BREVIAR SEMNALE PERIODICE

Mărimile caracteristice oricărui semnal periodic x(t) sunt:

1. Valoarea medie (componente de c.c.)

def
1T Aria x(t )
X   x(t )dt  (1)
T0 T
Interpretarea geometrică a valorii medii: valoarea medie X (numită şi
„componentă de c.c.”) este înălţimea dreptunghiului de aceeaşi arie cu aria
semnalului x(t), calculate o perioadă T.

2. Dezvoltarea în serie Fourier (SF) se poate scrie intr-una din urmatoarele

forme:
 seria Fourier generalizată:

x(t )  X   xn (t ) , (2)
n 1

unde xn(t) se numeşte armonica de rang n a semnalului x(t)

 seria Fourier trigonometrică (SFT):

x(t )  X   (a n sin nt  bn cos nt ) (3)
n 1

 seria Fourier armonică (SFA):


x(t )  X   X n sin(nt   n ) , (4)
n 1

unde:
def 1 T
X   x (t )dt (valoarea medie, numita si componenta de c.c.) (5)
T0
def 2 T
an   x (t )  sin nt  dt (componenta în sinus a armonicii xn) (6)
T0
def 2 T
bn   x (t ) cos nt  dt (componenta în cosinus a armonicii xn) (7)
T0

X n  an2  bn2 (amplitudinea armonicii xn) (8)

b
 n  arctg n (faza armonicii xn) (9)
aan
Obs: 1) Armonica n=1 se numeşte fundamentala semnalului x(t);
2) Graficul dependenţei X n  X n (n ) se numeşte spectrul semnalului

3. Valoarea efectivă:
def 1T 2
X ef   x (t )dt (10)
T0

L2 - 1
Obs: Daca se cunoaste dezvoltarea in SFA a semnalului x(t), valoarea efectiva
se mai poate calcula si cu formula:
def  not X
X ef  2 2
X   X n,ef , unde X n,ef  n (11)
n1 2

4. Gradul de distorsiune THD (Total Harmonic Distorsion):

 2
def  Xn
n 1
THD  100% (12)
X1
Obs: 1) Pentru x(t )  A sin t avem THD = 0[%];
2) Pentru orice semnal diferit de cel sinusoidal, THD>0%

Probleme rezolvate

P1. Pentru semnalul trapezoidal din fig.P1 se cer:

a) scrieţi expresia matematică x(t) a semnalului şi valoarea perioadei T;
b) calculaţi valoarea medie X prin metoda analitică şi prin metoda grafică
x (t )
T 4
10

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 t

Fig.P1.a)

Rezolvare:
10t , pentru t  0;1
10, pentru t  1;2

a) x(t )   ,
  10 t  30, pentru t  2;3 
0, pentru t  3;4
unde perioada T=4, rezulta din graficul semnalului.
b)
 Metoda analitică:
1T 1 1
X   x(t )dt    10tdt   10dt    10t  30dt   0dt  
2 3 4

T0 4  0 1 2 3 
1 t2  t2 
 10  1
t 0  10t 2
t 1    10 3
t 2  30t 3
t 2   5
4 2  2 

L2 - 2
  Metoda grafică:
2  1  3  0  10
Aria x(t ) Aria trapezului 2
X    5
T 4 4
x (t )
T 4
10
x5
( comp. de c.c.)

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 t

Fig.P1.b)
Interpretarea geometrică a valorii medii: valoarea medie X (numită şi
„componentă de c.c.”) este înălţimea dreptunghiului de aceeaşi arie cu aria
semnalului x(t), calculată pe o perioadă T . În această problemă, putem scrie:
Aria x(t) Aria trapezului Aria dreptunghiului
X   5
T T T

P2. Se dă semnalul xt   20 sin t din fig.P2. Calculaţi:

a) valoarea medie X;
b) valoarea efectivă Xef.
x

T  
20

0  2 3 t

Fig.P2

Rezolvare:
a) Semnalul xt  dat se repetă la t   , deci perioada sa este . valoarea sa
 
1 def
1   cos t  40 
 xt dt 
T 
medie este: X   20 sin tdt   20   
T0  0    0 
Obs: 1) Numai pentru semnale de tip sinus şi cosinus, calculul valorii medii se
pote face schimbând variabila timp t cu variabila unghiulară t (în vederea
uşurării calculelor matematice):

L2 - 3
 1T
def
1 t 1 1 40
X  x (t ) dt   xt d t    20 sin td t    20 cos t  t  0 


T0 t 0 0  
2) Pentru acest semnal nu se poate aplica metoda geometrică doarece nu există
alt mod de calcul al ariei unei sinusoide decât prin integrare.

b) Vom calcula valoarea efectivă tot prin schimbare de variabilă.

def
1T 2 1 T 2 1
X ef   x (t ) dt   x t d t    400 sin t  d t  
2

T0 T 0 0
1 1  cos 2t 1 400  sin 2t  1
  400  d t     t

 
  200  10 2
 0 2  2  t  0
2
t  0
 

 
P3. Pentru semnalul x(t )  2  sin t  5 cos 3t  8 cos 5t   se cer:
 3
a) calculaţi coeficienţii seriei Fourier armonice (SFA);
b) reprezentaţi grafic spectrul semnalului;
c) calculaţi valoarea medie;
d) calculaţi valoarea efectivă;
e) calculaţi gradul de distorsiune THD.

Rezolvare:
a) Semnalul x(t) poate fi scris folosind numai funcţii sinus adunate între ele
astfel:
 
x(t )  2  sin t  5 cos 3t  8 cos 5t   
 3
    
 2  sin(t   )  5 sin 3t    8 sin 5t   
 2  3 2
Comparând expresia SFA din breviarul teoretic cu expresia lui x(t) de mai sus,
prin identificarea termenilor se constată că:

X  2; X 1  1; 1   ; X 2  0;  2  0; X 3  5; 3  ;
2
,
  
X 4  0;  4  0; X 5  8; 5 
 
3 2 6
tot restul de armonici de rang n  6 au X n  0 şi  n  0 .

b) Pe baza coeficienţilor X şi Xn determinaţi la punctul a, se poate reprezenta

spectrul semnalului X n  X n (n ) astfel:

L2 - 4
 X,Xn

x5  8
x3  5
x2 x1  1 x 2  0 x4  0
0  2 3 4 5 6 7 ... n

Fig.P3. Spectrul semnalului x(t)

c) Conform punctului a), valoarea medie este X=2;

d) Cunoscând dezvoltarea în serie Fourier a semnalului x(t) de la punctul a) al

problemei, valoarea efectivă se calculează uşor cu formula (11):
2
X 
2
def    X
X ef  X   X
2 2
n ,ef
 X   n   X 2   n 
2

n 1 2
n 1 n 1
 2
12  0 2  5 2  0 2  8 2
 2  2
7
2
e) Gradul de distorsiune THD se calculează cu relaţia (12):

