TERMISTORUL

Scop: 1. Verificarea legii dependenţei rezistenţei electrice cu temperatura la materialele

semiconductoare.
2. Determinarea lărgimii benzii interzise ΔE.

TABELUL 1
Încălzire Răcire
1 −1
t (° C ) T (K ) (K )
T R( Ω) ln R R(Ω) ln R

30 303 0,00330 560 6,327 565 6,336

35 308 0,00324 520 6,253 523 6,259
40 313 0,00319 502 6,218 505 6,224
45 318 0,00314 485 6,184 490 6,194
50 323 0,00309 472 6,156 475 6,163
55 328 0,00304 452 6,113 458 6,126
60 333 0,00300 441 6,089 445 6,098
65 338 0,00295 427 6,056 423 6,047
70 343 0,00291 411 6,018 415 6,028
75 348 0,00287 395 5,978 400 5,991
80 353 0,00283 382 5,945 385 5,652
85 358 0,00279 372 5,918 376 5,929
90 363 0,00275 365 5,899 360 5,886
95 368 0,00271 359 5,883 361 5,888
100 373 0,00268 341 5,831 345 5,843

 Dependenţa rezistenţei unui semiconductor de temperatură este dată de relaţia:

∆E ∆E
R=const . × exp [ ]
2 kT
, de unde, prin liniarizare ⇒ ln R=
2 kT
+C , unde
eV
k =8,5 ∙10−5 .
K

 Se reprezintă grafic ln R=f ( T1 ), se determină panta dreptei şi energia benzii

interzise.

Δ E î =¿ 0,108

Δ E r=¿ 0,044

´
ΔE=¿ 0,76