Universitatea de Stat din Tiraspol

Facultatea: Fizica modernă și tehnologii informaționale

Catedra: Fizică Teoretică și Experimentală

Disciplina: “Microelectronica”

Lucrare de laborator Nr.3

Tema:CARACTERISTICA CURENT- TENSIUNE A DIODEI
SEMICONDUCTOARE.

A realizat: Studenta grupei C1F1 Nicolai Olesea

A verificat: dr.,conf. univ. Postolachi Igor.

Chișinău, 2020
 Lucrare de laborator nr.3.1

Tema: CARACTERISTICA CURENT- TENSIUNE A DIODEI

SEMICONDUCTOAR

Scopul: Ridicarea caracteristicilor şi determinarea principalilor parametrii ai diodelor

semiconductoare; studiul comportării diodei semiconductoare în circuite elementare.

Utilajul necesar: Placă de montaj, rezistenţă variabilă 100-200Ω, rezistor 15Ω, diode
pe bază de Si şi Ge, voltmetru cu preţul diviziunii 0,1V, miliampermetru 5/50 mA,
surse de curent continuu: IPF şi sursă ± 30V, fire de conexiune.

Consideraţii teoretice: Caracteristica statică, curent-tensiune, teoretică a unei diode

semiconductoare dedusă prin analiza fenomenelor fizice într-o joncţiune p-n ideală
qu A

ce au loc la aplicarea unei tensiuni din exterior este dată de legea: i A =I 0 ( e γ kT −1)

(1.1)

În această relaţie reprezentată grafic în fig.1.1, I 0 este curentul de saturaţie al

Dp Dn
I 0=qn2i ( + )S
diodei dat de expresia : L p N D Ln N A (1.2), şi este dependent de
parametrii fizici şi tehnologici ai joncţiunii p-n (suprafaţa joncţiunii, S ,
concentraţia intrinsecă de purtători ni , coeficienţii de difuzie D p , Dn , lungimile
de difuzie L p , Ln , ale purtătorilor de sarcină , precum şi concentraţiile de

impurităţi, N D , N A ), iar 1<γ <2 , un coeficient cu valori mai apropiate de 1

pentru Ge, şi mai apropiate de 2 pentru Si, care rezultă din considerarea efectului de
recombinare din zona de sarcină spaţială la tensiuni de polarizare directe mici (efect
cu importanţă la diodele cu Si la temperatura camerei.
În funcţie de suprafaţa joncţiunii p-n , la rândul ei, dependentă de curentul maxim pe
care trebuie să-l accepte dioda în conducţie directă, curentul de saturaţie I 0 , are, la
temperatura camerei, valori de ordinul de mărime, 1 10 A, pentru diodele din Ge şi
1 100 mA pentru diodele din Si.

La curenţi direcţi de ordinul 1 10 mA (valori des întâlnite în practică)

tensiunea directă pe diodă este de 0.2 –0.3 V pentru diodele din Ge respectiv 0.6-0.8
V pentru diodele din Si.

3. Cele două mărimi, I 0 şi γ , se determină prin reprezentarea ecuaţiei

diodei semiconductoare la scară semilogaritmică (ca în fig.1.2 unde pe abscisă se
reprezintă tensiunea aplicată pentru conducţie directă la scară liniară şi pe verticală
curentul pe diodă în scară logaritmică). Panta dreptei astfel obţinute permite
deducerea coeficientului γ . (De remarcat faptul că forma exponenţială a
caracteristicii directe se păstrează într-un interval mare de valori ale curentului) cu
q 1 Δu A
γ=
relaţia : kT 2. 3 Δ lgi A
(1.3). Prin prelungirea aceleaşi drepte, la intersecţia cu
axa ordonatei se obţine curentul de saturaţie I 0 .

4. Dependenţa de temperatură a caracteristicii statice a unei diode

semiconductoare este foarte puternică, înregistrându-se a dublare a curentului de
saturaţie la fiecare 10 0C pentru diode din Ge respectiv la fiecare 6 0C pentru diodele
din Si. Această dependenţă poate fi pusă în evidenţă şi prin coeficientul de variaţie a
tensiunii directe de pe diodă cu temperatura, la curent constant. Teoretic acest curent
este de circa –2 mA / 0C, pentru ambele tipuri de material utilizate curent pentru
realizarea diodelor semiconductoare.

Caracteristica curent- tensiune a diodei, care arată dependenţa curentului ce

trece prin diodă, de valoarea şi polaritatea tensiunii aplicate, reprezintă caracteristica
de bază a acestui dispozitiv semiconductor.

Tensiunea Udirect aplicată diodei se numeşte directă dacă borna ”+” sursei de
curent este unit cu regiunea p (anod) a diodei, iar borna ”-” – cu regiunea n (catod).
În acest caz joncţiunea p-n posedă o rezistenţă mică şi prin diodă trece curent creat de
purtătorii de sarcină de bază. Dependenţa intensităţii curentului direct de tensiune
pentru polarizare directă e prezentată în fig. 1.3, partea dreaptă a graficului.