 Xn
2
def
0 2  52  0 2  82
THD  n 1
 100%   100%  94,34%
X1 1

P4. Pentru semnalul din figură calculaţi fundamentala x1 t 

x (t )

0 1 2 3 4 5 t

Fig. P4

Rezolvare:
Semnalul din figură are expresia matematică:
5, pt. t  0,1
x(t )   ,
0, pt. t  1,2
def
2 2
perioada sa fiind T=2, deci pulsaţia este:     .
T 2
Fundamentala oricărui semnal este armonica n=1, adică:
( SFT ) ( SFA )
x n 1 (t )  a1 sin t  b1 cos t  X 1 sin t  1  , unde:

L2 - 5
 2T
def
21  cos t  1 5cos   1 10
a1   x(t )  sin tdt   5 sin tdt  5   0  
T0 20     
def
2T 21 sin t 1 5 sin  5 sin 
b1   x(t )  cos tdt   5 cos tdt  5    0
  
t 0
T0 20
2
 10  10
X 1  a  b     02 
2 2

  
1 1

b 0
1  arctg 1  arctg  0,
a1 10

obţinute în urma aplicării relaţiilor (5) ÷ (9).
Înlocuind a1, b1, x1 şi φ1 în expresia fundamentalei xn=1(t), rezultă:
10
x1 (t )  sin t , deci acest semnal are aceeaşi expresie a fundamentalei

x1 (t ) şi în forma SFA şi în forma SFT. Acest lucru e datorat faptului că x1 (t )
are componenta în cosinus b1=0

P5. Se dă semnalul:
t , pt. t  [0,3)
3, pt. t  [3,4)

x(t )  
 t  7, pt. t  [4,10)
 3, pt. t  [10,20
a) desenaţi x(t ) şi determinaţi perioada T, frecvenţa f şi pulsaţia  ;
b) calculaţi analitic şi geometric valoarea medie X a lui x(t ) .

Rezolvare:
a) Conform graficului din fig.P5 şi expresiei lui x(t ) dată, perioada este T=20ms,
1 1
frecvenţa este f    50 Hz şi pulsaţia este   2f  100 rad
T 20ms s

x (t )
A B
3 A
2
A
1
0 C F
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 t[ms ]
1
2
3
D E

Fig.P5

L2 - 6
b) Metoda analitică:
1T 1 3
X   x(t )dt    tdt   3dt    t  7 dt    3dt  
4 10 20

T0 20 0 3 4 10 
1 t 2  t 2 10 10 

 
3

 3t t 3     7t t  4    3t t 10  
4 20
 
20  2 t 0  2  
 t 4 
1
 4,5  0  12  9  50  8  70  28  60  30  1.125
20

Metoda geometrică:
Aria x(t ) Aria 0 ABCD  Aria CDEF not A   A 
X   
T T T
(1  7)  3 [(20  10)  13]  3

2 2 12  34.5
   1.125  0
20 20

L2 - 7
 BREVIAR DIODĂ

1. Simbolul diodei:

iA
D
A K

u AK

2. Polarizarea diodei:
- dioda nepolarizată: u AK  0, i A  0;
- dioda polarizată direct (dioda conduce): u AK  0, i A  0;
- dioda polarizată invers (dioda e blocată): u AK  0, i A  0;

3. Caracteristica statică a diodei reprezintă graficul dependenţei i A  i A (u AK )

Graficul cuprinde:
iA  zona 1: u AK  0, i A  0
(dioda este polarizată
direct);
 originea O(0,0):
u AK  0, i A  0 (dioda este
1 nepolarizată);
 zona 2: u AK  0, i A  0
(dioda este polarizată invers
0 la tensiuni u AK  U BR );
U BR
 zona 3: u AK  U str  const.
 Is u AK (dioda este polarizată invers
la tensiuni u AK  U BR )
2
Obs: În zona 3 diodele obişnuite se
distrug prin străpungere prin
fenomenul de multiplicare în
avalanşă a purtătorilor de sarcină
3 electrică la tensiunea de
străpungere notată UBR, în timp ce
diodele Zener (numite şi diode
stabilizatoare de tensiune)
funcţionează în mod normal .

L3 - 1
4. Ecuaţia generală a diodei este:
  qu  
i A  MI S exp AK   1 , (1)
  mkT  
care este valabilă pentru toate cele 3 zone 1, 2 şi 3, unde:
 M - coeficient de multiplicare în avalanşă a purtătorilor de sarcină
electrică
Obs: Expresia matematica empirica (adică dedusă experimental) a lui M este
1
M  n
, unde n  4,7 . În practică, M se alege astfel: dacă
u 
1   AK 
 U BR 
u AK  0,7 U BR se va lua M  1 (ceea ce înseamnă că dioda nu e în pericol de a se
distruge prin străpungere – e cazul zonelor 1 şi 2, iar dacă u AK  U BR , se va lua
M   (ceea ce înseamnă că dioda se va distruge prin străpungere).
 Is – curentul invers de saturaţie al diodei, de ordinul nA pentru diodele
din siliciu şi de ordinul μA pentru diodele din germaniu;
 q  1,6  10 19 C este sarcina electronului ;
 m  1,2 - coeficient ce depinde de tehnologia de fabricaţie a diodei;
 k  1,33  10 23 J K - constanta lui Boltzman;
 T K   t C   273C - temperatura mediului în care funcţionează dioda ,
măsurată în Kelvin.
kT
Notând prin VT  T  300 K  26mV potenţialul termic al diodei, ecuaţia
q
generală a diodei se mai poate scrie:
 u  
i A  MI S exp AK   1
  mVT  

5. Ecuaţia generală a diodei particularizată pentru zonele 1, 2 si 3

Ecuaţia generală se particularizează pentru zonele 1, 2 şi 3 astfel:
 pentru zona 1: Avem u AK  0 si M  1 (aici nu există străpungere
u AK
secundară ). Dacă u AK  VT , atunci exp( )  1 , deci ecuaţia (1) în zona
mVT
1 devine o exponenţială, aşa cum arată şi graficul caracteristicii statice de
mai sus:
 u   u 
i A  MI S exp AK   1  I S exp AK  (2)
mV
  T  mV
 T

L3 - 2
  pentru zona 2: Avem u AK  0, M  1 (aici nu există străpungere), deci
u 
exp AK   1 , astfel încât ecuaţia (1) devine:
 mVT 
 u  
i A  MI S exp AK   1   I S  const. (3)
  mV T  
aşa cum arată graficul caracteristicii statice pentru această zonă.
 pentru zona 3: Avem u AK  0 si M   (apare străpungerea) şi
u 
exp AK   1 , deci ecuaţia devine:
 mVT 
 u  
i A  MI S exp AK   1   MI S   (4)
  mVT  

