3.

6 Modele de semnal mare (statice) pentru TB

Este foarte important, în orice circuit cu tranzistoare, să se cunoască PSF ale acestora.
Punctele statice de funcţionare rezultă în urma analizei de curent continuu a circuitului echivalent
obţinut din circuitul complet astfel; sunt active sursele de alimentare de curent continuu, sunt
pasivizate toate sursele de semnal iar componentele reactive sunt complet eliminate
(condensatoarele ideale devin gol iar bobinele ideale devin scurtcircuite).
În regim de funcţionare cu semnale (sursele de semnal pornite), performanţele circuitului
depind foarte mult de curenţii şi tensiunile din punctele statice de funcţionare. Curenţii de colector
din punctele statice ai tranzistoarelor influenţează amplificările semnalelor (de tensiune, de curent,
de putere) iar tensiunile colector - emitor din punctele statice determină amplitudinile maxime ale
tensiunilor de semnal din circuit.
Ca şi în cazul diodei, necesitatea simplificării analizei circuitului cu tranzistoare bipolare
implică utilizarea de modele liniarizate pe porţiuni pentru acestea. Aceste modele neliniare (formate
din porţiuni liniare) se numesc model de semnal mare şi pentru că sunt utilizate în analiza de curent
continuu se mai numesc şi statice.
a) model de semnal mare pentru TB în RAN
Un TB npn are în RAN joncţiunea bază emitor polarizată direct. Joncţiunea emitoare fiind
direct polarizată se comportă ca o diodă polarizată direct. Vom utiliza pentru această joncţiune
modelul liniarizat al diodei cu prag de deschidere, VBE = VD = 0.6V, şi rezistenţă nulă în conducţie.
Joncţiunea colectoare, în RAN fiind polarizată invers se comportă ca un contact electric deschis şi
funcţionarea TB în RAN ne precizează că la terminalul colector se obţine un curent comandat de
curentul electric injectat de circuit prin terminalul bază, iC = β F iB . Cu aceste observaţii se obţine
modelul liniar (valabil doar în RAN), pentru TB npn, reprezentat în fig. 3.16.

Fig. 3.16

Un model similar celui din fig. 3.16 se poate obţine şi pentru regimul activ inversat (RAI); se
înlocuieşte C cu E, VBE cu VBC, iC cu iE şi iC = β F iB cu iE = β R iB , fig. 3.17.

Fig. 3.17

1
 b) model de semnal mare pentru TB blocat
Pentru regimul blocat ambele joncţiuni sunt polarizate invers, acestea se vor comporta în
circuit ca două contacte electrice deschise şi rezultă cel mai simplu model liniarizat pentru regimul
blocat ca în fig. 3.18 (toţi curenţii la terminale sunt toţi nuli).

Fig. 3.17

În regimul blocat al tuturor tranzistoarelor cu siliciu discrete este important de reţinut ca

joncţiunea emitoare în RAN (bază emitor) suportă polarizări inverse maxime de numai 6V (din
cauza dopărilor utilizate pentru emitor şi bază).

c) model de semnal mare pentru TB saturat

Regimul saturat a fost definit de polarizarea directă a ambelor joncţiuni. Din fig. 3.18
rezultă:

Fig. 3.18
vCE = vBE − vBC , (3.14)

Fig. 3.19

2
 Dacă ambele joncţiuni (diode) sunt polarizate direct şi acceptăm pentru fiecare modelul
liniar al diodei cu prag de deschidere de 0.6V şi rezistenţă în conducţie nulă, în circuitul echivalent
al TB saturat din fig. 3.19 ar trebui ca sursa notată VCEsat să aibă 0V. În realitate , trecerea între
terminalele colector emitor a unui curent de colector de saturaţie, ICsat , determină o tensiune de
saturaţie dependentă de curentul de saturaţie, 0.1[V ] < VCEsat < 0.6[V ] şi de geometria
tranzistorului.

3.7 Polarizarea TB în RAN

Polarizarea în RAN a unui TB presupune asigurarea pentru acesta a unui PSF, Q(VCE ; IC)
în zona permisă din planul caracteristicilor statice de ieşire. Problema polarizării are două aspecte;
dacă se cunoaşte circuitul trebuie calculat PSF (este o problemă de analiză în curent continuu a
circuitului) iar dacă anumite cerinţe ale circuitului, în privinţa prelucrării semnalelor, impun
necesitatea unui PSF atunci trebuie determinate numeric valorile parametrilor elementelor
circuitului care influenţează PSF (este problemă de proiectare a PSF).

