UE N° 32: SPECIALISATION EN EEA

EC N° 324 : ELECTRONIQUE ANALOGIQUE ET NUMERIQUE

ELECTRONIQUE ANALOGIQUE ET
NUMERIQUE

NIVEAU 2
CLASSE : GIM
SEMESTRE 3
VOLUME HORAIRE : 30heures

EQUIPE PEDAGOGIQUE :
Dr MENGATA MENGOUNOU, CM XX h, TD XX h, TPE XX h
ASSE Jean-Bernard, CM XX h, TD XX h, TPE XX h
SOMMAIRE

SOMMAIRE.........................................................................................................................................................................................2
PROGRAMME DU COURS................................................................................................................................................................4
Objectifs Généraux du cours.................................................................................................................................................................4
Objectifs spécifiques.............................................................................................................................................................................4
FICHE DE PROGRESSION................................................................................................................................................................5
Chapitre 1 : INTRODUCTION A L’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE..........................................................................................6
Objectifs............................................................................................................................................................................................6
1.1 Théorème De Kennely................................................................................................................................................................6
1.2 Loi Des Mailles...........................................................................................................................................................................6
1.3 Règle Du Diviseur De Tension...................................................................................................................................................6
1.4 Loi Des Nœuds............................................................................................................................................................................7
1.5 Théorème De Thevenin...............................................................................................................................................................7
1.6 Théorème De Superposition........................................................................................................................................................7
Chapitre 1 : Les Diodes.........................................................................................................................................................................9
1.1 La diode à jonction....................................................................................................................................................................10
1.1.1 Définition et symbolisation................................................................................................................................................10
1.1.2 Fonctionnement d'une droite à jonction.............................................................................................................................10
1.1.3 Caractéristiques d'une diode à jonction..............................................................................................................................10
Diode idéale................................................................................................................................................................................12
1.1.4 Point de fonctionnement Q................................................................................................................................................13
1.2 Les autres diodes.......................................................................................................................................................................13
1.2.1 La diode électroluminescente (DEL ou LED)...................................................................................................................13
1.2.2 La photo diode...................................................................................................................................................................14
1.2.3 Diode Schottky...................................................................................................................................................................14
1.2.4 Diode à courant constant ou régulatrice de courant...........................................................................................................14
1.2.4 Diode Zener........................................................................................................................................................................15
Chapitre 2 : Le transistor bipolaire.....................................................................................................................................................16
2.1 Constitution et symbolisation....................................................................................................................................................16
Symbolisation..................................................................................................................................................................................16
2.2 Caractéristiques du transistor....................................................................................................................................................16
2.2.1 Caractéristique d'entrée IB=f(VBE) à VCE constant..............................................................................................................16
2.2.2 Caractéristique de transfert direct en courant IC=f(Ib) à VCE constant................................................................................17
2.2.3 Caractéristique de sortie IC=f(VCE) à courant constant.......................................................................................................17
2.2.4 Caractéristique de transfert inverse en tension VBE=f(VCE) à TB constant.........................................................................17
2.3 Domaines de fonctionnement d'un transistor............................................................................................................................18
2.3.1 Fonctionnement linéaire.....................................................................................................................................................18
2.3.2 Le fonctionnement au blocage...........................................................................................................................................18
2.3.3 Fonctionnement à la saturation..........................................................................................................................................19
2.4 Le transistor en régime statique (continu).................................................................................................................................19
2.4.1 Les autres types de polarisation.........................................................................................................................................20
2.5 Le transistor en régime dynamique (alternatif).........................................................................................................................22
2.5.1 Etude des montages fondamentaux....................................................................................................................................24
CHAPITRE 3 : Transistor à effet de champ.......................................................................................................................................33
 3.1 GENERALITES........................................................................................................................................................................33
3.1.1 Définitions et Typologie....................................................................................................................................................33
3.1.2 Avantages et inconvénients................................................................................................................................................33
3.2 LE TRANSISTOR J-FET (JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR)............................................................................33
3.2.1 Constitutions, symboles et structure interne.....................................................................................................................33
3.2.2 Caracteristique courant-tension..........................................................................................................................................34
3.2.3 Réseaux de caractéristiques...............................................................................................................................................34
3.2.4 Polarisation des JFET.........................................................................................................................................................36
3.3 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE ISOLEE (MOSFET).........................................................................37
3.3.1 Description, Symbole et structure interne..........................................................................................................................37
3.3.2 Convention des TEC à grille isolée...................................................................................................................................38
3.5 Le TEC en commutation...........................................................................................................................................................39
3.5.1 Commutation des JFET......................................................................................................................................................39
3.6 Étude des montages amplificateur a tec....................................................................................................................................40
3.6.1 Définition et modèle dynamique du transistor à effet de champ......................................................................................40
Montage source commune..........................................................................................................................................................40
Montage drain commun..............................................................................................................................................................41
Montage grille commune............................................................................................................................................................42
CHAPITRE 4 : Les amplifications opérationnelles............................................................................................................................44
4.1 Généralités................................................................................................................................................................................44
4.2 Mode de fonctionnement de l'ampli opérationnel.....................................................................................................................44
4.3 Quelques applications de l'ampli opérationnel en fonctionnement linéaire..............................................................................45
Montage suiveur..........................................................................................................................................................................45
Montage inverseur.......................................................................................................................................................................45
Montage non inverseur................................................................................................................................................................46
Montage atténuateur....................................................................................................................................................................46
Montage soustracteur..................................................................................................................................................................46
Montage moyenneur...................................................................................................................................................................47
Montage dérivateur.....................................................................................................................................................................47
Montage intégrateur....................................................................................................................................................................48
Comparateur zéro ou rien............................................................................................................................................................49
Comparateur à hystérésis ou bascule de Smith...........................................................................................................................51
 PROGRAMME DU COURS
£

Chapitre 0 : THEOREMES FONDAMENTAUX

Chapitre 1 : DIODES
Chapitre 2 : TRANSITORS BIPOLAIRES
Chapitre 3 : TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP
Chapitre 4 : LES AOP

Objectifs Généraux du cours 

Maîtriser le fonctionnement des différents types de convertisseurs statiques d’énergie électrique.
Objectifs spécifiques 
- Connaitre le fonctionnement des composants de base de l’électronique de puissance
- Analyser le fonctionnement des redresseurs commandés et non commandés
- Analyser le fonctionnement des gradateurs
- Analyser le fonctionnement des onduleurs
- Analyser le fonctionnement des hacheurs
FICHE DE PROGRESSION
SEQUENCES THEMES DEVELOPPES DUREE
Séance 1 Théorèmes fondamentaux et diodes 4H
Séance 2 Transistors bipolaires et à effet de champ 4H
Séance 3 AOP 4H
Séance 4 TD 4H
Séance 5 TD 4H
Séance 6 TD 4H
Séance 7 TPE 4H
Séance 8 TPE 4H
TP

Sources Bibliographiques

1- Cours d’Electronique, Phelma, 1ière Année PMP, Laurent Montès

Chapitre 1 : INTRODUCTION A L’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
Objectifs : connaitre et utiliser Quelques théorèmes fondamentaux

1.1 Théorème De Kennely

Il existe des groupements particuliers, qui ne sont ni en série ni en parallèle. Ce sont des groupements
étoiles ou triangles. Pour trouver la résistance équivalente d'un tel circuit, on sera appelé à faire une
transfiguration étoile – triangle (Y - ∆) ou triangle – étoile (∆ - Y).