6. Modele liniarizate ale diodei

 Modelul 1: Modelul de diodă ideală, în care dioda e modelată printr-un

simplu comutator, închis când dioda D conduce şi deschis când dioda D e
blocată.
iA
VD D conduce
iA iA  

u AK u AK D blocat ă V D u AK

a) Schemă electrică echivalentă b) caracteristica liniarizată

pentru Modelul liniarizat 1 corespunzătoare Modelului 1

 Modelul 2: Modelul este mai complicat decât Modelul 1, deoarece ţine

cont şi de tensiunea de prag VD a diodei, dată în catalog. Tensiunea de
prag este VD=0,6 - 0,7V pentru diode cu siliciu şi VD=0,1 - 0,2V pentru
diode cu germaniu.
VD iA
iA iA  
D conduce

u AK u AK
D blocat ă V D u AK

a) Schemă electrică echivalentă b) caracteristica liniarizată

pentru Modelul liniarizat 2 corespunzătoare Modelului 2

L3 - 3
  Modelul 3: Modelul mai complicat decât Modelul 2, deoarece ţine cont şi
de rezistenţa dinamică (rezistenţa internă) rD, dată în catalog.
VD rD iA
iA iA  
D conduce

u AK
u AK
D blocat ă V D u AK

a) Schemă electrică echivalentă pentru b) caracteristica liniarizată

Modelul liniarizat 3 corespunzătoare Modelului
liniarizat 3

Obs: 1) Scriind teorema Kirchoff pe ochiul de circuit VD, rD, uAK al

modelului echivalent obţinem:
u AK  VD  rD  i A (5)
2) Este clar că cu cât dorim să ne apropiem mai mult de
caracteristica diodei reale modelele liniarizate se complică, conţinând din
ce în ce mai multe componente electrice (comutatoare, rezistenţe, surse de
tensiune, surse de curent etc).

 Modelul liniarizat al diodei Zener

Cel mai simplu, o diodă Zener se modelează printr-o sursă de c.c notată
Uz, eventual conectată în serie cu rezistenţa dinamică rz de valoare mică
dată în catalog:

K K

 U z  U str

 rz

A A
Schema electrică echivalentă a diodei
Simbolul diodei Zener
Zener

7. Puterea medie disipată pe dioda modelată cu Modelul 3:

Calculul puterii medii disipate pe diodă este necesar pentru diodele de putere
care au un consum mai mare de putere prin ele decât celelalte tipuri de diode:
def
1T 1T 1T
PD   p D t dt   u AK i A t dt   VD  rD i A i A dt 
T0 T0 T0 , (6)
1T 1T 2
 VD   i A dt  rD  i A t dt  VD  I A  rD  I Aef
2

T0 T0

L3 - 4
în care:
1T
IA   i A (t ) dt - valoarea medie a curentului prin diodă
T0
1T 2
I A,ef   i A (t ) dt - valoarea efectivă a curentului prin diodă
T0

Probleme rezolvate

P1. Se consideră circuitul cu diodă din fig.P1.a). Calculaţi tensiunea uAK pe

diodă dacă:
a) dioda reală are IS=10nA, IA=0,965mA şi m=1,94;
b) dioda reală este înlocuită cu modelul său echivalent format din
tensiunea de prag VD=0,7V şi rezistenţa dinamică a diodei rD=1Ω.
Se consideră potenţialul termic VT=26mV.
iA R dioda modelat ă
iA R
20 K
20 K
 VD 
E u AK 0.7V
 D E  u AK
20V  rD
20V
1

a) schema cu diodă reală b) schema echivalentă

Fig.P1

Rezolvare:
a) Privind schema din fig.P1.a), se constată că dioda D este polarizată direct,
deci funcţionează în zona 1 a caracteristicii statice, fiind caracterizată prin
ecuaţia:
u  I 0,965mA
I A  I S exp AK   u AK  mVT ln A  1,94  26mV  ln  0,7V
 mVT  IS 10nA
b) Pe schema echivalentă din fig.P1.b), obţinută prin înlocuirea diodei reale D
din fig.P1.a) cu modelul său echivalent, se aplică teorema Kirchhoff:
E  V D 20V  0,7V
E  V D  rD  R   I A  I A    0,965mA
rD  R 1  20 K
Aplicând din nou teorema Kirchoff pe aceeaşi schemă din fig.P1.b) obţinem:
E  RI A  U AK  U AK  E  RI A  20V  20 K  0,965mA  0,7V

P2. Se consideră schema din fig. P1.a) în care dioda D modelată are ecuaţia:

L3 - 5
u AK  100  i A [V ] si E  10V , R  1K . Se cer:
a) curentul I A şi tensiunea u AK ;
b) puterea medie disipată pe diodă.

Rezolvare:
a) Comparând ecuaţia dată pentru diodă u AK  100  i A [V ] cu relaţia (5), prin
identificare constatăm că VD  0 şi rD  100 , deci dioda D este modelată printr-o
simplă rezistenţă rD, iar schema electrică echivalentă a fig.P1.a) devine cea din
fig.P2.
R

1K 
 rD U AK
E

10V

Fig.P2. Schemă electrică echivalentă.

Teorema Kirchhoff II aplicată pe fig.P2 este:

E 10V
E  ( R  rD )  i A  i A    9mA
R  rD 1K  100
Aplicând din nou teorema Kirchhoff pe aceeaşă fig.P2, obţinem:
U AK  rD  I A  100  9mA  0.9V
b) Puterea medie disipată pe diodă este:
def
1 1T 1
P  0T p d (t )dt   U AK  I A dt   U AK  I A  T  0.9V  9mA  8.1mW
T T0 T

P3. Se consideră o diodă polarizată invers având:

Cazul I: U AK  10V , U str  20V , n  4 ;
Cazul II: U AK  19.999...V , U str  20V , n  4
Se cere:
a) Coeficientul de multiplicare în avalanşă a purtătorilor de sarcină, M;
b) Poate fi această diodă o diodă Zener?

Rezolvare:
1 1
Cazul I: a) M  n
 4
 1,067   , deci dioda funcţionează
U    10V 
1   AK  1  
 U str    20V 
în zona 2;

L3 - 6
 b) Dioda nu poate fi de tip Zener deoarece nu funcţionează în zona 3 a
străpungerii.
1 1
Cazul II: a) M  n
 4
  , deci dioda funcţionează
 U AK    19.999...V 
1    1   
U
 str    20V 
în zona 3 de străpungere deoarece U AK  19.999...  V  U str  20V .
b) Această diodă poate fi de tip Zener deoarece funcţionează în regiunea
zona 3 a străpungerii.

