarea inductanţei este aratată in figura 3.1.

Figura 3.1 Simbolul inductanţei.

3.3 Forme constructive
O inductanţă este construită în mod uzual, dintr-o bobină din material conductor, tipic din
cablu emailat din cupru infăşurat in jurul unui miez, care poate fi aer sau un material
feromagnetic. Formele constructive pot fi foarte diverse, câteva dintre acestea fiind următoarele:
- inductanţe cu miez de ferită;
- inductanţe ajustabile cu miez reglabil;
- inductanţe care se pot ataşa direct pe circuitul imprimat sau care se pot realize direct pe un
cablaj imprimat, de exemplu sub forma unei spirale;
- inductanţe care se construiesc ca parte funcţională dintr-un circuit integrat;
- giratoare, care se comportă ca o inductanţă dar sunt realizate în tehnică integrată, fiind
constituite dintr-un condensator şi alte componente active (diode, tranzistoare etc.).
În figura 3.2 se prezintă câteva forme constructive uzual folosite în circuitele de joasă
tensiune şi de semnal mic:

Figura 3.2 Forme constructive ale inductanţelor.

Unitatea de măsură a inductanţei este Henri (H) şi reprezintă efectul câmpului magnetic
creat de curentul ce străbate conductorul din bobinaj; ca urmare fluxul magnetic este proporţional
cu acest curent. O schimbare a curentului din bobină conduce la o modificare a fluxului magnetic,
care va genera o forţă electromotoare ce se va opune acestei schimbări.
Astfel se poate spune că inductanţa este măsura forţei electromotoare generate de o
schimbare unitară a curentului prin bobinaj.
Inductanţa poate fi mărită prin ecranarea bobinei sau prin introducerea unui miez construit
dintr-un material de înaltă permeabilitate magnetică.

25
3.4 Energia înmagazinată

Energia stocată de o inductanţă (exprimată în Joule, în SI) este dată de urmatoarea formulă:

1 2
E stocat = LI (3.1)
2
unde,
• L este inductanţa;
• I este curentul prin bobinaj.

3.5 Comportarea inductanţei într-un circuit electric

Faţă de un condensator, care se opune modificărilor de tensiune, o inductanţă se opune

schimbărilor curentului; o inductanţă ideală are o rezistenţă electrică nulă în curent continuu, dar
în general variaţia curentului prin bobină în timp descrie tensiunea la bornele inductanţei prin
relaţia:
di (t )
v(t ) = L (3.2)
dt

3.6 Inductanţa în circuite de curent alternativ

În regim sinusoidal inductanţa străbătută de curentul sinusoidal i = I 2 sin(ωti + γ ) are tensiunea

la borne dată de relaţia:
di π
u L = L = ωLI 2 cos(ωt + γ ) = ωLI 2 sin(ωt + γ + ) (3.3)
dt 2
Prin urmare , valoarea efectivă a tensiunii U L este:

U L = ωLI (3.4)
iar faza iniţială are valoarea:

π
β =γ + (3.5)
2

Mărimea ωL = X L se numeşte reactanţa inductivă. Simbolul reactanţei este X, şi se măsoară în

ohmi ca şi rezistenţa.

Concluzii privitoare la inductanţă:

π
- curentul este defazat în urma tensiunii la borne cu rad;
2
- valoarea efectivă a curentului este egală cu valoarea efectivă a tensiunii la borne împărţită la
U
reactanţa bobinei, adică I = L .
XL
Vectorii asociaţi tensiunii şi curentului

26
Descrierea vectorilor este dată de relaţiile (3.6):

π 
u L = U L 2 sin(ωt + γ + ) U L : U L / π / 2 + γ ;
2
(3.6)

i = I 2 sin(ωt + γ )  I : I / σ

Vectorul U L este rotit cu unghiul π/ rad în sens trigonometric faţă de vectorul I . La bobină
curentul este defazat cu π/ 2rad în urma tensiunii, respectiv tensiunea este defazată cu π/2
înaintea curentului, cum se ilustrează în figura 3.3.

Figura 3.3 Vectorii tensiunii și curentului prin bobină.

3.7 Puterea activă

Pe durata unei perioade, într-o semiperioadă puterea instantanee este primită de bobină,
iar în semiperioada imediat următoare puterea instantanee este cedată de bobină spre exterior, de
exemplu sursei la care este conectată. În medie pe o perioadă, energia primită la borne este nulă;
puterea activă este deci, de asemenea nulă.
Bobina nu este numai un consumator de putere activă; ea schimbă energia cu exteriorul.
Se poate caracteriza acest schimb de energie prin amplitudinea puterii instantanee, care este
oscilantă. Această mărime se numeşte puterea reactivă inductivă şi este definită de relaţia:

QL = ωLI 2 = X L I 2 (3.7)

3.8 Puterea instantanee la bornele bobinei are expresia:

p = ui = 2ωLI 2 2 sin(ωt + γ ) cos(ωt + γ ) = ωLI 2 sin 2(ωt + γ ) (3.8)

şi este variabilă sinusoidal în timp, având frecvenţa dublă.
Puterea reactiva are simbolul Q şi se măsoară in var (volt-amper-reactiv).

Figura 3.4 arată variaţiile în timp a parametrilor energetici ale unei bobine. Astfel,
atunci când puterea instantanee este negativă, de exemplu în intervalul (T/4;T/2), energia

27
magnetică acumulată în bobină scade la zero de la valoarea maximă LI 2 , egală cu aria haşurată
de sub graficul puterii instantanee.

Figura 3.4 Relaţii energetice într-o bobină.

Atunci când puterea instantanee este pozitivă, în intervalul (T/4;T/2), energia

magnetică acumulată creşte de la zero la valoarea maximă. În acest interval bobina primeşte
energie. Bobina schimbă energia pe la borne fără a o consuma; ceeace primeşte într-un interval
cu durata T/4 se cedează în intervalul imediat următor. Valoarea medie în timp pe o perioadă a
energiei magnetice este însă:
 1 ~ 1
Wm = L i 2 = LI 2 (3.9)
2 2
ca şi când bobina ar fi parcursă de un curent continuu cu intensitatea egală cu valoarea efectivă a
curentului alternativ.
Comparând expresia puterii reactive cu cea a energiei magnetice medii, se trage
concluzia că:
~
Q = 2ωW (3.10)
ceea ce arată că puterea reactivă inductivă este proporţională cu valoarea medie pe o perioadă a
energiei magnetice acumulate în câmpul magnetic al bobinei.

28
 Figura 3.4 Relaţii energetice într-o bobină.

3.9 Reţele de inductanţe

Conectarea inductanţelor în paralel

Configurarea inductanţelor în paralel, ilustrată în figura 3.5 conduce la acelaşi potenţial
electric pe fiecare dintre acestea, iar inductanţa echivalentă este dată de relaţia (3.11):

Figura 3.15 Conectarea inductanţelor în paralel.

1 1 1 1
= + + ... + (3.11)
Leq L1 L2 Ln

Conectarea inductanţelor în serie

Curentul care străbate inductanţele conectate în serie rămâne acelaşi, dar căderea de
tensiune pe fiecare este diferită, conexiunea în serie fiind arătată în figura 3.16, astfel încât
inductanţa echivalentă este dată de relaţia (3.12):

29
 Figura 3.16 Conectarea inductanţelor în serie.

Leq = L1 + L2 + ... + Ln (3.12)

Această relaţie simplă este valabilă doar dacă nu există cuplaje magnetice mutuale între
inductanţele conectate.

3.10 Factorul de calitate

O inductanţă reală are pierderi datorită rezistenţei conductorului electric din care este
realizată bobina. Această rezistenţă apare în serie cu inductanţa şi va produce încălzirea bobinei,
pierdere care se traduce prin pierderea calităţii inductanţei.
Factorul de calitate este o măsură a randamentului şi este definit ca raportul reactanţei
inductive la rezistenţa de pierderi, la o frecvenţă dată ω, descris prin relaţia (3.13):

ωL
Q= (3.13)
R

3.11 Formule matematice utile privind inductanţa

1. Formula de calcul pentru o bobină cilindrică

µ0 µr N 2 A
L= (3.14)
l

L = inductanţa [H];
µ 0 = permeabilitatea magnetică a aerului = 4π ⋅ 10 −7 [H/m];
µ r = permeabilitatea relativă a materialului miezului;
N = numărul de spire;
A = aria secţiunii bobinei [m2];
l = lungimea bobinei [m].

2. Inductanţa unui conductor rectiliniu

 4l 
L = l  ln − 1 ⋅ 200 ⋅ 10 −9 (3.15)
 d 
L = inductanţa [H];
l = lungimea conductorului [m];
d = diametrul conductorului [m].

Exemplu: un conductor cu l = 10 mm şi d = 1 mm va avea o inductanţă L = 5.38 nH, iar unul

acelaşi diametru, dar cu l = 100 mm – L = 100 nH.

30
3. Inductanţa unei bobine cu un singur strat în aer

r2N 2
L= (3.16)
9r + 10l
L = inductanţa [H];
R = raza exterioară [inches];
L = lungimea bobinei [inches];
N = numărul de spire.

4. Inductanţa unei bobine cu multiple straturi

0.8r 2 N 2
L= (3.17)
6r + 9l + 10d

L = inductanţa [µH];
R = raza medie a bobinei [inches];
L =lungimea fizică a înfăşurării [inches];
N = numărul de spire;
D = adâncimea bobinei [inches].