a) Analiza circuitelor de polarizare

Cerinţele principale ale circuitelor de polarizare au în vedere asigurarea unui PSF cât mai
stabil faţă de variaţia temperaturii şi faţă de împrăştierea tehnologică a parametrului β (foarte mare
comparativ cu a rezistenţelor rezistoarelor – β are împrăştiere mai mare de 200% faţă de rezistoare
cu împrăştiere mai mică de 10%). Stabilitatea curentului de colector de PSF, IC , implică stabilitatea
amplificărilor în regim de semnal, iar stabilitatea tensiunii colector – emitor de PSF, VCE , înseamnă
stabilitatea gamei dinamice a tensiunii de semnal de la ieşire.
Există foarte multe circuite de polarizare a unui TB cu PSF în RAN. Circuitele de polarizare
pentru TB discret sunt diferite de cele pentru TB dintr-un circuit integrat unde implementarea
rezistoarelor pentru polarizare este evitată.
Cel mai utilizat circuit de polarizare a unui TB discret este prezentat în fig. 3.20; este
compus din patru rezistoare şi o sursă de alimentare de tensiune continuă. Acest circuit asigură, în
primul rând, dependenţă slabă a PSF de împrăştierea tehnologică a parametrului β. Există şi alte
circuite de polarizare mai simple şi mai ieftine dar cu performanţe care de obicei nu satisfac
cerinţele.

Fig. 3.20

3
 Analiza circuitului din figură presupune toate valorile de rezistenţă, tensiunea sursei de
alimentare şi parametrii tranzistorului, mărimi cunoscute cantitativ (numeric). Analiza se poate face
fără calculator dacă acceptăm pentru TB un model liniarizat pe porţiuni, figurile 3.16 şi 3.17, cu
tensiune de deschidere constantă VBE = 0.6V, şi rezistenţă nulă pentru joncţiunea emitoare în
conducţie. Dacă circuitul asigură de la VCC tensiunea de deschidere precizată pentru VBE, circuitele
reprezentate în fig. 3.21 sunt liniare şei echivalente în condiţiile:

Fig. 3.21.a Fig. 3.21.b

 R2
 V = VCC
+
B
 R1 R 2
 , (3.14) .
R = R1 R2
 B R1 + R2

Pe ochiul care conţine VB şi joncţiunea emitoare (fig. 3.21.b) se determină IC:

 VB − VBE − I E RE
 I B =
RB

 I E = I C + I B = (1 + β ) I B , (3.15) ,
 VB − VBE
 IC = β
 RB + (1 + β ) RE

iar pe ochiul care conţine VCC şi terminalele colector emitor ale TB se determină tensiunea VCE:

VCE = VCC − RC I C − RE I E , (3.16) .

Relaţiile de mai sus reprezintă rezultatul analizei exacte a regimului de curent continuu. Este
foarte important de observat că pentru valori numerice care asigură:
RB (1 + β ) RE ≈ β RE , (3.17) ,

4
curentul de colector de PSF depinde foarte puţin de factorul β. Dacă se îndeplineşte (3.17) atunci o
relaţie de calcul aproximativă pentru IC este:

VB − VBE
IC ≅ , (3.18) .
RE

O analiză rapidă (dar şi mai aproximativă) a circuitului de polarizare analizat anterior

presupune ipoteza că divizorul de polarizare a bazei funcţionează în gol (potenţialul VB definit în
fig. 3.20 nu este influenţat de curentul absorbit de terminalul bază). Pentru această situaţie se
determină VB cu a doua relaţie din (3.14) după care se calculează curentul de colector, IC cu relaţia
(3.18). Se calculează în continuare curentul de bază maxim:

I Ccalculat
I B max = , (3.19) ,
β min

şi se acceptă curentul de colector astfel calculat numai dacă se verifică ipoteza iniţială:

VCC
I12 = ≥ 10 I B max , (3.20) .
R1 + R2

Tensiunea de colector de PSF se determină cu relaţia (3.16) în care IC = IE .

Întrucât stabilitatea PSF depinde de mărimea produsului β.RE , relaţia (3.17), sunt importante
soluţii de circuit care pot determina o rezistenţă echivalentă mare conectată de la terminalul emitor.
Când circuitul funcţioneză în regim de semnal condensatorul dintre emitor şi masă are reactanţă
foarte mică pentru frecvenţa semnalelor mai mare decât o anumită valoare şi prezenţa unui rezistor
tehnic cu RE mare determină limitarea drastică a excursiei semnalului de tensiune dintre terminalele
colector emitor (sursa de alimentare VCC nu este folosită judicios). Din aceste motive RE se
înlocuieşte cu o sursă de curent continuu constant a cărei implementare necesită încă o sursă de
tensiune de alimentare VEE, fig. 3.22.

Fig. 3.22

5
 În fig. 3.23 este prezentată o implementare a sursei de curent constant I cu componente
discrete.