P4. Se consieră o diodă ideală montată în circuitul din fig.P3.a) în care tensiunea
de alimentare u (t ) are forma dreptunghiulară din fig.P3.b).

model diodă
ideal ă
D u (t )
iA
10V
u AK iA
2
u t  u AK
R uR 4 6 8 t[s ]
10   10V
u R uR

b) forma de undă pentru u (t ) c) schema electrică

a) schema electrică
echivalentă
Fig.P3

Se cere:
a) desenaţi unele sub altele formele de undă pentru u , u AK , uR , iR ;
b) calculaţi puterea medie disipată pe rezistenţa R.

Rezolvare:
 10tV , pt. t  [0,2)
a) Conform fig.P3.b), avem: u (t )   , perioada de repetiţie a
 10tV , pt. t  [2,4)
lui u(t) fiind T=4.
 pentru t  [0,2)  u (t )  10V  0  dioda este polarizată direct
 comutatorul modelat este închis, deci aplicând teorema Kirchhoff pe
fig.3.c rezultă :
u 10V
u AK  0, u R  u  10V , i A  R   1A
R 10

L3 - 7
  pentru t  [2,4)  u (t )  10V  0  dioda este polarizată invers 
comutatorul modelat este deschis, deci aplicând teorema Kirchhoff pe
fig.P3.c rezultă:
u AK  u  10V , i A  0, deci u R  R  i A  0.
Ţinând cont de această funcţionare a diodei pe intervale rezultă formele de undă
din fig.P4.
u (t )

10V

2 4 6 8 t[s ]
 10V

u AK

0V
2 4 6 8 t[s ]
 10V

uR

10V

2 4 6 8 t[s ]

iA  uR / R

1A

2 4 6 8 t[s ]

Fig.P4 Formele de undă u , u AK , u R , i A

b) Puterea medie disipată pe rezistenţa R este:

def
1T 1T 1 2 4 1 20W
PR   p R (t )dt   u R (t )  i A (t )dt  [  10V  1Adt   0  0dt ]   10W  2   5W
T0 T0 4 0 2 4 4

L3 - 8
 BREVIAR
Tanzistorul bipolar cu joncţiuni (TBJ)

1. Definiţie, tipuri, structură internă, symbol, relaţii între curenţi şi relaţii între
tensiuni
def
TBJ  un dispozitiv semiconductor realizat tehnologic ca o succesiune de 3 regiuni
semiconductoare (pnp sau npn), care formează 2 joncţiuni (JE= joncţiunea emitor-bază şi
JC=joncţiunea colector-bază).
Tabelul 1
u EC uCE
JE JC J E JC
iE p n p iC iE iC
E C E n p n C
u EB iB uCB iB
Structurile u BE u BC
interne şi
B B
simbolurile
u EC uCE
TBJ-urilor
de tip:
a) pnp; b) iE iC iE iC
npn E C E C

u EB iB uCB iB
u BE u BC
B B

Relaţii: a) TBJ tip pnp b) TBJ tip npn

curenţi i E  i B  iC i E  i B  iC
tensiuni u EC  u EB  uCB  0 uCE  u BE  u BC  0

Notaţii:
E – emitor;
B – bază;
C – colector;
i E - curent de emitor;
i B - curent de bază;
iC - curent de colector;
U BE  VB  VE - tensiune bază-emitor; U EB  VE  VB  U BE - tensiune emitor-bază;
U BC  VB  VC - tensiune bază-colector; ( U CB  VC  V B );
U CE  VC  VE - tensiune colector-emitor; ( U EC  VE  VC ).

2. Regimuri de funcţionare şi polarizări ale TBJ, modele ale TBJ, tipuri de semnal iB
aplicate, utilizări ale TBJ.
Tabelul 2

-1-
Regimuri de Polarizări ale TBJ Modelarea TBJ tip npn în Tipul de semnal i B Utilizări ale
funcţionare ale u EC u EC regim static de funcţionare. aplicat TBJ în
TBJ Evaluarea puterii disipate funcţie de
E p n p C E n p n C
instantanee regimul de
funcţionare
u EB u CB
u BE u BC
B
B

Regimul U EB  0 U BE  0 I BM iB TBJ saturat - circuite de

SATURAT ( J E şi U CB  0 U BC  0 iE I CM
I BM
TBJ blocat comutaţie,
J C polarizate E C utilizate în
electronica de
direct) IB  0
U CE sat  0 putere;
Tc Tb t - circuite
TBJ este modelat ca un integrate
T
comutator închis. digitale.
PTBJ  U CEsat  I CM  0 I CM  0 Curentul i B are formă de
undă dreptunghiulară
Regimul U EB  0 U BE  0 pentru a putea comuta
IB  0
BLOCAT ( J E şi U  0 TBJ fie saturat, fie
CB U BC  0 iE I Cbl  0 blocat.
JC polarizate E C
invers)
U CEM

TBJ e modelat ca un
comutator deschis.
PTBJ  UCEM  ICbl  UCEM  0  0

2
Regimul liniar - U EB  0 U BE  0 iB
- etaje de
REGIMUL U CB  0 U BC  0
IB IC
Ib
amplificare;
B C
ACTIV IB

NORMAL(RAN) 
( JE polarizată U BE
 IC    I B

direct şi J C t

polarizată invers) iB  IB  I b sin  t

IE  
comp . de c . c . comp . de c . a . a i B
val . medie a i B 
E E

Modelarea TBJ in RAN

REGIMUL U EB  0 U BE  0 Obs.: În RAN şi RAI TBJ - porţile ŞI-

ACTIV U CB  0 U BC  0 disipă putere: NU.
INVERSAT PTBJ  U CE  I C  0 Obs.: RAI
(RAI) ( JE este rar
polarizată invers utilizat în
şi J C polarizată practică.
direct)

3. Analiza regimului activ normal (RAN) al TBJ

3.1.Moduri fundamentale de conectare a TBJ tip npn în circuitele electronice. Definirea caracteristicilor de inrare, ieşire şi
transfer ale TBJ tip npn

Tabelul 3

3
Moduri a) Conexiune EC b) Conexiune BC c) Conexiune CC
fundamental iC iE iC iE
C E
e de iB E C iB
B B
conectare a
TBJ tip npn uCE
în circuitele in. u BE iE ies. u BE iB u BC uCB uCE
iC
electronice
E E B B C C

Mărimi de i B , u BE i E , u BE i B , u BC
intrare
Mărimi de iC , u CE iC , u BC iC , u EC
ieşire
Mărimi de iC , u BE iC , u BE i E , u BC
transfer
Caracteristici i B  i B u BE  i ,u i E  i E u BE  i i B  i B u BC  i
CE  const C , u BC  const . E , u EC  const .
de intrare c

Caracteristici iC  iC u CE  i iC  iC u BC  i i E  i E u CE  i
B ,u BE  const . ,u BE  const . B , u BC  const
de ieşire E