Exemple
În curent continuu curentul prin inductanţă este infinit; inductanţa reprezintă deci
un scurtcircuit;
În curent alternativ, la o tensiune dată aplicată la borne, curentul prin inductanţă
este determinat de reacţia sa; reactanţa unei inductanţe ideale este direct
proporţională cu frecvenţa.
De aceea inductanţa ideaăl blochează trecerea curentului la frecvenţe înalte și
prezintă scurtcircuit la frecvenţe joase.

• Scrieţi expresia inductanţei unei bobine plane;

• Arătaţi cum se poate construi un senzor, utilizând proprietăţile de material
ale întrefierului;
• Calculaţi impedanţa unei inductanţe la frecvenţele de 50, 500, 1000,
10000 Hz.

31
Să ne reamintim.
Observaţii:
1) În curent continuu tensiunea la bornele unei bobine este nulă, deoarece
derivata unei mărimi invariabile în timp este nulă (viteza ei de variaţie este
nulă ) . Se spune ca pentru curentul continuu bobina reprezintă un scurtcircuit.
2) În curent alternativ, la o tensiune la borne dată, curentul este limitat de
reactanţa bobinei, care este proporţională cu frecvenţa. De aceea o bobină
blochează trecerea curentului la frecvenţe înalte ţi reprezintă un scurtcircuit la
frecvenţe suficient de joase.
3) Reactanţa bobinei nu are sens decât în curent alternativ, adică în regimul în
care este definită.

Rezumat
Cursul elemente specifice componentei pasive de circuit, care este inductanţa.
Sunt abordate caracteristicile funcţionale, comportarea diferită în circuitele de curent
continuu şi în cele de curent alternativ, capacitatea de a înmagazina energie.

Cursul prezintă principalele moduri de conectare în circuitele electrice, principalele

caracteristici funcţionale şi factorii care influenţează parametrii funcţionali ai unei
inductanţe.
Se prezintă câteva din principalele relaţii de calcul practic ale unor inductanţe.

32
Unitatea de învăţare I.4.1 DIODA

Cuprins
I.4.1 Introducere ........................................................................................................... 33
I.4.2 Competenţe ........................................................................................................... 33
I.4.3 Dioda termică ....................................................................................................... 34
I.4.4 Dioda semiconductoare ........................................................................................ 35
I.4.5 Tipuri reprezentative de diode .............................................................................. 37
I.4.6 Aplicaţii ................................................................................................................ 38
I.4.7 Redresarea monoalternanţă ................................................................................. 39
I.4.8 Redresarea bialternanţă ....................................................................................... 39
I.4.9 Redresarea bialternanţă în punte ......................................................................... 40
I.4.10 Redresarea în punte trifazică ............................................................................. 40
I.4.11 Stabilizator de tensiune ...................................................................................... 41
I.4.12 Aplicaţii fotoelectrice ......................................................................................... 42

I.4.1 Introducere
Dioda este primul şi cel mai vechi dispozitiv neliniar utilizat pe scară largă în
industria electronică. În curs sunt descrise principalele calităţi şi necesitatea
utilizării diodei în aplicaţii apecifice. Sunt prezentate principalele tipuri de diode
dintr-o largă gamă de produse, fiecare cu domeniul său de aplicaţie indicat.
Principalele aplicaţii sunt legate de redresarea curentului alternativ, cu multiple
aplicaţii practice.

I.4.2 Competenţele unităţii de învăţare

După parcurgerea cursului studentul va fi capabil să:
• Definească rolul şi locul unei diode într-un circuit electric;
• Poată clasifica diferitele tipuri de diode;
• Recunoască şi să clasifice tipurile principale de redresoare.

Durata medie de parcurgere a primei unităţi de învăţare a modulului II este

de 3 ore.

33
 DIODA

În electronică, dioda este o componentă activă, care restricţionează direcţia de mişcare a

purtătorilor de sarcină. În esenţă, ea permite trecerea curentului într-o direcţie şi-l blochează în
direcţia contrară, această proprietate fiind la baza principalelor sale aplicaţii, denumite în general,
redresare.
Simbolizarea unei diode de uz general este reprezentată în figura 4.1 , unde A reprezintă
anodul, iar K este catodul.

Figura 4.1 Simbolizarea diodei.

Scurt istoric
Dioda a fost primul dispozitiv electronic atât ca tub electronic, cât şi ca semiconductor,
care a fost la originea expandării ştiinţelor informaticii şi ale industriilor moderne.
Principiul de funcţionare a diodei termice a fost descoperit de către Frederick Guthrie în
1873 şi redescoperit de către Thomas Edison în februarie 1880, iar al diodei cu cristal de către
savantul german Karl Ferdinand Braun în 1874 şi patentat în 1899.
John Ambrose Fleming, fost angajat a lui Edison şi cercetător la Marconi Company a brevetat
prima dioda termică în Marea britanie în 1904.
Primul radioreceptor utilizând diodă cu cristal, denumită detector cu cristal a fost
construit în 1900 de către Greenleaf Whittier Pickard, care a brevetat detectorul cu siliciu, în
1906.
Denumirea de diodă a fost dată de către William Henry Eccles în 1919 şi provine din
greaca veche ( di – două, odos – rădăcini ), adică un dispozitiv cu două terminale, denumit tehnic
dipol.

4.3 Dioda termică

Dioda termică este un tub vidat din sticlă, care comunică cu circuitul electric în care este
conectată prin doi electrozi, unul anodul şi catodul notaţi în figura 4.2 cu A, respectiv K.

Figura 4.2 Dioda cu vid.

Terminalele notate cu f alimentează un filament tratat cu o mixtură de bariu şi oxid de

stronţiu, care este adus la incandescenţă de un circuit electric de încălzire conducând astfel, la
apariţia unei emisii termice de electroni.
În polarizare directă, diferenţa de potenţial pozitivă aplicată între anod şi catod face ca
electronii emişi să fie atraşi electrostatic de către anod, conducând la apariţia unui curent electric,

34
denumit curent de conducţie directă. Dacă diferenţa de potenţial îşi schimbă sensul, electronii
emişi de catod sunt blocaţi, iar curentul electric va avea o valoare nesemnificativă, denumit
curent de blocare.
Acest tip de diode a fost utilizat în diverse aplicaţii analogice sau digitale pe parcursul
secolului XX, dar în prezent se foloseşte doar în aplicaţii speciale care necesită anumite
proprietăţi ale tubului cu vid.

4.4 Dioda semiconductoare

Marea majoritate a diodelor moderne se bazează pe efectul joncţiunii semiconductoare,

denumită joncţiune de tip p – n, ilustrată în figura 4.3.

Figura 4.3 Joncţiunea semiconductoare P-N.

Semiconductorul este foarte apropiat de izolator, aceste două categorii de elemente solide
fiind catalogate după nivele energetice, care pot face posibilă eliberarea electronilor conducători
de sarcini electrice, care conduc la apariţia unui curent electric purtător de energie sau de
informaţie.

În timp ce un izolator este inert la aplicarea unui câmp electric, semiconductorul este
capabil de a elibera electroni necesari unei circulaţii ale curentului electric în anumite condiţii,
prestabilite de cerinţele specifice şi care deservesc unui anume scop, acesta fiind de natură
analogică sau digitală.

În figura 4.4 se exemplifică principiul de funcţionare a unei joncţiuni semiconductoare,

care este construită dintr-o pastilă de siliciu pur ( chip ), impurificată ( dopată ) cu anumite
elemente astfel încât zona de tip P va fi acceptoare de electroni, iar zona de tip N va fi donoare de
electroni sub influeanţa unei diferenţe de potenţial aplicată celor doi electrozi.
Odată fiind obţinut semiconductorul, care este siliciu sau germaniu în stare pură
(elemente din grupa a IV – a din tabelul periodic de elemente), acesta este în mod intenţionat
impurificat (dopat) cu elemente din grupa a III – a, cum ar fi borul, care oferă calităţi acceptoare
de electroni (dopare de tip P) sau din grupa a V – a, cum ar fi fosforul (dopare de tip N).

35
 Figura 4.4 Joncţiunea P-N cu Si devine conducătoare la o tensiune de 0.7 V.

Zona de recombinare constituie o barieră în calea electronilor liberi, care poate fi depăşită
de aceştia odată cu creşterea tensiunii de deschidere (Vd), care are valori diferite după natura
semiconductorului.
Astfel, pentru germaniu Vd = 0,2 V, iar pentru siliciu Vd = 0,7 V, după cum se arată în
figura 4.5, unde este reprezentată caracteristica de funcţionare a unei diode semiconductoare cu
siliciu.

Figura 4.5 Caracteristica statică a unei diode cu Siliciu.

În figura 4.5 se reprezintă caracteristica tensiune – curent a unei diode cu siliciu, unde se
poate observă una dintre limitările impuse de construcţia unei diode, anume tensiunea inversă

36
suportată în regiunea de polarizare inversă, denumită zona de străpungere, care odată depăşită,
dispozitivul va fi distrus.
Funcţionarea diodei este descrisă prin ecuaţia lui Shockley sau legea diodei:

 nV
Vd


I d = I S e T −1 , (4.1)
 
 
unde:
I d este curentul dat de polarizarea directă a diodei,
I S este curentul de saturaţie,
Vd – tensiunea pe diodă,
V T – tensiunea de agitaţie termică,
n – coeficientul de emisie de electroni, care are o valoare de 1 până la 2, depinzând de material şi
de procesul de fabricaţie.
Tensiunea dată de agitaţia termică este exprimată de următoarea formulă:

kT
VT = , (4.2)
e
unde:
e – sarcina electrică elementară;
k – constanta lui Boltzmann;
T – temperatura absolută a joncţiunii p – n.