Fig. 3.23

Rezistorul RBZ polarizează în regim zenner dioda stabilizatoare şi determină la bornele rezistorului R
cădere de tensiune aproximativ constantă. Curenţii de colector şi de emitor ai TB din fig. 3.23 sunt
aproximativ egali şi se poate scrie curentul de ieşire al sursei de curent continuu constant:

VZ − VBE
I≅ , (3.21)
R
Pentru polarizarea tranzistorului bipolar in circuite integrate utilizarea rezistoarelor este
evitată din următoarele motive:
à rezistoarele integrate sunt neliniare,
àau împrăştiere tehnologică mare (raportul lor are împrăştiere mică) faţă de cele discrete,
àpentru valori de rezistenţă mari ocupa arie mare pe cip.
In circuitele integrate, pentru polarizare, se utilizează surse de curent continuu constant, de
tipul celei din fig.3.23, dar fără rezistoare.
Toate circuitele integrate complexe au implementate câte un subcircuit de alimentare
(„bias”), care furnizează pentru celelalte subcircuite ale circuitului integrat un număr necesar de
referinţe de tensiune, Vref , şi referinţe de curent, Iref, fig. 3.24. Realizarea preciziei necesare pentru
mărimile de referinţă de la ieşirile circuitului „bias” necesită doar un singur rezistor liniar
performant, extern circuitului integrat. Rezistenţele de ieşire ale referinţelor de tensiune sunt foarte
mici (sub 1Ω) iar ale referinţelor de curent sunt foarte mari (peste 10 MΩ).

Fig. 3.24

6
 Cele mai simple surse de curent continuu constant au schema ca în fig.3.25a (cu tranzistoare
bipolare npn) şi fig.3.25b (cu tranzistoare bipolare pnp). Acestea se numesc oglinzi de curent
simple dacă cele două tranzistoare au geometrii identice şi sunt implementate alături pe cip.

Fig. 3.25a Fig. 3.25b

Cu Q1 şi Q2 identice, se pot scrie relaţiile:

 vBE 1

iC1 = I CS1 (e VT − 1)


vBE 2

iC 2 = I CS 2 (e VT − 1) , (3.22) ,

 ICS 1 = I CS 2 =ICS , vBE1 = vBE 2 = vBE
β = β = β
 1 2

şi, dacă utilizăm şi:

iC 2
I ref = iC1 + iB1 + iB 2 = iC 2 + 2 , (3.23) ,
β

curentul de ieşire al oglinzii, iC2, va rezulta cu expresia:

β
iC 2 = I ref =constant, (3.23) .
2+ β

Factorul de amplificare β , fiind β > 100 la tranzistoare integrate npn şi β > 20 la

tranzistoare integrate pnp rezultă curentul de ieşire al oglinzii, I out = iC 2 ≅ I ref (curentul de referinţă,
din bias, este oglindit la ieşire).
Obişnuit, tranzistoarele din circuite integrate necesită curenţi de colector de PSF diferiţi de valoarea
curentului de referinţă. Multiplicarea (sau demultiplicarea) curentului de referinţă la ieşire,
1 1
I out = kI ref , k = ... , , 1, 2, 3, 4... (3.24) ,
3 2

7
se poate realiza doar în circuitele integrate. La aceleaşi valori ale tensiunii vBE curenţii de colector
sunt proporţionali cu ariile joncţiunilor emitoare (intervin în termenul I CS ). Un tranzistor cu arie
mai mare se obţine prin conectarea în paralel a terminalelor de acelaşi tip ( B, C, E) a unui număr
întreg de tranzistoare identice cu arie minimă. Este foarte importantă observaţia că, realizarea
tranzistoarelor oglinzii, în cip, în aceeaşi zonă asigură funcţionarea acestora tot timpul la aceeaşi
temperatură (în expresiile (3.22) termenul VT = kT / q este acelaşi).
În fig. 3.26 se aplică principiul de polarizare expus anterior;

Fig.3.26

tranzistorul de arie minimă al circuitului de polarizare, pentru tranzistoarele Q1 .... Q6, este cel
cu aria notată Aje0/4, iar „capul” oglinzii de polarizare, cu aria de patru ori mai mare, este singurul
alimentat cu Iref din circuitul „bias”. Tensiunile continue notate cu Vref sunt furnizate de asemenea
de circuitul „bias” şi sunt cu indici diferiţi pentru a sugera că în bazele celor şase tranzistoare pot
exista tensiuni de semnal diferite.
Dacă revenim asupra relaţiei (3.23) rezultă că valorile reale ale celor şase curenţi de colector
vor fi cu atât mai diferite, faţă de cele marcate în fig.3.26, cu cât ordinul de multiplicare
(demultiplicare) este mai mare.