Caracteristici iC  iC u BE  i iC  iC u BE  i i E  i E u BC  i
B , u CE  const . ,u BC  const . B ,uCE  const .
de transfer E

3.2. Caracteristica de ieşire a TBJ tip npn în conexiunea EC

Aria de funcţionare sigură. Punctul static de funcţionare al TBJ
iC mA TBJ saturat
P
iC  dM
uCE iC    u CE
n

I CM I B3  I B 2
I B 2  I B1

AFS I B1  const.
IC    I B PSF

U CE uCE  uCEM V 
TBJ blocat uCE npn
Fig. 3.1. Aria de funcţionare sigură a TBJ
Se poate demonstra că modul de conectare EC este cel mai bun de utilizat în
amplificatoare realizate cu TBJ deoarece el amplifică atât în current cât şi în tensiune şi
putere.Caracteristica de ieşire a TBJ tip npn în conexiune EC, definită prin relaţia
iC  iC u CE  i ,u const . este, de fapt, o familie de caracteristici de ieşire având ca parametru
B BE

i B  const. şi u BE  const. ea se reprezintă graphic în cataloagele de TBJ, după cum

u BE  0.5...0.7V este şi ea o dată de catalog.

4
 Aria de funcţionare sigură (AFS) a TBJ reprezintă o zonă din caracteristica de
ieşire delimitată de următoarele curbe:
1. dreapta orizontală a curentului de colector maxim admisibil I CM  const. , unde
I CM e dat în catalog;
2. dreapta verticală a tensiunii colector-emitor U CEM  const. unde U CEM e dată în
catalog;
3. hiperbola puterii disipate maxim admisibile PdM  u CE  iC , dată în catalog;
4. curba străpungerii secundare iC  u CE
n
, dată în catalog, unde  şi n sunt
constante de fabricaţie a TBJ.
Obs. : fenomenul de străpungere secundară (valabil doar când TBJ funcţionează în
regim de comutaţie) constă în distrugerea prin topire locală atunci când frecvenţa de
comutaţie a TBJ ( f  1 ), unde T este perioada de comutaţie creşte peste o anumită valoare.
T
Acest fenomen are caracter probabilistic, adică sub curbă probabilitatea ca TBJ să se distrugă
prin străpungere este minimă, iar deasupra ei este maximă.
Punctul static de funcţionare (PSF) al TBJ reprezintă un punct aparţinând AFS, de
coordonate PSF(UCE, IC), care se determină numai când TBJ este conectat într-un circuit
electronic. Valorile coordonatelor PSF, anume UCE şi IC, se determină rezolvând sistemul
liniar format din:
- ecuaţiile TBJ în RAN:
o relaţia generală între curenţi: i E  i B  iC ;
o relaţia generală între tensiuni: u EB  u CB  u EC  0 , pentru pnp;
 u BE  u BC  u CE  0 , pentru npn;
o una din cele 2 relaţii între curenţii TBJ la funţionarea în RAN:
 
iC    i B sau iC    i E , unde   , sau   sunt factori de
1 1 
amplificare în curent daţi în catalog.
- teoremele Kirchoff ale circuitului.

4. Analiza regimului de comutaţie a TBJ

Regimul de comutaţie include regimul de saturaţie a TBJ (pe durata Tc) şi regimul de
not
blocare (pe durata Tb), care se repetă periodic pe durata T  Tc  Tb  perioada de comutaţie a
TBJ.

4.1. Definirea parametrilor de impuls ai TBJ

Datorită fenomenelor de stocare, recombinare şi deplasare a purtătorilor de sarcină în
regiunea bazei şi în regiunea colector-bază, intrarea în comutaţie şi blocarea tanzistorului în
circuitul de sarcină se produce cu o anumită întrziere faţă de intrarea în conducţie şi blocarea în
regiunea bazei.

5
 iC iB
iC
0,9iCM

iB
0,9iBM
tp

0,1iCM
0,1iBM
td tr t
ts tf
ton toff

Fig.4.1. Diagrame funcţionale la comutarea tranzistorului bipolar

Mărimile care caracterizează comutarea tranzistorului, definite folosind formele de

undă din fig.3.1., sunt:
t on - intervalul de timp între creşterea curentului de bază (0,1  i B1 ) şi atingerea de
către iC a valorii de 0.9  iCM ;
t off - intervalul de timp între căderea curentului de bază 0.9  i B1  şi atingerea
valorii 0.1  iCM de către iC ;
t p - durata impulsului aplicat în bază;
t d - timpul de întârziere la creştere;
t s - timp de evacuare a sarcinii stocate în bază
t on  t d  t r se numeşte timp de comutaţie directă, iar t off  t s  t f timp de
comutaţie inversă. Fiecare din cei doi timpi se compune dintr-o întârziere ( t d -timp de
intîrziere la comutaţia directă on, respectiv t s -timp de întârziere la comutaţia inversă off) şi un
timp de creştere/cădere a frontului (tr –timp de creştere, respectiv tf – timp de cădere a
frontului). Cum t d  t r , obţinem t on  t d  t r  t r .

4.2. Comutaţia TBJ pe sarcină rezistivă

Tranzistorul din fig.3.2 comută pe sarcină rezistivă, iar excursia PSF în planul
caracteristicilor de ieşire iC  iC u CE  este dată în fig. 3.2.b.,formele de undă liniarizate în
comutaţie fiind reprezentate în fig.3.3. Ţinând cont că U CEsat  EC , I CEo  I CM şi fiind date
EC , I CM , t f , t r , t s , se vor determina teoretic puterile medii disipate în comutaţie şi se va
trasa graficul puterii instantanee.

6
 iC iC
Ec R
RS
40 I CM B

RB Q
iB
VCE
 E  M iC , uCE 
 C
100 30V
I CE 0 A

VI 0 U CE  sat  uCE
EC

a) circuit b) excursia punctului figurativ de funcţionare

Fig. 4.2. Tranzistorul bipolar în comutaţie pe sarcină rezistivă

iB

I BM

0
t
T  1
f

 t 
iC iC  I CM 1  
 t 
 f 
t. I CM
iC  I CM 
tr
0
t

t OFF  t s  t f

u CE
EC

 t 
U CE  E C 
1  t  0
 r 
t

pD
EC  I CM
pdr pdf
2

t
t ON  t d  t r  t r tf

Fig.4.3. Formele de undă i B , iC , u CE şi p d ale TBJ în comutaţie pe sarcină R

7
 Aproximând prin segmente de dreaptă curentul iC şi tensiunea uCE pe intervalele tr şi
tf se deduce expresia puterii medii disipate pe durata unei perioade de comutaţie T  1
f :
1r 
T t tf
1
Pd   p d t dt    p dr t dt   p df t dt   Pdr  Pdf
T 0 T  0 0