4.5 Tipuri reprezentative de diode

În afară de utilizarea diodei ca redresor, aceasta are unele aplicaţii speciale, care sunt arătate în
tabelul 4.1.

Tabelul 4.1

Diodă
Diodă Diodă Diodă
Tunnel
redresoare Zener Schottky

Light-Emitting Diodă Tiristor

Fotodiodă
Diode ( LED ) Varicap ( SCR )

De exemplu, LED – ul emite lumină la o anumită tensiune de polarizare, pe când

fotodioda absoarbe lumina şi o converteşte într-un curent ce poate fi apoi prelucrat; dioda Zener

37
are proprietatea de a funcţiona în zona de tensiune inversă şi este utilizată ca stabilizator de
tensiune, iar dioda varicap are proprietatea de a-şi schimba capacitatea dintre electrozi odată cu
modificarea tensiunii de alimentare, fiind utilizată în circuitele de acord din aparatele de recepţie
radio, TV, telecomunicaţii etc.

Diodele se fabrică într-o mare varietate de forme şi dimensiuni, care depind de aplicaţiile
tipice, câteva forme constructiv – dimensionale fiind arătate în figura 4.6.

Figura 4.6 Forme constructive ale diodelor.

4.6 Aplicaţii

Redresarea este poate, cea mai răspândită aplicaţie a diodelor, care se bazează pe
proprietatea diodei de a conduce curentul unidirecţional şi carea are scopul de a a obţine curent
continuu dintr-o sursă de tensiune alternativă.
Se reaminteşte că expresia unei tensiuni sinusoidale, cum este cea din reţeaua casnică sau
cea industrială de alimentare cu energie electrică este:

u (t ) = U sin(ωt + φ ) (4.3)

unde, se poate neglija defazajul, adică φ = 0 , iar principalii parametri energetici – valoarea
medie şi valoarea efectivă se calculează după relaţiile de definire a lor, astfel:

2π
1
T
ω ω
• valoarea medie U med = ∫ u (t )dt = ∫ U cos(ωt )dt (4.4)
T 0 2π 0

T
1
• valoarea efectivă U ef = ∫
2
u (t )dt (4.5)
T 0

38
4.7 Redresarea monoalternanţă

Redresarea monoalternanţă este cea mai simplă şi economică soluţie, în anumite aplicaţii
şi care conţine o singură diodă. Pentru o tensiune sinusoidală la intrarea în redresor având
expresia (4.3), rezultă la ieşirea din redresor tensiunea semialternantă din figura 4.7.

Figura 4.7 Redresorul monoalternanţă.

1
• valoarea medie, din relaţia (4.4) este U med = ≈ 0.318U ;
π

U
• valoarea efectivă, din relaţia (4.5) este U ef = ≈ 0.354U .
2 2

4.8 Redresarea bialternanţă

Redresarea bialternanţă cu două diode presupune utilizarea unui transformator cu priză

mediană, care are înfăşurarea secundarului cu un număr dublu de spire decât în cazul redresării
monoalternanţă. Circuitul de redresare şi formele de undă sunt prezentate în figura 4.8.

Figura 4.8 Redresorul bialternanţă cu două diode şi cu transformator cu priză mediană.

2
• valoarea medie, din relaţia (2.4) este U med = ≈ 0.637U ;
π

U
• valoarea efectivă, din relaţia (2.5) este U ef = ≈ 0.707U .
2

39
4.9 Redresarea bialternanţă în punte

Redresarea bialternanţă cu punte de patru diode utilizează acelaşi transformator ca în

cazul redresării monoalternanţă, schema electrică şi formele de undă fiind prezentate în figura
4.9.

Figura 4.9 Redresorul bialternanţă în punte de diode.

Valorile medie şi efective ale tensiunii redresate sunt identice cu cele din cazul
redresorului cu transformator cu priză mediană, cu observaţia că folosind mai puţin cupru pentru
înfăşurarea secundară, acest tip de redresor este mai economic, diodele fiind mai ieftine. Figura
4.10 prezintă sintetic formele de undă ale redresoarelor mono şi bialternanţă.

Figura 4.10 Forme de undă la redresarea curentului alternativ.

4.10 Redresarea în punte trifazică

Redresarea în punte trifazică reprezintă o aplicaţie pentru un sistem trifazic de tensiuni,

care se întâlneşte la generatorul de curent al oricărui autovehicul; acesta este o maşină electrică
sincronă, care este utilizată pentru încărcarea bateriei de acumulatoare. În figura 4.11 a se arată

40
schema electrică a unui redresor trifazic, unde R, S, T sunt cele trei faze alternative, iar în b sunt
reprezentate formele de undă înainte şi după redresare.

a b
Figura 4.11 a – puntea trifazică; b – formele de undă a redresării trifazice.

Componenta continuă sau valoarea medie a tensiunii redresate se deduce din relaţia (4.4)
şi este:

sin π
π
3
3
∫
U med = 2U ef cos ωtd (ωt ) = 2U ef 3 = 3U (4.6)
π 0
π peak

4.11 Stabilizator de tensiune

Pentru a stabiliza tensiunea unui consumator cu cerinţe energetice relativ reduse, se

utilizează ca element regulator dioda Zener, cu simbolizarea din figura 4.11.
Urmărind caracteristica de conducţie din figura 4.12, se poate observa că porţiunea de
conducţie directă este similară oricărei alte diode, dar aplicând plusul pe catod şi minusul pe anod
(polarizare inversă) şi crescând lent tensiunea, în jurul punctului V Z curentul creşte brusc, dioda
pare că intră în străpungere – apare conducţia inversă în regim de avalanşă. Curentul Iz prin diodă
va trebui să aibă valori cuprinse între I Zmin şi I Zmax.

41
 Figura 4.11 Simbolul Figura 4.12 Caracteristica de conducţie a
diodei Zener diodei Zener

Cea mai simplă schemă de principiu a unui stabilizator de tensiune cu diodă Zener se
prezintă în figura 4.13, unde dioda este conectată în paralel cu rezistenţa de sarcină Rs, iar
rezistorul R are rolul de balast, care determină curentul Iz la tensiunea de intrare Vi maximă.
Ca regulă generală de proiectare, Io < 4Izmax.

Figura 4.13 Circuit de stabilizare a tensiunii cu diodă Zener.

4.12 Aplicaţii fotoelectrice

Există două tipuri principale de diode cu proprietăţi fotoelectrice – cele care emit lumină
(LED – Light Emitting Diode) şi cele care recepţionează lumina pe care o convertesc într-un
semnal electric (Fotodioda). Un rol special din această categorie îl au diodele LASER.
În ultimii ani, aceste diode luminiscente sau receptoare de lumină şi-au găsit numeroase
aplicaţii, atât în echipamentul electric auto (bord, iluminări etc.), cât şi în echipamentele casnice
(TV, Radio, Aparatură etc.).
Cel mai simplu circuit de alimentare a unui LED este prezentat în figura 4.14, unde
rezistorul de balast R are rolul de a limita curentul de conducţie în sens direct (cel care produce
efectul luminiscent) la valori uzuale de ordinul 20 mA.

Figura 2.14 Circuitul electric de alimentare a unui LED.

42
 Pentru multiplicarea efectului luminiscent, LED-urile se pot lega în serie, atunci curentul
care parcurge conexiunea rămâne constant la valoarea de aprindere pomenită, sau în paralel, când
curentul absorbit este suma curenţilor diodelor conexiunii.
Dualitatea emisie – recepţie a luminii este des utilizată prin combinarea diodelor
respectiv, cu largi aplicaţii în tehnica măsurărilor, telecomenzi, senzori optici etc.

Calculaţi următoarele valori medii obţinute prin redresare ale unei

tensiuni cu valoarea de vîrf 14.1 V, cu frecvenţa de 50 Hz:
• Pentru un redresor monofazat;
• Pentru un redresor bialternanţă;

Rezumat
Dioda este primul şi cel mai vechi dispozitiv neliniar utilizat pe scară largă în
industria electronică. În curs sunt descrise principalele calităţi şi necesitatea utilizării
diodei în aplicaţii apecifice. Sunt prezentate principalele tipuri de diode dintr-o largă
gamă de produse, fiecare cu domeniul său de aplicaţie indicat.
Principalele aplicaţii sunt legate de redresarea curentului alternativ, cu multiple
aplicaţii practice.

43
Unitatea de învăţare I.5.1 TRANZISTOARE
Cuprins
I.5.1 Introducere ........................................................................................................... 44
I.5.2 Competenţe ........................................................................................................... 44
I.5.3 Tranzistoare bipolare ........................................................................................... 45
I.5.3.1 Tipuri de tranzistoare ........................................................................................ 45
I.5.3.2 Structura şi modul de utilizare .......................................................................... 46
I.5.3.3 Definiţii, caracteristici de funcţionare .............................................................. 46
I.5.3.4 Aplicaţii ............................................................................................................. 49
I.5.4 Tranzistoare unipolare ......................................................................................... 51
I.5.4.1 Tranzistoare cu efect de câmp cu poartă – joncţiune ........................................ 52
I.5.4.2 Tranzistoare cu efect de câmp cu poartă izolată ............................................... 53

I.5.1. Introducere
Cursul tratează domeniul electronicii moderne bazată pe tranzistoare, care sunt
principalele semiconductoare cu largi aplicaţii – de la cele casnice, până la cele
industriale, incluzând aplicaţiile pe autovehicul.
Se descriu tranzistoarele bipolare, cu o introducere în abordarea matematică a lor
expunându-se principalele relaţii funcţionale.
Se descriu principalele tipuri de tranzistoare unipolare, cu accent pe tranzistoarele
MOSFET.
Sunt tratate principalele aplicaţii ale tranzistoarelor – amplificatoare şi circuite de
comutaţie.