Idirect B

IdirectMAX .C

Ustrăpungere
 • O
Udirect
D

Fig. 1.3 Caracteristica current-tensiune a diodei semiconductoare

La început pentru valori mici ale tensiunii, curentul direct creşte neesenţial
(ramura OA). Ramura AB merge brusc în sus, aceasta înseamnă că curentul direct ce
trece prin diodă creşte cu creşterea tensiunii aplicate. Pe această ramură se află unul
din parametrii de bază a diodei punctul C – curentul limită ce poate trece prin diodă.
Trecerea peste această limită poate duce la distrugerea joncţiunii p-n drept cauză
servind supraîncălzirea dispozitivului. La polarizarea indirectă a diodei, regiunea ”n”
se conectează la borna ”+”, iar regiunea ”p” se conectează la borna ”-” a sursei de
curent. În acest caz joncţiunea p-n are o rezistenţă mare, şi valoarea curentului
indirect condiţionat de mişcarea sarcinilor auxiliare Iindirect este mică. Cu creşterea
tensiunii indirecte curentul practic nu se schimbă. Această dependenţă este
reprezentată în partea stângă a figurii 1 ramura OD. Există încă un parametru
important a diodei – tensiunea indirectă maximă permisă (punctul E), trecerea căruia
poate provoca distrugerea joncţiunii p-n.

Mersul lucrării:

I. Studiul dependenţei I direct=f (U ) .

1. Conectaţi schema circuitului din figura 1.4.

2. Cu ajutorul rezistorului R1 aplicăm diodei tensiunea de 0,1V. Fixăm

indicaţiile miliampermetrului şi voltmetrului în tabelul 1.

3. Repetăm măsurările peste fiecare 0,1V până la 0,8V. Datele le fixăm în

tabel.

Atenţie! Intensitatea curentului direct nu trebuie să depăşească valoarea limită pentru

dioda dată.
 4. Folosind datele din tabelă construim graficul dependenţei I direct =f (U ) .

Se recomandă scara: 10mm – 5mA (OY),

10mm – 0,1V (OX).

5. Repetăm punctele (1-4) pentru dioda din Si (Ge).

Tabelul 1.1

Udirect, V 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8

Idirect, mA, (Si) 0 0.05 1 2 5 10 20 40 55
Idirect, mA, (Ge) 0 0.05 0.1 0.15 2 3 5 10 40
60

50

40

Udirect, V
30
Idirect, mA, (Si)
Idirect, mA, (Ge)
20

10

0
1 2 3 4 5 6 7 8 9
 V

+ R2

R1 mA
4V

-
Fig. 1.4.

II. Studiul dependenţei I indirect =f (U ) .

1. Conectăm schema circuitului din figura 3.

2. Fixăm indicaţiile miliampermetrului peste fiecare 5V în diapazonul 0 –
30V. Datele le introducem în tabelul 2.
3. Folosind datele experimentale construim graficul dependenţei
I indirect =f (U ) .
4. Repetăm măsurările pentru al doilea tip de diodă.
5. Construim graficul dependenţei I indirect =f (U ) .

Se recomandă maştabul: 10mm – 0,1mA (OY),

10mm – 5V (OX).Tabelul 1.2

 Uindirect, V 0 5 10 15 20 25 30
Iindirect, mA, (Si) 0 0 0 0 0 0 0
Iindirect, mA, (Ge) 0 0 0 0 0 0 0

12

10

0
1 2 3 4 5 6 7 8

+ R2

R1 mA
30V V

- Fig.1.5.

III. Determinarea parametrilor.

Folosind dependenţele experimentale obţinute calculaţi:

1. Rezistenţele statistice pentru ambele direcţii ale curentului şi diferite

U
RS =
tensiuni: I .

ΔU
Rd =
2. Rezistenţa dinamică: ΔI .
 I direct
K=
3. Coeficientul de redresare pentru trei tensiuni: I indirect ,
U direct =U indirect .

Lucrare de laborator nr.3.2

Tema: CARACTERISTICA CURENT- TENSIUNE A DIODEI

SEMICONDUCTOARE.

Scopul: Ridicarea caracteristicilor şi determinarea principalilor parametrii ai diodelor

semiconductoare; studiul comportării diodei semiconductoare în circuite elementare.

Realizarea lucrării cu softul educaţional ewb512.

Sarcina I. Lansăm programul ewb512.

1. Realizăm schema din fig.1.6(a).

2. Variind discret curentul sursei conform tabelului 3, determinăm tensiunea directă

respectivă. Datele se înscriu în acelaşi tabel 3.

3. Realizăm schema din fig.1.6(b), pentru polarizarea indirectă a diodei.

4. Variind discret tensiunea sursei în intervalul 0-50V, conform tabelului 4, înscriem

datele pentru curentul indirect în tabelul 4.
 Tabel 1.3.

Idir(m
0 1 2 4 6 8 10
A)

Udir(V    45  131  218 308 399

74 
) 0 4 8 9 3  5 

12

10

0
1 2 3 4 5 6 7 8

Tabel 1.4.

Iind(μ    1.  4.  8.  13. 17.  22.