Puterea medie disipată pe intervalul t r este:
t t
1 r 1 r  t  t E I t
Pdr   u CE t   iCE t dt   EC 1    I CM dt  C CM r
T 0 T 0  tr  tr 6T
Iar puterea medie disipată pe intervalul t f este:
tf tf
  , E C I CM t f
1
T 0
,
 , , 1
T 0
t,
Pdf   u CE t  iC t dt   E C  I CM 1 
tf  t
t, dt 
 6T
 f 
Rezultă expresia puterii medii dissipate pe TBJ pe durata unei perioade de comutaţie
EC I CM t r  t f  EC2 t r  t f 
T: Pd   f
6T 6 RS
4.3. Comutaţia TBJ pe sarcină rezistiv-inductivă (RS - LS)
În condiţii reale de funcţionare, procesul de comutare al tranzistorului bipolar de
putere este determinat nu numai de parametrii intrinseci de comutaţie ci şi de caracterul
sarcinii. Astfel, să considerăm circuitul cu TBJ funcţionând în comutaţie pe sarcină inductiv-
rezistivă.
Traiectoria PSF în planul caracteristicilor de ieşire iC  iC u CE  i ,u const . ale TBJ,
B BE

într-un proces complet de comutaţie (conducţie-blocare şi invers) tebuie să ţină cont atât de
puterea disipată pe TBJ cât şi de protejarea contra fenomenului de străpungere secundară.
Dacă R  L şi tranzistorul see află iniţial în blocare în punctual figurative A, la aplicarea
comenzii de comutareîn conducţie see produce saltul din A în b, parcurgându-se în continuare
curba de saturaţie B-C. După comanda de blocare, punctual figurative descrie traiectoria C-D-
A. În funcţie de circuitul de polarizare al intrării, punctual D se poate afla pe una din
caracteristicile de străpungere primară. Pe traiectoria C-D-A se descarcă energia acumulată în
inductanţă, o parte pe rezistenţa de sarcină iar cealaltă prin tranzistor.
 EC iC

L 
I CM E
F
I CM C
D
R
D
IC
IB
m 1 R
uCE
iB  0
I CE 0 B A
uCE
0 uCE 0
uCE sus 

a) circuit b) excursia punctului figurativ de funcţionare

8
Fig. 4.4 Comutarea TBJ pe sarcină rezistiv-inductivă

În intervalul de blocare trev, circuitul echivalent de comutare este cel din fig. 4.5 în
care tranzistorul a fost modelat printr-un comutator T ideal. Această aproximare este posibilă
întrucât tranziţia este determinată în principal de constanta de timp a sarcinii. Tensiunea în
străpungerea primară este u CE  U CE (sus ) . Aplicând teorema Kirchoff II pe circuitul echivalent
di
see obţine: LS  R S iC  E C  U CE (sus ) .
dt
Comutarea în blocare începe în momentul în care comutatorul S trece de pe poziţia 1
E  U CEsat
pe poziţia 2. Condiţia iniţială pentru current este: iC (t  0)  I CM  C . Soluţia
RS
E C  U CE ( sus )   
t

t
ecuaţiei este: iC  1  e    I CM e  , unde   Ls Rs .
RS  
 
Dacă sarcina este puternic inductivă astfel încât Ls Rs  tr , Ls Rs t f şi energia
acumulată la sfârşitul încărcării este suficient de mare W L  Ls I CM
2

/ 2 , punctual de
funcţionare parcurge traiectoria A-B-C-D-A. Dacă tensiunea de alimentare Ec şi durata de
aplicare a impulsului t p sunt mari, traiectoria parcursă de PSF poate intersecta curba
probabilistică a străpungerii secundare în F. În acest caz, PSF se întoarce spre zona care
specifică tensiunea în străpungerea secundară, iar dispozitivul se poate distruge.

IC L R iC , uCE

U CE  sus
+
1 S 2 EC
EC I CM
+ +
-
- -
UCE(sat) UCE(sus)

0 t rev t

a) Circuit echivalent b) Curentul de colector şi tensiunea colector-emitor.

Fig.4.5. Comutarea în blocare pe sarcină R-L

PROBLEME REZOLVATE:
I. Probleme cu TBJ în regim de comutaţie
P1. Se consideră schema din fig.4.2.a) în care se dau:
RC  40 , EC  30V , U CEsat  0.2V
Calculaţi:
a) tensiunile U CE şi U RS când TBJ e blocat;
b) puterea pe EC când TBJ e saturat.
Rezolvare:
a) În fig.4.2.a) se înlocuieşte TBJ blocat cu modelul său de comutator deschis,
obţinându-se schema din fig.1.

9
 iC

RS

C
RB
iB U CEbl  E
B  C

30V
E

u i t 

Fig.1
Scriem teorema Kirchhoff pe ochiul din partea dreaptă:
E C  Rs  I C  U CE
EC  Rs  0  U CE  U CE  EC  30V
Curentul I C  0 pentru că un comutator deschis (TBJ modelat) întrerupe circulaţia
curentului pe latura de circuit pe care este plasat.  U Rs  Rs  I C  Rs  0  0V
b) În fig.4.2.1) se înlocuieşte TBJ saturat cu modelul său de comutator închis,
obţinându-se schema din fig.2.
iC

RS

C
RB
iB U CEsat 
EC
B 
30V
E

u i t 

Fig.2.
Se observă că U CEsat  0.2V  0 , deci în aceaastă problemă TBJ satuat nu e un
comutator închis ideal, ci unul care are o cădere de tensiune în saturaţie nenulă, dar de valoare

10
foarte mică comparativ cu EC, căci U CEsat  0.2V  EC  30V . Scriem din nou teorema
Kirchhoff pe ochiul din partea dreaptă:
E  U CEsat 30V  0.2V
EC  Rs  I C  U CEsat  I C  C   0.745 A ;
Rs 40
Rezultă puterea disipată pe EC:
PEC  EC  I C  30V  0.745 A  22.2W

P2. Se consideră fig.4.2.a)în care se cunosc:

E C  30V , RS  40, t r  0.1s, t f  0.5s, T  2ms . Se cer:
t 
a)valorile U CE  t r  şi ic  f  ;
 2   2 
b)puterea medie disipată pe TBJ, notată Pd;
c)ce valoare capătă Pd de la punctul b) când t r  t f  0 ?
Rezolvare:
Această problemă este o aplicaţie numerică a punctului 3.2. din breviar: „comutaţia
TBJ pe sarcină rezistivă”, deci vom folosi:
 t 2 E 30V
a) u CE t r 2  EC  1  r   C   15V
 tr  2 2
 t f 2  I CM
ic t f 2  I CM  1   , (1)
 t  2
 f 
unde ICM este curentul de colector maxim al TBJ blocat, care se determină în
problema P1, punctul b):
E  U CEsat 30V  0V
I CM  C   0.75 A (2)
RS 40
Obs.: S-a considerat U CEsat  0 deoarece nu a fost precizată nici o valoaareîn datele
problemei, deci s-a presupus TBJ ideal. Înlocuind relaţia (2) în reelaţia (1)obţinem:
ic t f 2  CM 
I 0.75 A
 0.375 A .
2 2
b) Se reia demonstraţia de la punctual 3.2 şi se ajunge la formula (4.7):