I.5.2. Competenţele unităţii de învăţare

După parcurgerea cursului studentul va fi capabil să:
• Clasifice tipurile de tranzistoare;
• Descrie regimurile de funcţionare ale tranzistoarelor bipolare;
• Definească parametrii funcţionali ai tranzistoarelor bi şi unipolare.

Durata medie de parcurgere a celei de-a doua unităţi de învăţare a modulului

II este de 4 ore.

44
5.3 TRANZISTOARE BIPOLARE

Scurt istoric

Tranzistorul bipolar sau cu contact punctiform a fost inventat în 1947 la Bell Telephone
Laboratories de către John Bardeen şi Walter Brattain sub îndrumarea lui William Shockley, care
a fost amintit în capitolul Diode şi a condus la o revoluţionare a tehnologiei informaţiilor şi a
comunicării fără fir.
Acest dispozitiv electronic are trei terminale, denumite Emitor, Colector şi Bază, iar
epitetul de bipolar semnifică faptul că funcţionarea lui se bazează în egală măsură pe transportul
atât a electronilor cât şi a golurilor, iar alimentarea sa cu energie electrică se face cu două surse
de tensiune.

5.3.1 Tipuri de tranzistoare

Există două tipuri de tranzistoare şi anume, de tip PNP şi NPN, mai pe scurt P şi N,
diferenţa dintre ele constând din modul de alimentare la o sursă de tensiune cu o anumită
polaritate (Emitorul la borna pozitivă pentru tranzistoare de tip P, respectiv Colectorul la plus,
pentru cele de tip N); simbolizarea lor este redată în figura 5.1.

PNP NPN

Figura 5.1 Simboluri utilizate pentru tranzistoare.

Un tranzistor, de exemplu unul de tip NPN poate fi considerat ca două diode având un
anod comun. Într-un regim tipic de funcţionare joncţiunea emitor – bază este polarizată în mod
direct, iar joncţiunea bază – colector este polarizată invers, cum se arată în figura 5.2.

Figura 5.2 Modelul cu diode al unui tranzistor NPN.

Una dintre joncţiuni este puternic asimetrică în ce priveşte doparea cu elemente de

conducţie, adică n+p sau p+n, depinzând de tipul tranzistorului (N sau P); această joncţiune se
numeşte emitor – bază (E-B), iar cealaltă colector – bază (C-B).
O secţiune simplificată printr-un tranzistor NPN ilustrează structura sa fizică în figura 5.3.

45
 Figura 5.3 Structura fizică simplificată printr-un tranzistor NPN.

5.3.2 Structura şi modul de utilizare

Cele două joncţiuni descrise se pot polariza independent, rezultând patru regimuri de
funcţionare posibile:
• Regimul activ normal, cu joncţiunea E-B polarizată direct şi joncţiunea C-B polarizată
invers;
• Regimul activ invers, cu joncţiunea E-B polarizată invers şi joncţiunea C-B polarizată
direct;
• Regimul de saturaţie, cu ambele joncţiuni polarizate direct;
• Regimul de blocare, cu ambele joncţiuni polarizate invers.

Modul de polarizare cu două surse independente este arătat în figura 5.4.

Figura 5.4 Polarizarea unui tranzistor NPN.

Figura 5.5 prezintă tensiunile şi curenţii pe simbolul tranzistorului; considerând

tranzistorul ca un nod, suma curenţilor trebuie să fie nulă, astfel, în cazul ambelor tipuri este
valabilă relaţia (5.1):
IE = IC + IB (5.1)

a b
Figura 5.5 Definirea curenţilor şi a tensiunilor pe un tranzistor bipolar – a, de tip N; b, de tip P.

5.3.3 Definiţii, caracteristici de funcţionare

Indiferent de regimul de funcţionare, tranzistorul ca sistem fizic, poate fi descris prin

relaţii matematice descrise de modelul Ebers-Moll (relaţia 5.2), valabile pentru un tranzistor de

46
tip P în conexiunea bază comună (BC), adică baza este conectată la masă, iar în cazul
tranzistorului de tip N tensiunile şi curenţii îşi schimbă sensul.

  qV  
iC = α F i E − I CB0 exp CB  − 1
  kT  
(5.2)
  qV  
i E = α R iC + I EB0 exp EB  − 1
  kT  

unde, urmărind şi figura 5.5:

i C – curentul de colector V EB – tensiunea emitor- bază

i E – curentul de emitor V CB – tensiunea colector-bază
i B – curentul de bază α F – factorul de amplificare în curent direct, în
conexiunea BC
I EB0 – curentul invers al joncţiunii E-B, cu α R – factorul de amplificare în curent invers, în
colectorul în gol conexiunea BC
I CB0 – curentul invers al joncţiunii C-B, cu q
emitorul în gol - constanta termică a tranzistorului
kT
Un alt mod de abordare a regimului dinamic de semnal mic este prin utilizarea
parametrilor de cuadripol, de regulă cu parametrii h; atunci, pentru conexiunea emitor comun
(EC) se scrie:

V BE = h ie I b + h re V CE
(5.3)
I C = h fe I b + h oe V CE

În cazul funcţionării tranzistorului în regiunea activă normală, sistemul descris devine

aproximativ:
iC = α F i E + I CB0
(5.4)
 qV 
i E = I EB0 exp EB 
 kT 

Pentru conexiunea emitor comun (EC) este utilă exprimarea dependenţei I C – I B din
regiunea activă:
I C = β F I B + I CE0 (5.5)

unde,
β F este factorul de amplificare static în curent în conexiunea EC, iar I CE0 – curentul rezidual de
colector pentru I B = 0, adică cu baza în gol.

47
 Relaţiile de legătură dintre parametrii statici ai regimului activ normal din cele două
conexiuni sunt daţi de:
αF
βF = ; (5.6)
1−αF
Observaţie:

În cazurile practice α F ≈ 0.9...0.99 , astfel încât β F ≈ 10...1000 ; I CE0 ≈ 0 , iar relaţia (5.4)
capătă o formă practică, dată de:

IC ≈ βF I B (5.7)

Pentru un tranzistor de tip N în conexiune EC, forma grafică a caracteristicilor statice cuprinde
următoarele seturi de curbe:

• Caracteristicile de ieşire iC = iC (VCE ) , cu parametrul i B , prezentat în figura 5.6;

• Caracteristicile de intrare i B = i B (VBE ) , cu parametrul V BC – similare caracteristicilor
unei diode;
• Caracteristicile de transfer iC = iC (VBE ) , cu parametrul V BC , care este aproximativ o
dreaptă;

Figura 5.6 Caracteristica de ieşire a unui tranzistor NPN.

Limitări în funcţionare
În timpul funcţionării, datorită agitaţiei termice interne dată de transportul sarcinilor
electrice, tranzistorul se va încălzi. Ca urmare, temperatura va trebui să fie evacuată prin
disiparea sa înspre mediu; acest lucru este posibil prin utilizarea de radiatoare adecvate.
Temperaturile maxim admisibile de funcţiunare sunt de 150 0C pentru tranzistoarele ce
siliciu şi de 80 0C pentru cele cu germaniu.
Alte limitări sunt date de:
• Curentul de colector maxim – ICmax ;
• Tensiunea de colector maximă – V CEmax ;

48
 • Puterea disipată maxim admisibilă –P Dmax ;
• Frecvenţa maximă, care face ca amplificarea în curent β să scadă înspre valoare unitară.
Aceste limitări conturează aria de funcţionare sigură a tranzistorului.

5.3.4 Aplicaţii

Tranzistorul ca amplificator
Circuitele din figura 5.7 exemplifică funcţionarea tranzistorului ca amplificator de curent
continuu (a) şi de curent alternativ (b). Datorită rezistenţei variabile R, circuitul a exemplifică
funcţionarea tranzistorului în trei regimuri:
• Tranzistorul este în regim de blocare – cursorul rezistenţei fiind înspre partea de jos,
tensiunea V BE este nulă, atunci I B este nul, I C deasemenea – lampa L nu se aprinde;
• Tranzistorul este în regim activ – cursorul este deplasat în sus, până când V BE = 0.7 V,
tranzistorul se deschide, apare un curent de bază I B ≈ 100µA , curentul de colector
I C = βI B atinge o valoare dată de mărimea lui β, care poate fi de la 10 la 1000, o
valoare β = 100 fiind potrivită, rezultă I C = 10 mA, lampa se aprinde uşor;
• Tranzistorul este în regim de saturaţie, adică este complet deschis, Ic = 100 mA, lampa se
prinde total.

a b

Figura 5.7 Circuite de amplificare cu un tranzistor NPN – a circuit în curent continuu; b –

circuit în curent alternativ.

Pentru circuitul b, se aplică la intrare un semnal sinusoidal de pildă cu amplitudinea de

100 mV, iar la ieşire se obţine o tensiune cu amplitudinea de 5 V, datorită curentului de colector,
care străbate rezistenţa de sarcină R S = 0.5 kΩ.