Figure 1 : couplage étoile et triangle

Figure 2 : Couplage étoile – triangle
Transfiguration étoile – triangle (Y - ∆)
Règles :
- La résistance d'une branche du montage
étoile est égale au produit des résistances
des deux branches les plus rapprochées du
Transfiguration triangle – étoile (∆ - Y)
montage triangle, divisé par la somme des
résistances du montage triangle.
- La résistance d'une branche du montage
triangle est égale à la somme de tous les
produits possibles des résistances prises
deux à deux du montage étoile, divisé par la
résistance de la branche la plus éloignée du
montage étoile.

1.2 Loi Des Mailles

Une maille est un circuit fermé à l'intérieur d’une somme des tensions le long d'une maille est nulle.
Considérons le circuit ci – dessous :
On peut écrire les équations des mailles :
Maille 1 : U – U1 – U2 – U3 = 0 Soit U = U1 + U2 + U3
D'autres parts, on a: I = I1 + I2 Or U4 = U = R4I1 = Req I

1.3 Règle Du Diviseur De Tension

Considérons la branche de circuit ci – après :

Figure 4 : Application du théorème du diviseur de tension

On a U1 = R1I et U2 = R2I d’où

1.4 Loi Des Nœuds

Un nœud est le point de rencontre entre plusieurs branches. La somme des courants entrant dans un nœud est
égale à la somme des courants sortant.

I1 + I4 = I2 + I3 + I5

Figure 5 : Illustration de la Loi des nœuds

1.5 Théorème De Thevenin

En courant continu, tout réseau à deux bornes peut être remplacé par un générateur constitué d'une source de
tension en série avec une résistance.
La détermination du générateur de Thévenin passe par les étapes suivantes :
- On isole la partie du circuit à laquelle sera raccordé le générateur de Thévenin ;
- On repère les deux bornes du circuit résiduel ;
- On détermine Eth : c'est la tension en circuit ouvert aux bornes repérées ;
- On détermine Rth : Pour cela, on met en court - circuit toutes les sources de tension et on ouvre toutes les
sources de courant. On calcule ensuit la résistance équivalente aux bornes repérées.

Exemple  : (à faire en salle) Calculer le courant qui traverse la résistance de 5Ω dans le circuit suivant, en
utilisant la méthode de Thévenin :

1.6 Théorème De Superposition

Enoncé : Soit un réseau alimenté par plusieurs sources de courant et/ou de tension : Le courant qui traverse
un élément d'un réseau linéaire est égal à la somme algébrique des courants créés séparément par chaque
source. Il en est de même pour la tension aux bornes de chaque élément du réseau.
Application : Soit à trouver le courant qui traverse la résistance de 3Ω dans le réseau suivant :

Première étape

Deuxième étape

Le courant I cherché est la somme algébrique des deux courant trouvé

Chapitre 1 : Les Diodes
Les semi-conducteurs sont des corps donc la résistivité est interne entre les conducteurs et les isolants, elle
est diminuée avec la température (contrairement aux conducteurs) et fortement influencée par des très
faibles quantités d'impureté. Les semi-conducteurs intrinsèques sont des corps purs tels que le germanium
(Ge) et le silicium (Si).Ils ont 4 électrons périphériques. Chaque atome de Germanium ou de Silicium va
mettre en commun ses électrons périphériques avec un atome voisin pour donner une configuration externe,
stable de 8 électrons. Ce type de liaison est appelé liaison de covalence. Le semi-conducteur intrinsèque est
un semi-conducteur absolument pur sur le plan chimique. Les semi-conducteurs extrinsèques sont des semi-
conducteurs intrinsèques dopés par une faible quantité d'impureté (introduction voisine). Il existe
généralement deux types de semi-conducteur extrinsèque:
 Les semi-conducteurs de type N : Si l'impureté est un atome donneur d'électron. Cette impureté a une
valence supérieure à celle du Germanium et du Silicium. Il possède 5 électrons périphériques,
exemple : le phosphore (P). La structure cristalline va présenter un électron en plus qui ne participe
pas à la liaison de covalence. Cet électron est faiblement lié à la structure et deviendra un électron
libre. Il laissera alors un ion positif. Les électrons sont les porteurs majoritaires.
 Les semi-conducteurs de type P: Si l'impureté est un atome accepteur d'électron, exemple: le bore
(B). Cette impureté a une valence inférieure à celle du silicium et du germanium. Il a 3 électrons
périphériques. La structure cristalline va présenter un électron en moins et un trou en plus. La
structure aura tendance à capter un électron à un voisin pour compléter. Il y'a donc formation d'un
ion négatif et le déplacement d'un trou.
La jonction PN
On peut fabriquer un cristal constitué d'un semi-conducteur de type P d'un côté et un semi-conducteur de
type N de l'autre. La zone de rencontre des régions des types P et des types N s'appelle la jonction. Un tel
cristal s'appelle la diode.
La zone P est constituée :
 Des atomes neutres (non représenté sur la figure).
 Des ions négatifs.
 Des trous en grande quantité.
 Des très rares électrons.
La zone N constituée :
 Des atomes neutres.
 Des ions positifs.
 Des électrons en très grand nombre.
 De très rares trous.
Les jonctions PN sont constituées des ions positifs et négatifs en nombre égal.
1.1 La diode à jonction
1.1.1 Définition et symbolisation
La diode est un semi-conducteur unidirectionnel en tension et en courant, il a donc un sens passant et un
sens bloqué. Il constitué de 2 semi-conducteurs de type P et N. Elle est symbolisée comme suite:

1.1.2 Fonctionnement d'une droite à jonction

On distingue deux cas :
 VA-VK=VAK<0 : On dit que la diode est polarisée en inverse et dans ce cas elle reste toujours bloquée.
 Si la tension est positive VAK>0 : On dit que la diode est polarisée en direct. Si la tension V AK>0 à un
certain potentiel, V0 appelé barrière de potentielle, la diode est dite passante et laisse passer un
courant entre l'anode et la cathode.
V0 = 0,6 à 0,7V pour le silicium.
V0 = 0,02 à 0,3V pour le germanium.
Si la tension VAK est inférieure à ce seuil 0<VA-VK<0, la diode reste bloquée et ne laisse passer aucun
courant entre l'anode et la cathode. 
1.1.3 Caractéristiques d'une diode à jonction
 
 
Pour le choix d'une diode, on tient compte de VRRM (tension inverse maximale de la diode).

 On tient aussi compte de I(FAV)max=I(Fmoy)max

 IF max: le courant direct maximal.
Diode idéale

En direct, elle se comporte comme un court-circuit. En inverse, elle se comporte comme un circuit ouvert.

En inverse, la diode se comporte comme une très grande résistance lorsque VRRm n'est pas atteint et on a F=0. 

VF = V0 + RDIf
RD est de quelque K
1.1.4 Point de fonctionnement Q
C'est l'intersection entre la caractéristique de la diode et la droite de charge.
La droite de charge
C'est la droite donnant IF en fonction de VF dans un circuit donné.