Pd 
 
EC2 t r  t f
 f , unde f  
1 1
 50 Hz
6 RS T 2ms

 Pd 
30V   0.1S  0.5S 
2
 50 Hz  1.125mW
6  40
c) Dacă tr=tf=0, atunci formula (4.7) capătă valoarea:
Ec2 t r  t f  30V   0S  0S 
2
Pd  f   0W , în concluzie, pe TBJ se disipă putere
6 Rs 6  40
datorită timpilor de comutaţie nenuli t r şi t f . Un TBJ ideal, care are t r  t f  0 nu disipă
putere.
P3. Se consideră circuitul din fig.4.4.a) în care se cunosc:
EC  30V , U CEsat  0.2V , RS  40, LS  40mH . See cer:
a) Desenaţi excursia punctului figurativ de funcţionare;
b) calculaţi ICM al TBJ saturat;

11
 c) calculaţi UCEM al TBJ blocat;
d) calculaţi energia acumulată de bobina LS când TBJ e saturat, respectiv când TBJ e
blocat.
Rezolvare:
Această problemă este o aplicaţie numerică a punctului 3.3 din breviar:”comutaţia
TBJ pe sarcină rezistiv-inductivă”, deci vom folosi:
a) Excursia punctului figurativ de funcţionare (PSF) este cea din fig.4.4.b);
b) Schema electrică echivalentă a fig.4.4.a cu TBJ saturat este cea din fig.3

iCM

LS

RS

C
RB
iB U CEsat 
EC
B 
30V
E

u i t 

Fig.3
Teorema Kirchhoff pe ochiul din partea deaptă este:
dI
E C  RS  I CM  LS  CM  U CEsat .
dt
dI
Dar TBJ saturat are ICM’constant, deci CM  0 . Rezultă:
dt
E  U CEsat 30V  0.2V
EC  RS I CM  U CEsat  I CM  C   0.745 A
RS 40
c) Schema electrică echivalentă a fig.4.4a) cu TBJ blocat este cea din fig.4.
Teorema Kirchhoff pe ochiul din dreapta este:
dI d0
E C  RS I C  LS C  U CEM ; E C  RS  0  LS   U CEM  U CEM  E C  30V
dt dt
L  I L2
d) Energia pe o bobină are expresia generală WL  , deci:
2
- când TBJ e saturat, energia pe bobină este:
40mH  0.745 A
2
LI 2
WLsat  CM   22.2mW
2 2
- când TBJ e blocat, energia pe bobină este:

12
 LI C2 40mH  0 2
WLbl    0W
2 2

iC  0

LS

RS

C
RB
iB U CEM  E
B  C

30V
E

u i t 

Fig.4

II. Probleme cu TBJ în regimul activ normal (RAN)

P4. Se consideră circuitul din fig.5 în care TBJ are   0.96 , I CB 0  0 şi
U EB  0.7V . Calculaţi:
a) factorul de amplificare în curent,  ;
b) curenţii I B , I C , I E ai TBJ;
c)tensiunile U BE , U CB , U EC ale TBJ;
d) verificaţi că TBJ funcţionează în RAN.

U EC

iE RE RC iC
2 K 3K
 U EB U CB 
EE
  EC
9V 15V
iB

Fig.5

Rezolvare:

13
 a) Relaţia generală între curenţii unui TBJ în orice regiune de funcţionare este:
i E  i B  iC . În plus la la funcţionarea TBJ în RAN apare o relaţie suplimentară, fie
iC  I E  I CB 0  I E , fie iC    i B . Obţinem:

iC    i E   i B  iC   i B  iC  iC 1     i B  iC   iB . Dar
1
 0.96
iC    i B . Prin identificarea ultimelor două relaţii obţinem:     24
1   1  0.96
b) Se scrie teorema Kirchhoff pe ochiul din stânga:
E  U EB 9V  0.7V
E E  R E I E  U EB  I E  E   4.15mA
RE 2K
Se află curenţii IC şi IB astfel:
I C  I E  0.96  4.15mA  3.984mA
I B  I E  I C  4.15mA  3.984mA  0.066mA  66A
c) Se scrie teorema Kirchhoff pe ochiul din dreapta:
EC  U CB  RC I C  U CB  RC I C  EC  3K  3.984mA  15V  3.048V
U BE  VB  VE  U EB  VE  VB   0.7V
Se scrie relaţia generală între tensiunile pe TBJ aplicând teoema Kirchhoff în jurul
TBJ: 0  U EB  U CB  U EC  U EC  U EB  U CB  0.7V   3.048V   3.748V
d) TBJ din figură este de tip pnp şi funcţionează în RAN dacă JE e polarizată direct
(adică U EB  0 ) şi JC e polarizată invers (adică U CB  0 ). În cazul nostru avem:
U EB  0.7V  0 şi U CB  3.048V  0 , deci am verificat că TBJ funcţionează în RAN.

u EC

E p n p C

u EB u CB
B
P5. Se consideră circuitul din fig.6 în care TBJ are VBE  0,7V şi   100 . Se cere:
a) calculaţi i B , iC , i E ;
b) calculaţi u CE şi u BC ;
c) verificaţi că TBJ funcţionează în RAN;
d) identificaţi modul fundamental de conectare a TBJ în circuit şi scrieţi mărimile şi
caracteristicile de intrare, de ieşire şi de transfer ale TBJ;
e) scrieţi ecuaţia dreptei de sarcină şi reprezentaţi graphic calitativ PSF în planul
caracteristicilor de ieşire;
f) care este clasa de funcţionare a TBJ?