Tranzistorul comutator

Dacă se acţionează comutatorul S, apare un curent de bază I B care va fi limitat de

rezistenţa R la o valoare potrivită ca I C = βI B să aprindă lampa L, figura 5.8 a.
Aplicaţia este valoaroasă pentru că la comenzi de energie mică se controlează procese de
energie mare (în cazul de faţă aprinderea unui bec).

49
 Comutatorul S poate fi înlocuit cu un semnal de forma unui impuls electric cu amplitudine
pozitivă, care poate proveni de la un senzor, astfel circuitul poate comanda diferite feluri de
actuatori (electrovalve, bobine de inducţie, motoare electrice etc.).

a b
Figura 5.8 Tranzistorul în regim de comutaţie.

O soluţie modernă pentru a micşora nivelul energetic de comandă este dată de utilizarea a
două tranzistoare în conexiune Darlington, care au schema electrică prezentată în figura 5.8 b;
Astfel, dacă se înlocuieşte tranzistorul T din a cu perechea Darlington din b, pentru
IC
acelaşi curent de ieşire I C , este necesar un curent de intrare I B ≈ , deci pentru circuitul a,
β1 ⋅ β 2
I B devine de β ori mai mic.
Expresia exactă a factorului de amplificare Darlington este:
β Darlington = β1 ⋅ β 2 + β1 + β 2 (5.8)
Valori uzuale pentru β sunt de ordinul 100, aşa că suma este neglijabilă pe lângă produs, astfel că:
β Darlington ≈ β1 ⋅ β 2 (5.9)

Amplificator de putere

Prin combinarea mai multor elemente de circuit pasiv (rezistoare, condensatoare) şi

elemente active (diode, tranzistoare) se pot obţine circuite cu diferite utilizări.
Figura 5.9 prezintă un amplificator de putere, care poate fi considerat ca fiind apt pentru diverse
aplicaţii.
Circuitul conţine cinci tranzistoare, două diode, opt rezistoare şi două condensatoare şi este
structurat pe trei nivele energetice, clasificate ca etaje de amplificare, după amplitudinea
semnalului procesat, după cum urmează:
• Etajul de intrare, de tip diferenţial compus din tranzistoarele Q1 şi Q2;
• Etajul de comandă (driver) – Q3;
• Etajul final de putere – Q4 + Q5, care formează un etaj complimentar de putere dat de o
pereche de tranzistoare de tip N + P;
• Rezistenţele de polarizare R1…R7;
• Condensatoarele de decuplare C1, C2.
• Rezistenţa de reacţie negativă R8;
• Diodele de compensare termică D1 şi D2.

50
 Figura 5.9 Amplificator de putere.

Acest tip de amplificator poate funcţiona în regim de amplificator audio, controler pentru
motoare DC sau servoamplificator pentru acţionarea diverselor elemente de execuţie.
Rolul etejului de intrare este de a asigura o impedanţă de intrare suficient de mare pentru a
asigura o separare a etajeor funcţionale din avalul circuitului; rezistenţele de polarizare asigură
funcţionare dispozitivelor active în zona activă, driverul oferă un curent de intrare suficient
pentru activarea etajului final pentru puterea de ieşire propusă; rezistenţa de reacţie negativă
controlează nivelul semnalului pentru a nu produce distorsiuni.

5.4 TRANZISTOARE UNIPOLARE

Tranzistoarele unipolare funcţionează pe baza efectului de câmp, de aceea ele se mai

numesc tranzistoare cu efect de câmp; cu ajutorul unui câmp electric transversal faţă de direcţia
de curgere a curentului se modifică rezistenţa unui traseu semiconductor. Traseul rezistiv se
numeşte canal, iar capetele lui se numesc sursă (S) şi drenă (D). Câmpul electric de control
transversal se obţine prin al treilea terminal, numit poartă sau grilă (G).

Tranzistoarele unipolare se pot clasifica în două mari categorii:

• tranzistoare cu efect de câmp cu poartă – joncţiune (TEC-J), sau folosind terminologia
tehnică JFET (Junction Field Effect Transistor), unde poarta formează cu regiunea
canalului o joncţiune p-n sau n-p. Prin polarizare inversă a acesteia se modifică
dimensiunile geometrice ale canalului şi prin aceasta, densitatea de curent de utilizat;
• tranzistoare cu efect de câmp cu poartă izolată IGFET (Insulated Gate FET), unde poarta
este izolată galvanic de canal; cel mai reprezentativ dispozitiv din această categorie este
tranzistorul MOS (Metal Oxid Semiconductor), în literatură se mai întâlneşte ca MOS-
FET. Analog JFET-ului, controlul rezistenţei canalului se obţine prin poartă şi joncţiunea
poate fi de tip N sau P.

51
5.4.1 Tranzistoare cu efect de câmp cu poartă – joncţiune

Din punct de vedere istoric, principiul de funcţionare al unui FET a fost patentat de Julius
Edgar Lilienfeld în anul 1925, ca 25 de ani mai târziu compania Bell Telephone să înceapă
cercetările asupra aplicabilităţii unui astfel de tranzistor, care a fost denumit J-FET, adică
tranzistor cu efect de câmp cu poartă-joncţiune (Jonction - Field Effect Transistor).
Tranzistoarele FET prezintă o mare rezistenţă de intrare, de ordinul 108…10 Ω , ca urmare
intrarea în astfel de dispozitive este foarte bine izolată de ieşire, ceeace le face potrivite pentru
aplicaţii speciale, cum ar fi comutatoarele statice.

Tranzistoarele JFET, cu canal N sunt simbolizate ca în figura 5.10, la un loc cu structura

fizică. Pentru JFET cu canal P, se schimbă semnul săgeţii înspre poartă.

Figura 5.10 Simbolizarea unui JFET şi structura fizică simplificată.

Pentru tensiuni V DS < 0.1...0.3 V, JFET prezintă între drenă şi sursă o caracteristică
rezistivă liniară, controlată de tensiunea aplicată pe poartă V GS .
Caracteristicile statice de ieşire pentru orice tensiune V DS sunt prezentate în figura 5.11; pe
măsura creşterii tensiunii V DS , caracteristicile îşi pierd carcaterul liniar – pentru V DS > V Dssat
curentul de drenă se limitează, această zonă a caracteristicilor numindu-se regiunea de saturaţie,
cu limitarea în preajma zonei de străpungere Vbr, unde dispozitivul se distruge.

52
 Figura 5.11 Caracteristicile de transfer şi statice de ieşire ale unui FET.
Caracteristica de transfer în regiunea de saturaţie are expresia matematică:

2
 v 
i D = I DSS 1 − GS  (5.10)
 VT 

unde I DSS şi V T (tensiunea de tăiere – channel-off din figura 5.11) sunt parametri constructivi
precizaţi în foaia de catalog.
Circuitul de amplificare cu FET cel mai des utilizat este cel cu sursă comună, analog
circuitului cu tranzistor bipolar – emitor comun. Acest circuit poate fi utilizat ca amplificator în
tensiune, unde tensiunea de intrare V in modulează tensiunea de ieşire V out , sau ca amplificator de
conductanţă, unde intrarea modulează curentul de ieşire printr-o rezistenţă de sarcină.
Acest circuit prezentat în figura 5.12 realizează, ideal următoarele performanţe:

• Amplificarea în curent
i
Ai = out → ∞ ;
iin
• Amplificarea în tensiune
v
Av = out ;
vin
• Impedanţa de intrare
v
rin = in → ∞ ;
i in
• Impedanţa de ieşire
v
rout = out = RD
iout

Figura 5.12 Amplificator cu FET în montaj cu sursă comună.

5.4.2 Tranzistoare cu efect de câmp cu poartă izolată

O dezvoltare a JFET-ului în sensul creşterii rezistenţei de intrare este tranzistorul cu efect de

câmp cu poartă izolată IGFET (Isolated Gate FET), a cărui simbolizare şi descriere a structurii
fizice sunt prezentate în figura 5.13.

Comanda canalului conducător se realizează similar ca la JFET, cu deosebirea că producerea

câmpului electric transversal se face printr-o poartă izolată. Dacă stratul izolator este nitrura de
siliciu, tranzistorul se numeşte MNSFET (Metal Nitrură de Siliciu FET), iar în general se
numeşte MIS-FET (Metal Izolant Semiconductor FET). Atunci când canalul, cu poarta în gol este

53
strangulat iniţial, este vorba de un IGFET cu îmbogăţire sau cu canal indus, iar când, dimpotrivă
canalul conduce, se numeşte cu sărăcire sau cu canal iniţial.
Cel mai cunoscut şi utilizat tranzistor de acest tip este MOS-FET, la care poarta este metalică şi
este separată de semiconductor de un strat izolator din bioxid de siliciu, cu o grosime tipică de 0.1
– 0.7 µm, cu excelente proprietăţi izolante. Figura 5.13 ilustrează simbolizarea MOS-FET şi arată
structura constructivă pentru un MOS cu canal n.

a b
Figura 5.13 a – simbolizarea MOS-FET; b – structura fizică.

Sursa (S) şi drena (D) au conductibilitate opusă faţă de traseul din substratul de tip p în
care se va crea canalul de lungime L (figura 5.13 b); de regulă, pentru V GS = 0, nu apare canal,
deci curentul de drenă este nul I D = 0, aceste tranzistoare fiind cu canal indus.
Caracteristicile statice de ieşire sunt similare celor ale JFET şi sunt prezentate în figura
5.14; şi aici se întâlneşte regiunea cvasiliniară, regiunea de saturaţie şi străpungerea.