А) 0 9 1 6 1 7  2

Uind(V 0 5 10 20 30 40 50
 )

Uind(V)
60

50

40
Uind(V)
I ind(mA)

30

20

10

0
 0  1.9  4.1  8.6  13.1 17.7   22.2

5. Construim dependenţele Idir. = f(Udir) şi Iind. = f(Uind).

U
RS =
6. Calculăm rezistenţa statică I .

ΔU
Rd =
7. Calculăm rezistenţa diferenţială (dinamică): ΔI pentru Idir=8mA;
Idir=4mA; Idir=2mA; Idir=0,5mA.

8. Construim graficul dependenţei Rd=f(Idir);

9. Calculăm rezistenţa diferenţială indirectă Rind pentru U=5V şi U=10V.

 I direct
K=
10. Determinăm coeficientul de redresare pentru 3 tensiuni: I indirect ,
U direct =U indirect .

Sarcina II. Ridicarea dependenţei curent tensiune a diodei din siliciu (1N914) cu
ajutorul oscilografului.

2.1. Realizăm schema din fig.1.7. schema reprezentată în fig.1.7. este po metodă
eficientă, rapidă şi poate fi observată pe ecranul oscilografului.

2.2. Pentru a obţine imaginea CCT, reglăm la ieşirea generatorului un semnal cu

amplituda de 10V şi frecvenţa de 10Hz. Ciclul este de 50% . Regimul de funcţionare
va corespunde simbolului triunghiului. Oscilograful va fi conectat în regimul V/A. în
acest caz coordonata punctului razei pe orizontală va fi proporţională tensiunii, iar pe
verticală intensităţii curentului. Deoarece căderea de tensiune în volţi pe rezistenţa de
1Ω, va fi egală cu valoare curentului prin diod (I=U/R=U/1=U), pe axa verticală
putem citi valoare curentului, ceia ce ne permite să obţinem caracteristica curent
tensiune pe ecranul oscilografului.

2.3. Ridicăm caracteristica Curent-tensiune în regim de semnal, când amplituda

semnalului de la generator depăşeşte tensiunea inversă admisă, . Um>|Uind.max|. 

Selectăm la ieşirea generatorului semnalul de tip ferestrău cu amplituda de 40V şi

compensarea (Offset) 10V, frecvenţa 1Hz.

2.4. Conectăm schema la sursa de curent şi vom obţine pe ecran oscilograma din fig.
1.8.
 fig. 1.8

Desenăm în caiet caracteristica curent-tensiune respectînd scara.

2.5. Din grafic determinăm valoarea tensiunii maxime indirecte. (Uind.max=____).

Sarcina III. Ridicarea caracteristicii Curent-tensiune pentru dioda din germaniu

de tipul mbrd835 în regim de semnal mic.

3.1. Selectăm la ieşirea generatorului semnal de 5V, compensarea 0 şi frecvenţa 1 Hz.

3.2. Conectăm schema la sursa de curent şi obţinem pe ecranul oscilografului

caracteristica Curent-tensiune (fig.1.9).

Fig.1.9.

Din graficul obţinut determinăm valoarea tensiunii de deschidere a diodei din Si,
mbrd835 (Uиdesc.Ge=__ ).

3.3 Repetăm experienţa pentru dioda din Ge.

Întrebări de control:

1. Când prin diodă trece curent direct?

Cea mai utilizată funcție a diodei este de a permite trecerea unui curent electric într-o
direcție (numit și curent direct al diodei), blocând totodată trecerea curentului în
direcția opusă (numit și curent invers al diodei). Acest comportament unidirecțional
este numit redresare și este utilizat la convertirea curentului alternativ în curent
continuu.

În orice caz, diodele pot avea comportamente mult mai complicate decât această
acțiune de tip deschis-închis, datorită neliniarității caracteristicii curent-tensiune.
Diodele semiconductoare încep să conducă doar dacă un anumit prag al tensiunii
electrice este trecut în direcția curentului direct. Căderea de tensiune la bornele diodei
în curent direct variază foarte puțin cu curentul și este o funcție de temperatură; acest
efect poate fi folosit în cazul senzorilor de temperatură sau al potențialelor de
referință.
Curentul direct continuu [IF] – reprezintă curentul continuu admis în regim permanent care trece prin
diodă, în absența componentei alternative;  Tensiunea directă la vârf [VFM] – reprezintă valoarea maximă
at

2. Cum arată graficul dependenţei curentului direct de tensiunea aplicată?

3. Care este condiţia de apariţie a curentului indirect prin diodă?

Dioda polarizată invers nu permite curentului să treacă prin ea datorită extinderii
de zonei de golire . Dar în realitate există un mic curent de scurgere ce trece prin
diodă chiar și la polarizarea inversă, acest curent poartă numele de curent indirect.
Curentul indirect poate fi ignorat pentru majoritatea aplicațiilor.

4. Cum arată graficul dependenţei curentului indirect de tensiunea aplicată?

5. De ce la folosirea diodelor nu se recomandă trecerea peste valorile limită a
intensităţii curentului direct şi a tensiunii indirecte? Arătaţi aceste puncte pe
grafic.