Pour IF=0 on a VF=E. On dit qu'on est au blocage ou à la coupure.

Pour VF=0 on a IF=E/R. On dit qu'on est à la saturation.
Pour E=3V et R=100
MB(3V, 0) ; MS(0, 30mA)

1.2 Les autres diodes

1.2.1 La diode électroluminescente (DEL ou LED)
Les diodes électroluminescentes émettent des photons lorsqu'elles sont polarisées en direct, on distingue la
diode IRED (InfraRed Emitive Diode) qui émet dans l'infrarouge. Les LED (Light Emitive Diode) qui
émettent dans le visible. Ces diodes sont formées de bâtonnets ou de points servant à réaliser des afficheurs
utilisés en instrumentation scientifiques et dans certaines calculatrices.
C'est une diode qui rayonne de la lumière quand elle est traversée par un courant électrique. La chute de
tension en fonctionnement entre ses bornes varie entre 1,5V et 2,5V pour courant qui varient entre 10 et
50mA. La chute de tension exacte dépend de la couleur de la diode, de l'intensité du courant, et de l'intensité
de la lumière. Sauf indication contraire, on utilise souvent la chute de tension de 2V pour les conceptions.
Les constructeurs spécifient les valeurs maximales et minimales du courant ainsi que la plage de la chute de
tension.
1.2.2 La photo diode
C'est l'inverse de la diode électroluminescente. Ce sont des jonctions PN silicium polarisées en inverse qui
lorsqu'elles sont éclairées par une lumière infrarouge ou visible ont leur courant inverse qui dépend de
l'éclairement. Elles sont munies d'une lentille pour focaliser le rayonnement incident.

C'est une diode qui est sensible à la lumière lorsqu'elle est éclairée, elle se débloque et laisse passer un
courant, elle est toujours polarisée en inverse est lorsqu'on l'élimine le courant inverse croit rapidement
suivant que l'intensité de la lumière est grande.
1.2.3 Diode Schottky
Le symbole :
 
 

La diode Schottky a été instaurée à cause des insuffisances de la diode à jonction qui stocke de l'énergie et
n'est par conséquent adaptée au redressement haute fréquence (>1MHz). On utilise la diode Schottky dans
les calculatrices et les ordinateurs, car son temps de commutation est très court, ainsi que pour les
redressements haute fréquence.
Les diodes Schottky sont constituées d'une jonction métal semi-conducteur. Leur tension de seuil et leur
tension directe sont beaucoup plus faible 0,3V<V0<0,4V. Leur TRR (temps de regroupement inverse), elles
sont donc rapides. Elles sont beaucoup plus utilisées dans les circuits numériques.
1.2.4 Diode à courant constant ou régulatrice de courant
Le symbole:
Elle maintient le courant constant dans un circuit pour une tension qui varie. Le constructeur donne la
gamme de tension de fonctionnement, exemple: 1N5350 fonctionne de 2 à 100V.
1.2.4 Diode Zener
Le symbole:
Chapitre 2 : Le transistor bipolaire
2.1 Constitution et symbolisation
Il est constitué d'un cristal semi-conducteur comprenant 3 régions de conductivité différentes : L'émetteur
(E) ; la base (B); et le collecteur (C). Selon la disposition de ces éléments, ils sont différemment dopés. Il
existe deux types de transistor bipolaire

Les émetteurs sont fortement dopés alors que les bases sont très légèrement dopées.
Selon la structure du transistor, il y'a deux jonctions : une jonction "émetteur-base" et une jonction base
collecteur. Le transistor ressemble donc à deux diodes montées comme suite.

Symbolisation

2.2 Caractéristiques du transistor

2.2.1 Caractéristique d'entrée IB=f(VBE) à VCE constant

La jonction "base-émetteur" est une diode d'où la caractéristique IB=f(VBE) est celle d'une diode.
2.2.2 Caractéristique de transfert direct en courant IC=f(Ib) à VCE constant

ICEo courant de fuite "collecteur-émetteur" lorsque la base est ouverte.

2.2.3 Caractéristique de sortie IC=f(VCE) à courant constant

2.2.4 Caractéristique de transfert inverse en tension VBE=f(VCE) à TB constant

Réseau des caractéristiques

2.3 Domaines de fonctionnement d'un transistor

2.3.1 Fonctionnement linéaire
Lorsque la jonction "base-émetteur" est polarisée en direct et la jonction base-collecteur polarisée en inverse,
on dit que le transistor est en fonctionnement linéaire. Sur le réseau des caractéristiques ce fonctionnement
correspond à la zone dans laquelle IC=f(VCE) sont des droites parallèles à l'axe VCE.
Relation fondamentale des courants:

Remarque: En régime linéaire, le transistor bipolaire fonctionne en amplification de courant. Un petit

courant de base entraîne un grand courant collecteur. Le courant collecteur traverse la jonction "collecteur-
base" en sens inverse. Ceci est appelé l'effet transistor.
2.3.2 Le fonctionnement au blocage
La jonction "base-collecteur" est polarisée en inverse. Pour bloquer le transistor, il suffit d'annuler le courant
IB même cela n'est pas toujours suffisant car en annulant IB il circule quand même un courant de fuite ICEo qui
est faible. On définit deux types de blocage:
 Le blocage pratique
 Le blocage rigoureux où VBE<-0,1V
2.3.3 Fonctionnement à la saturation
La jonction "base-émetteur" et la jonction "base-collecteur" sont polarisées en direct. Dans cette zone pour
un IB donné ßIB>IC. La condition certaine de saturation est I B>ICsat/ßmin. Le constructeur donne deux valeurs
de ß: ßmin et ßmax. ßmoy = (ßmax.ßmin)½
Limites technologique d'emploie
VBE = 5 à 7V
VCEmax : tension de claquage
ICmax : courant collecteur maximum
IBmax
NB: En saturation : court-circuit et en blocage: interrupteur ouvert.

2.4 Le transistor en régime statique (continu)

Le problème qui se pose ici est de déterminer les courants et les tensions du point de repos: Q(V BEQ, IBQ,
VCEQ, ICQ)
Méthode graphique

On dispose des caractéristiques IB=f(VBE) et IC=f(VCE)

Détermination par calcul

2.4.1 Les autres types de polarisation
2.4.1.1 Polarisation par pont de base

Dans certaines applications on néglige le courant IB devant les courants I1 et I2 au quel cas on a un diviseur
de tension entre R1 et R2. Cela revient à dire que Rth<< (ß+1)RE. Ceci est vérifié si Rth<< (ß+1)RE. On dit
alors qu'on a un diviseur de soutenu de tension. Le schéma équivalent devient

La formule précédente du courant d'émetteur de courant d'émetteur ne contient pas ß. Le circuit est donc
insensible aux variations de ß, et le point de repos Q est fixe. Voilà pourquoi on préfère la polarisation par
pont de base.