Figura 5.14 Caracteristicile statice de ieşire ale unui MOS-FET.

Pentru o tensiune V GS > V T , suprafaţa semiconductorului îşi inversează tipul de

conductibilitate devenind de tip n şi stabilind o legătură (canal) între sursă şi drenă. Pe măsura
creşterii V GS , concentraţia de electroni din canal creşte, ca urmare creşte curentul de drenă, cum
se arată în figura 5.15 a.

54
 a b
Figura 5.15 a – ilustrarea modului de control prin tensiunea V GS ; b – MOS-FET în circuit de
comutaţie.

Unele MOS-FET prezintă canal chiar în absenţa tensiunii de polarizare a porţii, V GS = 0,

acestea fiind numite MOS cu canal iniţial. Simbolul şi structura constructivă sunt prezentate în
figura 5.16.
Forma caracteristicilor statice sunt similare tranzistoarelor cu canal indus, cu precizarea
că tensiunea de tăiere VT este negativă.

Figura 5.16 Simbolizarea şi structura fizică a unui MOS-FET cu canal iniţial.

Dependenţa de temperatură

Indiferent de tipul constructiv, tranzistoarele cu efect de câmp au acelaşi tip de dependenţă cu

temperatura a curentului de drenă, anume la creşterea temperaturii, curentul suferă o uşoară
scădere, ceeace reprezintă un avantaj net faţă de tranzistoarele bipolare, unde curentul creşte
exponenţial cu temperatura. Ca urmare, tranzistoarele cu efect de câmp nu prezintă fenomenele
de ambalare termică şi străpungere secundară, ca efect direct, acestea se pot lega în paralel fără
restricţii, pentru creşterea capabilităţii în curent.

55
Definiţi joncţiunea semiconductoare;
Care este tensiunea de deschidere a unui tranzistor bipolar cu germaniu?
Cum se defineşte factorul de amplificare?
Definiţi conductanţa unui FET;

Să ne reamintim...
Tranzistoarele bipolare sunt comandate în curent, iar cele unipolare sunt
comandate în tensiune.
Tranzistoarele bipolare sunt dependente de temperatură, cele unipolare nu.

Rezumat
Cursul tratează domeniul electronicii moderne bazată pe tranzistoare, care sunt
principalele semiconductoare cu largi aplicaţii – de la cele casnice, până la cele
industriale, incluzând aplicaţiile pe autovehicul.
Se descriu tranzistoarele bipolare, cu o introducere în abordarea matematică a lor
expunându-se principalele relaţii funcţionale.
Se descriu principalele tipuri de tranzistoare unipolare, cu accent pe tranzistoarele
MOSFET.
Sunt tratate principalele aplicaţii ale tranzistoarelor – amplificatoare şi circuite de
comutaţie.

56
Unitatea de învăţare I.6 DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE
PUTERE
Cuprins
I.6.1 Introducere ........................................................................................................... 57
I.6.2. Competenţe .......................................................................................................... 57
I.6.3 Dispozitive semiconductoare de putere ................................................................ 58
I.6.3.1 Tiristorul ........................................................................................................ 58
I.6.3.2 Triacul ............................................................................................................ 61
I.6.3.3 Diacul ............................................................................................................. 63
I.6.3.4 Tranzistorul unijoncţiune ............................................................................... 65

I.6.1. Introducere
Semiconductoarele de putere au o importanţă deosebită în utilizarea
energiei electrice, şi anume în domeniul acţionărilor electrice, redresoare,
invertoare, în general – convertizoare.
Se vor aborda următoarele dispozitive statice, care sunt de fapt dispozitive de
comutaţie: tiristorul, triacul şi dispozitive auxiliare construirii unui circuit de
comutaţie cum ar fi tranzistorul unijoncţiune şi diacul.

I.6.2 Competenţele unităţii de învăţare

După parcurgerea cursului studentul va fi capabil să:
• Clasifice tipurile de tdispozitive de putere;
• Descrie regimurile de funcţionare ale tiristoarelor;
• Definească parametrii funcţionali ai tiristoarelor;
• Descrie funcţionarea triacului.
• Definească TUJ-ul.

Durata medie de parcurgere a celei de-a treia unităţi de învăţare este de 4 ore.

57
 6.3 DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE
Semiconductoarele de putere au o importanţă deosebită în utilizarea energiei electrice, şi
anume în domeniul acţionărilor electrice, redresoare, invertoare, în general – convertizoare.
Se vor aborda următoarele dispozitive statice, care sunt de fapt dispozitive de comutaţie:
tiristorul, triacul şi dispozitive auxiliare construirii unui circuit de comutaţie cum ar fi tranzistorul
unijoncţiune şi diacul.

6.3.1 TIRISTORUL
Tiristorul este un dispozitiv semiconductor cu trei borne, denumite anod A, catod K şi
poartă (gate) G, asemănător unei diode cu o bornă de comandă. Fără un curent în poartă,
tiristorul este blocat, indiferent de tensiunile aplicate pe anod, respectiv pe catod. Dacă se aplică o
tensiune pozitivă pe anod, tiristorul poate fi adus în conducţie cu un curent de mică intensitate pe
poartă şi are o caracteristică asemănătoare unei diode. Simbolul tiristorui este prezentat în figura
6.1 a, iar partea activă electric constituită din trei joncţiuni P-N, echivalentul a trei diode sau a
două tranzistoare bipolare în b.

a b
Figura 6.1 a – simbolizarea tiristorului; b – schema echivalentă.

Referitor la schema din figura 6.1 b, se poate observa că cele două tranzistoare sunt
complementare au conectate colectoarele fiecare la bazele celuilalt tranzistor, astfel fiecare curent
de colector al unuia devine curent de bază al celuilalt, astfel încât în regim de conducţie, ambele
tranzistoare lucrează în zona de saturaţie.
Ecuaţia de bază a tristorului se scrie pornind de la ecuaţile celor două tranzistoare
echivalente din b, unul de tip p – celălalt de tip n, astfel:
I Cp = α p I T + I CB0 n
(6.1)
I Cn = α n ( I G + I T ) + I CB0 p
unde,
α n şi α p sunt factorii de amplificare în curent emitor – colector;

58
 I CBo n şi I CB0 p sunt curenţii reziduali de colector ai tranzistoarelor echivalente;
I T este curentul total prin tiristor, iar cu
I CB 0 = I CB0 n + I CBo p care este curentul rezidual prin tiristor, rezultă curentul total prin
tiristor:
α n I G + I CB 0
IT =
1 − (α n + α p )
(6.2)

Caracteristicile statice curent – tensiune sunt reprezentate în figura 6.2, unde se poate
observa că pentru curent de poartă nul (I G = 0), curentul prin tiristor are o valoare minimă (I L ),
care se numeşte curent de menţinere. Pe măsură ce curentul de poartă creşte caracteristica arată
apropierea de punctul de amorsare a aprinderii tiristorului I H , care se numeşte curent de acroşare
când apare conducţia în sens direct, analogă unei diode.
La depăşirea tensiunii V BO , care se numeşte tensiune de autoaprindere, tiristorul se
aprinde fără curent de comandă pe poartă. La aplicarea unei tensiuni negative pe anod, tiristorul
se află în regim de blocare la polarizare inversă şi conduce un curent neglijabil, până la atingerea
unei tensiuni limită de străpungere V BR , care va distruge dispozitivul.

Figura 6.2 Caracteristica I-V a unui tiristor cu I G ca parametru.

Pentru blocarea tiristorului nu este suficientă întreruperea curentului de poartă; este

necesar ca şi tensiunea pe anod să devină nulă sau să-şi schimbe polaritatea, ceeace durează o
perioadă, numită timp de dezamorsare.
Pentru exemplificarea celor expuse, în figura 6.3 se prezintă un circuit de comutaţie în
curent continuu, unde tiristorul se deschide la aplicarea unei comenzi pe poartă prin intermediul
unui contact on; oprirea curentului prin rezistenţă nu este posibilă decât prin întreruperea
alimentării cu ajutorul contactului off.

59
 Figura 6.3 Circuit de comutaţie în curent continuu.
În circuitele de curent alternativ, cum este cel din figura 6.4 unde se prezintă un circuit de
redresare comandat în fază, tiristorul poate să conducă doar pe semialternanţa pozitivă cea notată
cu +, iar semialternanţa negativă îl blochează.

Figura 6.4 Circuit de control al puterii monofazat.

Prin comanda aprinderii tiristorului la un unghi α , pentru o tensiune sinusoidală cu
amplitudinea U, se poate obţine un reglaj al tensiunii pe rezistenţa de sarcină.

Valoarea medie (componenta continuă) a tensiunii redresate are forma:

U
U dα = cos α (3.3)
π
unde, pentru 0 < α < π , se obţine 0 < U R < 0.318U , adică se poate regla puterea până la
valoarea maximă dată de un redresor monoalternanţă cu o diodă, formele de undă fiind prezentate
în figura 6.5.

Figura 6.5 Reglarea puterii prin unghiul de aprindere.

Circuitele de redresare comandate în punte se abordează în mod similar, pentru
exemplificare se prezintă în figura 6.6 circuitul de redresare trifazic cu o sarcină rezistivă, care
conţine şase tiristoare.