14
 IC iC
I B1 ECHIV . E C RC  10 A
dreapta de
sarcină
RC THEVENIN
R B1 U BC
2 RC clasa A
2 M RB IB 2
U BC IC

x
U CE clasa B
IB  EC 1M
 20V  E U BE  EC PSF
I B 2  9.3
U CE  10VB  20V I C  0,93mA
I B1 
U BE IE

x
E C  20V
u CE
TBJ
RB 2 IE blocat U CE  19.99814V
2 M
I B2

a) Schema iniţială b) Schema echivalentă cu c) reprezentare PSF

teorema Thevenin
Fig. 6

Rezolvare:
Schema din fig.6.a) poate fi transformată prin echivalare cu teorema lui Thevenin în
schema din fig.6.b folosind formulele:
RB 2 2 M
EB   EC   20V  10V
RB1  RB 2 2M  2M
R R 2M  2M
RB  RB1 IIRB 2  B1 B 2   1M
RB1  RB 2 2M  2M
Rolul echivalării este de a obţine o schemă echivalentă mai simplă, deci cu relaţii mai
simple.
a)Pentru deeterminarea curenţilor şi a tensiunilor pe TBJ se scrie şi se rezolvă
sistemul format din relaţiile TBJ între curenţi, respectiv între tensiuni la funcţionarea în RAN
şi ecuaţiile Kirchoff ale circuitului:
 I E  I B  I C - relatie generală intre curentii TBJ (1)
 I   I  relatie suplimentară intre curenti pentru TBJ in RAN (2)
 C B

(S) U BE  U CE  U BC  0 - relatie generala intre tensiunile TBJ (3)

 E  R I  U - teorema Kirchoff II pe ochiul din stanga (4)
 B B B BE

 EC  RC I C  U CE - teorema Kirchoff II pe ochiul din dreapta (5)

E B  U BE 10V  0.7V
Din relaţia (4)  I B    9,3A
RB 1M
Din relaţia (2)  I C   I B  100  9,3A  0,93mA
Din relaţia (1)  I E  I B  I C  9,3A  0,93mA  0,9393mA
b) Tot din sistemul (S) rezultă din relaţia (5):
U CE  E C  RC I C  20V  2  93  10 5 A  19,99814V şi din relaţia (3) rezultă:
U BC  U BE  U CE  0,7V  19,99814V  19,29814V
c) TBJ tip npn funcţionează în RAN dacă JE e polarizată direct (adică UBE>0) şi JC e
polarizată invers (adică UBC<0). În această problemă, am obţinut:
U BE  0,7V  0 şi U BC  19,29814V  0 , deci am verificat că într-adevăr TBJ este în RAN.

15
 d) Se observă în fig.6.a) că TBJ tip npn e în conexiune EC, mărimile şi
caracteristicile de intrare, ieşire şi transfer fiind cele din tabelul 3 (conexiunea EC).
e) Dreapta de sarcină I C  I C U CE  din fig. 6.c) se determină din relaţia (5):
 1  E
EC  RC I C  U CE  I C  I C U CE       U CE  C , ea fiind o dreaptă de pantă
 RC  RC
negativă ce intersectează axa orizontală în punctul EC  20V ; I C  0 A şi axa verticală în
 E 
punctul U CE  0; C  10 A  . PSF U CE  19,99814V ; I C  0,93mA se află la intersecţia
 RC 
caracteristicii de ieşire a TBJ având I B  9,3A  const. cu dreapta de sarcină. Conform
fig.6.c) PSF e încă în RAN, dar foarte aproape de zona de blocare a TBJ.
f) TBJ funcţionează în clasă AB deoarece are PSF-ul din fig.6.c) între clasa A de
funcţionare (când PSF-ul situat la jumătatea dreptei de sarcină) şi clasa B de funcţionare (când
PSF-ul este situat la intersecţia dreptei de sarcină cu axa orizontală).

P6. Se dă schema din figura 7.a, în care TBJ are   100 şi U BE  0,7V . Calculaţi:
a) curenţii IB, IC, IE;
b) tensiunile UBC, UCE;
c) ce alte mărimi pot fi determinate?
d) verificaţi cu simularea PSpice.
2 IC

I B1
U BC
RC RC
R B1 RB 2K
2k IB
47 k U BC 2a I   100
C U CE
IB  EC EB  U BE  EC
 12V    12V
1 U CE 0.7V
RE
IE 500
U BE 3 I E
RB2 0,7V
8.2 K RE
500
I B2

a) schema electrică dată b) schema echivalentă Thevenin

Fig.7.
Rezolvare:
Se aplică teorema Thevenin şi schema din fig.7.a) se simplifică obţinându-se schema din
fig.7.b), în care:
RB 2 8,2 K
EB   EC   12V  1,7826V
RB1  RB 2 47 K  8,2 K
R R 47 K  8,2 K
RB  RB1 // RB 2  B1 B 2   6,98188K
RB1  RB 2 47 K  8,2 K
a), b) Sistemul de ecuaţii Kirchoff este:

16
  I E  I B  I C (1)
I    I (2)
 C B

(S) U BE  U CE  U BC  0 (3)
E  R  I  U  R  I (4)
 B B B BE E E

 EC  RC  I C  U CE  RE  I E (5)
Din relaţiile 1, 2 şi 4 rezultă:
E B  RB  I B  U BE  RE  I B   I B 
E B  RB  1   RE I B  U BE
E B  U BE 1,7826V  0,7V
 IB    18,83A
RB  1   RE 6,98188K  1  100   0,5K
Din relaţia 2 rezultă: I C    I B  100  18,83A  1,883mA
Din relaţia 1 rezultă: I E  I B  I C  1,90183mA  1,902mA
Din relaţia 5 rezultă:
U CE  EC  RC I C  RE I E  12V  2 K  1,883mA  0,5K  1,90189mA  12V  3,766V  0,951V
 U CE  7,2821V
Din relaţia 3 rezultă: U BC  U BE  U CE  0,7V  7,283V  6,582V
c) De exemplu poate fi determinat curentul IB1, în fig.7.a), ochiul din stânga sus:
R I  U BC 2 K  1,883mA   6,5821
RB1  I B1  U BC  RC  I C  0  I B1  C C   0,22017mA
RB1 47 K
Un alt exemplu, pote fi determinat IB2 pe ochiul din stânga jos din fig.7.a):
U  RE I E 0,7V  0,5K  1,90189mA
 RB 2 I B 2  U BE  RE I E  0  I B 2  BE   0,20133mA
RB 2 8,2 K
Putem verifica faptul că:
I B  I B1  I B 2  0,22017 mA  0,20133mA  0,01883mA  18,83A

d) Simulare PSPICE:
V(1)=1,6511V I(F)=1,883 E-03=1,883*10-3A
V(2)=12V I(VCC)=-2,104E-03=-2,104*10-3A
V(3)=0,9511V I(VBE)=1,883E-05=1,883*10-5A
V(2a)=8,2332V Pd=2,52E-02=2,52*10-2W
Rezultate calcul matematic punctul c) şi comparaţii:
IB=18,83μA=I(VBE)=1,883*10-5A
IC=1,883mA=I(F)=1,883*10-3A
IE=1,90189mA=I(RE)=I(F)+I(VBE)=1,902mA
UCE=7,2821V=V(2a)-V(3)=7,2821V
UBC=-6,5821V=V(1)-V(2a)=-6,5821V
IRB1=0,22017mA=I(VCC)-I(F)=0,22017mA
IB2=0,20133mA=IRB1-I(VBE)=0,20133Ma.

17