2.4.1.2 Polarisation par réaction de collecteur

Par rapport aux autres méthodes de polarisation, cette méthode possède une grande stabilité en fonction de la
température.
2.4.1.3 Polarisation d'émetteur
Ce type de polarisation est très utilisé lorsqu'on a une alimentation symétrique.
Déplacement de la différence de potentielle
Les schémas suivants sont équivalents

2.5 Le transistor en régime dynamique (alternatif)

L'une des applications du transistor est l'amplification. Cette amplification est réalisée au tour d'un point de
repos Q. Les signaux amplifiés sont les signaux alternatifs. Nous avons en présence ici des signaux
alternatifs et des signaux continus. On utilise le théorème de superposition pour faire le calcul.
Les condensateurs CL1 et CL2 sont des condensateurs de couplage ou de liaison, alors que le condensateur Cd
est un condensateur de découplage. On fait généralement l'hypothèse selon laquelle ces condensateurs sont
équivalents à des courts-circuits en alternatif et à des circuits ouverts en continu.
Le schéma équivalent en régime statique ou continu est le suivant:

Le schéma équivalent en dynamique ou en alternatif sera le suivant:

On en déduit l'équation de la droite de charge dynamique.
A vide: On a: RCic + vce = 0 ↔ ic=-vceRc
En charge: (RC//RU)iC + vce = 0 ↔ ic=-vce/(RC//RU)
Généralement pour tracer la droite de charge dynamique, on trace iC=f(vCE)
iC = ICQ + ic
vCE = VCEQ + vce

 iC: courant collecteur instantané

 vCE: tension collecteur instantanée
 VCEQ: tension continue
 ic: courant alternatif
 vce: tension alternative
 ICQ: courant continu

Schéma équivalent du transistor en petits signaux

On utilise les paramètres hybrides d'un quadripôle:

D'où le schéma équivalent suivant:

Or généralement h12 est très faible de l'ordre de 10-5=0. Ensuite h22=0 ; 1/h22 tend vers l'infini, d'où le schéma
équivalent simplifié du transistor en petit signaux et en basse fréquence.
Autres schémas équivalents du transistor petite fréquence est le schéma d'Ebers-Moll.

Remarque: On peut calculer r'e d'une manière pratique en utilisant la formule : r'e=25mV/IEQ

2.5.1 Etude des montages fondamentaux

On se propose dans ce qui suit de déterminer les paramètres dynamiques des circuits à transistor avant de
déterminer le schéma équivalent comme le montre la figure ci-dessous.
Montage émetteur commun
Montage à émetteur commun à rétroaction
Montage émetteur commun à résistance d'émetteur partiellement découpée

Etude statique:

Donner le schéma équivalent en statique.

Calculer les coordonnées du point de repos: VCEQ, IBQ, ICQ

Donner l'équation de la droite de charge statique et la tracer.

Donner les valeurs des tensions continues suivantes: VBM, VAM, VCM, VEM

Etude dynamique:

Donner le schéma équivalent en dynamique

Calculer:

 La résistance d'entrée
 L'amplification en tension à vide et en charge
 La résistance de sortie
 L'amplification en courant

Montage base commune

Montage collecteur commun
CHAPITRE 3 : Transistor à effet de champ
3.1 GENERALITES
3.1.1 Définitions et Typologie
- Le transistor à effet de champ encore appelé F.E.T. (Field Effect Transistor) est un transistor
unipolaire car il fonctionne avec un seul type de charge: les trous ou les électrons, sous l’effet d’un champ
électrostatique.
- L’effet de champ est un phénomène qui se manifeste par la variation d’une couche de semi-
conducteur sous l’action d’un champ électrostatique transversale
Il existe deux grandes familles de transistors à effet de champ:
 Le transistor à effet de champ à jonction ou J-FET (Junction Field Effect Transistor) :
 le transistor à effet de champ à Grille Isolée (MOSFET) (Métal Oxyde Semi-conducteur Field Effect
Transistor).
Les TEC sont surtout utilisés comme étage d’entrée dans les amplificateurs afin de leur assurer une
résistance d’entrée élevée.
3.1.2 Avantages et inconvénients
a) Avantages
L’importance du TEC ou du FET réside dans ses propriétés qui sont les suivantes :
- Dans sa plage de fonctionnement le TEC agit comme un composant résistif contrôlable par tension
- IL est capable de dissiper une puissance grande et commute des courants importants.
- ses dimensions sont faibles, comparées à celles des transistors bipolaires
- consommation pratiquement négligeable et sa résistance d’entre très grande
- vitesse de commutation 10fois ¿à celle du transistor bipolaire.
b) Inconvénients
- Composant très fragile et Nécessite une grande précaution d’emploi

3.2 LE TRANSISTOR J-FET (JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR)

3.2.1 Constitutions, symboles et structure interne
a)-Présentation et constitution
Le transistor JFET est un transistor à effet de champ dont la grille n'est pas isolée. Sur un substrat de
type P, on divise une zone de type N, cette région est appelée canal ; au centre de cette région on diffuse un
semi-conducteur de type P sur le quelle on place un contact métallique appelé grille (G). De chaque cote de
la grille on place un contact métallique sur la zone N appelée drain (D) et source (S).Selon le type de canal
on distingue deux types de transistors J-FET : Les transistors J-FET à canal N et les transistors J-FET à
canal P
b)-symboles et structure interne
 structure interne
 -Les J-FET àcanal N -Les J-FET à canal P

 symboles
D D

G G

S S
Canal N Canal P

3.2.2 Caracteristique courant-tension

 J-FET àcanal N
D

Lois des mailles et des nœuds

ID
I S=I G + I D Or pour le TEC I G=0
IG
VDS
G
On a donc : I S ≅ I D
IS

D’après la maille extérieure on a :

Pour le TEC a canal N

+V DG−V DS=0 ⟹ V DS=V GS +V DG Avec V GS ≤ 0 et V DS >V GS

S

 J-FET à canal P
D

Lois des mailles et des nœuds

I S=I G + I D Or pour le TEC I G=0
ID

IG
VDS

On a donc : I S ≅ I D
IS

Pour le TEC a canal P S

D’après la maille extérieure on a :
V GS +V DG−V DS=0 ⟹ V DS=V GS +V DG Avec V GS >0 et V DS <V GS

3.2.3 Réseaux de caractéristiques

a)-Présentation
Comme I G=0 ; trois grandeurs suffisent à caractériser l’état d’un TEC :
 Une grandeur d’entrée :V GS
 Deux grandeurs de sortie : I D et V DS

ID(mA)
ID
D
Réseau de transfert Réseau de sortie:
IG=0 G
ID=f(VGS) à VDS constant ID=f(VDS) à VGS constant
VDS

0
VGS S VGS(V) VDS(V)

b)-Schéma de montage
 A A

RD RD

VDD VDD

RG RG

V V

VGG VGG
V V

Canal N : V DS >V GS et V GS <0 Canal P : : V DS <V GS et V GS >0

La résistance RG permet de protéger le transistor dans le d’une mauvaise polarisation de la jonction grille
source.
c)-Caractéristique Courant-Tension I D =f (V DS )