60
 Figura 6.6 Redresor trifazic comandat.
Valoarea medie a tensiunii redresate, de asemenea în funcţie de unghiul α de comandă
este dată de relaţia:
3 2U   π 
U dα =
2π 1 − sin  α − 3  (3.4)
  

6.3.2 TRIACUL

Triacul (Triode for Alternating Current), cunoscut şi sub numele de tiristor bidirecţional
este un dispozitiv semiconductor dedicat controlului puterii electrice în sarcini atât rezistive, cât
şi inductive; el poate fi amorsat atât la tensiuni pozitive, cât şi la tensiuni negative, aplicând un
curent de comandă pozitiv sau negativ pe poartă.
Similar tiristorului, triacul are trei terminale denumite anod 1 (A1), anod 2 (A2) şi poartă
(gate – G). Simbolul triacului este prezentat în figura 6.7 a, iar în b se arată structura fizică, ce
sugerează construcţia sa din două tiristoare alipite în mod antiparalel.

a b
Figura 6.7 a – simbolul triacului; b – structura constructivă.

61
 Caracteristicile statice curent – tensiune sunt similare celor ale unui tiristor, cu observaţia
că evoluţia curentului în cadranul III este simetrică faţă de origine; acestea sunt reprezentate în
figura 6.8, unde se poate observa că pentru curent de poartă nul (I G = 0), curentul prin tiristor are
o valoare minimă (I BO ), care se numeşte curent de menţinere. Aprinderea se poate realiza cu
impulsuri pozitive sau negative aplicate porţii, combinaţiile de polarităţi ale comenzii cu
tensiunea aplicată fiind ilustrate în figura 6.9, cu recomandarea utilizării impulsurilor pozitive în
cadranul I şi a celor negative în cadranul III.

Figura 6.8 Caracteristicile statice ale unui triac.

Figura 6.9 Cadranele de funcţionare ale triacului.

62
 În timpul funcţionării, triacul disipă putere în dependenţă de unghiul α de aprindere, cum
se arată în figura 6.10.

Figura 6.10 Puterea maxim disipată în funcţie de valoarea efectivă a curentului prin triac,
cu unghiul de deschidere ca parametru.
6.3.3 DIACUL
Controlul aprinderii triacului, prin aceasta, controlul puterii furnizate sarcinii se realizează
extrem de simplu prin utilizarea dispozitivului semiconductor numit DIAC, conceput special
pentru astfel de aplicaţii. Diacul (Diode for Alternating Current) este un dispozitiv semiconductor
PNP simetric, care corespunde unui montaj integrat din două tiristoare antiparalel, fără electrod
de comandă, simbolul şi caracteristica funcţională fiind prezentate în figura 6.11. După cum se
poate observa, caracteristica tensiune – curent are forme similare la polarizarea directă sau
inversă şi poate fi amorsat fie prin depăţirea tensiunii de amorsare V BO , fie printr-o creştere
rapidă a tensiunii. Diacul rămâne în conducţie până când curentul scade sub limita de menţinere
I BO , după care intră în starea de rezistenţă mare.

63
 Figura 6.11 Diacul – simbolul şi caracteristica de transfer.
O soluţie, atât simplă, cât şi economică de control al puterii furnizate către o sarcină
inductivă Z L , este prezentată în figura 6.12. Acest tip de circuit de control se numeşte circuit de
amorsare cu sincronizarea triacului. Alte metode de control sunt:
• Sincronizare cu tensiunea de alimentare;
• Prin sincronizarea unui tren de impulsuri cu tensiunea de alimentare.

Figura 6.12 Schema de control cu sincronizarea triacului.

Formele de undă care rezultă în urma comenzilor de aprindere sunt prezentate în figura
6.13; blocarea triacului se produce la unghiul β, după ce curentul prin triac cade la zero, aşa fel
încât: β = ω ⋅ Tr , unde:
• ω = 2πf , f = 50 Hz este frecvenţa reţelei electrice;
• Tr = (P + Rt )C este constanta de timp a circuitului de control;
• α este unghiul de conducţie;
• ϕ este unghiul de conducţie maxim.

64
 Figura 6.13 Forme de undă la aprinderea unui triac.

6.3.4 TRANZISTORUL UNIJONCŢIUNE

Tranzistorul unijoncţiune este un dispozitiv semiconductor care are o singură joncţiune (de
unde şi numele); el are trei terminale – un emitor (E) şi două baze (B1 şi B2).
Rezistenţa dintre cele două baze, cu emitorul blocat se numeşte rezistenţă interbaze. La
depăţirea unei valori a tensiunii pe emitor numită tensiune de declanşare, rezistenţa interbaze
devine negativă, ceeace face posibilă utilizarea TUJ-ului în circuite oscilante, numite oscilatoare
de relaxare. Figura 6.14 prezintă în a simbolul tranzistorului unijoncţiune, iar în b structura sa
fizică, unde se poate observa joncţiunea P-N dintre emitor şi substratul rezistiv.

a b
Figura 6.14 a – simbolul TUJ; b – structura fizică.

Modul de funcţionare a unui TUJ este exemplificat în figura 6.15, unde se prezintă schema
echivalentă compusă dintr-o diodă, care simulează joncţiunea emitorului şi rezistenţa interbază,

65
care este suma celor două rezistenţe corespunzătoare celor două baze, adică RBB = RB1 + RB 2 . La
depăşirea valorii de vârf V P a tensiunii de emitor V E , R B1 , care de fapt este rezistenţa controlată
de dispozitiv, scade brusc până în punctul de vale V V , apoi ciclul se reia.

Definiţii:
RB1
• Raportul intrinsec de divizare a tensiunii V E este η = , de unde VRB1 = ηVBB;
RBB
• Valoarea de vârf V P este dată de VP = ηVBB + VD , unde V D este căderea de tensiune pe
dioda echivalentă (0.7 V).

Figura 6.15 Schema echivalentă şi caracteristica TUJ-ului.

Aplicaţia tipică a unui TUJ este oscilatorul de relaxare, a cărui schemă electrică este
prezentată în figura 6.16; alimentarea montajului se face dintr-o sursă de curent alternativ (cu
amplitudinea mai mică de 30 V, pentru majoritatea dispozitivelor). Dioda Zener limitează
amplitudinea tensiunii de alimentare la cca 24 V, cu căderi periodice la zero. Amorsarea TUJ-ului
se produce la tensiunea de încărcare a condensatorului C, adică V C = ηV Z , unde V Z este
tensiunea Zener.

Figura 6.16 Oscilator de relaxare cu TUJ.

66
 Urmărind formele de undă generate de oscilatorul de relaxare din figura 6.17 se poate
observa că V E ia periodic valori cuprinse între V P şi V V , date de variaţia rezistenţei R B1 (figura
6.15), care conduce la variaţia tensiunii VRB1 = ηVBB, acest proces desfăşurându-se cu perioada
dată de frecvenţa reţelei electrice.
Perioada oscilaţiilor de relaxare T este dată de relaţia:
1
T ≅ PC ln (3.5)
1 −η
Având datele de catalog ale TUJ-ului, perioada T a oscilaţiilor de relaxare se poate
controla foarte simplu prin modificarea rezistenţei potenţiometrului P.

Figura 6.17 Formele de undă ale oscilatorului de relaxare cu TUJ.

Rezumat
Semiconductoarele de putere au o importanţă deosebită în utilizarea energiei
electrice, şi anume în domeniul acţionărilor electrice, redresoare, invertoare, în
general – convertizoare.
Se vor aborda următoarele dispozitive statice, care sunt de fapt dispozitive de
comutaţie: tiristorul, triacul şi dispozitive auxiliare construirii unui circuit de
comutaţie cum ar fi tranzistorul unijoncţiune şi diacul.

67
Unitatea de învăţare I.7.1 CIRCUITE INTEGRATE

Cuprins
I.7.1.1 Introducere ............................................................................................................
I.3.1.2 Competenţe ............................................................................................................
...........................................................................................................................................

I.1.1. Introducere
Scurtă descriere a conţinutului a unităţii de învăţare.

I.1.2. Competenţele unităţii de învăţare

Definirea competenţelor specifice unităţii de învăţare curente, utilizând
verbe cuantificabile similare cu cele aplicate pentru descrierea competenţelor
generale ale cursului.

Durata medie de parcurgere a primei unităţi de învăţare este de X ore.

CIRCUITE INTEGRATE
IC monolitice
Circuitele integrate se pot clasifica:

Liniare;
Digitale: logice, numerice; De uz industrial;
De uz casnic.

Liniare:
Amplificatoare operaţionale de uz general

Amplificatorul operaţional este cel mai răspândit circuit integrat liniar, care a fost utilizat iniţial
pentru realizarea analogică a unor operaţii matematice (însumarea, integrarea, scalarea etc), de
unde şi denumirea.
Circuitul integrat 741 este primul circuit monolitic realizat la sfârşitul anilor '50, producţia de
serie incepând în anul 1965. Circuitul integrat conţine 22 tranzistoare, 11 rezistoare, o diodă şi un
condensator, construite pe un substrat de siliciu (Chip). Numărul 741 este precedat atât de un
prefix propriu ţării şi fabricantului (µA, βA, NE etc.), cât şi de un sufix care indică temperaturile
de funcţionare (J, N, M etc.), astfel încât denumirea completă de catalog poate fi µA 741 J.

Datorită versatilităţii sale, dar şi a preţului de cost extrem de scăzut, el este prezent în numeroase
aplicaţii în proiectarea circuitelor analogice.
Schema electrică desfăţurată a circuitului monolitic se poate urmări în figura 3.1.