 Interprétation de la caractéristique
Pour la caractéristique de sortie courant –tension I D =f (V DS )
Ce réseau est caractérisé par rois régions utiles :
-la zone ohmique : La caractéristique est assimilable à une droite passante par l’origine, le TEC se comporte
comme une résistance.
- La zone de coude : La caractéristique est assimilable à une courbe.
- la zone de saturation : Pour une variation de V DS; le courant I D reste constant, le TEC se comporte
comme une source de courant I D =I DSS, la tension à partir du quelle la caractéristique devient horizontale est

appelé tension de pincement (V DS=|V t|¿

Pour la caractéristique d’entrée courant-tension I D =f (V GS)
Cette caractéristique est encore appelée réseau de transfert car elle associe les variations d’une grandeur de
sortie à celle d’une grandeur d’entrée. Ce réseau de transfert est l’ensemble des caractéristiques I D =f (V GS)
tracée pour différents valeurs de V GSest constant.
La caractéristique courant-tension I D =f ( V GS ) du TEC est une hyperbole d’équation :
V GS
I D =I DSS (1− )²
Vt
3.2.4 Polarisation des JFET
Polarisation automatique
V GS=V GM −V SM =−R S ∙ I D .
a)-L’équation de la droite d’attaque est : C’est la courbe I D =f (V GS)
ID

RD
RG ∙ I G +V GS + R S ∙ I S =0 On sait que I S=I G + I D or I G=0 ⟹ I S=I D
D

IG=0 G
VDD −V GS −V GS
VDS
M2 On a donc : V GS + R S ⋅ I D=0 ⟹ I D = I D=
RS RS
S
IS
b)-L’équation de la droite charge est : C’est la courbe I D =f (V DS )
M1
RG RS
V DD−R D ∙ I D−R S ⋅ I S−V DS=0 Or I S=I D on a: V DD=R D ∙ I D + RS ⋅ I D + V DS

⇔ V DD=( RD + RS )I D +V DS ⟹ I D ( R D + R S )=V CC −V DS ⟹

V DD V DS
I D= −
R D + R S R D + RS

V DD V DS
I D= −
R D + R S R D + RS
−V GS
L’intersection de I D = avec la caractéristique de transfert définit la tension V GS et la valeur de I D
RS
.L’intersection de la droite de charge avec la caractéristique qui correspond à V GS donne la valeur deV DS.
Si le courant drain augmente, la chute de tension dans la résistance de source augment ce qui diminue la
conduction du canal et donc le courant drain. Il y a une contre-réaction qui stabilise le point de
fonctionnement.
Polarisation par pont diviseur
On utilise comme pour les transistors bipolaires une polarisation par pont de base et résistance de source.
R2
Le potentiel appliqué à la grille est : V GM = V
R1 + R 2 DD
a)-L’équation de la droite d’attaque est : C’est la courbe I D =f (V GS)
ID

R1 RD Le potentiel de la source est :V SM =R S ∙ I D comme I S=I D avec I G=0

D

IG=0 G
VDS
VDD D’après la maille interne nous avons : V SM +V GS + RG ∙ I G −V GM =0 avec
M2

S RG =R1 ∥ R 2
IS V GM V GS
I D= −
M1 V GM V GS RS RS
R2
RS ⟹ V GS + R S ∙ I D =V GM ⟹ I D = −
RS RS

-Si l’on prend V GM beaucoup plus grand queV GS, la stabilisation sera assurée.
- Si l’on souhaite une stabilisation parfaite, il est possible d’utiliser un transistor bipolaire monté en
source de courant constant dont la charge sera constituée par le transistor à effet champ.
b)-L’équation de la droite charge est : C’est la courbe I D =f (V DS )
V DD−R D ∙ I D−R S ⋅ I S−V DS =0 Or I S=I D on a: V DD=R D ∙ I D + RS ⋅ I D + V DS
V DD V DS
⇔ V DD=( RD + RS )I D +V DS ⟹ I D ( R D + R S )=V CC −V DS ⟹ I D = −
R D + R S R D + RS

V DD V DS
I D= −
R D + R S R D + RS

Exercice d’application: Polarisation automatique

R D=10 k Ω R S=5 k Ω RG =3,9 k Ω V DD=20 V
a)-Donner l’expression de l’équation d’attaque
ID

RD
b)-Donner l’expression de l’équation de charge
D
a)-L’équation de la droite d’attaque est : C’est la courbe I D =f (V GS)
IG=0 G
VDD
VDS

RG ∙ I G +V GS + R S ∙ I S =0 On sait que I S=I G + I D or I G=0 ⟹ I S=I D

M2

S
IS
−V GS
M1
On a donc : V GS + R S ⋅ I D=0 ⟹ I D =
RG RS RS
−1
I D= V Pour I D =0 V GS=0 et Pour V GS=1
5000 GS

−1
I D=
5000
b)-L’équation de la droite charge est : C’est la courbe I D =f (V DS )
V DD−R D ∙ I D−R S ⋅ I S−V DS =0 Or I S=I D on a: V DD=R D ∙ I D + RS ⋅ I D + V DS
V DD V DS
⇔ V DD=( RD + RS )I D +V DS ⟹ I D ( R D + R S )=V CC −V DS ⟹ I D = −
R D + R S R D + RS
20 1
I D= − V
15000 1500 DS
3.3 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE ISOLEE (MOSFET)
3.3.1 Description, Symbole et structure interne
Les différences essentielles avec les TEC à jonction sont :
-L a grille est isolée du canal par une couche d’oxyde de silicium
-Il n’existe pas de canal semi-conducteur en l’absence de tension de commande : ID=0A lorsque VGS=0V
b)-symboles et structure interne
 Transistor MOS.FETà appauvrissement
Structure interne symbole
  Transistor MOS.FET à enrichissement
Structure interne symbole

 Les transistors M.O.S à enrichissement ET appauvrissement

Symbole

3.3.2 Convention des TEC à grille isolée

Canal N Canal P
D D

ID ID

G IG VDS
G IG VDS

IS
IS
S
S

V DS=V DG +V GS ; V GS et V DS >0 V DS=V DG +V GS ; V GS et

V DS <0
I D =I S + I G or I G=0 ⟹ I D =I S I D =I S + I G or I G=0 ⟹ I D =I S
La couche d’oxyde de silicium constitue le diélectrique d’un condensateur dont une armature est l’électrode
d’une part et d’autre est la partie du canal N placé en regard :
 Si la tension V GS est négative, il y a restriction du canal et ceci a pour effet de rétrécir la conductrice
peuplé d’électrons. Il y a donc appauvrissement ou déplétion en porteur.
  Si la tension V GS est positive, il y a élargissement du canal et ceci a pour effet de d’élargir la partie
conductrice peuplé d’électrons. Il y a enrichissement en porteur.
3.4 Diverses technologies des MOSFET
Pour la construction des circuits intégrés à transistor MOS, plusieurs technologies ont été mise au point, les
plus importantes sont :
-La technologie N.MOS pour les MOSFET à canal N
- La technologie P.MOS pour les MOSFET à canal P
-la technologie C.MOS (est celle la plus utilisée) pour les MOSFET à canal N et à canal P utilisé de
manière complémentaire (complementary metal oxide semiconductor)

3.5 Le TEC en commutation

Le transistor à effet de champ fonctionne en régime de commutation lorsque point son de repos est situé soit
en P ou en Q par rapport à la droite de charge
ID(mA)

IDSS Q

VGS(V) 0
Vt P VDS(V)

3.5.1 Commutation des JFET

D D a) Etat Bloqué
ID
I D =I S=0 ; V GS=V t <0 et V DS=V DD
IG
Le transistor se comporte comme un interrupteur ouvert entre drain et
G
IS
source
S S
-Lorsque |V GS|>|V t| : c’est l’état bloque.
b) Etat saturé
D D I D =I S >0 ; V GS=0 et V DS=0
ID
Le transistor se comporte comme une résistance de faible valeur entre drain et
IG
source lorsque V GS=0 : c’est l’état passant
G
IS
Remarque : Pour le transistor à canal P, son fonctionnement est
S S

symétriquement l’inverse de celui du canal N.

3.5.2 Commutation des MOSFET
Lorsque les MOSFE à canal N et à canal P fonctionnent en commutation, leur fonctionnement est similaire
au transistor bipolaire respectivement NPN et PNP.
Par exemple si à l’entrée du transistor bipolaire NPN ou du MOSFET à canal N nous avons ‘’1’’, celui-ci est
saturé et par contre si nous avons  ‘’0’’ ; celui-ci est bloqué.
Exemple : fonction inverseur ‘’NON’’
a)-Schéma
VDD b)-fonctionnement
Lorsque E= ’’0’’, le transistor T1 est saturé et T2 est bloqué.
T1 Lorsque E= ‘’1’’, le transistor T1 est bloqué et T2 est saturé.
c)-Table de vérité
E S
T2
E S
0 1
1 0
M

3.6 Étude des montages amplificateur a tec

3.6.1 Définition et modèle dynamique du transistor à effet de champ
a) Définition
Un amplificateur est un quadripôle destiné à amplifier la puissance d’un signal. Ce signal est appliqué à
l’entrée de l’amplificateur par un générateur de tension (e g ) qui a une résistance interne ( R g).Le signal perçu
à l’entrée de l’amplificateur peut être issu par exemple d’une antenne, de la tête magnétique d’électrophone,
d’un capteur…
Grandeur de sortie
Le facteur d’amplification est donné par la relation : A=
Grandeur d ' entrée
vs is
Il permet de déterminer les différents types d’amplifications (en tension A v = , en courant Ai= , en
ve ie

Ps ve vs
puissance A p = ), ainsi les impédances d’entrée Z e= et sortie Z s=
Pe ie is
b) Modèle dynamique du transistor à effet de champ
Que ce soit pour les MOSFET ou les J-FET, on a le schéma équivalent ci-dessous.
Equivalent en Norton Equivalent en Thevenin
G id D G rds D

Vgs
gm.Vgs rds Vds Vgs gm.Vgs.rds=µ.Vgs Vds

S S

NB : gmencore note S est un coefficient qui s’exprime en mA /V ou en siemens ; c’est la constante ou la pente
du TEC.
Les différents types de montages ampliateurs à TEC
Il existe trois types de montages amplificateurs à TEC
-Amplificateur Source Commune ; amplificateur Drain Commun et amplificateur Grille Commune.
Montage source commune
Schéma équivalent en dynamique

ie G is
RD
CD
CG
D gm.vgs
G
VDD
ve RG vgs rds RD vs
S
Ve
RG RS
Cs Vs

S
M
ve
Calcul de l’impédance d’entrée : Z e=
ie
ve
v e=Z e ∙ i e ⟹ Z e= On
1 sait également que :
ie
ve RG ∙ i e Z e=R G
v e=R G ie ⟹ RG = 2
On a donc : Z e= ⇔ Z e=R G
ie ie
vs
Calcul de l’impédance de sortie : Z s=
is
( R D ∥ r ds ) (−gm ∙ v gs ) Z s=( R D ∥ r ds )
Z s= ⇔ Z s=( R D ∥ r ds )
−gm ∙ v gs
vs
Calcul de l’amplification en tension : A v =
ve
v s=( R D ∥ r ds ) (−g m ∙ v gs) Et v e=v gs

v s ( R D ∥r ds ) (−g m ∙ v gs )
On a donc : A v = = ⇔ A v =−gm ( R D ∥ r ds )
ve v gs
A v =−( R D ∥r ds ) g m
Résumé :
Ce montage est donc caractérisé par une très grande impédance d’entrée, une impédance de sortie
moyenne et un gain en tension moyen et négatif : il existe un déphasage de 180° entre l’entrée et la
sortie
Montage drain commun
ie G Vgs S is
RD
D
CG G
VDD
Cs Ve gm.vgs
RG rds Rs Vs
S
Ve
RG RS
Vs

D
M
ve
a)- Calcul de l’impédance d’entrée : Z e=
ie
ve
v e=Z e ∙ i e ⟹ Z e= On sait également que :
ie
ve RG ∙ i e
v e=R G ie ⟹ RG = On a donc : Z e= ⇔ Z e=R G
ie ie
Z e=R G

vs
b)-Calcul de l’impédance de sortie : Z s=
is
Le calcul de l’impédance de sortie est un peu plus délicat. Par définition, celle-ci est égale au quotient de la
tension de sortie à vide par le courant de court-circuit :
v s=( R s ∥ r ds) (g m ∙ v gs ) Or i s=g m ∙ v gs

( Rs ∥r ds ) (gm ∙ v gs ) Z s=( R s ∥ r ds )
Z s= ⇔ Z s=( R s ∥ r ds)
gm ∙ v gs
vs
C)-Calcul de l’amplification en tension : A v =
ve
1
D’après maille extérieur on a : v gs+ v s −v e =0 ⟹ v gs=v e −v s
v s=( R s ∥ r ds) (g m ∙ v gs )
2
1 Dans 2 v s=( R s ∥r ds) (v e −v s ) g m ⇔ v s=( R s ∥r ds ) gm v e −( R s ∥ r ds ) g m v s

vs ( Rs ∥ r ds ) g m
v s +(R s ∥ r ds )g m v s=( R s ∥r ds ) g m v e (1+ ( R s ∥r ds) gm ¿ v s=( R s ∥r ds) gm v e A v= =
v e 1+ ( R s ∥r ds ) gm
vs ( Rs ∥ r ds ) g m
A v= =
v e 1+ ( R s ∥r ds ) gm
is
d)-Calcul de l’amplification en courant : Ai=
ie
vs ve is v s Z e Z e v s vs
On sait que i s= et i e = Ai = = × = × or A v =
Zs Ze ie Z s v e Z s v e ve
is Z e RG ( R s ∥ r ds ) gm RG ∙ g m
Ai = = × A v Ai = × Ai =
ie Z s ( R s ∥r ds) 1+ ( Rs ∥ r ds ) g m 1+ ( R s ∥r ds ) gm
 Résumé :
Ce montage est caractérisé par un gain en tension légèrement inférieur à l’unité, une très grande
impédance d’entrée et une impédance de sortie faible. C’est un montage adaptateur d’impédance.
Montage grille commune
G D is