Figura 3.1 Circuitul integrat 741.

Amplificatorul operaţional este, în esenţă, un amplificator diferenţial de tensiune, reprezentat prin

simbolul din figura 3.2, unde, în afară de tensiunile de alimentare (+U BAT , -U BAT ) se pot observa
cele două intrări, notate cu + şi – şi borna de ieşire Out.
Simbolurile +/- nu au nicio legătură cu semnele semnalelor de intrare IN-, IN+, ci semnifică
natura diferenţială a amplificatorului, astfel între cele două borne de intrare se aplică o tensiune
diferenţială V D = V IN+ - V IN- .

Figura 3.2 Simbolizarea unui amplificator operaţional.

Parametrii funcţionali ai unui amplificator operaţional, considerat ideal, sunt:
• Amplificarea în tensiune infinită;
• Impedanţa de intrare infinită;
• Banda de frecvenţe infinită;
• Impedanţa de ieşire zero.
Din considerentele expuse rezultă consecinţele importante:
• Prin bornele de intrare nu circulă curent;
• Tensiunea de intrare diferenţială V D este zero.
Progresul tehnologic a permis ca performanţele amplificatoarelor operaţionale reale să se apropie
de cele ideale, astfel curenţii de intrare s-au redus la valori sub 1 pA, iar tensiunea de intrare de
decalaj poate fi sub 0.1 mV.

Parametrii caracteristici amplificatoarelor operaţionale reale de largă utilizare sunt descrişi în

tabelul 3.1.
Valori limită absolute
Tensiune de alimentare V S [V]
Putere intern disipată P di [mW]
Tensiune diferenţială de intrare V ID [V]
Curent de intrare diferenţial I ID [mA]
Tensiune de intrare V I [V]
Temperatură de stocare T S [ C]
0
Temperatură ambiantă de funcţionare T A [0C]
Rezistenţă termică joncţiune – ambiant
0
R THj-a [ C/W]
Tabelul 3.1
Caracteristici electrice
Tensiune de decalaj la intrare (offset) V IO
[mV]
Curent de decalaj la intrare I IO [nA]
Curent de polarizare le intrare (bias) I IB [ nA]
Rezistenţă de intrare R in [MΩ]
Amplificarea de semnal mare (open loop gain)
A V , G [dB]
Rezistenţă de ieşire (R OUTPUT ) R O [Ω]
Curent de alimentare (supply) I S [mA]
Viteză de urmărire (slew-rate) SR [V/µs]
Factor de rejecţie a tensiunii de alimentare
SVRR [µV/V], [dB]
Factor de rejecţie a modului comun
CMRR [dB]
Bandă de frecvenţe în buclă deschisă
B OL [mHz]
Timp de răspuns t TLH [ns]

Principalele caracteristici ale amplificatorului operaţional 741

Parametrul 741 Unităţi
Amplificarea în buclă 200…500 V / mV,
deschisă AV = 2…5·105
Curent de ieşire în 25 mA
scurtcircuit
Viteza de răspuns 0.5 V / µs
Impedanţa de intrare 2 MΩ
Aplicaţii larg utilizate R1 R2 R3 R4 V1 V Out

1 Amplificatorul diferenţial prezentat în figura 3.3 are tensiunea de ieşire V Out dată de relaţia;

R4 R + R2 R
VOut = V2 ⋅ 1 − V1 2
R3 + R4 R1 R1
Dacă

R1 R3
= ,
R2 R4
Circuitul funcţionează ca amplificator diferenţial, având amplificarea în tensiune:

VOut R
= 2
V2 − V1 R1

Figura 3. 3 Amplificatorul diferenţial.

2 Repetorul de tensiune reproduce semnalul aplicat la intrarea neinversoare şi este destinat

adaptărilor de impendanţe (buffer), având amplificarea unitară, adică,
A V = 1,
ceeace duce la relaţia ieşire – intrare;
V Out = V IN
Această configuraţie, reprezentată în figura 3.4 permite, datorită proprietăţilor amplificatorului
operaţional, comanda energiilor mari prin control cu semnale de energie mică.
 Figura 3.4 Repetor de tensiune.

3 Amplificatorul neinversor păstrează faza semnalului de intrare, pe care îl va reproduce cu o

anumită amplificare, dată de raportul rezistenţelor R 1 şi R 2 , şi este reprezentat în figura 3.5:

R2
A V = 1+ ,
R1
adică:

V Out = AV IN

Figura 3.5 Amplificator neinversor.

4 Amplificatorul inversor
Configuraţia de amplificator inversor este probabil, cea mai des utilizată în proiectarea circuitelor
analogice, datorită simplităţii realizării practice şi a costului redus. Schema electrică este
reprodusă în figura 3.6.

R2
A= − ,
R1
adică:

R2
V Out = − V IN
R1
 Figura 3.6 Amplificator inversor.

5 Amplificatorul integrator are un rol bine stabilit în circuitele de control utilizate în sistemele
automate, având schema electrică reprezentată în figura 3.7.
Respectând condiţia R 2 〉〉 R1 , rezultă:

1
R1C ∫
V Out = − VIN

Figura 3.7 Amplificator integrator.

6 Amplificatorul derivator este complementar celui integrator, cu observaţia că se schimbă locul

rezistenţei R 1 cu cel al condensatorului C, cum se prezintă în figura 3.8, iar tensiunea de ieşire
este dată de relaţia:

dV IN
VOut = − R1C
dt
 Figura 3.8 Amplificator derivator.

În ambele situaţii expuse (integrator sau derivator), produsul RC are valoare de constantă de timp,
fiind măsurat în secunde.

7 Amplificatorul sumator se poate realiza considerând idealitatea proprietăţilor circuitului

monolitic 741. În exemplul arătat în figura 3.9 se consideră două semnale prezente pe intrarea
neinversoare şi două pe intrarea inversoare.
În cazul în care rezistenţele cicuitului au aceeaşi valoare, este valabilă relaţia:
VOut = (V1 + V2 ) − (V3 + V4 )

Figura 3.9 Amplificator sumator.

Performanţe Aplicaţii
Inversoare;
Preţ mic; Sumatoare;
AO de uz general Drift 5…75 µV / 0C ; Integratoare;
G 100 < 100 kHz. Diferenţiere;
Filtre.
Integratoare;
Curent de polarizare 1…100 pA;
FET de uz general Convertoare I / U;
Impedanţa de intrare: 1011 Ω;
Circuite de logaritmare;
 Circuite sample&hold.
Răspuns rapid; Drivere video;
Bandă de frecvenţe: 100 MHz; Circuite sample&hold;
De bandă largă
Drift: 0.1 µV / °C; Transmisii de date digitale;
Achiziţii de date.
Regulatoare de precizie;
Stabile în timp şi cu temperatura: 2 µV / 30 zile;
Cu drift mic Amplificatoare sumatoare;
Bandă de frecvenţe: 20 MHz;
Instrumentare de laborator.
Convertoare I / U cu impedanţă de
intrare mare;
Electrometre Curent de polarizare ultra mic: < 1pA…< 10-14 A Detectoare de flacără;
Detectoare de radiaţii;
Celule Ph.
Amplificatoare audio;
∆U = ±20 V / ∆I ±100mA; Regulatoare U / I;
Cu ieşire de nivel mare
Drivere de putere;
Drivere pentru senzori sonici.
Amplificatoare pentru senzori;
Amplificare mare cu feedback de precizie; Tensometrie;
Instrumentare
Rejectarea zgomotelor la semnal mic. Probe biologice;
Achiziţii de date.

Conţinutul primei unităţi de învăţare.

Pe parcursul unităţii de învăţare trebuie să existe un număr suficient de elemente de tip

Exemple, de tip To do şi Să ne reamintim.

Exemple
Sub această denumire se pot regăsi atât exemple semnificative şi
elocvente pentru materialul teoretic furnizat până la acest moment, cât şi
exerciţii/aplicaţii rezolvate, corelate cu partea teoretică.

Elementele de tip To do sunt aplicaţii scurte care permit testarea

cunoştinţelor dobândite până la momentul curent. Aceste elemente pot să
definească, în final, un test de evaluare sau una dintre temele de control.
 Să ne reamintim...
Elementele de tip Să ne reamintim punctează aspectele cheie, noţiunile de
bază şi cele specifice furnizate prin material până la momentul curent.

Rezumat
Reprezintă o sinteză a ideilor, noţiunilor şi conceptelor dezbătute în cadrul
unităţii de învăţare, precum şi legătura cu următoarele Unităţi de învăţare/Module.

Fiecare Unitate de învăţare se finalizează fie cu un Test de evaluare, fie cu un Test de

autoevaluare.
În cazul cursurilor structurate pe Module, Temele de control sunt furnizate la sfârşitul
Modulului.

Test de evaluare a cunoştinţelor

Teste clasice sau grilă a căror răspuns nu trebuie precizat în material dar
care pot fi dezbătute în cadrul Activităţilor Tutoriale sau Aplicative.

Test de autoevaluare a cunoştinţelor

Testele pot fi clasice sau de tip grilă. Imediat după test, sau la sfârşitul
materialului (specificându-se acest lucru) sunt furnizate răspunsurile/ indicaţiile
de rezolvare (acestea pot fi formulate explicit sau să fie sub formă de trimiteri la
anumite paragrafe/subcapitole ale Unităţii de învăţare curente).