CD
D
Vgs gm.Vgs rds
G
VDD
Vs
Cs
S S

Vs Ve
RG CG RS RS RD
Ve

ve
a)- Calcul de l’impédance d’entrée : Z e=
ie
Posons gm =s   r ds = ρ  μ= ρ∙ s=r ds gm
(μ+1) v e
Le dipôle à droite de R S est parcouru par un courant i=
R D + r ds
v e + μ v e −r ds ⋅i−R D ⋅ i=0 ⟹ ( μ+1 ) v e =(RD + r ds) i
v e R D +r ds
=
i μ+1
R D + r ds
Ce dipôle, soumis à une différence de potentielle v e , est donc équivalent à une résistance
μ +1
La résistance d’entrée «vue» du générateur de commande
R D +r ds R D +r ds
Z e=R S ∥ Z e=R S ∥
μ+1 μ+1
Généralement r ds ≫ R D et μ ≫1
1 1
r ds r ds r ds 1 Z e=R S ∥ =R S ∥
Z e=R S ∥ Or = = μ gm
μ μ r ds gm μ
vs
b)-Calcul de l’impédance de sortie : Z s=
is
Le calcul de la résistance de sortie « vue » de R Ds’effectue en appliquant le théorème de Thévenin au
modèle de la figure. C'est-à-dire en annulante g .Nous obtenons le modèle ci-contre qui permet d’écrire
l’expression de la résistance de sortie de R D
S i
µ.Ve rds
D
v e + μ v e −r ds ⋅i−v s=0 ⇔

−( R g ∥ R S ) i−μ ( Rg ∥ R S ) i−r ds ⋅ i−v s =0 Car v e=−( Rg ∥ R S ) i Posons

Ve Vs
Rg Rs

R g ∥ R S=r s on a donc v s=−(r s + μ r s+ r ds )i or i=−i s

rs
 vs vs
Z s= =r ds+(1+ μ)r s Z s= =r ds+(1+ μ)r s
is is
vs
C)-Calcul de l’amplification en tension : A v =
ve
−v s
id = v e +r ds ∙i d −μ v gs−v s=0 Or v gs=−v e
RD
r ds r ds
On a donc : v e− v + μ v e −v s=0 ⟹ v e+ μ v e= v +v
RD s RD s s
R (1+ g m r ds)
v s 1+ μ 1+ gm r ds A v= D
r ds = = R D + r ds
v e (1+ μ)=v s (1+ ) ⟹ ve r ds r
RD 1+ 1+ ds
RD RD

On peut également utiliser le diviseur de tension pour déterminer l’amplification en tension

RD
v s=−( μ+1) v gs ∙ Or v gs=−v e d’ou
R D + r ds v s R D (1+ gm r ds )
A v= =
ve R D +r ds
CHAPITRE 4 : Les amplifications opérationnelles
4.1 Généralités
L'amplificateur opérationnel est un circuit intégré linéaire qui sert à réaliser les fonctions mathématiques
telles que l'addition, la soustraction, la multiplication, l'intégration, la comparaison, la division.
Il existe aujourd'hui de nombreux types d'amplificateur opérationnel adaptés chacun à un usage spécifié. Le
741 reste néanmoins l'amplificateur opérationnel le plus utilisé. L'amplificateur opérationnel est symbolisé
par:

e+: entrée non inverseuse

e-: entrée inverseuse
Vs: tension de sortie
±VCC: l'alimentation
Ved=e+-e-: tension différentielle
L'ampli opérationnel est dit idéal i-=i+=0
4.2 Mode de fonctionnement de l'ampli opérationnel
L'ampli opérationnel a deux modes de fonctionnement:
 Le fonctionnement linéaire: Un ampli opérationnel fonctionne en linéaire s'il existe une contre
réaction négative, c'est-à-dire qu'on met une impédance entre l'entrée inverseuse et la sortie.

 Mode de fonctionnement non linéaire: Il existe deux cas:

o Il y'a pas de contre réaction, on dit que l'ampli opérationnel fonctionne en comparaison "tout
ou rien"
 o Il y'a une contre réaction positive, on dit que l'ampli opérationnel fonctionne en comparateur
par hystérésis.

Ved n'est égale à zéro au moment de la commutation

Ved>0 ; e+-e->0
VS = VSat
Ved<0 <↔ e+<e- ↔ VS=-VSat
VSat = 90%VCC

4.3 Quelques applications de l'ampli opérationnel en fonctionnement linéaire

Montage suiveur

Montage inverseur
Montage non inverseur

Montage atténuateur

Montage soustracteur
Montage moyenneur

Montage dérivateur
Montage intégrateur
Comparateur zéro ou rien
 Comparateur à hystérésis ou
bascule de Smith
Hystérésis négative

On dit que la figure1 constitue une hystérésis d rayon

½(VH-VB)=R1VSat/(R1+R2) et de centre ½(VH+VB)=0
CHAPITRE 5 : INTRODUCTION A L’ELECTRONIQUE NUMERIQUE
Objectifs : Connaitre les différentes bases des systèmes de numériques et faire des conversions. Connaitre
et utiliser les théorèmes de m’algèbre de boole. Maitriser les différentes portes logiques.
2.1 Base D’un Système De Numération
2.1.1 Définitions
La base d’un système de numération est le nombre de chiffres qu’utilise ce système.
Le rang d'un chiffre est par définition sa position dans le nombre en partant du rang 0 et en commençant par
le chiffre de droite (celui des unités).
Le poids d'un chiffre x est la base élevée à la puissance de son rang.
Le chiffre de droite s'appelle le chiffre de poids faible (Least Significant Bit en binaire : LSB) et celui de
gauche le chiffre de poids fort (Most Significant Bit en binaire : MSB).
Exemple :
937 est écrit en base 10
7 est de rang 0, 3 de rang 1 et 9 de rang 2.
7 est de poids 102=100, 3 de poids 101=10 et 7 de poids 100=1.
Il existe principalement quatre systèmes de numération : système décimal, binaire, octal et hexadécimal.
 Dans un système décimal, on utilise un maximum de dix symboles pour représenter un nombre
quelconque N, soit: 0,1,2,3,4,5,6,7,8,9.
 Dans un système binaire, on utilise un maximum de deux symboles pour représenter un nombre
quelconque N, soit:0,1.
 Dans un système octal, on utilise un maximum de huit symboles pour représenter un nombre
quelconque N, soit : 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7.
 Dans un système hexadécimal, on utilise un maximum de seize symboles pour représenter un
nombre quelconque N, soit : 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, A, B, C, D, E, F.

2.1.2 Forme polynomiale

Tout nombre N peut être décomposé en fonction de puissances entières de la base.

Exemple : 937 = 9*102+3*101*7*100 3,1415 = 3*100+1*10-1*4*10-2+1*10-3+5*10-4

5378 = 5*82 + 3*81 + 7*80 ABF16 = 10*162 + 11*161 + 15*160

2.2 Changement De Bases (Conversions)

2.2.1 Valeur décimale d’un nombre n de base b quelconque
La valeur en décimal d’un nombre n de base b quelconque s’obtient en effectuant les opérations de
l’expression de sa forme polynomiale.
Exemple : 5378 = ABF16 = 1101,10102 =
2.2.2 Conversion d’un nombre entier décimal en un nombre de base b quelconque
L’opération consiste à procéder à des divisions successives du nombre à convertir puis des quotients
par la base du nouveau système tout en conservant les restes de ces divisions. On écrit ensuite tous les restes
à partir de la fin de gauche à droite, en les convertissant en lettres s’il y a lieu.
Exemples :
• Convertir le nombre • Convertir le nombre • Soit à convertir en octal le
N=(231)10 en binaire. N=(189520)10 en hexadécimal. nombre (0,732)10

231 :2 =115 reste 1 189520:16 =11845 reste 0 0,732x8 = 5, 856

115 :2 =57 reste 1 11845 :16 =740 reste 5 0,856x8 = 6, 848
57 :2 =28 reste 1 740 :16 =46 reste 4 0,848x8 = 6,784
28 :2 =14 reste 0 46 :16 =2 reste 14 0,784x8 = 6, 272
14 :2 =7 reste 0 2 :16 =0 reste 2 0,272x8 = 2, 176
7 :2 =3 reste 1
3 :2 =1 reste 1 N= (2E450)16 N=(0,56662)2
1 :2 =0 reste 1

N= (11100111)2

2.3 Les codes

2.3.1 Code binaire naturel
Quatre bits permettent d’avoir 16 combinaisons, donc d’écrire 15 entiers de 0 à 15 :
Binaire naturel Décimal Hexadécimal
0000 0 0
0001 1 1
0010 2 2
0011 3 3
0100 4 4
0101 5 5
0110 6 6
0111 7 7
1000 8 8
1001 9 9
1010 10 A
1011 11 B
1100 12 C
1101 13 D
1110 14 E
1111 15 F

Ce code est appelé code binaire naturel ou code 8421. Chacun de ces chiffres représente le poids
d’un bit. Ce code est très souvent utilisé en techniques numériques.
 Conversion binaire-octal et octal-binaire :
A partir de la virgule, grouper les bits par groupes de trois en allant vers la gauche pour la partie
entière et vers la droite pour la partie fractionnaire. Convertir ensuite chaque bloc séparément en octal selon
le code binaire naturel.
Exemple :
N=(001 110 011 101,011 100 001)2 = ( 1 6 3 5 , 6 4 1 )8
N=(7510,246)8 = (111 101 001 000, 010 100 110)2
 Conversion binaire-hexadécimal et hexadécimal-binaire :
 A partir de la virgule, grouper les bits par groupes de quatre en allant vers la gauche pour la partie
entière et vers la droite pour la partie fractionnaire. Convertir ensuite chaque bloc séparément en
hexadécimal.
Exemples :
N=(1110011101,01110001)2 = (0011 1001 1101,0111 0001)2 = ( 3 9 D,7 1 )16
N=(7A1F,B46)16 = (0111 1010 0001 1111 , 1011 0100 0110)2
2.3.2 Code Gray ou binaire réfléchi
Ce code est utilisé essentiellement dans la conversion d’une grandeur analogique en une grandeur
numérique ; car dans ces conversions on a besoin d’un code dans lequel les grandeurs successives ne
diffèrent que d’un seul caractère.
Par exemple pour passer de 7 à 8 décimal, soit de 0111 à 1000 binaire naturel les quatre bits
changent.
Equivalence code Gray des entiers 0 à 15 :

2.3.3 Code BCD (Binary Coded Décimal) ou (DCB) Décimal codé en binaire
Ce code est utilisé par les calculateurs.
On fait correspondre à chaque caractère (chiffre) du système Décimal un mot du code binaire de
quatre bits.

2.4 Nombres signés

2.4.1 Complément à 1 d’un nombre binaire
Il s’obtient en remplaçant les chiffres du nombre binaire par leurs compléments.
Exemple : Le complément à 1 de (1000001010101)2 = (0111110101010)2
2.4.2 Complément à 2 d’un nombre binaire
Il s’obtient en ajoutant la valeur binaire 1au bit de poids faible du complément à 1 de ce nombre binaire.
Exemple : Le complément à 2 de (1000001010101)2 = (0111110101011)2
2.4.3 Ecriture de nombres binaires signés dans la notation en complément à 2
Un nombre binaire signé possède en plus des bits représentant sa grandeur exacte, un bit de signe : 0 pour le
signe +, 1 pour le signe -.
 Si le nombre binaire est positif, sa grandeur est la grandeur binaire exacte et son bit de signe est la
valeur binaire 0 placée devant le bit de poids le plus fort.
Exemple : écrire la valeur (+13)10 comme un nombre signé de 5, puis de 7 bits dans la notation en
complément à 2.
(+13)10 = (01101)2 = (0001101)2
 Si le nombre binaire est négatif, sa grandeur est le complément à 2 de la grandeur exacte et son bit
de signe est la valeur binaire 1 placée devant le bit de poids le plus fort.
Exemple : écrire la valeur (-13)10 comme un nombre signé de 5, puis de 7 bits dans la notation en
complément à 2.
Sur 5 bits, complément à 2 de (1101)2 = (0011)2 et (-13)10 = (10011)2.
Sur 7 bits, complément à 2 de (001101)2 = (110011)2 et (-13)10 = (1110011)2.
 Cas spécial de la notation en complément à 2 :

Quand un nombre signé a 1 comme bit de signe et que des 0 comme bits de grandeur, son équivalent
décimal est -2N, où N est le nombre de bits de grandeur ou bien le nombre de 0.
Exemple : écrire la valeur (-16)10 comme un nombre signé de 5 bits dans la notation en complément à 2.
(-16)10 = (10000)2

2.5 Propriétés De L’algèbre De Boole

Tableau 1 : Récapitulatif des propriétés de l’algèbre de boole

Exemples d’utilisation de l’algèbre de Boole pour simplifier des expressions logiques.

(c  b).c  c.c  b.c  c  b.c  c.(1  b)  c
a.(a  b)  a.a  a.b  a.b
NB : Ces règles sont utilisées pour la simplification des équations logiques.

2.5 Portes Logiques (A développer au tableau avec les différents symboles)

On distingue plusieurs portes logiques à savoir :
 Porte Non ou No
 Porte ET ou AND
 Porte OU ou OR
 Porte NON-ET ou NAND
 Porte NON-OU ou NOR
 Porte OU-Exclusif ou XOR
 Porte NON OU-Exclusif ou NXOR
Tableau 1 : Récapitulatif des symboles des portes logiques

2.6 Simplification Des Fonctions Logiques

Une expression combinatoire représente une fonction booléenne Pour n variables d’entrées, il existe :
22n fonctions différentes ; une infinité d’expressions combinatoires (certaines sont équivalentes). On recherche la forme la plus
simple possible d’une expression combinatoire. Le but est de réaliser une fonction en utilisant le moins d’opérateurs logiques
possibles.

Méthode algébrique : On écrit les produits par ordre alphabétique afin de les comparer plus facilement et on utilise les
propriétés de l’algèbre de Boole.

Exemples : S1  a  b  a.b  a  b.(1  a)  a  b

S2  a.(b.c  b.c  b.c)  a.(b.(c  c)  b.c)  a.(b  b.c)
Méthode graphique : Tableau de Karnaugh. Le tableau de Karnaugh est une table de vérité disposée de
manière à faire apparaître les possibilités de regroupement de termes.
Exemple 1 : Une fonction S4 à trois entrées est représentée par une table de vérité. On va représenter cette
fonction dans un tableau de Karnaugh et on va écrire son équation simplifiée.